Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Характеристики мощного полевого транзистора IRF640 говорят нам о том, что он используется в схемах требующих высокой скорости и низкой мощности переключения затвора, в системах управления электроприводом реле.

Также его применяют для управления его биполярными сородичами. Он является n-канальным МОП-транзистором (MOSFET), который можно встретить в блоках питания, телевизорах и компьютерных мониторах. Управление данным изделием может осуществляться непосредственно от микросхемы.

Распиновка

Цоколевка IRF640 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-220АВ с жесткими выводами. На рисунке ниже показано расположение их и геометрические размеры корпуса.

Если смотреть на маркировку то слева направо будут расположены: первая ножка — затвор, вторая — сток, третья — исток.

Характеристики

На русском языке технические характеристики IRF640 найти довольно трудно, поэтому мы перевили их и опубликовали ниже. Предельно допустимые:

  • Наибольшее возможное напряжение сток-исток: 200 В.
  • Предельное напряжение затвор-исток: 20 В.
  • Максимальный ток через сток (напряжение затвор-исток 10 В):
    18 А (при Тс= +25оС).
    11 А (при Тс= +100оС).
  • Наибольший пиковый ток стока: 72 А.
  • Предельная рассеиваемая мощность при температуре +25оС: 125 Вт.
  • Максимальная температура: +300оС.
  • Рабочая температура: от -55оС до +150оС

Все электрические параметры транзистора можно разделить на две группы: статические и динамические. Данные значения указаны для температуры окружающей среды +25 оС, если явно не написано другое. В приведенных таблицах указаны численные величины режимов работы, при которых производились измерения.

Далее приведем динамические-электрические параметры irf640.

Последними в datasheet всегда указываются сведения о термических характеристиках.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Все эти значения важны при проектировании схем с использованием мощных транзисторов. Например, при использовании его в усилителях мощности или блоков питания.

Если транзисторы не охлаждаются должным образом, они перегреваются и как правило, перегорают через несколько минут или даже секунд. Чтобы избежать этого, нужны тепловые расчеты.

Чтобы убедиться в правильности расчетов можно протестировать готовое изделие. Для этого его нужно оставить работать в обычном режиме в течение нескольких часов. При этом любая ошибка в тепловом расчете может быть легко обнаружена и исправлена.

Старое эмпирическое правило «если можно положить руку то все хорошо» по-прежнему работает. Обратное не всегда верно. Например, транзистор может нагреваться до 80°C и будет слишком горячий для прикосновения, но при этом он будет работать нормально. Иметь горячие компоненты не рекомендуется, потому от них могут нагреваться рядом стоящие устройства. Чем меньшая температура у транзистора, тем больше его срок службы.

На рисунке ниже приведены графики зависимости крутизны передаточной характеристики gfs от тока стока Ic для температур +25°C и 150°C.

Из данного графика видно, что значение gfs растет, пока Ic < 18 А. После этого начинает уменьшаться.

Аналоги

Среди зарубежных аналогов транзистора IRF640 можно назвать: 2SK2136, 2SK2521-01, 2SK3111, BUZ31, FQA19N20C, FQP19N20C, PHP18NQ20T, STP19NB20. А среди отечественных аналогов выделяют всего два устройства: КП750А и КП640.

Производители

Транзистор IRF640 производят следующие компании (их datasheet доступен по ссылки): STMicroelectronics, Fairchild Semiconductor, International Rectifier, Suntac Electronic Corp, Dc Components, Comset Semiconductor, Nell Semiconductor, ARTSCHIP ELECTRONICS, NXP Semiconductors, Inchange Semiconductor Company Limited, Weitron Technology, First Components International.

