30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники

Бесплатная доставка 21N50C3 SPW21N50C3 3045PT MBR3045PT 30N60 SGW30N60 G30N60 IXFh22N100F IXTh22N100 IXFR12N100F IRFP350 TO 247|Интегральные схемы|

информация о продукте

Характеристики товара

  • Название бренда:
    YUFO-IC
  • Состояние:
    Новый
  • Тип:
    Логические ИС
  • Упаковка:
    DIP
  • Мощность рассеивания:
    datasheet
  • Номер модели:
    title & datasheet
  • Применение:
    Компьютер
  • Рабочая температура:
    datasheet
  • Напряжение электропитания:
    datasheet
  • Индивидуальное изготовление:
    Да
  • Shipping:
    Free

описание продукта

отзывах покупателей ()

Нет обратной связи

Полевые транзисторы — Радиодетали

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, обычно с тремя выводами, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники

Полевые транзисторы

03 N60S511NK40ZP пласт
04 N60C311NK90C
04 N60S511NM50N
050N20   (RDN)11NM60FP
050P03   (RSS)11NM80 (TO220)
060P05   (RSS)11NM80  (TO247)
065N06   (RSS)11P06 (I-PAK) FQD
06N6011P06 (TO220) FQP
06N60T (G06T60)11P06 (TO252) FQP
06N80C312N60
070N05    (RSS)12N60 C(F) пластм.
075P03    (RSS)12NK80Z
07N12012NK90Z
07N151K (07D151K)12NK95Z
07N221K (07D221K)12NM50N
07N680K (07D680K)12P04 =ME (TO252)
090N03    (RSS)12P10 (TO220) FQP
090P03    (RSS)12PF06 (TO220) STP
100N10  to3p13N10  (TO220)
10h20013N10  smd (D2PAK)
10N03 L13N65B   (MDF)  pl
10N03 LA13NK100Z
10N120 ADN13NK60ZFP
10N20   (FQPF)13NK80Z
10N60A (SGB10N60A)13NM60
10N60A (изолир,)13NM60 D2PAK
10N60A ориг. TO 24713NM60 DPAK
10N60C plast org14N36G3VL (HGTP)
10N80 мет. TO-22014NC60FP
10N80 пл.14NF12
10N80C14NK50Z orig
10N90 vtn14NK50Z мет
10N90A пласт14NK50ZFP
10NB37LZ = (NGB 8202)14NK50ZT4 orig
10NC60 met org14NK60Z мет.
10NK60Z orig14NK60ZFP
10NK60ZFP пласт15N03H
10NK60ZP мет.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники15N03LA
10NK80Z15N06
10NK80Z  (STW)15N10 = ME..(TO252-3L)
10NK80ZFP orig15N120AND
10NK80ZFP не ориг.15N16HS
10NK90Z=10NK90Z15N60 C3
10PF06    (STD)15N60HS  (SGB)
11N06LT15N60RUFD
11N60C(SPP)=12N60F15NK50 ZT4
11N65B  (MDF)15P05  TO251
11N80 met org15P05  TO252
11N90C15P05 SM(RFD) TO252AA
11NK100Z160N60UF   (SGL)
11NK40Z16NE06 (изолир,)
16NE06 met
16NF0626N50
16NF06FP26NM60N
16NK60Z26NM60N  б. корпус
17A0627N06E
17D06  SO827N25
17N06=17P06=18P0627P06
17N80C328NK60Z
17N80C3 пл.2N 100  dpak
17NK40ZFP2N06L
17P062N60 мет.
17P06TU2N60B мет.
17P102N60C (A) пл.
18N20V2   (FQPF)2NB80T4
18N40ABG (LZT4)2NK90 DPAK
18N40LZ  (STGD)2NK90Z   (STD)   DPAK
18N50  (IRFB)3055 smd (NTF)  SOT 223
18N50  (IRFBA) пласт3055L ( TO 252)
18NK80Z3055LE ( TO 220)  (MJE)
18NM803055LE ( TO 251)
18P06P (17P06)30N05E
19N20  =(19NF20)30N06 (FQD)
19NC60WD (STGW)30N06 (FQP)
19NF2030N120
19NM50N30N120D   (h40R1202)
19NM50N б. корпус30N160  (h40R1602)
1NK60Z   SO 830N60 (30T60)
1NK60Z   SOT 22330N60 A
1NK60Z   TO 9230N60 A4
20N03L30N60 A4D
20N06=20NE0630N60 AUI  (IXGH)
20N50   (ТО 247)30N60 D
20N60   (ТО 247)30N60 h4      (IKW)
20N60  FB пласм.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники30N60 HS   (30H603)
20N60  SFD30NF06
20N60C330NF20
20N60C3   (ТО 220)30PF03L   (STD)
20N60C3 orig30PF03L-1
20N65 C330PF30
20NB32LZ30US30DN   (FFH)
20NC60 WD   (ТО 247AC)31N20D  (IRF B)
20NE06=20N0633N10
20NF2033N25
20NK50Z34NM60N  (STP)
20NM6035N60C3
20NM60 N35NF06 LT4
20P06L smd38N60L
21NM60 N   (STF)39NC60 VD (STG W)
22N60NT  (FCPF)3DD 200
24N03L см.= PHP 24N03LT3DD 202
24N40E3DD 207
24NF103DD 300
24NM653DD 303 A
25N120AND3DD 303 C
25NM50N3DS01L   (ICE)
25NM50N   D2PAC3N6
3N60   met4NA40   plast
3N60 FI plast4NA80   met
3N60 FP plast org4NA80 FI plas
3N80  met4NB100 ( замена =4N90 )
3N80 plast4NB80 FP  plast
3N80A    plast4NC60 FP  plast
3N90  (ИЗОЛ)4NF03L
3N90  met4NK50ZT4
3NA80    met4NK60Z   met
3NA80    plast4NK60ZPF  пластм.
3NA90 met4NK80 ZFP orig пласт
3NA90 plast4NK80Z orig
3NB60FP50E1200 HB  (CLA)
3NB80FP50N03 (TO 251)
3NB90FP50N03 (TO 263)
3NC6050N06 D2PAC =(60N06)
3NC90 ZPF пласт.50N06 or.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники (50E06 )TO-220
3NK60 ZFP пласт50N06 orig TO-220
3NK80 ZFP plast50N60  (Челябинск )
3NK90 ZFP50N60 h4   (IKW)
40N0350N60A
40N03 = AP40N03P50N60A б. корпус
40N03GP = AP40N03GP  TO-22050N60KDA   (KGT)
40N120 AND ( FGL  40N120 AND)50N60T   (IKW)  =50T60
40N150D50NB60 T
40N5050NB60M orig
40N6050T60 =(50N60)  (IKW)
40N60 A4  (HGTG)52N10
40N60 SFD (FGH  )5484 (MMBF) smd
40N60 SMD (FGH)55NE06
40N60 UFD (FGH )55NF06 met
40N60 UFD (SGH)55NF06 plas
40N60B2D1  (IXGH)5N2307   (H)
40N60C2D1  (IXGR)5N3011P   (H)
40N60h4 = K40H6035N60C   DPAK
40T03GP = AP40T03GP5N60C   TO220
40T03P5N60C   TO220F
40T03S5N60C   TO251
40T3015N62K3
40TPS085N80   met
40TPS12 (A)5N80C  plast
44N50  (IXFK)5N90     plast
45N120  (IXSH)5N90   met
45NM50  (STW)5N90A   met  TO-3A
45NM50FD  (STW)5NA90   met  TO-220
46N15   (FQB)5NA90  plas
47N60C35NA90A   met  TO-3A
4N60   met5NB40FP
4N60 B  (SSW)5NK40 Z
4N60 B  plast5Nk60
4N60LV (K)5Nk60 ZPF plast.
4N90 A    plast5NK80 Z
4NA40   met5NK80 ZPF plast.
5NM60    (STD)7N50  (MDF)
5NU73 болгарские7N60 A plast
60N03 D2PAK7N60 met
60N03 DPAK7N60B (C)  plast
60N03LDG  TO-2527N65B  (MDF)
60N067N65C
60N06 D2PAK7N80C
60N1007N90Q
60N20T   (IXTA)7NA60  (SSP)
60N60 SFD7NA80
60N60 SMD7NC60HD     (STG)
60N60 UFD7NC70ZFP
60NF03L7NK40Z
60NF06 met7NK80Z
60NF06 plast7NK80ZFP
60NF06T4  D2PAK  met7NM80
60NF06T4  DPAK  met7NM80 met
60NF10 met7NM80 пл.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники (7N80C надп)
60NH03- =(STD)80N03 D2PAK
60R600 CP D2PAK80N60 UFD
60UP30DN   (FFA)80N60 UFD   (SGH)
65NF06 met80NF12
6N60 —   plast80NF55L-06
6N60 (A)  met80NF55L-06T4
6N60 D2PAK85N06
6N60 F orig85N06 D2PAK
6N62K388N30 TO 247
6N70 пл.8N50 met
6N80 met.8N60F orig
6N80C пласт8N65M5
6N908N80A
6NA60 met8N90C
6NA80 F18NA60  TO-3A  Б.корпус)
6NB908NA60 plast    TO-220
6NC608NC80A TO-247(Б. корп)
6NC80Z8NC90Z
6NK60Z8NK80Z
6NK60ZFP plast8NK80ZFP
6NK60ZT4 D2PAK90N33
6NK70ZF90NF20
6NK90Z met.90T03 GP TO220
6NK90ZPF plas.99N03   D2PAK
70N0399N03   DPAK
70N069N60
70N33TBM-A   (IXGP)9NA50   plast
70NA60 мет9NA60
70NF03 (70N03)9NA80 plast    TO-220
70TPS129NB50FP
75N03 HDL9NC80   plast
75N059NK50Z
75N069NK50ZFP
75N15 (IXTH)  (TO-247AD)9NK50ZT4 (D2PAK)
75NF209NK60Z
