Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются. Диоды кремниевые диффузионные: 2Д213А, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г, КД213А, КД213Б, КД213В, КД213Г. Предназначены для преобразования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса. Масса диода не более 4 грамм. Чертеж диода 2Д213А, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г, КД213А, КД213Б, КД213В, КД213Г Электрические параметры.
Предельные эксплуатационные данные.
Примечание. Рекомендуется крепление диода к теплоотводу методом приклеивания. Зависимость прямого тока от напряжения Зависимость прямого тока от напряжения. Зависимость обратного тока от напряжения Зависимость обратного тока от напряжения. Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от напряжения Зависимость времени восстановления обратного сопротивления от напряжения. Зависимость допустимого прямого тока от температуры Зависимость допустимого прямого тока от температуры. Зависимость допустимого прямого тока от длительности импульса Зависимость допустимого прямого тока от длительности импульса. |
Диод 2Д213Б
Справочник количества содержания ценных металлов в диоде 2Д213Б согласно паспорта на изделие и информационной литературы. Указано точное значение драгоценных металлов в граммах (Золото, серебро, платина, палладий и другие) на единицу изделия.
Содержание драгоценных металлов в диоде 2Д213Б
Золото: 0,009387 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Источник информации: из перечней НПП Сигнал.
Фото диода 2Д213Б:
Панель ламповая виды
Диод — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля. Электрод диода, подключаемый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключаемый к отрицательному полюсу — катодом.
О комплектующем изделии – Диод
Диод – видео.
Диод это полупроводниковый прибор основанный на PN-переходе. А если без теории, то диод в одном направлении пропускает ток, а в другом нет. Вот и все.
Как работает диод – видео.
В этом выпуске вы узнаете: что такое диод, принцип действия диода, как работает диод, что такое p – n переход; что такое прямой ток диода, что такое обратный ток диода; каково внутреннее сопротивление диода; что такое вольт- амперная характеристика диода; что такое пропускное и не пропускное напряжение диода; как работает диод в цепи постоянного тока, как работает диод в цепи переменного тока; как устроен плоскостной диод; какие существуют виды диодов; как устроен выпрямительный диод.
Характеристики диодов 2Д213Б:
Купить или продать а также цены на Диод 2Д213Б:
Оставьте отзыв о 2Д213Б:
Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы
Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность — наше главное кредо.
Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы. У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону. Наш клиент всегда доволен!
Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.
Приобретаем:
- платы от приборов, компьютеров
- платы от телевизионной и бытовой техники
- микросхемы любые
- транзисторы
- конденсаторы
- разъёмы
- реле
- переключатели
- катализаторы автомобильные и промышленные
- приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др.)
Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.
Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!
Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам: 8-900-491-6775. Почта [email protected]
С уважением, директор Александр Михайлов.
Справочные данные на диоды
2Д213а, 2д213б, 2д213в, 2д213г, кд213а, кд213б, кд213в, кд213г
Диоды кремниевые диффузионные.
Предназначены для преобразования
переменного напряжения повышенной
частоты в постоянное.
Выпускаются в метало — пластмассовом
корпусе с гибкими выводами. Тип диода
и схема соединения электродов с выводами
приводятся на корпусе. Отрицательный
электрод соединен с металлическим
основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение
при Iпр
= 10 А, не более:
при 298 К 2Д213А, 2Д213В, КД213А, КД213В 1В
2Д213Б, 2Д213Г, КД213Б, КД213Г 1,2 В
при Iпр
= 5 А для 2Д213Б, 2Д213Г 1,0 В
при 213 К
2Д213А, 2Д213В 1,5В
2Д213Б, 2Д213Г 1,7 B
При 398 К (Iпр
= 3 А для 2Д213А, 2Д213В и пр
= 1 А для 2Д213Б, 2Д213Г) 1В
Постоянный обратный ток
при Uобр
= Uобр.макс,
более:
от 213 до 298 К 0,2 мА
при 398 К
2Д213А, 2Д213В . 10 мА
2Д213Б, 2Д213Г . . . 25.мА
Время восстановления
обратного сопротивления при Iпр. и
= 1 А, Uобр
= 20 В, не более:
2Д213А, 2Д213В, КД213А, КД213В
…… 300 нc
2Д213Б, 2Д213Г, КД213Б, КД213Г
170 нc
Емкость диода, не более:
при Uo6p
= 100 В 550 пФ
при Uобр
= 5В 1600.пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное и импульсное обратное
напряжение:
2Д213А, 2Д213Б, КД213А, КД213Б
200
2Д213В, 2Д213Г, КД213В, КД213Г 100В
Постоянный и средний прямой ток:
от 213 до 358 К 10 А
при 398 К
2Д213А, 2Д213В — 3А
2Д213Б, 2Д213Г 1 А
Импульсный прямой ток при
< 10 мс,Q
= 1000 100 А
Импульсный обратный ток при температуре
корпуса от 213 до 358 К
при
20 мкс 10 А
Частота без снижения режимов
в меандре с
> 0,2
мкс
при работе на активную нагрузку 100
кГц
Тепловое сопротивление:
переход — корпус 1,5 К/Вт
переход — среда 70 К/Вт Температура
окружающей среды:
2Д213А, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г От 213 до 398 К
КД213А,. КД213Б, КД213В, КД213Г От 213 до 358 К
Температура перехода: :
2Д213А, 2Д213В 413 К
2Д213Б, 2Д213Г 403 К
Примечание. Изгиб выводов допускается
только в направлении, перпендикулярном
плоскости диода, на расстоянии не менее
3 мм от корпуса.
Зависимость прямого тока от напряжения. | Зависимость обратного тока от |
Д311, д311а, д311б
Диоды германиевые мезадиффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе
с гибкими выводами. Тип диода и схема
соединения электродов с выводами
привидятся на корпусе.
Масса диода не более 0,6 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение
при Iпр
= 10 мА, не более
Д311, Д311А при 298 и 343 К 0,4В
Д311Б при 298 К 0,5 В
Д311, Д311А при 213 К 0,7В
Импульсное прямое напряжение
при Iпр. и
= 50 мА, не более:
Д311 1,25 В
Д311 1,0 В
Д311. 1,5В Постоянный
обратный ток при U06р
= 30 В, не более:
Д311, Д311А при 213 и 298 К и Д311Б при 298 К 100
мкА
Д311, Д311А при 343 К 1000 мкА
Общая емкость диода при U
= 5 В, не более:
Д311 1,5 пФ
Д311А 3,0 пФ
Д311Б 2,0 пФ
Время восстановления
обратного сопротивления при Iпр.и
= 50 мА,
Uобр.и
= 10 В, Iотсч
= 1 мА, не более. 0,05 мкс
Зависимость прямого тока от напряжения
Д213А, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г, КД213А, КД213Б, КД213В, КД213Г
Обратная связь
ПОЗНАВАТЕЛЬНОЕ
Сила воли ведет к действию, а позитивные действия формируют позитивное отношение
Как определить диапазон голоса — ваш вокал
Как цель узнает о ваших желаниях прежде, чем вы начнете действовать. Как компании прогнозируют привычки и манипулируют ими
Целительная привычка
Как самому избавиться от обидчивости
Противоречивые взгляды на качества, присущие мужчинам
Тренинг уверенности в себе
Вкуснейший «Салат из свеклы с чесноком»
Натюрморт и его изобразительные возможности
Применение, как принимать мумие? Мумие для волос, лица, при переломах, при кровотечении и т.д.
Как научиться брать на себя ответственность
Зачем нужны границы в отношениях с детьми?
Световозвращающие элементы на детской одежде
Как победить свой возраст? Восемь уникальных способов, которые помогут достичь долголетия
Как слышать голос Бога
Классификация ожирения по ИМТ (ВОЗ)
Глава 3. Завет мужчины с женщиной
Оси и плоскости тела человека — Тело человека состоит из определенных топографических частей и участков, в которых расположены органы, мышцы, сосуды, нервы и т. д.
Отёска стен и прирубка косяков — Когда на доме не достаёт окон и дверей, красивое высокое крыльцо ещё только в воображении, приходится подниматься с улицы в дом по трапу.
Дифференциальные уравнения второго порядка (модель рынка с прогнозируемыми ценами) — В простых моделях рынка спрос и предложение обычно полагают зависящими только от текущей цены на товар.
Тольяттинский государственный университет
Кафедра «Промышленная электроника»
Определение свойств, параметров, вольт — амперных характеристик выпрямительных диодов и степени их соответствия техническим условиям
Отчет по лабораторной работе №1
Руководитель: Глибин Е.С.
Исполнители:
Волохов Д.Г.
Группа ЭЛб-1301
Бригада №2
Тольятти 2013
Содержание
стр.
1. ЦЕЛИ И ПРОГРАММА РАБОТЫ ……………………………………………………. 3
2. Методика выполнения экспериментов ………………………………… 4
3. Экспериментальное определение вах, построение их
графиков, определение пороговых напряжений и
напряжений пробоя …………………………………………………………….. 6
4. расчет статических и динамических сопротивлений,
построение эквивалентных схем замещения ………………………….. 10
5. определение кпд заданной цепи …………………………………………… 15
6. справочных данные на диоды ……………………………………………… 18
выводы ……………………………………………………………………………………. 23
литература ……………………………………………………………………………….. 24
1. Цели и программа работы
1.1 Цель работы
Цель работы – достичь понимания свойств и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов, приобрести навыки экспериментального определения их вольт-амперных характеристик (ВАХ) и практического определения соответствия их параметров техническим условиям или справочным данным.