Irf640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

IRF640NPBF Datasheet (PDF)

1.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _upd-mosfet

PD — 95046A
IRF640NPbF
IRF640NSPbF
l Advanced Process Technology IRF640NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectif

3.1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94006
IRF640N
IRF640NS
IRF640NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
D
175C Operating Temperature
VDSS = 200V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0.15?
Ease of Paralleling
G
Simple Drive Requirements
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from S
International Rectifier utilize advanced processing
tech

3.2. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640N,IIRF640N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤150mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
· Efficient and reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

IRF640S Datasheet (PDF)

1.1. irf640lpbf irf640spbf.pdf Size:196K _upd-mosfet

IRF640S, IRF640L, SiHF640S, SiHF640L
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) 200
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.18
• Low-Profile Through-Hole
Qg (Max.) (nC) 70
• Available in Tape and Reel
Qgs (nC) 13
• Dynamic dV/dt Rating
• 150 °C Operating Temperature
Qgd (nC) 39
• Fast Swi

1.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 2. irf640s.pdf Size:228K _international_rectifier

PD -90902B
IRF640S/L
HEXFET Power MOSFET
Surface Mount (IRF640S)
D
Low-profile through-hole (IRF640L)
VDSS = 200V
Available in Tape & Reel (IRF640S)
Dynamic dv/dt Rating
RDS(on) = 0.18Ω
150°C Operating Temperature
G
Fast Switching
ID = 18A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide
the designer with the best co

 1.3. irf640s-l.pdf Size:935K _international_rectifier

PD — 95113
IRF640S/LPbF
Lead-Free
3/16/04
Document Number: 91037 www.vishay.com
1
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
2
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
3
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
4
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
5
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
6
IRF640S/LPbF
Document N

IRL640 Datasheet (PDF)

1.1. irl640spbf.pdf Size:986K _upd

PD- 95585
IRL640SPbF
• Lead-Free
07/20/04
Document Number: 91306 www.vishay.com
1
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
2
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
3
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
4
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
5
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
6
IRL640SPbF
Peak Diode Recovery

1.2. irl640pbf.pdf Size:1708K _upd

IRL640, SiHL640
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 200
Available
• Repetitive Avalanche Rated
RDS(on) (Ω)VGS = 5.0 V 0.18
RoHS*
• Logic-Level Gate Drive
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 66
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
Qgs (nC) 9.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 0
• Fast Switching
Qgd (nC) 38
• Ease of Paralleling
Configuration Single
• Si

 1.3. irl640a.pdf Size:226K _fairchild_semi

IRL640A
FEATURES
BVDSS = 200 V
Logic-Level Gate Drive
RDS(on) = 0.18?
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
ID = 18 A
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
TO-220
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 200V
Lower RDS(ON): 0.145? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Chara

1.4. irl640s.pdf Size:263K _international_rectifier

 1.5. irl640spbf.pdf Size:986K _international_rectifier

PD- 95585
IRL640SPbF
Lead-Free
07/20/04
Document Number: 91306 www.vishay.com
1
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
2
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
3
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
4
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
5
IRL640SPbF
Document Number: 91306 www.vishay.com
6
IRL640SPbF
Peak Diode Recovery dv/d

1.6. irl640.pdf Size:247K _international_rectifier

1.7. irl640pbf.pdf Size:941K _international_rectifier

PD — 94964
IRL640PbF
Lead-Free
01/30/04
Document Number: 91305 www.vishay.com
1
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vishay.com
2
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vishay.com
3
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vishay.com
4
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vishay.com
5
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vishay.com
6
IRL640PbF
Document Number: 91305 www.vis

1.8. irl640a.pdf Size:881K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Logic-Level Gate Drive
?
RDS(on) = 0.18
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
ID = 18 A
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 A (Max.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги ) @ VDS = 200V
?
Lower RDS(ON) : 0.145 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symb

1.9. irl640 sihl640.pdf Size:1705K _vishay

IRL640, SiHL640
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 200
Available
Repetitive Avalanche Rated
RDS(on) (?)VGS = 5.0 V 0.18
RoHS*
Logic-Level Gate Drive
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 66
RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
Qgs (nC) 9.0
Fast Switching
Qgd (nC) 38
Ease of Paralleling
Configuration Single
Simple Drive Require

1.10. irl640s sihl640s.pdf Size:915K _vishay

IRL640S, SiHL640S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V) 200
Definition
Surface Mount
RDS(on) (?)VGS = 5 V 0.18
Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 66
Dynamic dV/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Qgs (nC) 9.0
Logic-Level Gate Drive
Qgd (nC) 38
RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
Configurati

