2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE

NPN транзистор 2N4401


Данное устройство предназначено для использования в качестве средней мощности усилителя и переключатель, требующих коллекционер токи до 500 мА.

Наименование производителя: 2N4401

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6

Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 135

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 7

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO92

Скачать описание 2N4401 datasheet

Элемент

Аналог

Тип аналога

2N4401121-1040Полный аналог
2N4401121-695Полный аналог
2N4401121-744Полный аналог
2N4401121-972Полный аналог
2N440113-29033-3Отечественный и зарубежный аналоги
2N440114-660-12Отечественный и зарубежный аналоги
2N440114-805-12Отечественный и зарубежный аналоги
2N4401142684Полный аналог
2N4401142686Полный аналог
2N4401142711Полный аналог
2N4401143794Полный аналог
2N4401146841Полный аналог
2N4401146847Полный аналог
2N4401146854Полный аналог
2N4401147664Полный аналог
2N4401151263Полный аналог
2N44012N3564Полный аналог
2N44012N3643Полный аналог
2N44012N3904Полный аналог
2N44012N4123Полный аналог
2N44012N4124Полный аналог
2N44012N4400Возможный аналог
2N44012N5210Полный аналог
2N44012N5225Полный аналог
2N44019013Полный аналог
2N4401A6HПолный аналог
2N4401BC237Полный аналог
2N4401BC337Полный аналог
2N4401ECG123APПолный аналог
2N4401MMBT4401Ближайший аналог
2N4401MPSA05Полный аналог
2N4401MPSA06Полный аналог
2N4401NP2222AПолный аналог
2N4401PN3643Полный аналог
2N4401КТ660АОтечественный и зарубежный аналоги
2N4401RA2N4401Полный аналог
2N4401RM2N4401Полный аналог
2N4401RP2N4401Полный аналог

Типы аналогов
Тип аналогаОписание
Отечественный и зарубежный аналогиАналогичные радиодетали отечественного и зарубежного производителей.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE
Полный аналогСовпадение выводов и корпуса, электрических и функциональных характеристик. Замена производится без внесения изменений в существующую электрическую схему.
Ближайший аналогВыводы на корпусе совпадают, но в электрической схеме компонентов есть некоторые различия, например разная функциональность.
Функциональный аналогЭлементы входят в одну функциональную группу, например усилители, со схожими характеристиками. Замена возможна с изменением схемы печатной платы.
Возможный аналогДанная информация представлена в ознакомительных целях. Перед заменой обязательно прочитайте документацию на эти компоненты.


Цифровые микросхемы транзисторы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серияПараметрНагрузка
РоссийскиеЗарубежныеPпот.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE мВт.tзд.р. нсЭпот. пДж.Cн. пФ.Rн. кОм.
К155 КМ1557410990150,4
К13474L13333504
К13174H226132250,28
К55574LS29,519152
К53174S19357150,28
К153374ALS1,244,8152
К153174F4312150,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS)К155 (74)К531 (74S)
К155, КM155, (74)40108
К155, КM155, (74), буферная603024
К555 (74LS)2054
К555 (74LS), буферная601512
К531 (74S)501210
К531 (74S), буферная1503730

Выходы однокристальных, т.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.



Статические параметры микросхем ТТЛ

ПараметрУсловия измеренияК155К555К531К1531
Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Тип.Макс.Мин.Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах2

2

2

2
U0вх, В
схема

0,8

0,8

0,8

U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В

0,4

0,350,5

0,5

0,5
I0вых= 16 мАI0вых= 8 мАI0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE п.= 4,5 В2,43,5

2,73,4

2,73,4

2,7
I1вых= -0,8 мАI1вых= -0,4 мАI1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В

250

100

250

I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В

40

20

50

I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В

-40

-20

-50

I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В

40

20

50

20
I1вх, max, мАU1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В

1

0,1

1

0,1
I0вх, мА
схема
U1и.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В

-1,6

-0,4

-2,0

-0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В-18

-55

-100

-100-60-150

2n4124 vs 2n3904

66482315 Equivalentes SMD X Convencional — Free download as PDF File (.pdf), Text File (.txt) or read online for free. FAIRCHILD SEM.ICONDUCTOR CMOS. MOS. MACROLOGIO. MICROPROC ESSORS. MEMORY OPTOELECTRONICS CCD SCHOTTKY HYBRIDS LAMPS RE GISTERS. ANALOG COUNTERS GATES AMPLIFIERS ISOPLANAR. TTL LINEAR ECL. DIODES SSI. DIGITAL