1.2 Задачи работы
1.2.1 Изучить теоретический материал по выпрямительным диодам.
1.2.2 Выполнить экспериментальную часть работы в соответствии с программой и обработать результаты экспериментов.
1.2.3. По результатам проведенных работ оформить отчет и защитить его.
1.3 Программа работ
1.3.1 Ознакомиться с методическими рекомендациями по выполнению данной работы.
1.3.2 Изучить теоретические сведения по электрофизическим явлениях в электронно-дырочных переходах, свойствам и параметрам полупроводниковых выпрямительных диодов по конспекту лекций по дисциплине «Полупроводниковые приборы « и литературе [1 – 4].
1.3.3 Подготовить формуляр отчета по лабораторной работе.
1.3.4 Ознакомиться с устройством модернизированного лабораторного стенда по методическому пособию «Универсальный компьютерный лабораторный стенд» и подготовить его к работе.
1.3.5 Снять прямые ветви ВАХ кремниевого и германиевого диодов.
1.3.6 Снять обратные ветви ВАХ этих же диодов.
1.3.7 Построить графики полученных ВАХ.
1.3.8 Определить величины порогового напряжения, напряжения пробоя и обратного тока.
1.3.9 Рассчитать по ВАХ зависимости статического Rc и динамического Rд сопротивлений от тока диода.
1.3.10 Определить по справочнику параметры номинального режима диодов и для номинального тока построить схемы замещения.
1.3.11 Сравнить параметры исследованных диодов с техническими условиями или со справочными данными.
1.3.12 Для цепи, состоящей из последовательно соединенных источника напряжения с величиной электродвижущей силы (ЭДС) равной Ео, нагрузочного резистора Rн = 1 кОм и диода, рассчитать изменение коэффициента h полезного действия (КПД) такой цепи при изменении Е в диапазоне ±50% от величины Е0. Ток диода при Е = Е0 принять равным 2 мА. Сравнить полученные зависимости для германиевого и кремниевого диодов и объяснить их.
1.3.13 Для цепи по п. 3.12 при Е = Ео рассчитать и построить графики зависимостей величины h цепи от изменения сопротивления резистора R в диапазоне от 500 Ом до 1,5 кОм.
1.3.14 Закончить оформление отчета и сделать выводы о степени соответствия исследованных диодов техническим условиям, сравнить свойства германиевого и кремниевого диодов и объяснить их отличия. Справочные данные на германиевые и кремниевые диоды приведены в приложении.
1.3.15 Защитить отчет.
2. Методика выполнения экспериментов
2.1 При изучении теоретического материала обратить внимание на свойства полупроводников и электронно-дырочных переходов, связанных с различной шириной запрещенной зоны у разных полупроводниковых материалов. Повторить графоаналитические методы расчета режимов нелинейных цепей, а также условные обозначения элементов в электрических цепях и их буквенные обозначения по действующим ГОСТам.
2.2 Работа выполняется на модернизированном лабораторном стенде 87Л-01 «ЛУЧ». При выполнении экспериментальной части лабораторной работы необходимо использовать сменный планшет №1. Рекомендуемые приборы: 1) генератор тока (ГТ 0-10 мА) и генератор напряжения (ГН2 0-15 В и ГН3 30-100 В), находящиеся на нижней панели стенда, смотри описание стенда, 2) мультиметры, находящиеся на правой и левой панелях стенда, 3) кремниевый или германиевый диод по указанию преподавателя, 4) соединительные провода.
2.3 Прямая ветвь ВАХ снимается по схеме, приведенной на левой части планшета (рисунок 1), обратная ветвь — по схеме на правой части. Для точного получения результатов при малых значениях измеряемых величин необходимо устанавливать переключатели приборов на как можно меньшие диапазоны измерения.
Рисунок 2.1 – Схема стенда для снятия вольт – амперных характеристик диода в прямом включении
2.4 При снятии прямых ветвей ВАХ необходимо обратить внимание на полярности источников и приборов, указанные на левой схеме планшета и собрать схему в строгом соответствии с этими полярностями. Далее надо поставить переключатель одного из мультиметров в положение 2 мА, а второго — 2 В. Установить рукоятки ГТ «ГРУБО» и «ТОЧНО» в крайнее левое положение.
После проверки собранной схемы преподавателем или лаборантом включить стенд, поставив включатель питания «Сеть» в положение «I» (включено). При этом должна загореться подсветка включателя. Вращая рукоятки «ГРУБО» и «ТОЧНО» генератора тока, снять показания мультиметров в 10 -12 точках. Максимальное значение задаваемого тока — 10 мА — превышаться не должно. Затем отключить питание стенда, полученные значения токов и напряжений занести в таблицу. После замены диода указанные действия повторить.
2.5 При снятии обратных ветвей ВАХ необходимо собрать схему на правой части планшета стенда, соблюдая указанные на ней полярности приборов и источников (см. рисунок 2). Поставить переключатель одного из мультиметров в положение 2 мА, переключатель второго в положение 200 В. Установить рукоятки ГН3 «ГРУБО» в крайнее левое положение.
2.6 После проверки собранной схемы включить стенд, поставив включатель питания «Сеть» в положение «I». При этом должна загореться подсветка включателя. Вращая рукоятку генератора напряжения «ГН 30-100 В», снять показания приборов в 10-12 точках. Максимальное задаваемое напряжение — 100 В. Отключить стенд. Занести в таблицу полученные значения токов и напряжений. Построить в первом приближении черновые графики полученных ВАХ и показать их преподавателю. Разобрать схему. Сдать соединительные провода и сменные элементы лаборанту.
Рисунок 2.2 — Схема стенда для снятия вольт – амперных характеристик диода в обратном включении
2.7 Построить точные графики полученных ВАХ. Поскольку масштабы токов и напряжений на осях графиков прямых и обратных ветвей ВАХ различны, то рекомендуется прямые и обратные ветви ВАХ строить на отдельных графиках.
2.8 При оформлении отчета руководствоваться требованиями к оформлению отчетов по лабораторным работам кафедры «Промышленная электроника».
3.Экспериментальное определение ВАХ, построение их графиков, определение пороговых напряжений и напряжений пробоя
3.1 Работа выполнялась на модернизированном лабораторном стенде 87Л-01 «ЛУЧ». При выполнении экспериментальной части лабораторной работы использовался сменный планшет №1.
Дополнительные приборы:
1) генератор тока (ГТ 0-10 мА) и генератор напряжения (ГН2 0-15 В и ГН3 30-100 В), находящиеся на нижней панели стенда,
2) мультиметры, находящиеся на правой и левой панелях стенда,
3) диоды Д9 и 2Д213Б,
4) соединительные провода.
3.2 Определение ВАХ диодов при прямом включении
3.2.1 Прямая ветвь ВАХ снималась по схеме, приведенной на левой части планшета (см. рисунок 2.1).
3.2.2 Переключатель одного из мультиметров был установлен в положение 2 мА, а второго — 2 В. Рукоятки ГТ «ГРУБО» и «ТОЧНО» установлены в крайнее левое положение.
3.2.3 После проверки собранной схемы преподавателем, мы поставили включатель питания «Сеть» в положение «I» (включено). При этом загорелась подсветка включателя. Вращая рукоятки «ГРУБО» и «ТОЧНО» генератора тока, мы сняли показания мультиметров в 10 — 12 точках. Затем отключили питание стенда, полученные значения токов и напряжений занесли в таблицу. После замены диода указанные действия повторили.
3.2.4 В ходе опытов с диодами Д9 и 2Д213Б при их прямом включении, мы получили следующие ВАХ этих диодов (рис. 3.1 и рис. 3.2)
ВАХ диода Д9 при прямом включении
| ||||||||||||
Напряжение (В) | 0,146 | 0,172 | 0,2 | 0,224 | 0,24 | 0,25 | 0,26 | 0,268 | 0,275 | 0,282 | 0,286 | |
Сила тока (мА) | 0,1 | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1,2 | 1,4 | 1,6 | 1,8 |
Рисунок 3. 1 – ВАХ диода Д9 при прямом включении
ВАХ диода 2Д213 при прямом включении | |||||||||||
Напряжение (В) | 0,3 | 0,325 | 0,34 | 0,348 | 0,355 | 0,361 | 0,367 | 0,371 | 0,375 | 0,38 | |
Сила тока (мА) | 0,2 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1,2 | 1,4 | 1,6 | 1,8 |
Рисунок 3.2 – ВАХ диода 2Д213 при прямом включении
3.3 Определение ВАХ диодов при обратном включении
3.3.1 При снятии обратных ветвей ВАХ, мы собрали схему на правой части планшета стенда, соблюдая указанные на ней полярности приборов и источников (см. рис. 2.2). Поставили переключатель одного из мультиметров в положение 2 мА, переключатель второго в положение 200 В. Установить рукоятки ГН3 «ГРУБО» в крайнее левое положение.
3.3.2 После проверки собранной схемы мы включили стенд, поставив включатель питания «Сеть» в положение «I». При этом загорелась подсветка включателя. Вращая рукоятку генератора напряжения «ГН 30-100 В», сняли показания приборов в 10-12 точках. Максимальное задаваемое напряжение — 100 В. Затем отключили питание стенда, полученные значения токов и напряжений занесли в таблицу. После замены диода указанные действия повторили.