IRF640SPBF Datasheet (PDF)

1.1. irf640lpbf irf640spbf.pdf Size:196K _upd-mosfet

IRF640S, IRF640L, SiHF640S, SiHF640L
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) 200
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.18
• Low-Profile Through-Hole
Qg (Max.) (nC) 70
• Available in Tape and Reel
Qgs (nC) 13
• Dynamic dV/dt Rating
• 150 °C Operating Temperature
Qgd (nC) 39
• Fast Swi

3.1. irf640s.pdf Size:228K _international_rectifier

PD -90902B
IRF640S/L
HEXFET Power MOSFET
Surface Mount (IRF640S)
D
Low-profile through-hole (IRF640L)
VDSS = 200V
Available in Tape & Reel (IRF640S)
Dynamic dv/dt Rating
RDS(on) = 0.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 18Ω
150°C Operating Temperature
G
Fast Switching
ID = 18A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide
the designer with the best co

3.2. irf640s-l.pdf Size:935K _international_rectifier

PD — 95113
IRF640S/LPbF
Lead-Free
3/16/04
Document Number: 91037 www.vishay.com
1
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
2
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
3
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
4
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
5
IRF640S/LPbF
Document Number: 91037 www.vishay.com
6
IRF640S/LPbF
Document N

IRF640NSPBF Datasheet (PDF)

1.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _upd-mosfet

PD — 95046A
IRF640NPbF
IRF640NSPbF
l Advanced Process Technology IRF640NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectif

3.1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94006
IRF640N
IRF640NS
IRF640NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
D
175C Operating Temperature
VDSS = 200V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0.15?
Ease of Paralleling
G
Simple Drive Requirements
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from S
International Rectifier utilize advanced processing
tech

3.2. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640N,IIRF640N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤150mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
· Efficient and reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

RF1S640SM Datasheet (PDF)

1.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 1. irf640 rf1s640 rf1s640sm.pdf Size:128K _fairchild_semi

IRF640, RF1S640, RF1S640SM
Data Sheet January 2002
18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power Features
MOSFETs
• 18A, 200V
These are N-Channel enhancement mode silicon gate
• rDS(ON) = 0.180Ω
power field effect transistors. They are advanced power
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a
specified level of energy in the breakd

3.1. rf1s640.pdf Size:51K _update-mosfet

IRF640, IRF641, IRF642,
S E M I C O N D U C T O R
IRF643, RF1S640, RF1S640SM
16A and 18A, 150V and 200V, 0.18 and 0.22 Ohm,
N-Channel Power MOSFETs
January 1998
Features Description
• 16A and 18A, 150V and 200V These are N-Channel enhancement mode silicon gate
power field effect transistors. They are advanced power
• rDS(ON) = 0.18Ω and 0.22Ω
MOSFETs designed, tested, and guar

3.2. irf640 irf641 irf642 irf643 rf1s640.pdf Size:51K _harris_semi

IRF640, IRF641, IRF642,
S E M I C O N D U C T O R
IRF643, RF1S640, RF1S640SM
16A and 18A, 150V and 200V, 0.18 and 0.22 Ohm,
N-Channel Power MOSFETs
January 1998
Features Description
• 16A and 18A, 150V and 200V These are N-Channel enhancement mode silicon gate
power field effect transistors. They are advanced power
• rDS(ON) = 0.18Ω and 0.22Ω
MOSFETs designed, tested, and guar

IRFS640 Datasheet (PDF)

1.1. irfs640b.pdf Size:922K _upd

November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 18A, 200V, RDS(on) = 0.18Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to

1.2. irf640b irfs640b.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги pdf Size:916K _fairchild_semi

November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18? @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
Fast switchin

 1.3. irfs640a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.18 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 9.8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V
Lower RDS(ON) : 0.144 ? (Typ. )
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Un

IRF640N Datasheet (PDF)

1.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _upd-mosfet

PD — 95046A
IRF640NPbF
IRF640NSPbF
l Advanced Process Technology IRF640NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectif

1.2. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94006
IRF640N
IRF640NS
IRF640NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
D
175C Operating Temperature
VDSS = 200V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0.15?
Ease of Paralleling
G
Simple Drive Requirements
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from S
International Rectifier utilize advanced processing
tech