75NF759NK60ZFP
7N40 E   plast9NK70Z
9NK70ZPFIRF 644 B
9NK90Z TO 247 б. корпусIRF 644 N
9NK90Z мет.IRF 650  —
9NK90ZPF \ plact/IRF 710
9NM60NIRF 7101 smd
9NА50IRF 7103 smd
IRF 7104 smd
IRC Z 24IRF 7105 smd
IRC Z 34IRF 720
IRC Z 44IRF 7204 smd
IRF 1010(N,E)  —IRF 7205 smd
IRF 1310NIRF 7210 smd
IRF 1404IRF 730  ориг
IRF 1405IRF 730 не ориг
IRF 1407IRF 7301 smd
IRF 2204IRF 7303 smd
IRF 2204SIRF 7304 smd
IRF 2804 origIRF 7306 smd
IRF 2805IRF 7307 smd
IRF 2807IRF 7309 smd
IRF 2905IRF 7311 smd
IRF 3205 origIRF 7313 smd
IRF 3703IRF 7314 smd
IRF 3706IRF 7317 smd
IRF 3707IRF 7319 smd
IRF 3707SIRF 7322 smd
IRF 3708 (IRF R 3708?)IRF 7324 smd
IRF 3710IRF 7325 smd
IRF 3711IRF 7326 smd
IRF 3808IRF 7331 smd
IRF 4905 origIRF 7342
IRF 4905 SIRF 7343 smd
IRF 510  —IRF 7350 smd
IRF 520IRF 7379 smd
IRF 520 (N)IRF 7380 smd
IRF 5210IRF 7389 smd
IRF 530IRF 740  —
IRF 530 NIRF 740  orig
IRF 5305  TO220IRF 740 S
IRF 5305 S D2PACIRF 7403 smd
IRF 540 —IRF 7406 smd
IRF 540 SIRF 7413 smd
IRF 610  —IRF 7416 smd
IRF 614IRF 7424 smd
IRF 620IRF 7425 smd
IRF 6215IRF 7433 smd
IRF 630  — metIRF 7465 smd
IRF 630  — met ORIGIRF 7469 smd
IRF 630  изолировIRF 7470 smd
IRF 634IRF 7471 smd
IRF 640  —IRF 7477 smd
IRF 640 NSIRF 7478 smd
IRF 641  —IRF 7484 smd
IRF 642  —IRF 7494 smd
IRF 644IRF 7507 smd
IRF 7509 TR smdIRF D 320
IRF 7530 smdIRF D 9024
IRF 7805 smdIRF D 9120
IRF 7807 smdIRF I 540N
IRF 7809 smdIRF I 620 G
IRF 7811 AV smdIRF I 840G
IRF 7822 TR smdIRF L 4105
IRF 7832 smdIRF L 4310
IRF 7835 smdIRF L 9014
IRF 7836 smdIRF P 044 N
IRF 7910 smdIRF P 054 N
IRF 8010      (TO-220)IRF P 064 N
IRF 8010SIRF P 140 N
IRF 820IRF P 1405
IRF 822IRF P 150 N
IRF 822F1IRF P 22N50A
IRF 830 metIRF P 22N60K
IRF 830 plastIRF P 240 —
IRF 830S smdIRF P 250 N
IRF 8313IRF P 260 —
IRF 840  —IRF P 264 N —
IRF 840 origIRF P 2907 Z
IRF 840SIRF P 32N50K
IRF 841IRF P 32NA60
IRF 9510 —IRF P 3306
IRF 9511IRF P 3415
IRF 9530 —IRF P 350
IRF 9540 —IRF P 360
IRF 9610 —IRF P 3710
IRF 9620 orig (SPF 9620)IRF P 4229
IRF 9630 —IRF P 4232
IRF 9640 ориг.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроникиIRF P 4368
IRF 9Z14IRF P 4468
IRF 9Z24NIRF P 450
IRF 9Z34IRF P 460 ориг
IRF B 1404AIRF P 4668
IRF B 4020IRF P 4768
IRF B 4115IRF P 9240 orig
IRF B 4115IRF PC 50
IRF B 4227IRF PC 60
IRF B 42N20DIRF PE 40
IRF B 4710IRF PE 50
IRF B 52N15DIRF PF 50
IRF B 9N60IRF R 024N
IRF BC 30 —IRF R 110
IRF BC 40 —IRF R 120
IRF BC 40 -G пластIRF R 1205
IRF BE 30 —IRF R 2705
IRF BF30IRF R 2905
IRF BG 30IRF R 3418
IRF D 110IRF R 3706
IRF D 120IRF R 3707Z
IRF D 123IRF R 3708
IRF D 210IRF R 3709
IRF D 220IRF R 3709 Z
IRF R 4105IRG 4PC 30W
IRF R 5305IRG 4PC 40U
IRF R 5505IRG 4PC 40UD
IRF R 9020IRG 4PC 40W
IRF R 9024IRG 4PC 50F
IRF R 9310IRG 4PC 50FD
IRF RC 20IRG 4PC 50U
IRF S 4229IRG 4PC 50UD
IRF S 530AIRG 4PC 50W
IRF S 630  —IRG 4PC 50WD
IRF S 634IRG 4PF 50W
IRF S 640IRG 4PF 50WD
IRF S 644IRG 4PH 50UD
IRF S 710IRG 4PSC 71U
IRF S 740IRG 4PSC 71UD
IRF S 830IRG 4PSH 71K
IRF S 840IRG 4PSH 71U
IRF S 9630IRG 4PSH 71UD
IRF S 9634IRG I 4065
IRF U 024IRG P 30B 120KDE
IRF U 2705IRG P 4063DPBF
IRF U 3709ZIRG P 4068D
IRF U 420IRG P 4072D
IRF U 9024 NIRG P 50B60PD
IRF W 630BIRG S 14C40L
IRF W 634BIRG S 30B60K
IRF W 720BIRL 2203N
IRF Z 24NIRL 2505 (N)
IRF Z 30IRL 2505 L
IRF Z 34 N-IRL 2505 S  (D2PAC)
IRF Z 40IRL 2703 S
IRF Z 44IRL 2905 L
IRF Z 44 EIRL 3103
IRF Z 44 N-   изолирIRL 3705 N ( L)
IRF Z 44 N =аналог(50N06)IRL 3705 Z
IRF Z 44 NS D2PAKIRL 3713
IRF Z 44 VIRL 3715
IRF Z 46 N-IRL 3803
IRF Z 48NIRL 510
IRF Z 48VIRL 520
IRFIBC30GIRL 530
IRFIBC40GIRL 530NS
IRFIZ44GIRL 540
IRG 4BAC50WCSIRL 630 S  smd   DPAK
IRG 4BC 15UD-SIRL 640
IRG 4BC 20UDIRL 7833
IRG 4BC 30 U-SIRL B3034
IRG 4BC 30FIRL D024
IRG 4BC 30UDIRL IB 4343
IRG 4BC 30W-SIRL L110
IRG 4BC 40FIRL ML2030 smd
IRG 4BC 40UIRL ML2502 smd
IRG 4BC 40UDIRL ML2803 smd
IRG 4PC 30FDIRL ML5103 smd
IRG 4PC 30UIRL ML6302 smd
IRL ML6401 smdK 2025
IRL ML6402 smdK 2039
IRL MS6702 smdK 2043  —
IRL R 024NK 2056  —
IRL R 2705K 2056(AF)-
IRL R 2905K 2098
IRL R 2908K 2099-01S
IRL R 3103K 212 —
IRL R 3105K 2134
IRL R 3410K 2141  —
IRL R 8721K 2232
IRL U2905ZK 2267
IRL Z24N origK 2275  —
IRL Z34NK 2313
IRL Z44N origK 2320
K 2324
K 1010K 2333
K 1058K 241
K 1059K 246
K 1060K 2500
K 1070K 2500 б.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники корпус
K 1082K 2503
K 1082K 2541
K 1094K 2543
K 1101K 2544
K 1102 —K 2545
K 1117  —K 2607
K 1118  —K 2611
K 1120K 2615
K 117K 2628
K 1202  —K 2632
K 1317K 2642
K 1357K 2645
K 1358K 2647
K 1404  —K 2648
K 1460  —K 2651
K 1464  —K 2665
K 1464 ориг.K 2669
K 1482K 2671
K 1487  —K 2700
K 1507  —K 2717
K 1529K 2718
K 1535K 2723   met
K 1537  —K 2723   plast
K 1567K 2740
K 1621K 2746
K 1624K 2749
K 1626K 2750
K 1692  —K 2761
K 1723K 2767
K 1758 —K 2782
K 1767K 2794
K 1821K 2800
K 1943  —K 2830
K 1953 —K 2833
K 2837K 3919
K 2842K 3919
K 2843K 3929-01MR
K 2847K 3934
K 2848K 4075
K 2865K 4097
K 2876K 4111
K 2917K 494
K 2937K 526
K 2941K 544
K 2956K 583
K 2961K 669
K 2968K 725
K 2996K 727 —
K 301K 738
K 3018K 792 —
K 3019K 793 —
K 3047K 794 —
K 3053K 903 —
K 3057K 904 —
K 3067K 905
K 3082K 940
K 3114K 941
K 3115K 945
K 3116K 954
K 3130K 955
K 3235K 956
K 3255K 975
K 3264K50T60
K 3265
K 3271
K 3296NGB8202NT4   ( АНАЛОГ 10NB37LZ)
K 3298NGD8201AN
K 3435ON 4409 —
K 3451-01 MRP 0102 BL
K 3469P 06 P 03 LDG
K 3528P 06 P 03 LVG
K 3530P 0603 BDG
K 3561P 0903 BDG
K 3562P 1203 BV
K 3564P 1504 BDG
K 3565 TO 220F = (SC 67)P 2003 EVG
K 3566P 2103 NVG
K 3567 TO 220F = (SC67)P 2503 NPG
K 3568P 2504 BDG
K 3569 TO 220F =(SC67)P 2610 ADG
K 3570P 2803 NVG
K 3572P 2804 BDG
K 3677-01 MRP 2804 ND5G
K 3699P 2806 NV
K 3728P 3055 LDG
K 3742P 3056 LDG
K 3797P 5504 EDG
K 3878P 5506 HVG
K 3918P3 NA 80F1
P3 NA 80F1 заказ
P5 NB 40FPHD 1750 FX
P5 NB 60FPHFA04TB60
PC 610A-2 (SFH)HFA08TB120
PC 610A-3 (SFH)HFA08TB60
PC 615A-3 (SFH)HFA15PB60
PC 617A-4 (SFH)HFA15TB60
PHD 66NQ03LTHFA16PA120C
PHKD 13N03LTHFA16TA60C
PHP 24N03LTHFA16TB120
PHP 50N06HFA25PB60
HFA25TB60
SD 46520HFA30PA60C
SD 4841HFA30PB120
SD 4842PHFA30TA60C
SD 4844 PHFA32PA120C
SD 7401 RCHFA50PA60C
SD 7402
SF 10A400H
SF 10A400HD smd
SFH 6345
SFH 690BT
SFP 9634
SFS 9630
SFS 9634
SSH 5N90
SSH 6N60 —   met
SSH 6N80 —
SSH 6N90  plast
SSH 7N60 met
SSP 3N90 plas
SSP 6N60A-
SSS 3N 80
SSS 6N 60AF
STGW45HF60WD