3.3.3 В ходе опытов с диодами Д9 и 2Д213Б при их обратном включении, мы получили следующие ВАХ этих диодов (рис. 3.3 и рис. 3.4)
ВАХ диода 2Д213Б при обратном включении | |||
Напряжение (В) | |||
Сила тока (мА) | 0,001 | 0,002 |
Рисунок 3. 3 – ВАХ диода 2Д213Б при обратном включении
ВАХ диода Д9 при обратном включении | |||||
Напряжение (В) | 0,4 | 24,5 | 34,5 | ||
Сила тока (мА) | 0,001 | 0,002 | 0,004 | 0,016 |
Рисунок 3.4 – ВАХ диода Д9 при обратном включении
3.4 Основываясь на полученных данных, определим величины порогового напряжения, напряжения пробоя и силы обратного тока.
У диода Д9 эти показатели равны:
1)Uпорог. = 0,24 В
2) I обр. = 0
3)Uпробоя – не определено, т.к. его значение больше измеряемого нами диапазона
У диода 2Д213Б эти показатели следующие:
1)Uпорог. = 0,33 В
2) I обр. = 0
3)Uпробоя – не определено, т.к. его значение больше измеряемого нами диапазона
4. Расчет статических и динамических сопротивлений, построение эквивалентных схем замещения
4.1 Используя ВАХ исследуемых нами диодов найдем величины их статических и динамических сопротивлений
4.2 При помощи полученных данных мы получили следующие показания зависимости статического сопротивления диодов от силы тока при их прямом включении (рис. 4.1 и рис 4.2) по формуле (1):
Rст = U/I (1)
где I — значение силы тока, А; U — напряжение соответствующее значению силы тока, В.
Рисунок 4.1 – Зависимость статического сопротивление диода 2Д213Б от силы тока при прямом включении
Рисунок 4.2 – Зависимость статического сопротивление диода Д9 от силы тока при прямом включении
4. 3 Рассчитаем зависимость статического сопротивления диодов от силы тока при их обратном включении (рис. 4.3 и рис 4.4) по формуле (1).
Рисунок 4.3 — Зависимость статического сопротивление диода 2Д213Б от силы тока при обратном включении
Рисунок 4.4 — Зависимость статического сопротивление диода Д9 от силы тока при обратном включении
4.4 Найдем зависимость динамического сопротивления диодов от силы тока при их прямом включении (рис 4.5 и рис 4.6) по формуле (2):
Rд = ∆U/ ∆I (2)
где — ∆I – разность между соседними значениями силы тока, А; ∆U – разность между соседними значениями напряжения соответствующих силе тока, В.
Рисунок 4.5 — Зависимость динамического сопротивление диода 2Д213Б от силы тока при прямом включении
Рисунок 4. 6 — Зависимость динамического сопротивление диода Д9 от силы тока при прямом включении
4.5 Выведем зависимость динамического сопротивления диодов от силы тока при их обратном включении (рис 4.7 и рис 4.8) по формуле (2).
Рисунок 4.7 — Зависимость динамического сопротивление диода 2Д213Б от силы тока при обратном включении
Рисунок 4.8 — Зависимость динамического сопротивление диода Д9 от силы тока при обратном включении
4.6 Полная схема замещения диода
Для оценки частотных свойств диода следуeт учитывать общую емкость диода СД, являющуюся суммой барьерной и диффузионной емкостей, а также сопротивления контактов. На рис. 4.9 приведена такая модель.
Рисунок 4.9 — Полная схема замещения диода
Здесь RД – нелинейное сопротивление перехода, Сбар – и Сдиф — нелинейные барьерная и диффузионная емкости перехода, R – сопротивления контактов. Наличие сопротивлений контактов сказывается на виде ВАХ в области прямых напряжений: характеристика располагается ниже прямой ветви ВАХ идеального p-n-перехода.
5. Определение КПД заданной цепи
5.1 Для цепи (рис 5.1), состоящей из последовательно соединенных источника напряжения с величиной электродвижущей силы (ЭДС) равной Ео, нагрузочного резистора Rн = 1 кОм и диода, рассчитать изменение коэффициента h полезного действия (КПД) такой цепи при изменении Е в диапазоне ±50% от величины Е0. Ток диода при Е = Е0 принять равным 2 мА. Сравнить полученные зависимости для германиевого и кремниевого диодов и объяснить их.
Рисунок 5.1 – Цепь для измерения КПД заданной цепи
Рассчитаем зависимость КПД цепи с диодами при изменении величины Е (рис. 5.2 и рис 5.3) по формуле (3):
КПД = Ен / Е0 (3)
где Ен= RI — напряжение на резисторе (произведение сопротивления нагрузки и силы тока), В; Е0= Uд+Uн — ЭДС источника (сумма напряжений на резисторе и диоде), В.
Рисунок 5.2 – Зависимость КПД цепи с диодом Д9 от изменения ЭДС (Е)
Рисунок 5.3 – Зависимость КПД цепи с диодом 2Д213Б от изменения ЭДС (Е)
5.2 Для цепи (см. рис. 5.1) при Е = Ео рассчитать и построить графики зависимостей величины h цепи от изменения сопротивления резистора R в диапазоне от 500 Ом до 1,5 кОм.
Рассчитаем зависимость КПД цепи с диодами при изменении величины R (рис. 5.4 и рис 5.5) по формуле (3).
Рисунок 5.4 – Зависимость КПД цепи с диодом Д9 от изменения сопротивления нагрузки (R)
Рисунок 5.5 – Зависимость КПД цепи с диодом 2Д213Б от изменения сопротивления нагрузки (R)
6. Справочные данные на диоды
Д213А, 2Д213Б, 2Д213В, 2Д213Г, КД213А, КД213Б, КД213В, КД213Г
Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения повышенной частоты в постоянное.
Выпускаются в метало — пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение при Iпр = 10 А, не более:
при 298 К 2Д213А, 2Д213В, КД213А, КД213В 1В
2Д213Б, 2Д213Г, КД213Б, КД213Г……… 1,2 В
при Iпр = 5 А для 2Д213Б, 2Д213Г 1,0 В
при 213 К
2Д213А, 2Д213В……………………………….. 1,5В
2Д213Б, 2Д213Г………………………………… 1,7 B
При 398 К (Iпр = 3 А для 2Д213А, 2Д213В и пр = 1 А для 2Д213Б, 2Д213Г) 1В
Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр. макс, более:
от 213 до 298 К ………………………………… 0,2 мА
при 398 К
2Д213А, 2Д213В ………………………………. 10 мА
2Д213Б, 2Д213Г . . ………………………………. 25.мА
Время восстановления обратного сопротивления при Iпр.и = 1 А, Uобр = 20 В, не более:
2Д213А, 2Д213В, КД213А, КД213В …… 300 нc
2Д213Б, 2Д213Г, КД213Б, КД213Г…….. 170 нc
Емкость диода, не более:
при Uo6p = 100 В………………………………. 550 пФ
при Uобр = 5В…………………………………… 1600.пФ
Персональный сайт — ПРАЙС ОТ МОИХ ДРУЗЕЙ
КОМПАНИЯ ПРОДАЕТ СЛЕДУЮЩЕЕ ИЗДЕЛИЯ !