  • Success: A proper connection to MySQL host sql5c38b.carrierzone.com was made! Host info: sql5c38b.carrierzone.com via TCP/IP Client info: 5.5.65-MariaDB
  • MCIGICM 200pcs 2n3904 npn Transistor, 2n3904 Bipolar (BJT) Transistors NPN 40V 200mA 300MHz 625mW TO-92-3. 4.5 out of 5 stars 53. $5.80 $ 5. 80. Get it as soon as Wed, Dec 16. FREE Shipping on orders over $25 shipped by Amazon. Arrives before Christmas.
    • irg4pc30kd牌的irg4pc30kd iso1541d max489epd产品:估价:irg4pc30kd,规格:irg4pc30kd,产品系列编号:irg4pc30kd
    • 2N3904 APM: Active: Through-Hole Transistor-Small Signal (=1A) NPN General Purpose Amplifier/[email protected],000: Please call for Qty: EAR99: 8541.21.0095: CEN 2N3 904
    • 66482315 Equivalentes SMD X Convencional — Free download as PDF File (.pdf), Text File (.txt) or read online for free.
    • Or the price is $0.001 cheaper and they work the same. Or a combination of the two- your company is buying the 2N3904 in mass quantity for cheap and you would have to buy the 2N4401 in 100 quantity for 5x the price and it would be a new additional inventory item to keep track of.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE \$\endgroup\$ – Spehro Pefhany May 2 ’16 at 14:43
    • Большой справочник радиокомпонентов, включает в себя микросхемы, транзисторы, диоды и …
  • 2N2904 Silicon PNP Transistor General Purpose TO−39 Type Package Description: The 2N2904 is a silicon PNP transistor in a TO−39 type package designed for small signal, general
  • UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N3906 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLIATION FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Complementary to UTC 2N3904 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 — 2N3906G-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel 2N3906L-T92-B 2N3906G-T92-B TO-92 …
    • The 2N4401 is manufactured in a plastic TO-92 case. When looking at the flat side with the leads pointed downward, the three leads emerging from the transistor are, from left to right, the emitter, base, and collector leads.
  • Free essays, homework help, flashcards, research papers, book reports, term papers, history, science, politics
    • For 2N4124, can it be replaced by 2N2222A just like the original NC40?No, use a 2N3904 for the 2N4124, as it has the same collector capacitance; the PN2222A is about double that value. What is the bad side if I do the replacement?Nothing if you use a 2N3904 as the substitute. For 104 cap, can I use mono instead of MYLAR?
    • 2N3904 Datasheet, 2N3904 PDF, 2N3904 Data sheet, 2N3904 manual, 2N3904 pdf, 2N3904, datenblatt, Electronics 2N3904, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, data …
    • 2N3906 from Motorola Solutions, Inc.. Find the PDF Datasheet, Specifications and Distributor Information.
    • The 2N3904 and 2N3906 are a «complementary pair»,that is also stated in the manufacture’s datasheet. Mar 4, 2016 #5. BobK. 7,682 1,686. Jan 5, 2010. And complementary pairs are often used, surprise, as pairs! In a push-pull audio amplifier, the PNP conducts on the positive half of the signal and the NPN on the negative half.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE
    • Request an estimation for aviation parts at Accelerating RFQs. Here we take a closer look at all the specific parameters related with. 1,584 2n3055 transistor products are offered for sale by suppliers on Alibaba. Transistor Npn 2n3904 — 10 Unidades Arduino — Electroship. 2N3903 — General Purpose NPN Transistors. I(C) Max of 15.
    • 2N4124 0.2 A, 30 V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 High DC Current Gain High Transition Frequency G H Emitter Base Collector J A D B Collector Millimeter REF. Min. Max. K A 4.40 4.70 B 4.30 4.70 C 12.70 — D 3.30 3. …
  • Mil gracias, me ayuda mucho en mi proyecto de controlar el motor de la puerta de mi garage. El circuito electrónico que trae este motor permite abrir o cerrar la puerta, cortocircuitando dos polos que están a 24 voltios y consumen 12.3 mA (medido con amperímetro). Con la fórmula y el transistor 2N4124, la resistencia en la base sería 45 …
    • 2N3904 vs 2N2222. The 2N3904 and the 2N2222 are 2 of the most popular NPN bipolar junction transistors in the electronics market. In case you’re curious about which to use, or which one is better or superior than the other, in this article, we compare and contrast the 2 transistors.
  • Home > Part Search Utility Global Part Search Utility. Use the part search utility to search our database of over 65 million line items of hard to find and obsolete electronic components.
    • Gud day, I just have a small confusion about the power consumption of a home theatre system. By general browsing in the internet I came to know that the power consumption of a system can be calculated approximately by the RMS of the system.I browsed for home theatres from Zebronics and came…
  • The 2N3904 is a common NPN bipolar junction transistor used for general-purpose low-power amplifying or switching applications. It is designed for low current and power, medium voltage, and can operate at moderately high speeds.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE Overview. The type was registered by Motorola Semiconductor …
  • 2N2904 Silicon PNP Transistor General Purpose TO−39 Type Package Description: The 2N2904 is a silicon PNP transistor in a TO−39 type package designed for small signal, general

A nurse is reviewing the laboratory findings of a client who has acute pancreatitis

  • 2N3904 Datasheet, 数据表, PDF — Fairchild Semiconductor. NPN General Purpose Amplifier. NPN General Purpose Amplifier(continued)Typical Characteristics (continued)Storage Time vs Collector Current110100510100
  • |

  • The 2N3904 is a common NPN bipolar junction transistor used for general-purpose low-power amplifying or switching applications. It is designed for low current and power, medium voltage, and can operate at moderately high speeds. Overview. The type was registered by Motorola Semiconductor …
  • |

  • 2N4124 MMBT4124 C E TO-92 C B B SOT-23 E Mark: ZC NPN General Purpose Amplifier This device is designed as a general purpose amplifier and switch The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier.
  • |

  • I’m in Pueblo Colorado. Mountain time zone I believe you are in Central Time Zone and that would put you 1 hr ahead of me. Your 6 pm would be my 5 pm. I have two 1N4003 diodes and one NTE 116 diode. Also three Q1s and two Q2s. Also Have spare capacitors on hand. The only thing I don’t have…

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N3906 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLIATION FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V * Complementary to UTC 2N3904 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 — 2N3906G-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel 2N3906L-T92-B 2N3906G-T92-B TO-92 …The 2N3904 is a common NPN bipolar junction transistor used for general-purpose low-power amplifying or switching applications. It is designed for low current and power, medium voltage, and can operate at moderately high speeds.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE Overview. The type was registered by Motorola Semiconductor …

• Transistor-level Analog IC Design Capability • Menu-Driven Interface • Hierarchical Schematic Capture • Coupled Electrical and Physical Design Features • Electrical Design Rules Checking and layout vs. Schematic Checking The geometry of transistors and other circuit elements is determined by the user, according to the individual … pnp 25V (MPSA55) 2N3904 pnp 60V BCX52 hfe 160 npn fT 25GHz 4.5V 35mA npn 80V 0.1A fT 60MHz npn 80V 0.1A fT 60MHz npn 80V 0.1A fT 60MHz npn 80V 0.1A fT 60MHz gp npn 35V 0.2A npn fT 25GHz 4.5V 100mA BCY58-vii BCY58-viii npn fT 40GHz 2.5V 40mA gp sw amp 50V npn hfe 85-170 gp sw amp 50V npn hfe 85-170 BCY58-ix pnp gp 25V npn 70V 1A 1.35W hfe 40-120 …

pnp 25V (MPSA55) 2N3904 pnp 60V BCX52 hfe 160 npn fT 25GHz 4.5V 35mA npn 80V 0.1A fT 60MHz npn 80V 0.1A fT 60MHz npn 80V 0.1A fT 60MHz npn 80V 0.1A fT 60MHz gp npn 35V 0.2A npn fT 25GHz 4.5V 100mA BCY58-vii BCY58-viii npn fT 40GHz 2.5V 40mA gp sw amp 50V npn hfe 85-170 gp sw amp 50V npn hfe 85-170 BCY58-ix pnp gp 25V npn 70V 1A 1.35W hfe 40-120 … Categories. Baby & children Computers & electronics Entertainment & hobby Fashion & style

The 2N3904 is a common NPN bipolar junction transistor used for general-purpose low-power amplifying or switching applications. It is designed for low current and power, medium voltage, and can operate at moderately high speeds. Overview. The type was registered by Motorola Semiconductor …Feb 15, 2005 · is a bit higher power. The 2N4124 it almost the same, except the max collector voltage is only 25VDC. But it seems to me that using the 2N3904 is the best idea, because they’re as common as dog doo-doo.