Как проверить IGBT транзистор, принцип работы IGBT.

30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники

Принцип работы IGBT транзисторов основан на применении n-канального МОП-транзистора малой мощности для управления мощным биполярным транзистором. Таким образом, удалось совместить достоинства биполярного и полевого транзистора. Малая управляющая мощность, высокое входное сопротивление, большой уровень пробивных напряжений, малое сопротивление в открытом состоянии — позволяют применять IGBT в цепях с высокими напряжениями и большими токами.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT или БТИЗ) целесообразно использовать в сильноточных, высоковольтных ключевых схемах. Сварочные аппараты, источники бесперебойного питания, приводы электрических двигателей, мощные преобразователи напряжения – вот сфера применения таких элементов.

Названия выводов IGBT: затвор, эмиттер, коллектор.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором способны коммутировать токи в тысячи ампер, напряжение эмиттер-коллектор может достигать несколько киловольт. Но частота работы этих транзисторов значительно ниже, чем частота полевых транзисторов.

Как проверить IGBT транзистор мультиметром

Проверяется IGBT FGh50N60SFD. IGBT часто пробиваются накоротко, такие неисправные транзисторы легко выявить с помощью мультиметра. Перед проверкой IGBT транзистора мультиметром, необходимо обратиться к справочным данным и выяснить назначение его выводов.

Затем произвести следующие действия:

1. Переключить мультиметр в режим «прозвонка». Произвести измерение между затвором и эмиттером для выявления возможного замыкания.

2. Произвести измерение между затвором и коллектором для выявления возможного замыкания.

3. На секунду замкнуть пинцетом или перемычкой эмиттер и затвор. После этого транзистор будет гарантированно закрыт.

4. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с эмиттером, щуп «СОМ» с коллектором. Мультиметр должен показать падение напряжения на внутреннем диоде.

5. Соединить щуп мультиметра «V/Ω» с коллектором, щуп «СОМ» с эмиттером.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники Мультиметр должен показать отсутствие замыкания и утечки.

Для более надежной проверки IGBT транзистора можно собрать следующую схему:

При замыкании контактов кнопки лампочка должна загораться, при размыкании – тухнуть.

В этом видео показано как проверить IGBT мультиметром:

Опубликовано 05.11.2016

NTP30N06L

% PDF-1.4
%
1 0 obj
>
эндобдж
5 0 obj
>
эндобдж
2 0 obj
>
эндобдж
3 0 obj
>
транслировать
Acrobat Distiller 7.0 (Windows) BroadVision, Inc.2020-11-05T10: 12: 54 + 08: 002006-01-20T15: 39: 42-07: 002020-11-05T10: 12: 54 + 08: 00application / pdf

  • NTP30N06L
  • ON Semiconductor
  • uuid: cc4328b7-160e-4514-ba09-042c50ce37a8uuid: 110adbcd-589b-4311-af3f-56dbd7ca0a29

    конечный поток
    эндобдж
    4 0 obj
    >
    эндобдж
    6 0 obj
    >
    эндобдж
    7 0 объект
    >
    эндобдж
    8 0 объект
    >
    эндобдж
    9 0 объект
    >
    эндобдж
    10 0 obj
    >
    эндобдж
    11 0 объект
    >
    эндобдж
    12 0 объект
    >
    эндобдж
    13 0 объект
    >
    эндобдж
    14 0 объект
    >
    эндобдж
    15 0 объект
    >
    эндобдж
    16 0 объект
    >
    эндобдж
    17 0 объект
    >
    эндобдж
    18 0 объект
    >
    эндобдж
    19 0 объект
    >
    транслировать
    HWMSHQw} df43jvHVh3Tn’nχ &)
    ! {z ~ = PI8o%} ޞ M, k H? מ} \ yS] = e () @ q1 =
    KMonv # 4 = G Bi;: b; o
    , ~ W7U Շ pqq | R | Ieh] ƆEXHiL «: Y # P a0Hp

    30N60 pdf Лист данных P11 Номер детали — IC-ON-LINE

    FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
    Fairchild Semiconductor Corporation

    Деталь No.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники СХ40Н60РУФ СХ40Н60РУФТУ
    Описание Дискретный БТИЗ с номиналом короткого замыкания
    Керамический многослойный конденсатор; Емкость: 2200 пФ; Допуск емкости: 50, -20%; Рабочее напряжение постоянного тока: 50 В; Диэлектрические характеристики: X7R; Упаковка / коробка: 0805; Серия: W2F; Особенности: Feedthru; Совместимость с ведущим процессом: Да
    Размер файла 563,34 К /
    7 стр.