 1.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 3. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640N,IIRF640N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤150mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
· Efficient and reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

IRFS640B Datasheet (PDF)

1.1. irfs640b.pdf Size:922K _upd

November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 18A, 200V, RDS(on) = 0.18Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to

1.2. irf640b irfs640b.pdf Size:916K _fairchild_semi

November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18? @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
Fast switchin

 3.1. irfs640a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.18 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 9.8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V
Lower RDS(ON) : 0.144 ? (Typ. )
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Un

IRFS630A Datasheet (PDF)

1.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 1. irfs630a.pdf Size:508K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.4 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 6.5 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V
Low RDS(ON) : 0.333 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units

4.1. irfs634b.pdf Size:858K _upd

November 2001
IRF634B/IRFS634B
250V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 29 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 20 pF)
This advanced technology has been especially tailored to

4.2. irf634b irfs634b.pdf Size:859K _fairchild_semi

November 2001
IRF634B/IRFS634B
250V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45? @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)
planar, DMOS technology.
Low Crss ( typical 20 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
Fast switchi

 4.3. irfs634a.pdf Size:505K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 250 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.45
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 5.8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V
Lower RDS(ON) : 0.327 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Uni

IRF640NS Datasheet (PDF)

1.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _upd-mosfet

PD — 95046A
IRF640NPbF
IRF640NSPbF
l Advanced Process Technology IRF640NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectif

3.1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94006
IRF640N
IRF640NS
IRF640NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
D
175C Operating Temperature
VDSS = 200V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0.15?
Ease of Paralleling
G
Simple Drive Requirements
Description
ID = 18A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from S
International Rectifier utilize advanced processing
tech

3.2. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640N,IIRF640N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤150mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
· Efficient and reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Оцените статью:

Транзистор полевой КП640 — DataSheet

Цоколевка транзисторов КП610, КП620, КП630, КП640, КП704

Параметры транзистора КП640
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги изм.
АналогКП640АIRF640
Структура —nМОП
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).PСИ, P*СИ, т maxКП640А125*мВт, (Вт*)
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). UЗИ отс, U*ЗИ порКП640А2…4*В
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.UСИ max, U*ЗC maxКП640А200В
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).UЗИ maxКП640А±20В
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный)IС, I*С, ИКП640А18(72*)А
Начальный ток стокаIС нач, I*С остКП640А200 В≤25*мкА
Крутизна характеристики полевого транзистораSКП640А50 В; 11 А≥6700мА/В
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истокомC11и, С*12и, С*22иКП640А1600; 130*пФ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора
при заданном напряжении сток-исток
RСИ отк, K*у.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги P, P**вых, ΔUЗИКП640А≤0.18Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***)
Коэффициент шума транзистораКш, U*ш, E**ш,  Q***КП640АДб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**)
 Время включения транзистораtвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔTКП640Аtсп=40нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***)

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

IRF640N IRF640 IRF640NPBF силовой MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC TO 220 Новый оригинал| |

Шэньчжэнь CAIZHIXING ELECTRONIC CO.,LTDЯвляется ведущим независимым дистрибьютором электронных компонентов в Китае, специализирующимся на обслуживании ведущих OEM/ODM электронных производителей с поставкой активных частей (ИС, память, чипы, диоды и транзисторы и т. Д.) И Пассивные детали (конденсаторы, резисторы и индукторы и т. д.)…

Есть ли у вас какие-либо вопросы по этому заказу? Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, не стесняйтесь сообщить нам. Мы ответим вам в течение 12 часов

ЕслиВы покупаете больше количества, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Купите больше деталей. Используя «Добавить в корзину», мы сделаем для вас скидку.

• Информация об оплате  
Мы принимаем только услуги Escrow.

Таможенные пошлины и пошлины:  
Для всех заказов людей которые уже успели купить товар мы не взимаем плату за доставку, даже 1 шт.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Когда детали прибудут на ваш местный заказ, если части были предъявлены таможенные пошлины, мы не несем ответственности за какие-либо таможенные пошлины или налог на импорт

• Информация о доставке  
· Мы отправим ваши товары в течение1-5Рабочие дниПосле оплаты.