I’m in Pueblo Colorado. Mountain time zone I believe you are in Central Time Zone and that would put you 1 hr ahead of me. Your 6 pm would be my 5 pm. I have two 1N4003 diodes and one NTE 116 diode. Also three Q1s and two Q2s. Also Have spare capacitors on hand.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE The only thing I don’t have… Mil gracias, me ayuda mucho en mi proyecto de controlar el motor de la puerta de mi garage. El circuito electrónico que trae este motor permite abrir o cerrar la puerta, cortocircuitando dos polos que están a 24 voltios y consumen 12.3 mA (medido con amperímetro). Con la fórmula y el transistor 2N4124, la resistencia en la base sería 45 …

I’m in Pueblo Colorado. Mountain time zone I believe you are in Central Time Zone and that would put you 1 hr ahead of me. Your 6 pm would be my 5 pm. I have two 1N4003 diodes and one NTE 116 diode. Also three Q1s and two Q2s. Also Have spare capacitors on hand. The only thing I don’t have…

  • Miele futura classic dishwasher troubleshootingDec 01, 2015 · WhatsApp: 0812-1661-6130
  • Google sheets unique ignore blankSWITCHING TRANSISTORS IC hFE mA fT Toff NPN PNP V(BR)CEO Max Min Max MHz Min ns Max Package − MPS2907A 60 600 100 300 200 110 2N4401 2N4403 40 600 100 300 200 − 2N3904 2N3906 40 200 100 300 250 300 P2N2222A − 40 600 100 300 300 285 TO−226AA, TO−92 MPS2222A − 40 600 100 300 300 285 Case 29−11
  • Essay about technology dehumanizesDo not use any old diode as a “low leakage diode”. Use the collector-base junction of an ordinary small signal NPN transistor. This junction is intended by design to be low leakage in all modern transistors. A good example is 2N3904, 2N4124, 2N4401, 2N5088, etc. If you can’t get 2N transistors, use what you can find.
  • Brisket probe testMCIGICM 200pcs 2n3904 npn Transistor, 2n3904 Bipolar (BJT) Transistors NPN 40V 200mA 300MHz 625mW TO-92-3. 4.5 out of 5 stars 53. $5.80 $ 5. 80. Get it as soon as Wed …
  • Deputy governor danforth quotesCaracteristicas Semiconductors — Free download as PDF File (.pdf), Text File (.txt) or read online for free.
  • Conversion 5e2N3904 vs 2N2222. The 2N3904 and the 2N2222 are 2 of the most popular NPN bipolar junction transistors in the electronics market. In case you’re curious about which to use, or which one is better or superior than the other, in this article, we compare and contrast the 2 transistors.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE
  • Spiritual meaning of spilling waterGraduating from 2n3904 to power transistors Part 2. So we left off wondering whether the max power that the power transistor of choice could handle, would be able to handle the solenoid powered off of 5V. The following is my thought process as molded by the brainiacs in the Tymkrs IRC 🙂 Apparently, I’m using the transistor like a switch.
  • Spring data mongodb2n3904 npn silicon transistor TYPICAL CHARACTERISTICSDC Current Gain, hFE Current Gain-Bandwidth Product, fT (MHz) 1000 fT vs. IC VCE=20V
  • 2 1 practice power and radical functions answers precalculus2N3904 hre 0.1 0.5 5.0 8.0 X 10−4 Small−Signal Current Gain (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) 2N3903 2N3904 hfe 50 100 200 400 − Output Admittance (IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) hoe 1.0 40 mhos Noise Figure (IC = 100 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k , f = 1.0 kHz) 2N3903 2N3904 NF − − 6.0 5.0 dB SWITCHING …
  • How to build a platform bird feeder with roof
  • Find the angle which is half of its complement
  • Adams arms low mass piston kit
  • Audio signal processing projects matlab
  • Resetter epson
  • Wgu msml capstone task 2 coursehero
  • Jealous x reader wattpad
  • Losslessbest 24 bit
  • 140 bpm acapella drill
  • Transisyon ng wika 1959
  • Latest traffic accidents qld

Corgi rescue cleveland ohio

How does onlyfans appear on bank statement

Shimano scorpion dc vs curado dc

How to go invisible in vrchat

Triangle congruence cpctc worksheet answers

3d animated powerpoint templates free download for windows 7

Realspace magellan desk replacement parts

Doubly linked list java

Spar buoy design

Greg hallett family tree

Podman run as root

Mario kart 7 hacks

Perkins diesel engine specs

Kahoot distributive property

Importance of instructional objectives

Volvo pem symptoms

Silverado ss badges

Usmle step 1 2020 philippines

Home > Part Search Utility Global Part Search Utility.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE Use the part search utility to search our database of over 65 million line items of hard to find and obsolete electronic components.
P018c code chrysler pacificaChevy 5.3 camshaft problems

Long range video transmitter

  • 1

    Cps paraprofessional salaryMissing token 3d aim trainer

  • 2

    Ukiwa mtenda mabaya mp3 downloadCarlton county police reports

  • 3

    2004 acura tl headlight diagramJd tuner ktm 500

  • 4

    Powershell import csv to excel sheetMid century upright piano

  • 5

    Raspberry pi slow download speedUsed pronghorn bows for sale

The noun form of compliment means “an expression of praise, commendation, or admiration,” and the verb means, “to praise or express admiration for someone.” You can pay someone a compliment, or compliment someone on a job well done.

Wildeman boulger funeral home in hillsboro

Eric gerardo lopez salomon

Make it rain game real moneyGet community url in lightning component®»

high reliability processing. suffix definitions. all mil-m38510 devices must have a three. letter suffix after their number. example: 38510/0010lbcb is 5430 gate,

Nov 23, 2017 · 2N3904 is a NPN transistor hence the collector and emitter will be left open (Reverse biased) when the base pin is held at ground and will be closed (Forward biased) when a signal is provided to base pin. 2N3904 has a gain value of 300; this value determines the amplification capacity of the transistor. The maximum amount of current that could … 2N4124 — КТ503Б — Купить … 2N3904 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300 BSR18 T9 T91 Si-P 2N3905 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz BSR18A T92 FAIRCHILD SEM.ICONDUCTOR CMOS. MOS. MACROLOGIO. MICROPROC ESSORS. MEMORY OPTOELECTRONICS CCD SCHOTTKY HYBRIDS LAMPS RE GISTERS. ANALOG COUNTERS GATES AMPLIFIERS ISOPLANAR. TTL LINEAR ECL. DIODES SSI. DIGITAL

Free essays, homework help, flashcards, research papers, book reports, term papers, history, science, politics 2N4124 / MMBT4124 Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Test Conditions Min Max Units OFF CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS* V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 1.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE 0 mA, IB = 0 25 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC = 10 µA, IE = 0 30 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IC = 10 µA, IC = 0 5.0 V