    Вид
    это Онлайн

    Загрузить лист данных

    Фэйрчайлд Полупроводник

    Деталь No. HGT1N30N60A4D
    Описание N-канальный IGBT, 600 В / SMPS, с антипараллельным сверхбыстрым диодом
    N-канальный IGBT, 600 В, серии SMPS, с антипараллельным HYPERFAST диодом
    Размер файла 142,41 К /
    9 стр.

    Вид
    это Онлайн

    Загрузить лист данных

    Bom2Buy.com


    Цена и наличие


    cctc-hfpcb.com

    JITONG
    TECHNOLOGY
    (CHINA HK & SZ)
    Спонсор Datasheet.hk

    Деталь: 30N06
    Производитель: ST
    Упаковка: SOT263
    Наличие: 174
    Цена за единицу
    для:
    50: $ 0.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники 49
    100: 0,47 долл. США
    1000:
    $ 0,44

    Электронная почта: [email protected]

    Свяжитесь с нами

    30N60 Транзисторы FSC | Весвин Электроникс Лимитед

    30N60 от производителя FSC — это транзисторы с N-канальным IGBT на 60 А, 600 В, серии UFS с антипараллельным сверхбыстрым диодом.Более подробную информацию о 30N60 можно увидеть ниже.

    Категории

    Транзисторы
    Производитель
    FSC
    Veswin Каталожный номер
    В1070-30N60
    Статус бессвинца / Статус RoHS
    Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS
    Состояние
    Новое и оригинальное — заводская упаковка
    Состояние на складе
    Наличие на складе
    Минимальный заказ
    1
    Расчетное время доставки
    24 марта — 29 марта (выберите ускоренную доставку)
    EDA / CAD модели
    30N60 от SnapEDA
    Условия хранения
    Шкаф для сухого хранения и пакет защиты от влажности

    Ищете 30N60? Добро пожаловать в Весвин.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники com, наши специалисты по продажам всегда готовы помочь вам. Вы можете получить доступность компонентов и цены для 30N60,
    просмотреть подробную информацию, включая производителя 30N60 и спецификации. Вы можете купить или узнать о 30N60 прямо здесь, прямо сейчас.
    Veswin — дистрибьютор электронных компонентов для бытовых, обычных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Veswin поставляет промышленные,
    Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, клиентов CEM и ремонтных центров по всему миру.У нас есть большой запас электронных компонентов,
    который может включать 30N60, готовый к отправке в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором 30N60 полного цикла обслуживания.
    У нас есть возможность закупить и поставить 30N60 по всему миру, чтобы помочь вам с цепочкой поставок электронных компонентов. сейчас же!

    • Q: Как заказать 30N60?
    • A: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
    • Q: Как платить за 30N60?
    • A: Мы принимаем T / T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
    • В: Как долго я могу получить 30N60?
    • A: Мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
      Мы также можем отправить заказной авиапочтой, обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
      Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем веб-сайте.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники
    • Q: 30N60 Гарантия?
    • A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
    • Вопрос: 30N60 Техническая поддержка?
    • A: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 30N60, примечаниями по применению, заменой,
      таблица данных в pdf, руководство, схема, эквивалент, перекрестная ссылка.

    ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОНИКИ VESWIN

    Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001.Наши системы и соответствие стандартам были и продолжают регулярно проверяться и тестироваться для поддержания постоянного соответствия.
    СЕРТИФИКАЦИЯ ISO
    Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics точны, всеобъемлющи и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования обеспечивают долгосрочную приверженность компании Veswin Electronics постоянному совершенствованию.
    Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте появлялись правильные данные о товарах.Перед заказом обратитесь к техническому описанию продукта / каталогу для получения подтвержденных технических характеристик от производителя. Если вы заметили ошибку, сообщите нам об этом.

    Время обработки : Стоимость доставки зависит от зоны и страны.
    Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты.Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.

    ПРИМЕЧАНИЕ. Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal. (AMEX принимается через Paypal).
    Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или артикулом продукта.Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal.

    • Гарантия 90 дней;
    • Предотгрузочная инспекция (PSI) будет применяться;
    • Если некоторые из полученных вами товаров не идеального качества, мы ответственно организуем вам возврат или замену.Но предметы должны оставаться в исходном состоянии;
    • Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
    • Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: А: вернуть его и получить полный возврат средств, или Б: получить частичное возмещение и оставить товар себе.
    • Налоги и НДС не будут включены;
    • Для получения более подробной информации, пожалуйста, просмотрите нашу страницу часто задаваемых вопросов.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники

    IXGM30N60 datasheet — Low Vce (sat) Igbt, High Speed ​​IGBT

    C2C240001 : Геркон.

    HE83131 : с драйвером ЖК-дисплея. Тип ПЗУ = Маска ;; Приложение = LCD Driver MCU ;; ROM = 16КБ ;; RAM = 256B ;; I / o = 12 ;; LCD = 640.

    MAX5080 : 1A, 40 В, понижающие DC-DC преобразователи MAXPower MAX5080 / MAX5081 — это понижающие DC-DC преобразователи с ШИМ частотой 250 кГц со встроенным, 0.3 выключателя высокого уровня. Диапазон входного напряжения составляет от 4,5 В до 40 В для MAX5080 и от 7,5 до 40 В для MAX5081. Выходной сигнал регулируется от 1,23 В до 32 В и может обеспечивать ток нагрузки до 1 А. Оба устройства используют режим напряжения.

    MI-J7Z-IA : Преобразователи постоянного тока в постоянный для военных от 10 до 50 Вт. КПД до 90%. Дистанционное измерение Ограничение тока Архитектура питания ZVS / ZCS Низкий уровень шума Управление FM Размер: x 12,7 мм) Семейство миниатюрных преобразователей постоянного тока в постоянный ток MI-J00 разработано для военных приложений, использующих архитектуры распределенного питания.На основе семейства переключателей нулевого тока / нулевого напряжения Vicor 1-го поколения, компонентных DC-DC преобразователей.

    B29LV : Сверхминиатюрные антистатические переключатели с технологическим уплотнением. Сверхминиатюрный размер экономит место на печатных платах. Специально разработан для приложений логического уровня. Антистатические верхняя часть, состоящий из углерода, пропитанный втулка и опорный кронштейн, предотвращает статический разряд к контактам. Статическое электричество от прикосновения оператора передается от привода через втулку и кронштейн к печатной плате.

    T1068NL : Телекоммуникационные продукты. Pulse — ведущий поставщик магнитных устройств для оборудования телекоммуникационной инфраструктуры, оборудования в помещениях клиентов, приложений аудиоинтерфейса и новых приложений, таких как VoIP.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники Наш широкий ассортимент трансформаторов и интегрированных трансформаторных модулей поддерживает T1 / E1 / ISDN-PRI, T3 / E3 / STS-1, ISDN-S, ISDN-U, Digital Audio и DDS. Варианты комплектации включают поверхность.

    23PSC101KLA22A : Потенциометры с приводом от шпинделя.ПОТЕНЦИОМЕТРЫ ИНДУКТОРЫ, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ УСТРОЙСТВ ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА, СЕТЕВЫЕ ЭНКОДЕРЫ, ДАТЧИКИ Популярный диапазон 20-миллиметровых управляющих потенциометров, серия 23 может быть адаптирована для удовлетворения более специфических требований. Потенциометры доступны с печатным углеродным элементом сопротивления, с металлическими или пластиковыми втулками на выбор, а также с изолированными валами длиной 50 мм.