· Стандартная доставка с использованием международной авиапочты, товары отправляются из Гонконга и занимает 7-14

Рабочих дней (2-3 недели) для получения большинства площадей.

Если вы не получили товар в течение 30 рабочих дней (5 недель), пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы изучить чехол. (Бразилия. Италия. 5 ~ 8 недель)

Отзывы

Мы стремимся достичь 5 звезд (ы) для каждой сделки. Пожалуйста, не спешите оставлять негативные отзывы!Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, свяжитесь с нами, прежде чем оставить отрицательный отзывы, мы ответим на электронную почту в течение 24 часов.

Если вы не удовлетворены на 100%, пожалуйста, не оставляйте нейтральные или отрицательные отзывы или низкие 1, 2 DSR, прежде чем связаться с нами для помощи.
Также обратите внимание, что из-за последних оповещений о безопасности воздушных грузов возможны задержки, не зависящие от нашего контроля.

• Политика возврата  
Мы ценим ваш бизнес и предлагаем мгновенную политику возврата в течение 7 дней.(7 дней после получения

Товары).
Возвращенный товар должен быть в первоначальном состоянии.
Мы можем вернуть Ваши деньги без стоимости доставки.

• Свяжитесь со мной  
Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, свяжитесь с нами через Trademanager.

Время работы нашего офиса составляет 9:00-12:00am ; 1:00 pm-6:00pm Китай HK.

С понедельника по пятницу, кроме выходных.
Пожалуйста, не расстраивайтесь, если ваш адрес электронной почты не отвечен в нерабочие часы.
Мы закрыты по выходным дням, поэтому, если вы напишите нам в пятницу, мы не сможем вернуться к вам до следующего понедельника.

С понедельника по пятницу, кроме выходных.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги
Пожалуйста, не расстраивайтесь, если ваш адрес электронной почты не отвечен в нерабочие часы.
Мы закрыты по выходным дням, поэтому, если вы напишите нам в пятницу, мы не сможем вернуться к вам до следующего понедельника.Caizhixing приветствуем вас

• Уведомление  
Пожалуйста, имейте в виду, что Таможенный отдел вашей страны может ввести пошлину или налог на продажу

На Ваш заказанный товар, когда он входит в вашу страну. Однако, исходя из нашего опыта, редко

Случается с небольшими заказами, такими как наша. Мы не несем ответственности за любые налоги или пошлины, взимаемые вашим

Правительство на покупку.
· Если вы получили дефектный или неправильный товар внутри посылки, пожалуйста, сообщите нам и просто верните

Товар для обмена.
· Пожалуйста, не стесняйтесь связаться со мной, если у вас есть какие-либо вопросы! Мы ответим в течение 24 часов

Мы предлагаем два способа доставки:
Экономичная доставка из-за границы США (страница отслеживания зарегистрированной почты Сингапура)

Область, как правило, время доставки Базовая 0,2 кг продлить 0,1 кг

Азия от 10 до 20 рабочих дней 4,00 USD 2,00 USD
США, Канада, Австралия 10-20 рабочих дней 4,00 USD 2,00 USD
Европа от 10 до 20 рабочих дней 4,00 USD 2,00 USD
Остальные 20-30 рабочих дней 4,00 USD 2,00 USD

Ускоренная доставка Int’l (FEDEX, DHL, TNT, EMS)

* В зависимости от разных стран и регионов ваш адрес может быть удаленным, мы имеем право взимать дополнительную стоимость пульта ДУ ниже:

UPS: Удаленная область см. UPS веб-сайте
DHL: Удаленная область см. DHL веб-сайте
Fedex: Удаленная область см. FEDEX веб-сайте
TNT: Позвоните в ваш местный TNT
Время доставки
Область, как правило, время доставки Базовая 0,5 кг продлить 0,5 кг
Азии в течение 2-3 рабочих дней, 18,00 до 22,00 USD 5,00 до 8,50 долларов США
США, Канада, Австралия, в течение 2-3 рабочих дней, 22,00 до 25,00 USD 6,00 до 7,50 долларов США
Европа от 3 до 5 рабочих дней 25,00 USD 6,00 USD
Другие 5-7 рабочих дней 35,00 USD 12,00 USD