Транзисторы общего назначения NPN Silicon

% PDF-1.4
%
1 0 объект
>
эндобдж
5 0 obj
>
эндобдж
2 0 obj
>
эндобдж
3 0 obj
>
поток
BroadVision, Inc.2020-09-01T10: 21: 09 + 02: 002010-02-03T09: 56: 38-07: 002020-09-01T10: 21: 09 + 02: 00application / pdf

  • 2N4401 — Транзисторы общего назначения NPN Кремний
  • ON Semiconductor
  • Acrobat Distiller 8.2.0 (Windows) uuid: 34acda80-1cf8-4507-b2b6-6963d3481bd8uid: 409965dc-130d-4d6d-8e92-883dc31540df

    конечный поток
    эндобдж
    4 0 obj
    >
    эндобдж
    6 0 obj
    >
    эндобдж
    7 0 объект
    >
    эндобдж
    8 0 объект
    >
    эндобдж
    9 0 объект
    >
    эндобдж
    10 0 obj
    >
    эндобдж
    11 0 объект
    >
    эндобдж
    12 0 объект
    >
    эндобдж
    13 0 объект
    >
    эндобдж
    14 0 объект
    >
    эндобдж
    15 0 объект
    >
    эндобдж
    16 0 объект
    >
    эндобдж
    17 0 объект
    >
    эндобдж
    18 0 объект
    >
    эндобдж
    19 0 объект
    >
    поток
    HnF ^), wY \ 6Ďk1m! LL))! WD% 0lp & c |

    2N4401 datasheet — Технические характеристики: Полярность транзистора: NPN; Коллектор

    DF02S-E3 / 45: МОСТ ВЫПРЯМИТЕЛЬ, 1Ф, 1А, 200В SMD.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE s: Количество фаз: одиночные; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 200 В; Прямой ток, если (AV): 1А; Максимальное прямое напряжение VF: 1,1 В; Рассеиваемая мощность Pd: -; Тип установки диода: SMD; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса мостового выпрямителя: DFS; Количество контактов: 4.

    GBPC3510-E4 / 51: МОСТ-ВЫПРЯМИТЕЛЬ, 1Ф, 35А, 1КВ, QC. s: Количество фаз: одиночные; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 1 кВ; Ток в прямом направлении, если (AV): 35А; Максимальное прямое напряжение VF: 1,1 В; Рассеиваемая мощность Pd: -; Тип установки диода: Быстрое подключение; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса мостового выпрямителя: GBPC; Нет.контактов: 4.

    MBRM120ET1G: ВЫПРЯМИТЕЛЬ ШОТТКИ, 1 А, 20 В, 457. s: Количество фаз: -; Тип диода: Шоттки; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 20 В; Прямой ток, если (AV): 1А; Конфигурация диода: одиночный; Максимальное прямое напряжение VF: 530 мВ; Конфигурация модуля: -; Макс. Время обратного восстановления trr: -; Ток перенапряжения в прямом направлении Ifsm Max: 50A; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C.

    1N4933-E3 / 54: ДИОД БЫСТРОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, 1 А, 50 В DO-204AL. s: Тип диода: Быстрое восстановление; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 50 В; Прямой ток, если (AV): 1А; Максимальное прямое напряжение VF: 1.2В; Максимальное время обратного восстановления trr: 200 нс; Ток перенапряжения в прямом направлении Ifsm Max: 30A; Диапазон рабочих температур: от -50 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса диода: DO-204AL; Количество контактов: 2; MSL: -.

    1N4934G: ДИОД БЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ, 1 А, ОСЕВОЙ 1,2 В. s: Тип диода: Быстрое восстановление; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс: 1,2 В; Прямой ток, если (AV): 1А; Максимальное прямое напряжение VF: 1,2 В; Максимальное время обратного восстановления trr: 200 нс; Ток перенапряжения в прямом направлении Ifsm Max: 30A; Диапазон рабочих температур: от -65 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса диода: с осевыми выводами; Нет.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE контактов: 2; MSL :.

    BAS16X-TP: ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, 75 В, SOD-523. s: Тип диода: Импульсный; Прямой ток, если (AV): 200 мА; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс .: 75 В; Максимальное прямое напряжение VF: 1,25 В; Максимальное время обратного восстановления trr: 6 нс; Ток перенапряжения в прямом направлении Ifsm Макс: 500 мА; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса диода: SOD-523; Количество контактов: 2; MSL: -.

    BAS16W: ДИОД, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, 75 В, SOT323. s: Тип диода: -; Прямой ток, если (AV): -; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Макс .: -; Прямое напряжение VF Max: -; Макс. Время обратного восстановления trr: -; Прямой импульсный ток Ifsm Max: -; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса диода: -; Нет.контактов: -; MSL: -.

    1N4761A: стабилитрон, 1 Вт, 75 В, DO-41. s: напряжение стабилитрона Vz Тип: 75 В; Рассеиваемая мощность Pd: 1 Вт; Тип корпуса диода: DO-41; Количество контактов: 2; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; MSL: -.

    BF1212,215: МОП-транзистор DUAL N CH RF, 6 В, 30 мА, 4-SOT-143B. s: Тип транзистора: RF MOSFET; Напряжение истока стока Vds: 6 В; Id постоянного тока стока: 30 мА; Рассеиваемая мощность Pd: 180 мВт; Диапазон рабочих частот: -; Типовой коэффициент шума: 1,1 дБ; Диапазон рабочих температур: — ; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-143Б; Нет.контактов: 4; MSL: -.

    FZ1500R33HE3: Модуль IGBT. s: Конфигурация модуля: Одиночный; Полярность транзистора: канал N; Ток коллектора постоянного тока: 1,5 кА; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 3.3кВ; Рассеиваемая мощность Pd: 14,5 кВт; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: -; Диапазон рабочих температур: — ; Тип корпуса транзистора: IHM-B; Количество контактов: 9.

    VS-CPV364M4KPBF: МОДУЛЬ IGBT, 600 В, 24 А, SIP. s: Конфигурация модуля: Шесть; Полярность транзистора: канал N; Постоянный ток коллектора: 24А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600V; Рассеиваемая мощность Pd: 63 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: -; Нет.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE контактов: 13.

    FGh30N60SFDTU: IGBT, N CH, FAST, W / DIO, 600 В, 40 А, TO247. s: Тип транзистора: IGBT; Постоянный ток коллектора: 40А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600V; Рассеиваемая мощность Pd: 165 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: TO-247AB; Количество контактов: 3; MSL: -.

    IGB10N60T: IGBT, 600 В, 10 А, TO263. s: Тип транзистора: IGBT; Ток коллектора постоянного тока: 10А; Напряжение коллектор-эмиттер Vces: 2.05V; Рассеиваемая мощность Pd: 110 Вт; Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 600V; Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 175 ° C; Тип корпуса транзистора: TO-263; Нет.контактов: 3; MSL: -.