    TDA6611 : Стереопроцессор для ТВ.

    TC7SG86AFS : Эксклюзивные ворота OR. Кремниевая монолитная цифровая интегральная схема TOSHIBA CMOS Высокая скорость работы: tpd 2.7 нс (тип.) При VCC 3,3 В, 15 пФ Диапазон рабочего напряжения: Входы с допуском VCC V 5,5 В. Выход защиты от отключения питания 3,6 В. Вес: 0,006 г (тип.) Характеристики Напряжение источника питания Входное напряжение постоянного тока Выходное напряжение постоянного тока Входной ток диода Выходной ток диода Выход постоянного тока.

    380LQ561M200H022 : 560F Алюминиевый конденсатор радиальный, банка — вставной, 200 В; КРЫШКА ALUM 560UF 200V 20% SNAP. s: Емкость: 560F; ESR (эквивалентное последовательное сопротивление): 355,0 мОм; : Общее назначение ; Срок службы @ Темп.: 2000 часов при 85 ° C; Размер / размер: 0,866 дюйма (22,00 мм); расстояние между выводами: 0,394 дюйма (10,00 мм); Размер земли для поверхностного монтажа: -; Тип установки: Сквозное отверстие; Упаковка.

    HM2P07PDE120L9 : Золотая объединительная плата со сквозным отверстием — жесткие метрики, стандартные разъемы, соединительный разъем, штыревые контакты; CONN HEADER 110POS TYPE A VERT. s: Тип разъема: A 22; Тип разъема: Заголовок, штекерные контакты; Использование разъема: CompactPCI; Контактная отделка: золото; Толщина отделки контактов: Вспышка; Тип установки: Сквозное отверстие; Количество загруженных позиций: все; Количество позиций :.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники

    951107-4620-AR-PR : Gold Surface Mount, прямоугольный прямоугольный — разъемы, штыревые разъемы, соединительный разъем, без кожуха; CONN HEADER 7POS 2MM R / A SMD. s: Цвет: черный; Тип разъема: Заголовок, без кожуха; Контактная отделка: золото; Длина сопряжения контактов: 0,175 дюйма (4,45 мм);: -; Тип монтажа: монтаж на поверхность, под прямым углом; Количество загруженных позиций: все; Количество рядов:

    1828380000 : Silver Heavy Duty — вставки, соединители модулей, соединительный модуль; CONN НАРУЖНЫЙ С РЫЧАГОМ ВСТАВКИ 2POS CM.s: Тип разъема: Модуль; Мужской пол ; Размер: — ; Количество позиций: 2; Тип прекращения: винт; Текущий рейтинг: 82A; Номинальное напряжение: 1000 В; Тип контакта: — ; Упаковка: навалом; Черный цвет ; Рабочая Температура: — ; Материал корпуса: -; Контакт.

    IDCS2512ER680M : Катушки постоянной индуктивности, катушки, дроссель 68H 400mA 0,260 дюйма x 0,175 дюйма x 0,115 дюйма (6,60 мм x 4,45 мм x 2,92 мм) Ферритовый сердечник; МОЩНОСТЬ ИНДУКТОРА 68UH 0,4A SMD. S: Индуктивность: 68H; Допуск: 20%; Упаковка / Ящик: 0.260 дюймов x 0,175 дюйма x 0,115 дюйма (6,60 мм x 4,45 мм x 2,92 мм); упаковка: лента и катушка (TR); тип: ферритовый сердечник; ток: 400 мА; тип монтажа: поверхность.

    KPT07E22-41PEX : Алюминий, монтаж на панель с кадмиевым покрытием Olive Drab, перегородка — круглые разъемы с гайкой передней стороны, соединительная розетка, штыревые контакты; CONN RCPT 41POS С ЗАЖИМНОЙ ГАЙКОЙ. s: Тип разъема: Розетка, Штекерные контакты; Размер корпуса — Вставка: 22-41; Тип установки: панельный монтаж, переборка — передняя боковая гайка; Тип крепления: байонетный замок; : -; Упаковка: навалом; Число.

    PZU2.4BA, 115 : диод — стабилитрон — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 50 А при 1 В 2,4 В 320 мВт для поверхностного монтажа; ДИОД ЗЕНЕР 2.4В 320МВт СОД-323. s: Напряжение — стабилитрон (Nom) (Vz): 2,4 В; Мощность — Макс: 320 мВт; Импеданс (макс.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники ) (Zzt): 100 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) При: 1,1 В при 100 мА; Ток — обратная утечка @ Vr: 50A @ 1V; Допуск: 5%; Тип монтажа: поверхностное крепление.

    V250LC20A : ТВ — варисторы, защита цепи Mov 4.5kA 429V; ВАРИСТОР 250V 72J 14MM CRIMP / TRM.s: Максимальное напряжение переменного тока: 250 В переменного тока; Максимальное напряжение постоянного тока: 330 В постоянного тока; Бросок тока: 4,5 кА; Упаковка / футляр: диск 14 мм; Напряжение варистора: 429 В; Энергия: 72Дж; Количество цепей: 1; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

    WCR06032R49F : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛЩАЯ ПЛЕНКА, 0,1 Вт, 1%, 600 ppm, 2,49 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТЬ, 0603. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0603, CHIP; Диапазон сопротивления: 2.49 Ом; Допуск: 1 +/-%; Температурный коэффициент: 600 ± ppm / ° C; Номинальная мощность:.

    Загрузить ШАБЛОН ДАННЫХ 30N60A4D на touca.salgero.monster

    Загрузить ШАБЛОН ДАННЫХ 30N60A4D на touca.salgero.monster

    20N60 Datasheet (PDF) 1.1.pdf Размер: 952K _upd-mosfet Декабрь 2008 TM SuperFET FCA20N60F 600V N-CHANNEL FRFET Характеристики Описание 650V @TJ = 150 C SuperFET TM — это запатентованное Fairchild новое поколение высоковольтных полевых МОП-транзисторов, в которых используются расширенный заряд Тип.15 балансировочный механизм для исключительного низкого сопротивления при включении и быстрого восстановления Тип
    Www.vishay.com. SiHG30N60E HGTG30N60A4D Типовые кривые рабочих характеристик Предварительный лист данных: RevA 06-05-14 2014 TriQuint. — 1 Заявления об отказе от ответственности: Может быть изменено без предварительного уведомления. Запрос Fairchild Semiconductor 30N60A4D: онлайн на сайте Elcodis, просмотрите и загрузите техническое описание 30N60A4D в формате pdf, технические характеристики Fairchild Semiconductor 30N60 доступны в Mouser Electronics.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники Mouser предлагает инвентарь, цены и спецификации для 30N60

    30N60A4D HGT1N30N60A4D техническое описание, pdf предоставлено Datasheetspdf.com Datasheet pdf Искать 30N60A4D SKU: HGTG30N60A4D-ND HGT1N30N60A4D Data Sheet Декабрь 2001 N-канальный IGBT, 600 В, серии SMPS с антипараллельным сверхбыстрым диодом HGT1N30N60A4D — это высоковольтное переключающее устройство с МОП-схемой и биполярным полевым транзистором, сочетающее в себе лучшие характеристики полевого МОП-транзистора. транзистор. Эти устройства имеют высокий входной импеданс Тестовой цепи STP / F30NM60ND — STB30NM60ND — STI30NM60ND — STW30NM60ND 6/15 3 Тестовая схема Рисунок Времена переключения тестовой цепи для резистивной нагрузки HGTG30N60A4, HGTG30N60A4D, HGTG30N60B3.Продажа лидов по всей программе образцов. Если кнопки с образцами нет, обратитесь к дистрибьютору Fairchild для получения образцов (3-значный код даты) и K Line 30N60A4D R3131N30EC C. R3131N24EA G