Для экспедитных стран TNT EMS потратит 10-15 рабочих дней.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не
    предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы
    получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после
оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним
свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив
стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

Зарубежные аналоги полевых транзисторов — Вместе мастерим

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ ПОЛЕВЫХ

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным полевым транзисторам, решил создать таблицу аналогов . Полные и функциональные аналоги транзисторов. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

Мощные полевые транзисторы :

Импортные. Отечественные.
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы:

Импортные.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Отечественные.
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

Отечественные производители транзисторов

НаименованиеАналогPDFТипImax, AUкэmax, ВRmin , Ом
КП150IRFP150n381000,055
КП250IRFP250n302000,085
КП302 (А1-Г1)BFR30,2SK543-5n0,04320100
КП350IRFP350n144000,3
КП364 (А-И)2SK653n0.0225
КП402 (А)BF998p0,1520020
КП403 (А)3SK132n0,32006
КП450IRFP450n125000,4
КП460IRFP460n205000,27
КП501(А,Б,В)ZVN2120n0,1824010
КП502АBSS124n0,1240028
КП504(А-Е)BSS88n0,252408
КП505(А-Г)BSS295n1,4600,3
КП507АBSS315p1,1500,8
КП508АBSS92p0,1524020
КП511А,БTN0535n0,1440022
КП601 (А,Б)n0,420
2П701 (А,Б)MTP3N50n95001,2
2П703 (А,Б)RRF623p121500,7
КП704 (А,Б)2SK757n102000,2
КП705 (А-В)APT1004n5,410003,3
2П706 (А-В)2SK1248n205000,4
КП707 (А-В)2SK1117n257501
КП707(А1-В1)BUZ90n67501
КП709(А,Б)BUZ90An46002
КП723 (А-В)IRFZ44,IRFZ45n50600,028
КП726 (А,Б)BUZ90n4,56001,6
КП727 (А,Б)
КП727 (А-В) (new)
IRFZ34n30600,05
КП728 (Г1-С1)n3,37003
КП731 (А-В)IRF710n24003,6
КП733 (А)n1,54003,6
КП737 (А-В)IRF634,IRF630n92500,4
КП739 (А-В)IRFZ14,IRFZ10n10600,2
КП740 (А-В)IRFZ24,IRFZ25n17600,1
КП741 (А,Б)IRFZ48n50600,018
КП742 (А,Б)STH75N06n80600,012
КП743 (А-В)IRF510,IRF512n5,61000,54
КП743 (А1-В1)n5,61000,54
КП744 (А-Г)IRF520n9,21000,27
КП745 (А-В)IRF530n141000,16
КП746 (А-В)IRF540n281000,077
КП747АIRFP150n411000,055
КП748 (А-В)IRF610n3,32001,5
КП749 (А-Г)IRF620n5,22000,8
КП750 (А-Г)IRF640n182000,18
КП751 (А-В)IRF720n3,34000,8
КП767 (А-В)IRF640,IRF630n182000,18
КП768 (А-М)IRF730,IRF720n104000,55
КП769 (А-Г)IRF540,IRF530n281000,077
КП770 (А,Д,К)IRF840,IRF830n85000,85
КП771 (А-Г)STP40N10n401000,055
КП775 (А-В)2SK2498An50600,009
КП780 (А-В)IRF820n2,55003
КП784АIRF9Z34p18600,14
КП785АIRF9540p191000,2
КП796(А-В)IRF9540p4,13001
2П797ГIRF540n281000,077
2П7102ДIRFZ44n50600,028
КП7128А,БIRF5210p401000,06
КП7129АSSU1UN60n1,260011,5
2П7140АIRF7103n3.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги0,13
2П7144АIRF9140p191000,2
2П7145А,БIRF250n302000,085
2П7160Аn46300,006
КП7173АSTP4NK60Zn46002
КП7174Аn18750,075
КП7176Аn801000,026
КП7177 А,БIXFH50N20,IRF260n502000,045
КП7178Аn403000,085
КП7180 А,БIRF460, IXFh34N50n265000,2
КП7181Аn405000,14
КП7182АIXFh30N60n205000,35
КП7183АOM6053SJn306000,83
КП7184АIXFh25N80n158000,6
КП7275IXFH75N10n751000,026
КП801 (А-Г)n5652,2
2П802Аn2,55001,5
2П803 (А,Б)BV2310n4,510004
КП804АRFL2N05n1600,6
КП805 (А-В)BUZ216n46002
КП809 (А-Е1)BVZ90n9,68000,3
КП810 (А-В)DVZ216n77000,2
КП812 (А1-В1)IRFZ44,IRFZ34n50600,028
КП813 (А1,Б1)n222000,12
КП901n285
КП902n0,2570
КП904n7,5100
КП905n0,380
КП907n2,180
2П912 (А,Б)n201000,1
2П914Аn0,15023
2П917 (А,Б)n53002,5
КП921Аn10450,08
КП922 (А,Б,А1,Б1)NTP7N05n101000,13
2П926(А,Б)n16,54500,1
КП931 (А-В)NTP7N05n58000,07
КП932АMTP5N05n0,325040
КП934 (А,Б)F1053n104500,03
2П942 (А-В)MRF136n108000,2
КП953 (А-Д)F1014n158000,05
КП954 (А-Е)BFL545n201500,025
КП959 (А-В)BVK462n0,2300
КП960 (А-В)2SK659p0,2300
КП961 (А-Е)BLF242(A)n52500,1
КП965 (А-Д)p52500,1
КП971 А,БКТ847,КТ878n259000,04
КП973 А,БКТ847,КТ848n307000,03