    BUK6240-75C, 118: N CH MOSFET, TRENCH AUTOMOTIVE, 75V, 90A, 4-DPAK. s: Полярность транзистора: канал N; Идентификатор постоянного тока утечки: 22А; Напряжение истока стока Vds: 75 В; На сопротивлении Rds (вкл.): 0,039 Ом; Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs Typ: 2,3 В; Рассеиваемая мощность Pd: 60 Вт; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C; Тип корпуса транзистора :.

    BC856BDW1T1G: ТРАНЗИСТОР, PNP, ДВОЙНОЙ, -65 В СОТ-363. s: Конфигурация модуля: Dual; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V (br) ceo: 65V; Частота перехода Типичная: 100 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 380 мВт; Ток коллектора постоянного тока: 100 мА; Коэффициент усиления постоянного тока hFE: 290; Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C; Тип корпуса транзистора: SOT-363; Нет.контактов :.

    ПУМх5,115: ТРАНЗИСТОР БРТ, NPN, 50В, 100МА, 4,7КОМ / ОТКРЫТЫЙ, 6-СОТ-363. s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 50V; Постоянный ток коллектора Ic: 100 мА; Базовый входной резистор R1: 4,7 кОм; Резистор база-эмиттер R2: -; Соотношение резисторов R1 / R2: -; Корпус ВЧ транзистора: СОТ-363; Количество контактов: 6.

    MUN2211T3G: ТРАНЗИСТОР BRT, 50 В, 10 кОм / 10 кОм, SC-59.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE s: Напряжение коллектора-эмиттера V (br) ceo: 50V; Постоянный ток коллектора Ic: 100 мА; Базовый входной резистор R1: 10 кОм; Резистор база-эмиттер R2: 10 кОм; Соотношение резисторов R1 / R2: 1; Корпус ВЧ транзистора: SC-59; Нет.контактов: 3.

    Q4N3RP: TRIAC, 400 В, 1 А, DO-214. s: повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии, Vdrm: 400 В; Максимальный ток срабатывания затвора (QI), Igt: 10 мА; В состоянии действующее значение тока IT (среднеквадратичное значение): 1A; Пиковый неповторяющийся импульсный ток Itsm 50 Гц: 16,7 А; Максимальный ток удержания Ih: 15 мА; Максимальное напряжение срабатывания затвора: 1,3 В; Пиковая мощность затвора: 200 мВт; Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 125 ° C; Корпус тиристора :.

    MMBT4401LT1-6.pdf

    % PDF-1.5
    %
    2 0 obj
    >
    эндобдж
    3 0 obj
    >
    эндобдж
    5 0 obj>
    эндобдж
    7 0 obj>
    эндобдж
    9 0 obj>
    эндобдж
    11 0 obj>
    эндобдж
    13 0 obj>
    эндобдж
    14 0 объект
    >
    эндобдж
    15 0 obj>
    эндобдж
    16 0 obj>
    эндобдж
    17 0 obj>
    эндобдж
    18 0 obj>
    эндобдж
    19 0 obj>
    эндобдж
    20 0 obj>
    эндобдж
    21 0 obj>
    эндобдж
    22 0 obj>
    поток
    2006-07-28T13: 43: 32 + 08: 00 Adobe Illustrator 9.0 Библиотека Adobe PDF 4.800

  • MMBT4401LT1-6.pdf
  • конечный поток
    эндобдж
    23 0 obj>
    эндобдж
    24 0 obj>
    поток
    2006-06-13T13: 32: 38 + 08: 00 Adobe Illustrator 9.0 Библиотека Adobe PDF 4.800

  • MMBT4401LT1-5.pdf
  • конечный поток
    эндобдж
    25 0 obj>
    эндобдж
    26 0 obj>
    поток
    2006-06-13T13: 32: 25 + 08: 00 Adobe Illustrator 9.0 Библиотека Adobe PDF 4.800

  • MMBT4401LT1-4.pdf
  • конечный поток
    эндобдж
    27 0 obj>
    эндобдж
    28 0 obj>
    поток
    2006-06-13T13: 32: 14 + 08: 00 Adobe Illustrator 9.0 Библиотека Adobe PDF 4.800

  • MMBT4401LT1-3.pdf
  • конечный поток
    эндобдж
    29 0 obj>
    эндобдж
    30 0 obj>
    поток
    2006-06-13T13: 32: 02 + 08: 00 Adobe Illustrator 9.0 Библиотека Adobe PDF 4.800

  • MMBT4401LT1-2.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE pdf
  • конечный поток
    эндобдж
    31 0 объект>
    эндобдж
    32 0 obj>
    поток
    2006-06-14T09: 56: 35 + 08: 00 Adobe Illustrator 9.0 Библиотека Adobe PDF 4.800

  • MMBT4401LT1-1.pdf
  • конечный поток
    эндобдж
    33 0 объект
    >
    эндобдж
    34 0 объект
    >
    эндобдж
    35 0 obj>
    эндобдж
    37 0 obj>
    эндобдж
    38 0 obj>
    эндобдж
    39 0 obj>
    эндобдж
    40 0 obj>
    эндобдж
    41 0 obj [

    ]
    эндобдж
    42 0 obj [
    43 0 руб.
    ]
    эндобдж
    43 0 obj>
    эндобдж
    44 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    45 0 obj>
    эндобдж
    46 0 obj>
    эндобдж
    47 0 obj>
    эндобдж
    48 0 obj [

    ]
    эндобдж
    49 0 obj [
    50 0 руб.
    ]
    эндобдж
    50 0 obj>
    эндобдж
    51 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    52 0 obj>
    эндобдж
    53 0 obj>
    эндобдж
    54 0 obj>
    эндобдж
    55 0 obj [

    ]
    эндобдж
    56 0 obj [
    57 0 р
    ]
    эндобдж
    57 0 obj>
    эндобдж
    58 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    59 0 obj>
    эндобдж
    60 0 obj>
    эндобдж
    61 0 объект>
    эндобдж
    62 0 obj [

    ]
    эндобдж
    63 0 obj [
    64 0 р
    ]
    эндобдж
    64 0 obj>
    эндобдж
    65 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    66 0 obj>
    эндобдж
    67 0 obj>
    эндобдж
    68 0 obj>
    эндобдж
    69 0 obj [

    ]
    эндобдж
    70 0 obj [
    71 0 руб.
    ]
    эндобдж
    71 0 объект>
    эндобдж
    72 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    73 0 obj>
    эндобдж
    74 0 obj>
    эндобдж
    75 0 obj>
    эндобдж
    76 0 obj [