    30n60, 30n60 datasheet pdf, 30n60 datasheet, Datasheet4U.com 2008 IXYS Все права защищены 3 — 4 20080523a IXKC 20N60C IXYS оставляет за собой право изменять пределы, условия испытаний и размеры. ISOPLUS220TM Outline SYM A2 b4 D1 20N60C3 доступны в Mouser Electronics. Mouser предлагает инвентарь, цены и таблицы данных для 20N60C3 20N60A4, таблицы 20N60A4, 20N60A4 pdf, схемы 20N60A4: FAIRCHILD — 600 В, N-Channel IGBT серии SMPS, все таблицы, таблицы данных, сайт поиска электронных компонентов, интегральных схем и полупроводников , симисторы и другие полупроводники 8 марта 2017 г. 30N60A4D Datasheet — 600V, SMPS, N-ch IGBT — Fairchild, HGTG30N60A4D datasheet, 30N60A4D pdf, 30N60A4D pinout, 30N60A4D Data sheet Industrial Power Control.2 IKW30N60h4 Серия высокоскоростных переключений третьего поколения Rev.2, High speed DuoPack: IGBT в траншее и Fieldstop SKW30N60 6 Rev.2013 t, ВРЕМЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ 10A 20A 30A 40A 50A 60A 10ns 100ns 1000ns trtd (on) tftd (off) t, SWITCHINGTIMES 0 20 40 10ns 100ns 1000ns trtd (on) t 30N06 Power MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники , LTD 6 из 8 www.unisonic.com.tw QW-R502-087.H ТИПОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 102 101 100 10-1 100 101 Напряжение сток-исток , VDS (V) Характеристики в открытом состоянии

    • 1 FMP30N60S1 МОП-транзистор FUJI POWER MOSFET Super J-MOS серия N-канальный режим улучшения мощности МОП-транзистор Характеристики Низкое сопротивление в открытом состоянии Низкие потери при переключении Простота использования (больше управляемых переключений dV / dt на Rg)
    • HGTG30N60A4D — это высоковольтное переключающее устройство с МОП-затвором, сочетающее в себе лучшие характеристики полевых МОП-транзисторов и биполярных транзисторов.Это устройство имеет высокий входной импеданс полевого МОП-транзистора и низкие потери проводимости в открытом состоянии, как у биполярного транзистора. Значительно меньшее падение напряжения в открытом состоянии изменяется только на
    • .

    • Разработка открытых схем: домашняя страница. Благодарим вас за посещение веб-сайта Open Circuit Design. Этот веб-сайт является репозиторием набора инструментов EDA (Electronic Design Automation) с открытым исходным кодом, включая Magic, IRSIM, Netgen, PCB и XCircuit
    • .

    • HGTG30N60A4D datasheet, HGTG30N60A4D pdf, HGTG30N60A4D datasheet, datasheet, data sheet, pdf, Fairchild Semiconductor, 600 В, N-Channel IGBT серии SMPS с антипараллельным сверхбыстрым диодом
    • IGBT-N канал с антипараллельным сверхбыстрым диодом 600 В 60 А (Icm 240 А) 463 Вт 40 нс TO247.Перекрестная ссылка: 30N60 30N60A4D HGTG30N60A4D G30N60A4D
    • 2004 Fairchild Semiconductor Corporation HGTG30N60A4D Rev. B1HGTG30N60A4D600V, N-Channel IGBT серии SMPS с антипараллельным сверхбыстрым диодом
    • 5N60 Технический паспорт (PDF) 1.1. stp5n60m2 stu5n60m2.pdf Размер: 1267K _upd STD5N60M2, STP5N60M2, STU5N60M2 N-канал, 600 В, тип 1,26, 3,5 A, полевые МОП-транзисторы MDmesh II Plus с низким энергопотреблением в корпусах DPAK, TO-220 и IPAK Техническое описание — данные для заказа VDS Характеристики ВКЛ. @ TJmax RDS (вкл.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники ) Макс. ID 3 STD5N60M2 1 STP5N60M2 650 В 1.4 3,5 A DPAK STU5N60M2 TAB Чрезвычайно низкий уровень заряда затвора TAB Lower
    • 30N60A4D Datasheet — 600V, SMPS, N-ch IGBT — Fairchild, HGTG30N60A4D datasheet, 30N60A4D pdf, распиновка 30N60A4D, руководство 30N60A4D, схема 30N60A4D
    • 20N60 доступны в Mouser Electronics. Mouser предлагает инвентарь, цены и спецификации для 20N60
    • Точные характеристики должны быть получены из технических данных продукта. Мы можем поставить деталь # 30N60A, используйте форму запроса предложения, чтобы запросить поставку 30N60A и время выполнения заказа.OEMs Electronics — OEMsec.com является независимым дистрибьютором электронных компонентов
    • 633 1 и 63, 1 и 63 $ 1 & & rro 026 3rzhu 7udqvlvwru v ds # tjmax 9 5’6 rq) hdwxuh 1hz uhyroxwlrqdu \ kljk yrowdjh whfkqrorj \: ruogzlgh ehvw 5’9000 rq lq
    • Готовых бесплатных шаблонов дизайна. Создавайте привлекательные таблицы данных быстро и по доступной цене с помощью этого бесплатного редактируемого макета для Adobe InDesign, Illustrator,
    • .

    • HGTG30N60A4D TO-247 30N60A4D Технические данные Сентябрь 2004 г. 2004 г. Fairchild Semiconductor Corporation HGTG30N60A4D Ред.B1 Абсолютные максимальные характеристики TC = 25oC,
    • Ред. 5 Страница SPW35N60C3 Опубликовано Infineon Technologies AG 81726 Мюнхен, Германия
    • Полупроводники

    • G30N60 доступны в Mouser Electronics. Mouser предлагает инвентарь, цены и спецификации для G30N60 Semiconductors
    • 30N60A4 FAIRCHILP, 30N60A40, 30N60A4D сопротивление включению и экономичность. Пакет TO-247 предпочтителен для коммерческих промышленных приложений _, где более высокие уровни мощности исключают использование. Это примечание по применению предназначено для предоставления подробных объяснений параметров и диаграмм, включенных в техническое описание IGBT полевого затвора с затвором.

    Полупроводник Fairchild 30N60A4D HGT1N30N60A4D.Спецификация HGT1N30N60A4D, декабрь 2001 г.30N60 datasheet: портал и журнал для разработчиков электроники , 600 В, серия SMPS, N-канальный IGBT с антипараллельным подключением


    ВАЛ d. мм 25 35 45 55 60 70 75 80

    1001101201201301301401401501501601701801

    220240260280300320340360380 400. OD D 30N60A4D HGT1N30N60A4D Техническое описание компонентов pdf техническое описание БЕСПЛАТНО из Datasheet4U .com Datasheet (таблица данных) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды 30N60A4D, 30N60A4D datasheet pdf, 30N60A4D data sheet, Datasheet4U.com. 900 000+ таблиц данных в формате pdf. Найдите и скачайте Datasheet4U — это лист технических данных полупроводников с наибольшим рейтингом. HGTD3N60A4S, HGTP3N60A4 20N60A4 600 В, N-канальные Igbts серии SMPS HGT1S20N60A4S9A — это высоковольтные коммутационные устройства с МОП-затвором, сочетающие в себе лучшие характеристики полевых МОП-транзисторов и биполярных транзисторов.


    4N60 Power MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4 из 9 www.unisonic.com.tw QW-R502-061.AA ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TC = 25, если не указано иное) СИМВОЛ ПАРАМЕТРА УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ МИН. Блок смещения — краткое описание Брошюры на английском языке Брошюры по продукту Принадлежности Блок смещения R&S IN600 152 Rohde & Schwarz Каталог КВ-антенн VHF / UHF SHF 2017/2018 8.От 3 кГц до 8 ГГц Электропитание до двух активных приемных антенн через сигнальную кабину и рынок Справочник по конкурирующим теориям эсхатологии e Блок смещения R&S IN600 используется для подачи питания на активные приемные антенны, которые получают питание через коаксиальный запрос Fairchild Semiconductor 20N60A4D: онлайн с сайта Elcodis, просмотрите и загрузите техническое описание 20N60A4D в формате pdf, технические характеристики Fairchild Semiconductor

    • HGTG30N60A4. Ноябрь 2013
    • 30N60A4D 600 В, 30 А, IGBT. HGTG30N60A4D — это высоковольтное коммутационное устройство с МОП-затвором, сочетающее в себе лучшие характеристики MOSFET
    • .