— 1 —
№ | НАИМЕНОВАНИЕ | К-ВО | Г/В. | К-Я | ПС | ЦЕНА |
|
1 | ПГНП | 24 | 1990 | 1 |
|
|
|
2 | АМ-800К-2,5м | 26 | 2001 | 1 |
|
|
|
3 | А-812 | 10 | 1998 | 1 |
|
|
|
4 | А-801 | 36 | 1998 | 1 |
|
|
|
5 | ПМ-29 | 30 | 1996 | 1 |
|
|
|
6 | П2М | 10 | 1994 | 1 |
|
|
|
7 | 1З3К-10 | 7 | 1991 | 1 |
|
|
|
| ЭЛ. |
|
|
|
|
|
|
8 | МПК-13А-5 | 4 | 1990-93 | 1 |
|
|
|
8-1 | МПК-13К-5 | 5 | 91 | 1 |
|
|
|
9 | МП-100А 2сер. | 4 | 1993 | 1 |
|
|
|
10 | МП-95 ДАТЧИК | 2 | 1991 | 1 |
|
|
|
11 | МП-5И * | 50 | 87-1991 г. | 1 |
|
|
|
12 | ЭП-632Т | 1 | 1996 | 1 |
|
|
|
13 | ЭП-391Т | 1 | 1996 | 1 |
|
|
|
14 | ЭП-528Т * | 1 | 1993 | 1 |
|
|
|
15 | МП-100М 2сер. | 2 | 1992 | 1 |
|
|
|
| ДВИГАТЕЛИ |
|
|
|
|
|
|
16 | ДГ-1ТВ | 10 | 1993 | 1 |
|
|
|
17 | ДГ-0,5ТВ | 10 | 1993 | 1 |
|
|
|
18 | ДИД-0,6 | 4 | 1993 | 1 |
|
|
|
19 | ДИД-0,5ТВ | 20 | 1993 | 1 |
|
|
|
20 | ДИД-0,5Р | 15 | 1993 | 1 |
|
|
|
21 | ДИД-0,5У | 15 | 1993 | 1 |
|
|
|
22 | ДИД-0,5-01 | 10 | 1993 | 1 |
|
|
|
23 | ДГМ-0,1А | 8 | 1993 | 1 |
|
|
|
24 |
|
|
|
|
|
|
|
| БЛОК |
| 1991 | 1 |
|
|
|
25 | СО-72 | 2 | 1991 | 1 |
|
|
|
26 | ЭПВ-150МТ-2АГР | 4 | 1996 | 1 |
|
|
|
27 | ТАБЛО Т-10У2Б | 15шт. | Б/П. | 1 |
|
|
|
28 | КЭМ-5 | 1 | 1992 | 1 |
|
| |
29 | СОМ-64 | 2 | 1993 | 1 |
|
|
|
30 | ДС-11 | 4 | 1992 | 1 |
|
|
|
31 | 6202-12-1 | 2 | 1998 | 1 |
|
|
|
32 | ПУТ-1АМ (изГК-300) управления электротельфером | 2 | 1991 | 1 |
|
|
|
33 | ЭЦН-91С | 2 | 1990 | 1 | Б/П | ПРОДАН |
|
33—А | ЭЦН-91Д | 2 | 91 | 1 | П |
|
|
34 | П-77В2 | 20 | 1990 | 1 |
|
|
|
35 | ГА-59/1 | 4 | 1991 | 1 |
|
|
|
36 | 6645-02 БЛОК | 2 | 1996-97 | 1 |
|
|
|
37 | А-340-053 | 1 | 1993 | 1 |
|
|
|
38 | БЗУ-376 СП сер. | 1 | 1991 | 1 |
|
|
|
39 | КЭМ-8 | 2 | 1991 | 1 |
|
|
|
40 | МСТВ-2,3С | 3 | 1991 | 1 |
|
|
|
— 2 —
41 | ИКДРД-830-590 | 4 | 1991 | 1 |
|
|
42 | КРАН ГА-163Т/16 (90-91г/в) | 4-2=2 | 1993 Б/П | 1 |
|
|
№ | НАИМЕНОВАНИЕ | К-ВО | Г/В. | К-Я | ПС | ЦЕНА |
| БЛОК |
|
|
|
|
|
43 | ИТЭ-1 (ТАХОМЕТР) | 2 | 1992 | 1 |
|
|
44 | КРАН ГА59/1 | 2 | 1992 | 1 |
|
|
45 | ГР/КОМПЛЕКТ ГА-192Т | 2 | 1992 | 1 |
|
|
46 | ГР/КОМПЛЕКТ ГА-142 1//2 | 2 | 1991 | 1 |
|
|
47 | ЭВ-0,2-1540А(ВЕНТИЛЯТОР) | 15 | 1990 | 1 |
|
|
48 | УСС-4-1 | 8 | 1990 | 1 |
|
|
49 | ССП-2ИР | 100 | 1992 | 1 |
|
|
| АРМАТУРА ПОДСВЕТА |
|
|
|
|
|
50 | С-1 | 30 | 1990-91 | 1 |
|
|
51 | СВ | 50 | 1990-91 | 1 |
|
|
52 | СВ-1 | 500 | 1990-91 | 1 |
|
|
53 | СВ1-1 | 500 | 1990-91 | 1 |
|
|
54 | СКВ (СВЕТИЛЬНИК) | 6 | 1990-91 | 1 |
|
|
55 | С-60 , ( КР/БЕЛ ) | 200 | 1990-91 | 1 |
|
|
56 | С-80 , ( КР ) | 200 | 1990-91 | 1 |
|
|
57 | СМ1КМ | 10 | 1992 | 1 |
|
|
58 | АПМ-1 , ( КРАСНЫЙ ), В УПАКОВКЕ | 350 | 1990-91 | 1 |
| ПО 50шт. |
59 | ТС-3М БЕЛЫЙ | 220 | 90-91 | 1 |
|
|
60 | КСРЛК-45 | 80 | 1990-91 | 1 |
|
|
61 | КФЛ-37ТФ | 9 | 1990-91 | 1 |
|
|
62 | АРУФОШ-45 , П/УП. | 11 | 1990-91 | 1 |
|
|
63 | СТ | 5 | 1990-91 | 1 |
|
|
| ТРАНСФОРМАТОР |
|
|
|
|
|
64 | ТР-50 | 10 | 1990 |
|
|
|
65 | ТР-45 | 5 | 1990 |
|
|
|
66 | ТР-60 | 5 | 1990 |
|
|
|
67 | ДВ-3 (ВЕНТИЛЯТОР) | 2 | 1990 |
|
|
|
68 | МУ-616А | 7 | 1990 | 1 |
|
|
69 | ШПЛМ-2 | 100 | 1990 | 1 |
|
|
70 | ВАР-30М | 2 | 1990 | 1 |
|
|
71 | СИГНАЛИЗАТОР 29А | 1 | 1990 | 1 |
|
|
72 | ЯКОРЬ 507-036 (МУС-3ПТВ) | 4 | 2003 | 1 |
|
|
73 | СЕРДЕЧНИК 675. | 4 | 2003 | 1 |
|
|
74 | ЩИТ К5.333 (МУС-3ПТВ) | 4 | 2003 | 1 |
|
|
75 | СБ-1 (СОЕДИНИТЕЛЬНЫЙ БЛОК) | 6 | 88-1990 | 1 |
|
|
| СПИСОК АТИ Т-Т 2007 г. |
|
|
|
|
|
76-1 | 8656-55-2 | 20 | 1990 | 1 |
|
|
77-2 | 7610-2037 | 4 | 1991 | 1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
— 3 —
78-3 | 9209- | 2 | 1996-97 | 1 |
|
| |
79-4 | 9403-421 | 1 | 1993 | 1 |
|
| |
80-5 | 6110-100 | 1 | 1991 | 1 |
|
| |
81-6 | 6100-107 | 2 | 1991 | 1 |
|
| |
82-7 | 6100-245 | 3 | 1991 | 1 |
|
| |
83-8 | 6101-90-2 | 4 | 1991 | 1 |
|
| |
84-9 | 6101-180 | 4 | 1993 | 1 |
|
| |
№ | НАИМЕНОВАНИЕ | К-ВО | Г/В. | К-Я | ПС | ЦЕНА | |
85-10 | 6101-400 |
|
|
|
|
| |
86-11 | 6105-415 |
|
| 1 |
|
| |
87-12 | 6110-380 |
|
| 1 |
|
| |
88-13 | 6510-592 |
|
| 1 |
|
| |
89-14 | 7203-546 |
|
| 1 |
|
| |
90-15 | 7604-50 |
|
| 1 |
|
| |
91-16 | 770-2230 |
|
| 1 |
|
| |
92-17 | 9021-340 |
|
| 1 |
|
| |
93-18 | У 5655-0 |
|
|
|
|
| |
94-19 | Т 4205-0 |
|
| 1 |
|
| |
95-20 | У 5629-0-3 |
|
| 1 |
|
| |
96-21 | У 5618-0 |
|
| 1 |
|
| |
97-22 | У 5652-0 |
|
| 1 |
|
| |
98-23 | У 5633-0 |
|
| 1 |
|
| |
99-24 | У 5606-34 |
|
| 1 |
|
| |
100-25 | У 5609-5 |
|
| 1 |
|
| |
101-26 | Т 5633-10 |
|
| 1 |
|
| |
102-27 | Т 5604-95 |
|
| 1 |
|
| |
103-28 | У 5625-0-1 |
|
| 1 |
|
| |
104-29 | У 5629-0-1 |
|
| 1 |
|
| |
105-30 | Т 5609-40 |
| 1 |
|
| ||
106-31 | У 5625-0-9 |
| 1 |
|
| ||
107-32 | У 5625-0-2 |
| 1 |
|
| ||
108-33 | КУС730/110 |
|
|
| |||
109-34 | ЭУП-53 |
|
|
|
|
| |
110-35 | АГА-1 |
|
|
|
| ||
111-36 | ППД-1 , 2сер. | 10 | 90 | 1 |
|
| |
112-37 | СУП-1 |
|
|
|
|
| |
113-38 | ПДК-49 |
|
| 1 |
|
| |
114-39 | ПСП-48 |
|
| 1 |
|
| |
115-40 | КУС-120 |
|
| 1 |
|
| |
116-41 | ЧИСЛО-М |
|
| 1 |
|
| |
117-42 | СМ-28-243 | 300шт. |
| 1 |
|
| |
118-43 | КОЛБ НА МАЯК 2шт. |
|
| 1 |
|
| |
119-44 | СДК-67, 91г. З/УП. 1кат.1шт. | 1шт. | 1991 | 1 |
|
| |
120-45 | ТАБЛО Т-4У2Б | 5шт. | 90-93 | 1 |
|
| |
121-46 | ТАБЛО Т-6У2Б | 5шт. | 90-93 | 1 |
|
| |
122 | ИК-2 | 1 | 94 |
|
|
| |
123 | МА-250К | 2 |
|
|
|
| |
124 | П-77 | 5 |
|
|
|
| |
125 | 5415Т | 2 | 94 |
|
|
| |
126 | 2217Т | 1 | 94 |
|
|
| |
127 | АДИС-2-3 | 2 | 96 |
|
|
| |
128 | 726АМ | 1 | 93 |
|
|
| |
129 | 2-ТУЭ-4К | 2 | 95 |
|
|
| |
130 | ЭП-309, 2сер. | 2 | 93 |
|
|
| |
131 | АШС-ГМ | 4 | 93 |
|
|
| |
132 | БИ-16-1 | 1 | 89 |
|
|
| |
133 | ВУЗБ | 1 | 95 |
|
|
| |
134 | ТСК-79М-005 | 1 | 93 |
|
|
| |
135 | КЭМ-5 | 1 | 92 |
|
|
| |
136 | П-1 | 15 |
|
|
|
| |
137 | МП-100-8МТ | 5 | 91 |
|
|
| |
138 | МПК-13БТВ | 4 | 91 |
|
|
| |
139 | ДС-3М | 2 | 91 |
|
|
| |
140 | ПМВ-45К | 2 | 91 |
|
|
| |
141 | ВК-53РШ | 2 | 96 |
|
|
| |
142 | МЕХАНИЗМ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ 5377 | 1 | 1995 | 1КАТ. |
|
|
НА ВСЕ ВОПРОСЫ ОТВЕТИМ ПО ЭЛЕКТРОННОЙ ПОЧТЕ !