    ]
    эндобдж
    77 0 obj [
    78 0 руб.
    ]
    эндобдж
    78 0 obj>
    эндобдж
    79 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    80 0 obj>
    эндобдж
    81 0 объект>
    эндобдж
    82 0 объект>
    эндобдж
    83 0 obj [

    ]
    эндобдж
    84 0 obj [
    85 0 руб.
    ]
    эндобдж
    85 0 obj>
    эндобдж
    86 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    87 0 obj>
    эндобдж
    88 0 obj>
    эндобдж
    89 0 obj>
    эндобдж
    90 0 obj [

    ]
    эндобдж
    91 0 obj [
    92 0 руб.
    ]
    эндобдж
    92 0 obj>
    эндобдж
    93 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    94 0 obj>
    эндобдж
    95 0 obj>
    эндобдж
    96 0 obj>
    эндобдж
    97 0 obj [

    ]
    эндобдж
    98 0 obj [
    99 0 руб.
    ]
    эндобдж
    99 0 obj>
    эндобдж
    100 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    101 0 obj>
    эндобдж
    102 0 объект>
    эндобдж
    103 0 obj>
    эндобдж
    104 0 obj [

    ]
    эндобдж
    105 0 obj [
    106 0 руб.
    ]
    эндобдж
    106 0 obj>
    эндобдж
    107 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    108 0 obj>
    эндобдж
    109 0 obj>
    эндобдж
    110 0 obj>
    эндобдж
    111 0 obj [

    ]
    эндобдж
    112 0 obj [
    113 0 руб.
    ]
    эндобдж
    113 0 объект>
    эндобдж
    114 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    115 0 obj>
    эндобдж
    116 0 obj>
    эндобдж
    117 0 obj>
    эндобдж
    118 0 obj [

    ]
    эндобдж
    119 0 obj [
    120 0 руб.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE
    ]
    эндобдж
    120 0 obj>
    эндобдж
    121 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    122 0 obj>
    эндобдж
    123 0 obj>
    эндобдж
    124 0 obj>
    эндобдж
    125 0 obj [

    ]
    эндобдж
    126 0 obj [
    127 0 руб.
    ]
    эндобдж
    127 0 obj>
    эндобдж
    128 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    129 0 obj>
    эндобдж
    130 0 obj>
    эндобдж
    131 0 объект>
    эндобдж
    132 0 obj [

    ]
    эндобдж
    133 0 obj [
    134 0 руб.
    ]
    эндобдж
    134 0 obj>
    эндобдж
    135 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    136 0 obj>
    эндобдж
    137 0 obj>
    эндобдж
    138 0 obj>
    эндобдж
    139 0 obj [

    ]
    эндобдж
    140 0 obj [
    141 0 руб.
    ]
    эндобдж
    141 0 объект>
    эндобдж
    142 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    143 0 объект>
    эндобдж
    144 0 obj>
    эндобдж
    145 0 obj>
    эндобдж
    146 0 obj [

    ]
    эндобдж
    147 0 obj [
    148 0 руб.
    ]
    эндобдж
    148 0 объект>
    эндобдж
    149 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    150 0 объект>
    эндобдж
    151 0 объект>
    эндобдж
    152 0 obj>
    эндобдж
    153 0 obj [

    ]
    эндобдж
    154 0 obj [
    155 0 руб.
    ]
    эндобдж
    155 0 obj>
    эндобдж
    156 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    157 0 obj>
    эндобдж
    158 0 obj>
    эндобдж
    159 0 объектов>
    эндобдж
    160 0 obj [

    ]
    эндобдж
    161 0 obj [
    162 0 руб.
    ]
    эндобдж
    162 0 объект>
    эндобдж
    163 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    164 0 объект>
    эндобдж
    165 0 obj>
    эндобдж
    166 0 obj>
    эндобдж
    167 0 obj [

    ]
    эндобдж
    168 0 obj [
    169 0 руб.
    ]
    эндобдж
    169 0 объектов>
    эндобдж
    170 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    171 0 объект>
    эндобдж
    172 0 объект>
    эндобдж
    173 0 объект>
    эндобдж
    174 0 obj [

    ]
    эндобдж
    175 0 obj [
    176 0 руб.
    ]
    эндобдж
    176 0 obj>
    эндобдж
    177 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    178 0 объектов>
    эндобдж
    179 0 объектов>
    эндобдж
    180 0 obj>
    эндобдж
    181 0 obj [

    ]
    эндобдж
    182 0 obj [
    183 0 руб.
    ]
    эндобдж
    183 0 объект>
    эндобдж
    184 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    185 0 obj>
    эндобдж
    186 0 объект>
    эндобдж
    187 0 obj>
    эндобдж
    188 0 obj [

    ]
    эндобдж
    189 0 obj [
    190 0 руб.
    ]
    эндобдж
    190 0 obj>
    эндобдж
    191 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    192 0 объект>
    эндобдж
    193 0 объект>
    эндобдж
    194 0 объект>
    эндобдж
    195 0 obj [

    ]
    эндобдж
    196 0 obj [
    197 0 р
    ]
    эндобдж
    197 0 obj>
    эндобдж
    198 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    199 0 объект>
    эндобдж
    200 0 obj>
    эндобдж
    201 0 объект>
    эндобдж
    202 0 obj [

    ]
    эндобдж
    203 0 obj [
    204 0 руб.
    ]
    эндобдж
    204 0 объект>
    эндобдж
    205 0 obj [
    1 0
    ]
    эндобдж
    206 0 объект>
    эндобдж
    207 0 объект>
    эндобдж
    208 0 объект>
    эндобдж
    209 0 объект>
    поток
    HWklT66 ~ nyk6 \ @ ˣlpMFASSbA۴) B * «5 \! PJM # e) T-xgmjZ! 13sΜ; Nx ~ mC ד * тxsmK ຓ