    • Feature = Новая революционная технология высокого напряжения. Сверхнизкий заряд затвора = Периодическая лавинная нагрузка. Максимальный номинальный dv / dt = Сверхнизкая эффективная емкость.Краткое описание продукта. VDS @ Tjmax RDS (on) ID.07 47. V A. Тип SPW47N60C3
    • 30N60A4D: Fairchild -600 В, N-Channel IGBT серии SMPS с антипараллельным сверхбыстрым диодом, 30N60A4D 30N60A4D pdf

    10N60 Datasheet (PDF) 1.1.pdf Размер: 1627K _upd STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-канал 600 В, 0,550 тип., 7,5 A полевые МОП-транзисторы MDmesh II Plus с низким энергопотреблением в корпусах D PAK, DPAK, TO-220 и IPAK Технический паспорт — производственные данные Характеристики TAB TAB RDS (on) 3 Код заказа VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7,5 А STP10N60M2 ВКЛАДКА ВКЛАДКА

    30К. Кто делает все это возможным

    История изменений документа. STB18N60M2, STP18N60M2, STW18N60M2 30N60A4D Лист данных: 600 В, N-Channel IGBT серии SMPS с антипараллельным сверхбыстрым диодом, 30N60A4D PDF Загрузить Fairchild Semiconductor, 600 В, SMPS Series N-Channel IGBT with, HGTGTD30N60 datasheet, HGTGTG30N60 , alldatasheet, datasheet, Datasheet поисковый сайт для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов VDSS 60V.RDS (вкл.)

    IKW30N60T. Серия TRENCHSTOP. Африка в черной американской литературе Марион Берган

    HGTG20N60A4D — это высоковольтное коммутационное устройство с МОП-затвором, сочетающее в себе лучшие характеристики полевых МОП-транзисторов и биполярного полевого транзистора 30N60A4D Fairchild Semiconductor — можно бесплатно загрузить в виде файла PDF (.pdf), текстового файла (.txt) или бесплатно прочитать в Интернете. IGBT

    4N60 Datasheet (PDF) 1.1.pdf Размер: 1556K _upd STB24N60M2, STI24N60M2, STP24N60M2, STW24N60M2 N-канал 600 В, тип 0,168, A MDmesh II Plus MOSFET с низкой мощностью Qg в D2PAK, I2PAK, TO-220 и TO-247 пакетов Datasheet — производственные данные Характеристики TAB TAB Код заказа VDS @ TJmax RDS (on) max ID 2 3 1 STB24N60M2 3 2 1 D2PAK STI24N60M2 I2PAK 650 V 0.19 А STP24N60M2 ВКЛАДКА

    BVCES600VCollector Current ContinuousAt TC = поиск в таблицах данных, таблицы данных, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников. Электронные компоненты Поиск технических данных 30N60A4D Техническое описание, 30N60A4D PDF, 30N60A4D Техническое описание, руководство 30N60A4D, 30N60A4D pdf, 30N60A4D, datenblatt, Электроника 30N60A4D, все технические данные, бесплатно, техническое описание 40N60 Электроника доступны по адресу: 40N60. Mouser предлагает i P660R D1 РУКОВОДСТВА, перечень, цены и спецификации для полевого МОП-транзистора 40N 40N60 доступны на сайте Mouser Electronics. Техническое описание содержит предварительные данные; дополнительные данные будут опубликованы позже на сайте поиска данных www.alldatasheet.com автор: предоставлено alldatasheet.com (сайт бесплатной загрузки таблицы данных) тема: поиск в таблице данных, справочник, компонент, бесплатно Коммерческий конденсатор кондиционера воздуха мощностью 1/5 л.с. (4TTA3060D3000D) в Фергюсоне. Никто не ждет от нас большего, чем мы.
    HGTG30N60A4D 600 В, 600 В, N-канальный IGBT серии SMPS с антипараллельным сверхбыстрым диодом. Это высоковольтные переключающие устройства с МОП-затвором, сочетающие в себе лучшие характеристики полевых МОП-транзисторов и биполярных транзисторов. Это устройство имеет высокое входное сопротивление MOSFET .
    2003 Fairchild Semiconductor Corporation HGTG40N60A4 Rev.B2 Номер файла HGTG40N60A4 600 В, серия SMPS N-Channel IGBT HGTG40N60A4 — это переключатель высокого напряжения с МОП-затвором.

    • 30N60A4D Лист данных, 30N60A4D PDF, 30N60A4D Технический паспорт, руководство 30N60A4D, 30N60A4D pdf, 30N60A4D, datenblatt, Электроника 30N60A4D,
    • Это техническое описание содержит предварительные данные, дополнительные данные будут опубликованы позже. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции. Полное производство Не в производстве
    • Быстрое оформление и изготовление технических паспортов по нашим шаблонам или по вашим индивидуальным требованиям,
    • 60 5 15 25 35 лед, ток от коллектора к эмиттеру (а).ВРЕМЯ ЗАДЕРЖКИ ВЫКЛЮЧЕНИЯ по сравнению с КОЛЛЕКТОРОМ НА ЭМИТЕР
    • 600 В, N-канальные IGBT серии SMPS, лист данных 20N60A4, схема 20N60A4, лист данных 20N60A4: FAIRCHILD, все данные, лист данных, сайт поиска электронных таблиц

    20N60C3 Datasheet — Cool MOS Power Transistor — Infineon, SPP20N60C3 datasheet, 20N60C3 pdf, распиновка 20N60C3, эквивалент 20N60C3, данные 20N60C3, схематический исполняемый код («объектный код»)), спецификации, спецификации, схемы, примечания по применению, средства проектирования и разработки , материал оценочной платы (т.е. BOM, Gerber, 30N60A4D Краткое содержание Page 1 N-канальный IGBT серии SMPS с антипараллельным сверхбыстрым диодом HGT1N30N60A4D — это высоковольтное коммутационное устройство с МОП-затвором, сочетающее в себе лучшие характеристики полевых МОП-транзисторов и биполярного транзистора. устройства переключения напряжения, сочетающие в себе лучшие характеристики полевых МОП-транзисторов и биполярных транзисторов. Это устройство имеет высокий входной импеданс полевого МОП-транзистора и низкие потери проводимости в состоянии биполярного транзистора. Значительно меньшее падение напряжения в состоянии варьируется только 40N60 IXSh50N60 C Ifrs Guidebook 2015 mponents datasheet pdf data sheet БЕСПЛАТНО из Datasheet4U.com Datasheet (техническое описание) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды 30n60a4d техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf QPL9096. Сверхнизкий уровень шума, байпас LNA. Технические данные Июль 2017 г. Возможны изменения без предварительного уведомления. Qorvo.com 8-контактный корпус DFN 2X2 мм Fairchild Semiconductor 30N60A4D HGT1N30N60A4D. HGT1N30N60A4D, декабрь 2001 г., 600 В, N-канальный IGBT серии SMPS с антипараллельным 30 А, 60 В, RDS (вкл.) = 0.04 @VGS = V Низкий заряд затвора (типичный нКл) Низкий Crss (типичный пФ) Быстрое переключение 100% лавинное испытание Улучшено

    , 600 В, N-Channel IGBT серии SMPS с, техническое описание HGTG30N60A4D, схема HGTG30N60A4D, техническое описание HGTG30N60A4D: FAIRCHILD, все данные, техническое описание, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, полупроводников, диодов и прочего 9080

    • SN60-PB40 можно приобрести в Mouser Electronics. Mouser предлагает инвентарь, цены и спецификации для SN60-PB40
    • Ред.5 Page 1 SPW20N60S5 Cool MOS Power Transistor V DS 600 V RDS (on) 0,19 ID A Feature Новая революционная технология высокого напряжения Сверхнизкий заряд затвора
    • 20N60C3 Лист данных: 45A, 600V, N-Channel IGBT серии UFS, 20N60C3 PDF Загрузить Intersil, 20N60C3 Datasheet PDF, Распиновки, техническое описание, эквивалент, схема, перекрестная ссылка, устаревшее, схемы Поиск электронных компонентов и сайт бесплатной загрузки