𭈓 — CJK Unified Ideograph-2D213: U + 2D213
Идеограф, означающий
CJK Unified Ideograph-2D213. Расширение унифицированных идеографов CJK F.
CJK Unified Ideograph-2D213 был одобрен как часть Unicode 10.0 в 2017 году.
Недвижимость
Возраст | 10.0 |
Блок | CJK Расширение унифицированных иероглифов F |
Двухканальный кронштейн типа | Нет |
Исключение состава | Нет |
Футляр складной | 2Д 213 |
Простой складной футляр | 2Д 213 |
Кодировка
Кодировка | шестигранник | dec (байты) | дек | двоичный |
---|---|---|---|---|
UTF-8 | F0 AD 88 93 | 240 173 136 147 | 4037904531 | 11110000 10101101 10001000 10010011 |
UTF-16BE | D8 74 DE 13 | 216 116 222 19 | 3631537683 | 11011000 01110100 11011110 00010011 |
UTF-16LE | 74 D8 13 DE | 116 216 19 222 | 1960317918 | 01110100 11011000 00010011 11011110 |
UTF-32BE | 00 02 D2 13 | 0 2 210 19 | 184851 | 00000000 00000010 11010010 00010011 |
UTF-32LE | 13 D2 02 00 | 19 210 2 0 | 332530176 | 00010011 11010010 00000010 00000000 |
Старший разработчик Ruby on Rails (UZ-2D213)
Описание работы \ n \ n Возможности: \ n \ n Как старший разработчик Ruby вы будете неотъемлемым членом команды.Вы будете уполномочены возглавить возможности разработки, которые лучше соответствуют проектам домовладельцев с подходящими поставщиками услуг для работы, и масштабировать наши рыночные услуги, чтобы справиться с ростом запросов на обслуживание на порядок. Вы будете еженедельно поставлять улучшения в производственную среду, чтобы мы могли учиться у наших пользователей и жить и дышать нашими инженерными ценностями, такими как: \ n \ n Стремиться понять и быть понятым Сделать ориентированные на пользователя решения, основанные на данных, мыслить масштабно, поставлять небольшие, для максимального увеличения принадлежности к обучению и благополучия для всех Возьмите на себя ответственность за создание устойчивой приверженности к непрерывному обучению \ n \ n \ n Наш стек: \ n \ n Языки / платформы: Ruby on Rails, React, NodeJS Datastores: MySQL, Postgres Cloud Provider: Обмен сообщениями AWS: RabbitMQ \ n \ n Требования \ n \ n У вас большой опыт работы с Ruby on Rails. Вы спроектировали и создали программное обеспечение для распределенной системы. Вы пишете чистый код и помогаете другим улучшать их ». Вы уверенно улучшаете устаревшие приложения. объяснять сложные технические концепции нетехнической аудитории. Вы постоянно учитесь и свободно делитесь с другими. Вы цените качество поставки программного обеспечения и постоянно тестируете то, что вы создаете. \ n \ n \ n Приятно иметь: \ n \ n Опыт работы в ведущих командах Опыт работы с TDD / BDD Опыт владения вашим программным обеспечением в производственной среде Опыт непрерывного развертывания \ n \ n Преимущества \ n \ n В настоящее время предлагается удаленная работа до дальнейшего уведомления.Поставляется оргтехника! Отличный пакет преимуществ. Нам нужна здоровая и продуктивная команда Общественные мероприятия и мероприятия по построению коллектива в масштабах всей компании Декабрьские каникулы. Офис закрыт за неделю до новогоднего праздника личностного роста. Мы стремимся предоставить сотрудникам конструктивную обратную связь, чтобы способствовать их карьерному росту. Мы быстро растем. HomeStars является частью семьи ANGI Homeservices Inc., которая является публичной и включает в себя ведущие бренды домашних услуг, такие как Home Advisor и Angie’s List. Красивый кирпичный и балочный офис в самом центре развлекательного района Торонто. Зал для отдыха с лаунджем, пинг-понг, дартс и настольный футбол \ n \ n \ n HomeStars недавно был признан: \ n \ n Лучшими рабочими местами, управляемыми женщинами, Канада 2020 Лучшие рабочие места в сфере технологий, Канада 2020 Лучшие рабочие места для современной молодежи, Канада 2020 \ n \ n \ n * Мы равные возможности работодателя и не допускают дискриминации по признаку расы, религии, цвета кожи, национального происхождения, пола (включая беременность, роды или связанные с ними заболевания), сексуальной ориентации, гендерной идентичности, гендерного выражения, возраста, статуса ветерана, находящегося под защитой, статуса как лицо с ограниченными возможностями или другими применимыми охраняемыми законом характеристиками.\ n \ n \ n \ n для этой работы \ n \ n
6 дней назад
Сообщить об этой вакансии
Теория пространственных переговоров при формировании правительства в парламентских системах на JSTOR
Abstract
Теория формирования правительства в парламентских системах разработана на основе модели, включающей политические партии с пространственными предпочтениями, и процесс формирования, в котором партии выбираются последовательно, чтобы попытаться сформировать правительство.Правительство формируется, когда политика, предложенная выбранной частью, подтверждается вотумом доверия. Равновесия определяют правительство и политику, которую оно будет проводить, и зависят от конфигурации предпочтений и от процесса формирования правительства. Например, в политической системе с двумя большими партиями и одной маленькой партией и в которой одна из двух больших партий будет выбрана для попытки сформировать правительство, правительство будет сформировано большой партией при поддержке малой партии. .Политика будет отражать предпочтения небольшой партии, но будет ближе к идеалу большой партии.
Информация о журнале
Американский обзор политических наук (APSR) — самый продолжительный
публикация Американской ассоциации политических наук (APSA). APSR,
впервые опубликовано в ноябре 1906 г. и выходит ежеквартально.
выдающийся политологический журнал в Соединенных Штатах и
на международном уровне. APSR представляет исследования из всех областей политической
науке и содержит обширный рецензионный раздел
дисциплина.Раньше APSR также охватывал личные и
кадровые позиции профессии, как и у предшественницы,
Материалы APSA.
Информация об издателе
Американская ассоциация политических наук, основанная в 1903 году, является крупнейшим профессиональным
общество для людей, занимающихся изучением политики и управления. APSA
объединяет политологов из всех областей исследований, регионов и
профессиональные усилия. Хотя большинство членов APSA — ученые, которые преподают и проводят
исследования в колледжах и университетах США.С. и за рубежом, четверть работы
вне академических кругов в правительстве, исследованиях, организациях, консалтинговых фирмах,
средства массовой информации и частное предпринимательство. Для получения дополнительной информации об APSA, его
публикации и программы см. на сайте APSA.
Фотоупругие и электрооптические свойства кристаллов
Об этой книге
Введение
В этом всеобъемлющем трактате впервые рассмотрены все основные работы за последние 160 лет по фотоупругим и близким к ним линейным и квадратичным электрооптическим эффектам в изотропных и кристаллических материалах.Акцент делается на феноменальном росте этой темы за последние полтора десятилетия с появлением лазера, с использованием высокочастотных акустооптических и электрооптических методов, а также с открытием новых пьезоэлектрических материалов, все из которых предложили обратную связь с широким интересом к этим двум областям физики твердого тела. Первый из этих объектов, фотоупругий эффект, был открыт сэром Дэвидом Брюстером в 1815 году. Он сначала обнаружил эффект в гелях, а затем обнаружил его в стеклах и кристаллах.Хотя эффект оставался академическим интересом в течение почти ста лет, он приобрел практическую ценность, когда Кокер и Филон применили его для измерения напряжений в деталях машин. С помощью одной фотографии и последующего анализа можно определить напряжение в любой планарной модели. Взяв сечения трехмерной модели, можно найти полные трехмерные напряжения. Следовательно, этот эффект широко применяется в промышленности.
Ключевые слова
Обозначение Шенфлиса Обозначение Шенфлиса кристаллография кристаллография дисперсия упругость электрооптический эффект рост обратной связи электронов лазерная физика точечная группа рассеяние физика твердого тела
Авторы и аффилированные лица
- 1.Османийский университет, Хайдарабад, Индия,
,
.