    % PDF-1.2N4401 datasheet: 2N4401, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 625 мВт, 600 мА, 100 hFE 4
    %
    164 0 объект
    >
    эндобдж

    xref
    164 81
    0000000016 00000 н.
    0000002535 00000 н.
    0000002620 00000 н.
    0000002817 00000 н.
    0000003589 00000 н.
    0000003873 00000 н.
    0000004101 00000 п.
    0000004776 00000 н.
    0000005062 00000 н.
    0000005575 00000 н.
    0000005707 00000 н.
    0000005744 00000 н.
    0000006050 00000 н.
    0000006286 00000 н.
    0000006364 00000 н.
    0000006612 00000 н.
    0000006852 00000 н.
    0000007081 00000 п.
    0000008130 00000 н.
    0000009049 00000 н.
    0000009427 00000 н.
    0000009552 00000 н.
    0000009787 00000 н.
    0000010753 00000 п.
    0000011794 00000 п.
    0000012449 00000 п.
    0000013386 00000 п.
    0000014055 00000 п.
    0000014254 00000 п.
    0000014642 00000 п.
    0000014819 00000 п.
    0000015200 00000 н.
    0000015564 00000 п.
    0000015737 00000 п.
    0000015998 00000 н.
    0000016201 00000 п.
    0000016552 00000 п.
    0000016899 00000 н.
    0000017626 00000 п.
    0000020320 00000 н.
    0000020562 00000 п.
    0000020779 00000 п.
    0000048992 00000 н.
    0000049230 00000 п.
    0000066324 00000 п.
    0000069621 00000 п.
    0000069825 00000 п.
    0000070563 00000 п.
    0000070816 00000 п.
    0000071450 00000 п.
    0000071899 00000 п.
    0000072396 00000 п.
    0000072920 00000 н.
    0000073293 00000 п.
    0000073792 00000 п.
    0000074166 00000 п.
    0000074999 00000 п.
    0000075405 00000 п.
    0000076447 00000 п.
    0000076887 00000 п.
    0000077726 00000 п.
    0000078401 00000 п.
    0000078811 00000 п.
    0000079196 00000 п.
    0000079652 00000 п.
    0000080148 00000 п.
    0000080584 00000 п.
    0000080781 00000 п.
    0000081277 00000 п.
    0000081535 00000 п.
    0000081907 00000 п.
    0000082100 00000 п.
    0000082537 00000 п.
    0000082820 00000 н.
    0000083232 00000 п.
    0000083982 00000 п.
    0000084410 00000 п.
    0000084806 00000 п.
    0000085115 00000 п.
    0000085314 00000 п.
    0000001916 00000 н.
    трейлер
    ] >>
    startxref
    0
    %% EOF

    244 0 объект
    > поток
    xb«f«k Ȁ

    2n4401% 20smd техническое описание и примечания к применению

    HW-11-20-SM-D-669-100

    Samtec Inc

    Разъем для стекирования плат, 22 контакта, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, Бесплатный образец
    SSM-120-SM-DV-LC-P

    Samtec Inc

    Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, Бесплатный образец
    EW-25-20-SM-D-200

    Samtec Inc

    Разъем для стекирования плат, 50 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, Бесплатный образец
    SSM-120-SM-DV-K-TR

    Samtec Inc

    Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, Бесплатный образец
    SSM-120-SM-DV-BE

    Samtec Inc

    Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, Бесплатный образец
    HW-17-20-SM-D-650-SM-A

    Samtec Inc

    Разъем для штабелирования плат, 34 контакта, 2 ряда, вилка, прямой, клемма для поверхностного монтажа, Бесплатный образец

    % PDF-1.K «Использовать) (a [? ‘Fr: c

    конечный поток
    эндобдж
    31 0 объект
    >
    поток
    J.77NE1) u) RUDQPU & 0MmN @) bKg-tG: R% V & = $ PR (MJO: 4M] fX, * E3J% `1 & bu] _
    @ PetB @ rS- # RPZu8% -LP4aP (> d * 6nt # Tr?% D4J + t (‘7mC5E @ R7_, ZNI8FDXm ;;! NW5
    T [76] UJ`9J.Eq3U5) @% REqtZc $ #,% = + I1 [Y ?? mNO81Hq5) 58] gSlK \ afc \ H = -_ (Ub
    d _ «» d4 *% J4-9% t & lJ! 5L% 5Lp% r =! =) SjIL $ 3

    конечный поток
    эндобдж
    32 0 объект
    >
    поток
    J.758OT @@) bKg-tY.L% V & = $ LtHSt (e @ + _ «) M (\) 3 #) Y» $ rH /
    6O = TgLD # Em-t> & mNW] G4eC%>) S49DG0Mp, 81n «m9e.KpgC, _? Rj \ j3r2PE; G7n03 [
    , sJ (QS \ rAX + gk>] «. ‘EA @ kjg-F% WkMD’M +».BMV, dgOPl.36Z-L> & «Kl @ iY \ qn` [ttg_sgP» / Nt \ Zl # u9UIf @ bd
    $ 8б> M * J «Grr% OW, MosG (HLQ + &&&&: sSHtug &&&& YZ && UC & ejd6R && Му & ToGbam

    & M33 & н & Z45 & XKU &&&& Sn ​​& G6A && F2EC-Cf: &&& n_chU0IZV & U && АВТ & A26erlq && Ganu & jRZPB9uad &&& нл & CMER & Нм && qXEVh3 & YIZj & е & Б &&&&& Y & T & RqcUM9dXr &&&& ч & VE &&& б & mAfYc & J && && MbrZf & BHXGT7Nh3 &&& dD0JSHAFIJ & К5 & отн && CZ & f0 & м && Т1 & H &&& W4 _ &&& V & Fm && ТС6 & ХЕ & U & КТ &&& G &&& s — &&& Х4 & XVA5 & SFV4cK & OIUX &&& А1 и ТУ.Ssr9 & PF2Bbj &&&& jLB2 & т:

    && j0 & C && U_L8 & В9 &&& YZGc &&& с &&& Н && d && L & Y 8>

    &&&& BRV & BP5 &&& aBe4DdU1 && Q & MP & ETD & P & CP1 & bcGgi & GK & N & && O: r_c &&& LL & l.q5 &&& JZ && D8NKc & Lo & M6 &&&& S & I — && Xi3U _ && D & NQ & m2r1P & нет & sjp8ZRP & rFd1 & О7 & ST && гн && Wi & гк — && S3D & CkM2 & F3J && сУ && i183j & k8o & ikCn && WNBAQ && mffV2 &&&& ОНР &&&&& V & Fm && ТС6 && Е &&& Mtu

    && Nr09 & YU & д & п && Сп && FK & LY && О.Ю. & к0: uIOhfBcnu && BF & N & б.t8.oZ & XGr1g38n && uFm3 & hé & е &&&& Р & ч && PlpK3SD9M