Главная страница

Документация создана сканированием данных на транзисторы из справочников, что-то из интернета.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

В таблице справа приведено наименование транзистора, аналог (если известен), ссылка на PDF файл , тип проводимости и основные характеристики транзистора: максимальный ток , максимальное допустимое напряжение сток-исток, минимальное сопротивление канала. Подробные параметры и графики содержатся в pdf файле.

Полевой транзистор КП302, параметры, характеристики
Полевой транзистор КП364 , характеристики, аналоги
Мощный полевой транзистор КП402 , параметры, аналоги
Полевой транзистор КП403, параметры, аналог
Полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода КП601
КП460 на 500В 20А
Мощный полевой транзистор КП704, характеристики
Характеристики MOSFET транзистора КП705
КП505 на 60В 1А
Параметры полевого транзистора КП707
MOSFET транзистор КП707, характеристики, цоколевка, аналог
Схема полевого транзистора КП733, характеристики, параметры
отечественный полевой транзистор на 60В 30А
полевой транзистор на 700В 3А
полевой транзистор на 400В 2А
400В 1.5А
250В 9А
60В 10А
60В 17А
60В 50А
Характеристики мощного полевого транзистора КП767, аналоги, характеристики
Параметры мощного полевого транзистора КП768 на 100В 5А
мощный полевой транзистор КП769, аналоги, параметры
полевой транзистор КП770, на 500В 5А характеристики
Полевой транзистор КП801 для усилителей звуковой частоты с затвором на основе p-n перехода
транзистор КП802 с затвором на основе p-n перехода
MOSFET транзистор КП804, справочные данные, аналоги
MOSFET транзистор КП805, параметры, характеристики
MOSFET транзистор КП809, справочные данные, аналог
Полевой транзистор КП810, описание, аналог
Полевой транзистор КП812, область применения, аналог
Мощный полевой транзистор КП813, типовое применение, характеристики
Полевые транзисторы , по сравнению с биполярными обладают следующими достоинствами:
-малая мощность в цепи управления (по сути, она затрачивается лишь на заряд суммарной емкости затвора)
-высокие скорости переключения (при правильном выборе схемы управления транзистором)
-отсутствие вторичного пробоя

К основным недостаткам можно отнести:
— типичная взаимосвязь между максимальным допустимым напряжением полевого транзистора и сопротивлением его канала, т.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги е., при выборе высоковольтного транзистора нужно быть готовым к тому, что потери проводимости будут значительными
— неприятная связь между сопротивлением открытого MOSFET транзистора и его температурой, типично при 150 градусах на кристалле сопротивление (и потери проводимости соответственно) будут в два с лишним раза больше, чем при 25 градусах. Сопротивление же обычно указывают именно при нормальных условиях.