Библиографическая информация
- Заголовок книги
Фотоупругие и электрооптические свойства кристаллов. - Авторы
Т.С. Нарасимхамурти - DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4757-0025-1 - Информация об авторских правах
Springer-Verlag США 1981 - Имя издателя
Спрингер, Бостон, Массачусетс - электронные книги
Архив книг Springer
- ISBN в твердом переплете
978-0-306-31101-7 - ISBN в мягкой обложке
978-1-4757-0027-5 - электронная книга ISBN
978-1-4757-0025-1 - Номер издания
1 - Количество страниц
, 544 - Количество иллюстраций
36 ч / б иллюстраций, 0 цветных иллюстраций - Темы
Физика конденсированного состояния - Купить эту книгу на сайте издателя
The Daily Oklahoman из Оклахома-Сити, Оклахома, 20 октября 1990 г. · 84
nuSw ina m bub m mm m 52T mi w mi — 2016 DOWNING.ДЕРЕВНЯ V2f11 31500 долларов J 500 131.450 л 3ooRExacT.oKC e310 17 150 долларов это 2331 NWEUBANKS. OKC 42I0. «woo I 2517 W.EUBANKS. OKC 521710 35 000 долл. США S500 134550 L 3113 FAHWLD. OKC 4211 14 500 долл. США L. 6MFLAMWMAVE.0KC 6150 15 000 долл. США (690 долл. США 34375 L IIK1 FLAMINGO DR. OKC 610 28 700 долл. США 565 долл. США (OKC L 1313 N.HAR 39500 J 500 39450 долларов США L 2444 HUNUSGH OR. ДЕРЕВНЯ 531,5 49 900 долларов США 1 500 49 454 долларов США LI EOS NINDEPENDENCE OKC 73110 811 000. l 109HE.KAmERmEPL.OKC 5311 16500 долларов США L! 50O KINGS WAY. OKC 5152 430KCN 7000 долларов США L MO.72 $ 34500 $ 725 $ 33275 3705 N.UNDA AVE OKC 4211 $ 23 400 L 120109 1 K.UNH.0KC0UPLEK 6220 $ 20 400 L 31S2LHW BLVD. OKC 511 05500 (500 135.450 I 2620 MANCHESTER DR. OKC 5152 39500 долларов США S500 139.150 L 6SM! N.MBSIIAN.OKC-C0NDO 2fl1CTO 31200 долларов США J 500 31 750 долларов США 1229 NMETA, OKC 4211 5000 долларов США 4401 N MILLER AVE. i 1515 OXFORD WAY. OKC 4211 $ 33400 $ 500 $ 31950 L 1405 W PARK PL. OKC 6151 18500 $ 500 $ 18 050 л 1B12 W PAHK PL. OKC 73110 $ 10 000 л 1903 Вт ПАРК ПЛ. OKC 731110 $ t620Q L 14323 0 14 ПЕНСИЛЬВАНИЯ, OKCCONOO 42250 $ 34500 $ 1550 $ 33350 9716 NSHARTEL.OKC 6311CP $ 12700 L ll740! SPRlWmOWnO.OKWCDO 3110 $ 23 600 $ 500 $ 23 150 3404 NWILBURN. BETHANY 421ID $ 18 600, это 2815 г., севернее W00OWARD. OKC 510 $ 14500 л 3305 NEI1TH. OKC 3336 NE 111 «. OKC 1524 NE12IH. OKC 3304 NE 12TH. OKC 3328 NE 131H SI. OKC 1209 NE.I4TH, OKC 1101 NE I51H.KC 720 N E- I51K. OKC-OUPIEX 1121 NEt6m, OKC 1124 NE.1S1H , OKC 2101 NE ISM. OKC 3313 NE19IH. OKC 2204 NE.2STH, OKC 636 NE 291H. OKC 64SNE.291H.OKC 1328NE347W.M 1538 N E42NO. OKC 1400 NE. 44TH, OKC 1529 NE.46IH. OKC 1805 NBOfO. OKC 600 N IDAHO.OKC 1704 NJOHOAN, OKC 2201 NKAIE0KC 3605 A 2NKEUJY. OKC 360SA5NKEl.UY.OKC 9928 MARK TflL. OKC (529 N EMEYEF5 PL. OKC 1439 MONT1CEU0 CT. OKC-VACANr LOT 2609 N PROSPECI, OKC 3309 WARRIOR CT. OKC 1808 SW I6TH0KC 3404 SW 20 TH OKC 3521 SW22NO. OKC 2129 SW26TH. OKC 532 SW 2B1HIT. 0KC 532 SW 2B1HIT. 0KC 3I5T.0KC 1440SW32NO.0KC 2632 SW 35TH.0KC 3625 SW36TH OKC 3025 SW.39TH. OKC 4021 SW. 40TH.OKC 3740 SW43RO, OKC 621 SW 45IH.OKC 2612 SW46TH. OKC 271746 SWTH OKC 2729 SW 49TH, OKC 2512. 60TH. OKC 2716 SW ОБА, OKC 3021 SW60TX.0KC 232SW60THPL, OKC 1I12SW.6IST.0KC 1336 SW.E1ST. OKC 2104 SW 61ST.0KC 3217 SW 62ND.OKC 3040 SW64THIERR, OKC 741.50 74131 41 ID 42I2CP 411 512D 612D S421CP 673110 53110 5210 5222 7210 4211CP 73110 531.51 840 4211 S311 S311 4aiicp 51.572 VACANT LOT250 731.572 53.711 53.72 51.32 5327 9600 долл. США 6270 долл. США 5000 долл. США 6300 долл. США 8350 долл. США 21 375 долл. США S1S.60J 14 490 долл. США 11 900 долл. США 22300 долл. США 680 долл. США 22350 долл. США 6 500 долл. США 7 125 долл. США 6 175 долл. США .ooo l 103110 39,000 L 4211 $ 8350 511 $ 8,500 it Miism tajm jsoo $ 31300 l 4211 D 3 7.000 L 5310 $ 22,000 $ 1350 $ 20,800 L 3110 $ 6500 i 73110 $ 12,000 $ l 52120 $ 10,000 l S311 $ 23,000 $ 1,600 $ 21400 $ L 42113 $ 19400 L 5003 $ 2700 $ 2700 $ 27400 L 42113 $ 19400 580 долларов 28 600 долларов it 57311 (1 24 900 долларов США 1045 долларов США 23 950 долларов США L 6V412 37 500 долларов США 500 37 050 долларов США I 5311 26 500 долларов США 770 долларов США 25 300 долларов США L 5711 43 300 долларов США 500 долларов США 43550 долларов США L 531,51 29525 долларов США 500 долларов США 236252 4 222757 3R 218068 5 202997 5 199781 5 196650 3R 204156 3V 198855 5 238063 4 251246 3M 242646 5 2136 (7 3N 236604 1N 161953 6 182211 2 184472 5 225973 3R 212912 5 160032 6 184470 5 212256321 244800 4 26485 207592 3N 260335 6 240371 6 216957 4 227377 5 250923 5 153152 5 225319 3012 SW.667H, OKC 2513 S.W.68TH, OKC 1300 S.W. 69TH. OKC 8520 S.W.75TH. OKC 1138 S.W.77TH TERR, OKC 2715 S.W.83RD. OKC 3228 S.W.86TH. OKC 1009 SW.10IST, OKC 1201 S.W.1Q1ST.0KC 1228 S.W.126TH OKC 520SW.151ST.OKC 10209 SBLACKWELOER. OKC 14428 BRENT DR. OKC 3504 S.0OUGLAS AVE, OKC 3412 SJXIMAS. OKC 3II2S.GOFF.OKC 508 GREENLEA CHASE WEST, OKCCONOO 8901 SJNOtANA. OKC 8900 StAWTON. OKC 3309 AUBERTY. OKC 3048 S.HAD0LE BLVD. OKC 1520 MAGOALENA DR. OKC 33S и MURRAYDR, OKC 3629 PARK VIEW AVE. OKC 7007 SSEARS TERR.OKC 3725 SSHARTEL, OKC 10108 SOUTURIOGE TERR, OKC 2801 S5T. CLAIR AVE. OKC 3717 SUMMERWIND CT, OKC 2517 TEXHOMA DR. OKC 1400 УИЛЬЯМС ИЛИ. OKC 1724 WINDSCAPt OKC 260OSWOO0WARO.OKC 5152 6322 Незначительный 64722 4270 573131 53152412 S12 sn2 532 5322 5272 511 ВАКАНТНЫЙ ЛОТ 611 52) 5322610 510 610 611 $ 610 4211 3211 5110 5272 6321D 52222511 $ 5152 5110 5272 6321D 52222511 $ 35300 $ 33300 $ 44200 $ 63300 $ 61500 $ 50 900 $ 3530 $ 1450 $ S 9.000 $ 47 100 $ 50 000 $ 34575 $ 1600 $ 26 900 $ 22500 $ 11 000 $ 18 600 $ 14500 $ 19 000 $ 38500 $ 9000 $ 47 000 $ 19 000 $ 26200 $ 29000 $ 29000 $ 25500 $ L 500 $ 3750 L50 935 $ $ 500 $ 61550 долларов США 50450 долларов 500 долларов (50550 L 500 долларов 46650 долларов L 1200 долларов 48530 долларов L 500 34225 долларов США 18150 долларов США 500 долларов США 18550 долларов США 600 долларов США 18300 долларов США 500 долларов США 25750 долларов США L (650 28440 долларов США L 1200 долларов США 24350 долларов США 5 254241 2309 SE11TH.OKC 8420 $ 17500 $ 870 $ 16210 6 219109 2313-2315 SE. 11ТО. OKCOUPLEX 84270 316.600 6 215378 2405 SE 13TH, OKC 411CP $ 5,800 it 6 207141 1108 SE.19TH. OKC 411 $ t0.600 it 4 149921 1260 SE 22ND. OKC 411 19 100 долларов США 2200 долларов США 17 090 долларов США L 4 181381 1136 SE 23RO.0 KC 5131 26 700 долларов США 1120 долларов США. 25 685 долларов США, это 5 217297 1221 SE 23RO TERR. OKC 51.52 $ 25 400 $ 760-324.710 4 180257 114 S.E34THOKC S211D $ 17 500 $ 745 $ 16 825 L 6 218584 224SE35TH.OKC 621 8550 $ L 3N 255171 807 SE 3BTH. LAWTON 6150 $ 43750 $ 500 $ 43300 L 5 215435 1024 SE40TH.OKC 621 25 630 долларов 835 24 875 долларов L IN 232946 108SE41ST.0KC 511 11 900 долларов it 6 215079 14) 3 SE41ST. OKC 51 (0 10 600 долл. США L 6 1
Основы пьезоэлектрической сенсорики — Materiais e Dispositivos Dielétricos e Piezelétricos