    & г & Óður & Hry & NY0XF &&& В.П. &

    & е & G3 & ATIZ & J & CIKck_R5-Эде & CnH6nuJS _ &&&& HYGnYK && Mh8F & SJj1 &&&&& XWe7 &&&&& i7YDp && Z &&&& G & M & BU7 & Du &&&& GAM && Z_pUtd && cfa7clp7t & F & B &&& iiPXC & оМ & Е7 -. &&&& g_.п & VGM && Jn6pKo & Zjr &&& G && ч & LWPJ865S & TGT & _jJAo2 & W & rAhh & U &&& С & M2WYC & S & Ob6pki21 & Olrad & J7N0 & DMP && к &&& U: & R4e2JA & Ва & Сс & DJ: bqq18mR- & Z0qQmde & Z & dk6 & LP & TR & XhI4 & K & FB_H &&&&& д & GZ6jr: sq.U & U_OK && J & s & MNmk1K8AN & BV & п _ && Qfi &: _ Д6 & утра &&&& TolOoL3SBjQC2e & Q &&&&& р &&&& К && r2 & NZOo: т: F &&& д && к &&& н-9O8 & I_: Ctl & кГр & b3 & OW & s && ZXY_3JQPKOPElrPAkf && Gp & ки & BgbT & д & n58E &&& е — && F354m85M5HjA && & Fog & SI &&& PK & _ && ЬУ & Fo && s & OJUP5sI &&&& Ksk8G & SFGG && gmuA8uJVOD- & Rmn3MadqKK & G & J && Ма & s5h & bAfJB8 && OG8 & & C781rs && uXn2 & G2.& NB &&&&&& OtSfk9 & EcGCr9 & P &&&& nRd0L &&: mVTE & IgfapmoaXWZ && Х && Bb2mWOJ & BBi3 && hN2ZFc8I & ohnMIjLdb5k & ВР && Рр & ndWNHauCp & O && cdE_lCpHf & F & WiTAe.10O: & lORT && && Q & л & Ytto69kcq1 & р & V & u7k &&& И.Б. &&& eu.bZmAO & Y9 && Е && Y7ck2ms1 &&&& Р — && QUao && LrBQDmEgR0l &&&&&& S5-дк && DmB & AP7 & НУ && Л.М. & G & qnhNQ &&&&&&& Knoq4nM && & JIE & CO & H & mPMF6oTHhX

    2N4401_4419648.Загрузить техническое описание в формате PDF — IC-ON-LINE

    Транзистор

    Электронише Бауэлементе НПН инкапсулированный пластиком

    ЧАСТЬ Описание Чайник
    CSD882P CSD882R CSD882 CSD882E CSD882Q Транзистор с пластиковыми выводами NPN средней мощности мощностью 10.000 Вт. 30 В Vceo, 3.000 A Ic, 160 — 320 hFE. Дополнительный CSB772P
    10.000 Вт NPN-транзистор средней мощности с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 3.000 A Ic, 60 — 120 hFE. Дополнительный CSB772R
    10,000 Вт NPN-транзистор с пластиковыми выводами средней мощности.30 В Vceo, 3.000 A Ic, 100 — 200 hFE. Дополнительный CSB772Q
    10.000 Вт NPN-транзистор средней мощности с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 3.000 A Ic, 200 — 400 hFE. Дополнительный CSB772E
    10.000 Вт NPN-транзистор средней мощности с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 3.000 A Ic, 60 — 400 hFE. Дополнительные CSB772
    Усилитель мощности звуковой частоты и низкоскоростные коммутационные приложения
    CDIL [Continental Device India Limited]
    DZT5551-13 NPN ТРАНЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТИ
    600 мА, 160 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ УПАКОВКА-4
    Diodes Incorporated
    Diodes, Inc.
    2SD669AC 2SD669C 2SD669-D-BP NPN транзистор в кремниевом пластиковом корпусе
    1500 мА, 120 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-126
    Микрокоммерческие компоненты
    2DD1766P 2DD1766P-13 2DD1766R-13 2DD1766Q-13 Дискретный — Биполярные транзисторы — Главный стол транзисторов (BJT) — Транзисторы от 30 В до 50 В
    2 мА, 32 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, SOT89-3L, 4 КОНТАКТЫ
    NPN ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСТАНОВКИ НА ПОВЕРХНОСТИ
    Diodes, Inc.
    Diodes Incorporated
    CD9018 CD9018E CD9018D CD9018F CD9018G CD9018I 0,400 Вт Универсальный NPN-транзистор с пластиковыми выводами. 15V Vceo, 0,030A Ic, 40-59 hFE
    КРЕМНИЙНЫЙ ПЛОСКИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
    Continental Device India Limited
    2DD2679 2DD2679-13 2DD2679-15 Дискретный — Биполярные транзисторы — Главный стол транзисторов (BJT) — Транзисторы от 30 В до 50 В
    2000 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-3
    ТРАНЗИСТОР С НИЗКИМ VCE (SAT) NPN НА ПОВЕРХНОСТИ
    Diodes, Inc.
    Diodes Incorporated
    CD9013 CD9013F CD9013H CD9013DEF CD9013GHI CD9013J 0,625 Вт NPN-транзистор общего назначения с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,500 А Ic, 278 — 465 hFE
    0,625 Вт Универсальный NPN-транзистор с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,500 A Ic, 118 — 305 hFE
    0,625 Вт NPN-транзистор общего назначения с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,500 A Ic, 64 — 135 hFE
    0,625 Вт NPN-транзистор общего назначения с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,500 A Ic, 64 — 465 hFE
    КРЕМНИЙ ПЛОСКИЙ ТРАНЗИСТОР NPN
    Continental Device India Limited
    KTC1027-O KTC1027-Y KTC1027-15 НПН заключенный в капсулу пластиком
    Транзистор
    SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
    SeCoS Halbleitertechnologie…
    SeCoS Halbleitertechnol …
    CD9011 CD9011D CD9011E CD9011F CD9011G CD9011H CD9 0,400 Вт Универсальный NPN-транзистор с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,100 А Ic, 29 — 273 hFE
    0,400 Вт Универсальный NPN-транзистор с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,100 А Ic, 29 — 44 hFE
    0,400 Вт Универсальный NPN-транзистор с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,100 А Ic, 40-59 hFE
    0,400 Вт Универсальный NPN-транзистор с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,100 A Ic, 54 — 80 hFE
    0.Транзистор общего назначения с пластиковыми выводами NPN, 400 Вт. 30 В Vceo, 0,100 А Ic, 72 — 108 hFE
    0,400 Вт Универсальный NPN-транзистор с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,100 А Ic, 97 — 146 hFE
    0,400 Вт Универсальный NPN-транзистор с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,100 А Ic, 132 — 198 hFE
    0,400 Вт Универсальный NPN-транзистор с пластиковыми выводами. 30 В Vceo, 0,100 A Ic, 182 — 273 hFE
    Continental Device India Limited
    DDTD114GU-7-F DDTD133HU-7-F DDTD113EU DDTD113ZU DD Транзисторы с предварительным смещением
    500 мА, 40 В, NPN, Si, ТРАНЗИСТОР ДЛЯ МАЛЫХ СИГНАЛОВ
    500 мА, 50 В, NPN, Si, ТРАНЗИСТОР ДЛЯ МАЛЫХ СИГНАЛОВ ЗЕЛЕНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-3
    NPN ТРАНЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА НА 500 мА

    Diodes, Inc.