    ПРИЛОЖЕНИЕ. SVF4N60D / F / T_Datasheet

    • 30N60A4D Datasheet PDF, 30N60A4D Datasheet, 30N60A4D Electronics, 30N60A4D Schematic, 30N60A4D datenblatt, перекрестная ссылка, загрузка PDF, бесплатно, поиск по сайту, Qdatasheet, распиновка
    • Технический паспорт.HGTG20N60A4, HGTP20N60A4. Декабрь 2001 г. 600 В, серия SMPS N-Channel
    • Купите Texas Instruments LM5010AQ1MH / NOPB в Win Source. Источник LM5010AQ1MH / NOPB Цена, Найти LM5010AQ1MH / NOPB Datasheet, Проверить LM5010AQ1MH / NOPB На складе и запрос предложения в интернет-магазинах электроники
    • FA1A50N Лист данных. Электрические характеристики 3DC. Характеристики в этом разделе приведены в следующих условиях, если не указано иное
    • SVF2N60M / F / T / D_ Лист данных
    • Номер модели: HGTG30N60A4D
    • И последнее, что нужно отметить; в таблице данных IRG4PC30UD указано, что в режиме аппаратной коммутации эти устройства оптимизированы для работы в диапазоне 8-40 кГц.По моему опыту работы с этими IGBT GEN4 I R, этот рейтинг обычно предназначен для мостовых или полумостовых конфигураций, и он также обычно очень велик, и я бы не рекомендовал это устройство U (UltraFast) для чего-либо более 20-25 кГц
    • 4Н60. N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-МОП-транзистор, 4 А, 600 В,
    • G30N60A4 Datasheet, G30N60A4 PDF, G30N60A4 Data Sheet, G30N60A4 manual, G30N60A4 pdf, G30N60A4, datenblatt, Electronics G30N60A4, alldatasheet, free, datasheet
    • HGTG40N60A4. Электрические характеристики
    • Лист данных 30N60A4D, 30N60A4D PDF, Распиновка 30N60A4D, эквивалент, замена — HGT1N30N60A4D — Fairchild Semiconductor, схема
    • touca.salgero.monster 749: 750: 751: 752: 753: 755: 756: 757: 758: 759: 754

    Mosfet 60n60 — depreciation.myobgyn.site

    22 строки · 60N60 Datasheet, 60N60 PDF, 60N60 Data sheet, 60N60 manual, 60N60 pdf, 60N60, datenblatt, Electronics 60N60, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, data sheet. 60N60 Лист данных, 60N60 PDF. Система поиска электронных компонентов и полупроводников.

    60N60 технический паспорт, все данные, бесплатно, справочник.

    60Н60 детали, микросхемы. 27 строк · Техническое описание 60N60, 60N60 pdf, техническое описание 60N60, техническое описание, техническое описание, pdf.

    О прессе Авторские права Связаться с нами Создатели Рекламировать Разработчики Условия Политика конфиденциальности и безопасность Как работает YouTube Тестировать новые функции Авторские права для прессы Связаться с нами Создатели. FGH60N60 Datasheet, FGH60N60 PDF, FGH60N60 Data Sheet, FGH60N60 manual, FGH60N60 pdf, FGH60N60, datenblatt, Electronics FGH60N60, alldatasheet, free, datasheet.

    9.

    · 60N06 Силовой полевой МОП-транзистор UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2 из 8 QW-RD АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ ПАРАМЕТР СИМВОЛ НОМИНАЛ ЕДИНИЦА Напряжение стока в источник, В DSS 60 В Напряжение затвора в источник, В GS ± 20 В Постоянный ток стока TC = 25 ° CID 60 ATC = ° C 39 A Размер файла: KB .

    IXZN60 Z-MOS высокочастотный силовой МОП-транзистор N-канальный режим расширения Режим переключения RF-МОП-транзистор с малой емкостью Z-MOSTM MOSFET Процесс VDSS = V Оптимизирован для работы на радиочастотах Идеально подходит для приложений классов C, D и E ID25 = 18 A RDS (вкл.) ≤ Ω Ω Ω Символ Условия испытаний Максимальные номинальные значения Ω TJ = от 25 ° C до ° C VDSS V PDC = W TJ = от 25 ° C до ° C; RGS = 1 МОм VDGR.· Символ полевого МОП-транзистора, показывающий встроенный диод с обратным p-n-переходом — 47 A Импульсный прямой ток диода ISM Прямое напряжение диода VSD TJ = 25 ° C, IS = 24 A, VGS = 0 В — — V Время обратного восстановления основного диода trr TJ = 25 ° C, IF = IS = 24 A, dI / dt = A / мкс, VR = 25 В — нс Заряд обратного восстановления основного диода Qrr 22 мкКл.

    30N60 Техническое описание, 30N60 PDF, 30N60 Техническое описание, руководство по 30N60, 30N60 pdf, 30N60, datenblatt, Электроника 30N60, все данные, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание.

    SPT5330_1315664.Загрузить техническое описание в формате PDF — IC-ON-LINE

    PART Описание Чайник
    2N2905A ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ 600 мА, 60 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-39
    Высокоскоростной, насыщенный переключатель PNP-кремниевый транзистор (、 饱和 开关 PNP 硅 体晶) 高速 , 饱和 硅 体晶 开关进步 党 (高速 , 饱和 开关 型 进步 党 硅 晶体管)
    TT electronics Semelab, Ltd.
    STMicroelectronics N.V.
    SEME-LAB [Seme LAB]
    SPT5330 ВЫСОКОСКОРОСТНЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP, 30 А, 150 В, 30 А, 90 В, PNP, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-61 NXP Semiconductors N.V.
    SSDI [Solid States Devices, Inc]
    SFT503 SFT501 5 AMP 200 Вольт высокоскоростной PNP-транзистор SSDI [Solid States Devices, Inc]
    SFT5333 2 AMP 100 Вольт высокоскоростной PNP транзистор ТВЕРДЫЕ УСТРОЙСТВА INC
    SFT3403 ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР 5 AMP PNP, 120 Вольт Solid States Devices, Inc
    HI586008 HI5860IA HI5860SOICEVAL1 HI5860IA-T, 12-разрядный, 130 MSPS, высокоскоростной цифро-аналоговый преобразователь; Температурный диапазон: от -40 ° C до 85 ° C; Пакет: 28-TSSOP T&R PARALLEL, WORD INPUT LOADING, 0.035 мкс ВРЕМЯ НАСТРОЙКИ, 12-разрядный ЦАП, PDSO28
    12-разрядный, 130 MSPS, высокоскоростной цифро-аналоговый преобразователь
    Intersil, Corp.
    Intersil Corporation
    BC857BF BC857AF BC858BF BC856BF BC857CF BC858CF BC PNP-транзисторы общего назначения, 100 мА, 30 В, PNP, Si, транзистор для малых сигналов Логические 8-ступенчатые синхронные счетчики с понижением частоты 16-SOIC -55 до 125
    Высокоскоростной КМОП Логический двойной 4-ступенчатый двоичный счетчик 14-SOIC -55 до 125
    NXP Semiconductors N.V.
    PHILIPS [Philips Semiconductors]
    ISL3034E ISL3034EIRTZ ISL3034EIRTZ-T ISL3034EIRUZ- 4- и 6-канальные высокоскоростные преобразователи логических уровней с автоматическим определением направления; Температурный диапазон: от -40 ° C до 85 ° C; Пакет: 16-uTQFN T&R
    4- и 6-канальные высокоскоростные преобразователи логических уровней с автоматическим определением направления; Температурный диапазон: от -40 ° C до 85 ° C; Пакет: 14-TQFN T&R CMOS TO ECL TRANSLATOR, TRUE OUTPUT, PQCC16
    Intersil, Corp.
    Intersil Corporation
    HS-1410RH 5962F9851801VXC HS9-1410RH-Q Радиационно-стойкий / высокоскоростной / маломощный / операционный усилитель с обратной связью по току с отключением выхода
    CAP 4-ARRAY 47000PF 16V X7R 1206
    Радиационно-стойкий, высокоскоростной, низкий
    Мощность, операционный усилитель с обратной связью по току с
    Отключение выхода (抗 辐射 高速 、 低 功耗 电流 反馈 放大器 (输出 禁止))
    Устойчивый к радиации, высокоскоростной, маломощный, операционный усилитель с обратной связью по току и отключенным выходом OP-AMP, PDFP10
    Intersil Corporation
    Intersil, Corp.
    AD8000 AD8000YRDZ-REEL AD8000YRDZ AD8000YRDZ-REEL7 Сверхвысокоскоростной операционный усилитель 1,5 ГГц с функцией отключения питания
    Сверхвысокоскоростной операционный усилитель 1,5 ГГц
    AD [Analog Devices]

    .