Все нецентросимметричные классы можно разделить на две группы.В Первая группа включает 10 кристаллографических классов, имеющих сингулярную полярную ось, а именно классы 1, 2, 3, 4, 6, м, мм2, 3 м, 4 мм и 6 мм. Кристаллы, принадлежащие одному из эти классы симметрии называются полярными кристаллами. Один из первых известных экзаменов - В качестве такого кристалла используется турмалин (класс симметрии 3m). Полярные кристаллы также демонстрируют пироэлектричество (см. пункт 5.4). Вторая группа нецентросимметричных классов включают 11 классов 222, 4¯, 422, 4¯2 м, 32, 6¯, 622, 6¯2 м, 23, 4¯3 м и 432. Там также являются полярными осями симметрии в таких классах симметрии, но они не являются сингулярными.Комбинации нескольких кристаллографически эквивалентных векторов, направленных вдоль полярной оси. оси приводят к его нулевой сумме. К таким кристаллографическим классам относятся материалы называются полярно-нейтральными кристаллами. Типичный пример этого материала - кристалл α-кварца. с тремя эквивалентными полярными направлениями вдоль 2-кратных осей симметрии. В полярных кристаллах пьезоэлектрическая поляризация возникает в результате механического воздействия. приложение физического напряжения будет способствовать спонтанной поляризации существующей ранее. В полярно-нейтральных кристаллах полярные направления взаимно «компенсируются». насыщенный ».В результате приложения механического напряжения появляется сингулярное полярное направление. в таких кристаллах. В этом направлении создается пьезоэлектрическая поляризация, и кристалл пьезоэлектрически поляризован. Единственное исключение среди полярно-нейтральных классов кубический 432 класс, где все пьезоэлектрические коэффициенты тождественно равны нулю из-за симметрии (Желудев, 1975). Кристаллографическая симметрия приводит к некоторым ограничениям на компоненты тензора любого материального свойства кристалла. Преобразование тензорных компонент, корр. соответствие любому элементу симметрии, не должно приводить к изменению материала тензор свойств.Пьезоэлектрический эффект описывается тензором третьего ранга. В соответствии с общее правило преобразования (см. уравнение (2.39)), примененное к пьезоэлектрическому тензору d′ijk = aimajnakpdmnp (5.10) преобразованные компоненты тензора d′ijk в общем случае являются линейными комбинациями оригинальные комплектующие dmnp. Матрица преобразования aij соответствует симметрии элемент. Обычно при преобразовании уравнения возникают три типичных ситуации. (5.10). В 74 5 Пьезоэлектрические свойства в некоторых случаях пьезоэлектрический коэффициент инвариантен относительно трансформатора. mation (т.е. d′ijk = dijk). На такую компоненту тензора не накладывается никаких ограничений. и поэтому он независим и не равен нулю. Второй случай - это ситуация знака изменение в результате преобразования (т.е. d′ijk = −dijk). Такое ограничение требует- или приводит к нулевому значению для такого компонента (см., например, компонент d111 в симметрии класс 4мм в Приложении). Третий и наиболее сложный случай - это линейная комбинация. нация исходных компонент тензора, возникающих после преобразования. Такой ограничение дополнительно уменьшает количество независимых компонент тензора (см.грамм. com- ponent d211 = −d222 в классе симметрии 32 в Приложении), но не приводят к нулевое значение некоторого компонента. Общий вид компонент тензора упругости Точные, пьезоэлектрические и диэлектрические свойства подробно перечислены в Приложении. для всех кристаллографических классов. Подобные таблицы можно найти, например. в Nye (1985). Структура независимого компонента пьезоэлектрического коэффициента более в матричной записи заметно лучше, чем в тензорной записи. Симметрия пьезоэлектрика тензор отражает симметрию механических напряжений / деформаций (они симметричны второго ранга). рикальные тензоры).Таким образом, пьезоэлектрический коэффициент является симметричным тензором третьего ранга. относительно перестановки двух индексов. Пьезоэлектрические коэффициенты удовлетворяют следующие соотношения между коэффициентами тензора dijk и матрицы diμ ⎛ ⎝d111 d122 d133 2d123 2d113 2d112d211 d222 d233 2d223 2d213 2d212 d311 d322 d333 2d323 2d313 2d312 ⎞ ⎠ ∼ = ⎛ ⎝ d11 d12 d13 d14 d15 d16d21 d22 d23 d24 d25 d26 d31 d32 d33 d34 d35 d36 ⎞ ⎠ (5.11) То же правило справедливо и для пьезоэлектрических коэффициентов gijk и giμ. На напротив, связь между тензорными и матричными обозначениями для пьезоэлектрических коэффициент eiμ (то же самое справедливо и для hiμ) ⎛ ⎝ e111 e122 e133 e123 e113 e112e211 e222 e233 e223 e213 e212 e311 e322 e333 e323 e313 e312 ⎞ ⎠ ∼ = ⎛ ⎝ e11 e12 e13 e14 e15 e16e21 e22 e23 e24 e25 e26 e31 e32 e33 e34 e35 e36 ⎞ ⎠ (5.12) не включает никаких числовых факторов. Уравнения. (5.11) и (5.12) отражают определения компонента тензора механических напряжений / деформаций (см. главу 3). 5.3 Преобразование пьезоэлектрических коэффициентов В некоторых приложениях (например, для кварцевых пьезоэлектрических резонаторов) это необязательно. необходимо найти пьезоэлектрический коэффициент в каком-либо направлении, повернутом относительно к кристаллографическим осям. Уравнение (5.10) можно было бы использовать для преобразования пьезоэлектрический коэффициент diμ. Аналогичное правило преобразования справедливо и для пьезоэлектрические модули eiμ e′ijk = aimajnakpemnp (5.13) 5.4 Пироэлектрический эффект 75 Практическое применение матричной записи в преобразовании компонентов может можно найти в таблицах (Hearmon 1957; Petržílka et al. 1960, p. 99). Трансформация матрица существенно упрощается при вращении вокруг кристаллографической оси. Следовательно, это также приводит к более простому преобразованию пьезоэлектрических коэффициентов. Например, преобразование пьезоэлектрических коэффициентов diμ и eiμ для кристалл α-кварца е′11 = е11, e′12 = −e11 cos2 ξ + 2e14 sin ξ cos ξ, e′13 = −e11 sin2 ξ - 2e14 sin ξ cos ξ, e′14 = e11 sin ξ cos ξ + e14 (cos2 ξ - sin2 ξ), e′15 = e′16 = e′21 = e′22 = e′23 = e′24 = 0, e′25 = e11 sin ξ cos ξ - e14 cos2 ξ, e′26 = −e11 cos2 ξ - e14 sin ξ cos ξ, e′31 = e′32 = e′33 = e′34 = 0, e′35 = −e11 sin2 ξ + e14 sin ξ cos ξ, e′36 = e11 sin ξ cos ξ + e14 sin2 ξ, (5.14) d′11 = d11, d′12 = −d11 cos2 ξ + d14 sin ξ cos ξ, d′13 = −d11 sin2 ξ - d14 sin ξ cos ξ, d′14 = 2d11 sin ξ cos ξ + d14 (cos2 ξ - sin2 ξ), d′15 = d′16 = d′21 = d′22 = d′23 = d′24 = 0, d′25 = 2d11 sin ξ cos ξ - d14 cos2 ξ, d′26 = −2d11 cos2 ξ - d14 sin ξ cos ξ, d′31 = d′32 = d′33 = d′34 = 0, d′35 = −2d11 sin2 ξ + d14 sin ξ cos ξ, d′36 = 2d11 sin ξ cos ξ + d14 sin2 ξ, (5.15) указан для поворота вокруг кристаллографической оси X на угол ξ. Элементы матрицы вращения равны a11 = 1, a22 = a33 = cos ξ, a23 = −a32 = sin ξ и а12 = а13 = а31 = а32 = 0.5.4 Пироэлектрический эффект Кристаллы 10 полярных кристаллографических классов имеют сингулярное полярное направление. Спонтанная поляризация может существовать в таких материалах, как уже упоминалось в предыдущий абзац. Приложение механического напряжения изменяет общую полярную вектор стабилизации за счет пьезоэффекта. Спонтанная поляризация также зависит от температуры. Изменение спонтанной поляризации, вызванной повышение или понижение температуры называется пироэлектрическим эффектом («пиро» - это пожар в Греческий язык).Обратный эффект, т.е. изменение температуры, генерируемой внешним электрическим полем, называется электрокалорическим эффектом. Хотя оба эффекта 76 5 Пьезоэлектрические свойства неразрывные (аналогично прямому и обратному пьезоэлектрическому эффекту) и сопряженные риальные константы, описывающие оба эффекта, равны, оба эффекта обычно называют общепринятое название пироэлектрический. Каждый пироэлектрический материал обязательно также является пьезоэлектриком. Напротив, есть материалы из классов полярно-нейтральной симметрии, где нет пироэлектричества допускается симметрией.α-Кварц (класс симметрии 32) - хороший тому пример. Термодинамика пироэлектрического эффекта уже описывалась в Таблица 4.1 в целом. Мы постараемся более подробно объяснить это явление в следующих текст. Выберем независимые переменные - температуру �, электрическое поле Ek и механическое напряжение Tμ. Граничные условия
границ упругих модулей полностью случайных двумерных поликристаллов
Meccanica 37: 503514, 2002.c 2002 Kluwer Academic Publishers.Отпечатано в Нидерландах.
Границы упругих модулей полностью случайных двумерных поликристаллов
PHAM DUC CHINH Национальный центр естественных наук и технологий, Институт механики, Вьен-Кохок, 264 Дойкан, Бадин; Ханой, Вьетнам
(Поступила 5 сентября 2001; принята в доработку: 11 февраля 2002 г.)
Реферат. Для ряда кристаллов с общей двумерной анизотропией получены и рассчитаны явные ограничения на упругие модули полностью случайных плоских поликристаллов, форма и кристаллическая ориентация составляющих зерен которых некоррелированы.Ограничения на упругий двумерный объемный модуль упругости совпадают с простыми границами третьего порядка (по контрасту анизотропии) для подкласса идеалистических поликристаллов с круглыми ячейками. Ограничения на модуль сдвига близки к гораздо более простым ограничениям для поликристаллов с круглыми ячейками, которые аппроксимируют агрегаты равноосных зерен.
Ключевые слова: модули упругости, плоский поликристалл.
1. Введение
Поликристаллические материалы представляют собой совокупности большого количества отдельных кристаллов, идеально связанных друг с другом.Их макроскопические (эффективные) свойства зависят от соответствующих свойств основного кристалла, а также от микрогеометрии агрегата. Были разработаны методы гомогенизации для математического описания всех возможных диапазонов эффективных свойств однофазных поликристаллов при всех возможных геометриях [13]. Практические поликристаллические материалы представляют собой беспорядочные агрегаты кристаллов и обладают гораздо более определенными макроскопическими свойствами, которые могут быть сведены в таблицу для практического использования. Самосогласованное приближение, которое соответствует, по крайней мере, реализуемой геометрии, часто считается наилучшей оценкой, связывающей свойства кристалла и случайных агрегатов [46].Тем не менее, из-за неправильной геометрии любого практического случайного агрегата может существовать некоторая неопределенность в наблюдаемых макроскопических свойствах, и оценка этого возможного интервала разброса является предметом многих исследований [717]. Общий подход к проблеме состоит в том, чтобы заменить надлежащим образом построенное испытание полей в принципы минимальной энергии и дополнительной энергии и исследуют случайные гипотезы, чтобы вывести верхнюю и нижнюю границы возможных диапазонов эффективных свойств. Гипотезы естественной статистической изотропии и симметричной ячейки использовались для сужения границ эффективных свойств с первого порядка [7] до второго порядка [8] и частично третьего порядка [11, 1417] в рядах возмущений в контрасте анизотропии основного кристалла вокруг однородность.Последние оценки представляются наилучшими доступными не зависящими от формы оценками для случайных поликристаллов. Можно предложить другие гипотезы для построения узких границ произвольного высокого порядка, аналогичные формальному подходу из [5], однако такие гипотезы кажутся неестественными и налагают искусственные ограничения на фазу геометрия составной среды [12]. Подход возмущений показывает, что границы полностью третьего или более высокого порядка потребуют задания формы и информации о парковке неоднородностей, однако такая информация кажется неопределенной для реалистичных случайных поликристаллов.В [5] собраны экспериментальные данные для модуля упругого сдвига
504 Pham Duc Chinh
большого числа практических агрегатов кубических кристаллов, чтобы проверить, должны ли макроскопические свойства быть сконцентрированы в пределах более высокого порядка, чтобы предотвратить самообладание. постоянное значение. Вместо этого наблюдалось, что измеренные значения разбросаны почти равномерно в интервале, сравнимом с границами третьего порядка. Обратите внимание, что наши соответствующие границы третьего порядка, не зависящие от формы, очень близки к оценкам полностью третьего порядка [17].Двумерные агрегаты рассматривались в [3, 15, 18, 19].
В [15] были построены некоторые общие неравенства для модулей упругости полностью случайных плоских поликристаллов, которые были применены к ортотропным кристаллам (в данной статье исправлена ошибка этих выражений). В данной работе мы продвигаемся дальше и выводим частные границы для агрегатов плоских кристаллов с общей двумерной анизотропией с численными иллюстрациями. Наша точка зрения состоит в том, что, поскольку микрогеометрия практических поликристаллических материалов нерегулярна и случайна, макроскопические модули упругости любого практического материала могут быть не уникальными, а лишь почти таковыми (они могут варьироваться от образца к образцу даже в пределе больших размеров).Мы ожидаем, что наши оценки могут предсказать не только приблизительные значения модулей упругости практических случайных поликристаллов по сравнению с базовыми кристаллами, но также возможные интервалы разброса для наблюдаемых свойств, оценка которых должна быть проверена экспериментально. В разделе 2 мы собираем в компактной форме некоторые формальные результаты, полученные в предыдущей работе, а затем переходим к основной части этой статьи в следующем разделе, где получены и вычислены конкретные выражения оценок.
2. Общие неравенства
Пусть C обозначает тензор упругости четвертого ранга базового плоского кристалла с компонентами Cijkl (i, j, k, l = 1, 2). Предположим, что форма и ориентация кристаллов в однофазном случайном поликристаллическом агрегате некоррелированы. Общие ограничения на эффективный двумерный модуль объемной упругости Ke и модуль сдвига e агрегата имеют вид [15]
PK (C, 0) Ke PK (C, 0), P (C,) e P (C ,), (1)
где
PK (C, 0) = [(C + C) 1iijj] 1 0, P (C,) = [(C + C) 1ij ij 12 (C + C) 1iijj] 1, (2)
C = T (0,), = K00K0 + 20,
C = T (0,), = K00K0 + 20
.(3)
T — общая двумерная функция тензора изотропной упругости с компонентами
Tijkl (K,) = (K) ij kl + (ikjl + iljk), (4) ij — обычный символ Кронекера, обычное суммирование при повторении латинских индексов от 1 до 2 предполагается, что (C + C) 1ijkl обозначают компоненты тензора (C + C) 1.
Модули упругости двумерных поликристаллов 505 Единственные свободные параметры K0, 0 (названные Хашиным и Штрикманом [11] модулями упругости
однородной изотропной эталонной среды) для верхних границ ограничены K0KV, 0V, (5)
и
UK 0 (для оценки Ke), (6) UM 12UK 0 (для оценки e), (7)
где KV и V — средние значения Фойгта [20].Свободные параметры K0, 0 для нижних границ ограничены значениями
K10 K1R, 10 1R, (8) и
UK 0 (для оценки Ke), (9) UM 12UK 0 (для оценки e) , (10)
где KR и R — средние значения по Рейссу [21]. Выражения для UK, UM, UK, UM были получены в [15]. Наилучшие оценки
получаются, когда свободные параметры K0, 0 (и K0, 0), ограниченные (5) (7) (и (8) (10)), выбираются таким образом, чтобы сделать верхние оценки (нижние границы) в (1) как можно меньше (больше).
Для получения представленных выше оценок подставим поляризационные пробные поля (со свободными параметрами K0, 0 или K0, 0 в качестве модулей упругости эталонной среды), аналогичные модулям Хашина и Штрикмана, в минимум принципы энергии и дополнительной энергии. Преимущество нашего подхода по сравнению с подходом Хашина и Штрикманиса в том, что наши неравенства содержат дополнительные флуктуационные члены (U-члены в уравнениях (12), (58) из [15]). Расчет флуктуационных членов, которые являются интегральными функционалами гармонических и бигармонических потенциалов, потребует конкретной поликристаллической микрогеометрии (но такая информация для нерегулярных случайных поликристаллов обычно недоступна).Однако, если оптимальные свободные параметры выбираются только для удовлетворения (12), приведенного ниже, то флуктуационные члены становятся отрицательными, и ими можно пренебречь, чтобы усилить неравенства, и можно получить хорошо известные оценки Хашина-Штрикмана. Чтобы оценить члены флуктуации с целью улучшения границ, необходимы некоторые случайные гипотезы. В дополнение к гипотезе статистической изотропии, необходимой также для оценок Хашина-Штрикмана, мы предложили гипотезу симметрии (аналогичная гипотеза симметричной ячейки была ранее развита Миллером [22] и Виллиемсом и Касперсом [11]).Типичный элемент случайного поликристаллического материала рассматривается как n-компонентный материал, каждый компонент которого состоит из кристаллов с одинаковой кристаллической ориентацией (в пределе n). Все компоненты и ориентации статистически равны без каких-либо предпочтений в отношении абсолютного или относительного распределения. Статистическая изотропная гипотеза требует, чтобы определенные тензоры, взятые как объемные интегралы гармонических и бигармонических потенциалов единичной плотности, взятые из геометрии случайных компонентов, были изотропными (выраженными уравнением.(17) из [15]). Гипотеза статистической симметрии требует, чтобы перестановка мест между любыми двумя наборами кристаллов разной ориентации не изменяла общих характеристик случайного поликристалла, как выражено уравнением (19) из [14], что приводит к уравнению (24) из [15]. Ожидается, что эти гипотезы будут отражать полную случайную природу поликристаллической геометрии
506 Pham Duc Chinh
.