Содержание

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

  • Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
  • Биполярные – имеют два p-n перехода;
  • Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

  • Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
  • Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Силовой модуль для многоканального тестера батарей

Небольшое описание многоканального модуля балансировки сборок литиевых аккумуляторов, совмещенного с электронной нагрузкой для их разряда.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Напомню, товарищ поставил задачу — возможность заряда и разряда сборок литиевых батарей до 19S, конечно 20S было бы круглым числом, но этот параметр ограничен максимальным напряжением регулируемого блока питания, потому пришлось остановиться на этом.

19S это 4.2х19=79.8 вольта, источник может выдать максимум 80 Вольт, 0.2 Вольта остается на падения на проводах и пр.

Думаю многие (если не все) кто эксплуатирует большие аккумуляторные сборки, если не сталкивался лично, то наверняка слышал о таком понятии как балансировка.

Под большими батареями я имею в виду например сборки для гиробордов. Изначально они имеют снаружи только два провода, но если вскрыть батарею, то виден разъем, на который выведены все контакты сборки, т.е. 11 контактов. Этот разъем позволяет подключиться напрямую к ячейкам минуя контроллер.

И если для батарей 6S еще можно найти зарядное устройство с балансировкой, например тот же iMax, то с 10S все куда сложнее, не говоря о вариантах типа 15S и более, где напряжение окончания заряда более 60 вольт!

Например такую батарею как показана ниже на фото мне пришлось балансировать вручную, там как раз видны мои записи в процессе работы.

Что же такое балансировка.

Аккумуляторы сами по себе не идеальны, кроме того в процессе работы стареют по разному, из-за чего у них начинается сильно отличаться как емкость, так и внутреннее сопротивление. Сама по себе разбалансировка батареи не опасна, если конечно у вас стоит плата защиты, но при этом вы теряете емкость, так отключение по верхнему пределу будет соответствовать самой заряженной батареи, а по нижнему — самой разряженной. Моя практика проверки подобных батарей говорит о том, что разбалансировання батарея может отдавать к примеру 1Ач из заявленных 4, а после балансировки 2.5-3Ач.

Балансировка это процесс выравнивания напряжения на аккумуляторах, например можно либо их все полностью зарядить, либо полностью разрядить, т.е. привести к одному состоянию.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Сделать все это можно несколькими способами, самый простой — пассивный.

Такой вариант применяется на подавляющем большинстве плат как самый простой в реализации.

По мере достижения аккумулятором порогового напряжения он начинает нагружаться на резистор, который берет на себя часть зарядного тока. Пока этот аккумулятор «борется», другие успевают зарядиться до своего максимума.

Дальше несколько картинок с этой статьи.

1. Один из аккумуляторов либо заряжен больше других, либо имеет немного меньшую емкость.

2. В случае простого заряда на нем будет напряжение выше, чем на остальных

3. Балансир отбирает на себя часть тока заряда, не давая напряжению подняться выше максимального.

4. В итоге все аккумуляторы заряжены равномерно.

Подобный балансир может быть прямо на плате защиты, здесь он выделен красным.

Также они продаются отдельно, но и те и другие имеют большой недостаток, ток балансировки у них ограничен на уровне порядка 50-60мА и в случае заметной разбалансировки он уже не справляется.

Кроме того существуют активные балансиры, я подобные делал для радиостанций.

Такой балансир занимается перекачкой энергии от заряженного аккумулятора к разряженному. Ток очень маленький, но так как схема работает круглосуточно, а не только в процессе заряда, то помогает даже так.

Для примера приведу мой тест активного балансира, где за несколько дней он выравнял напряжения на аккумуляторах.

Для тех кому такой режим слабоват, продаются мощные балансиры, работающие по тому же принципу, только ток балансировки у них около 1 Ампера. У меня лежит дома такая плата и я планирую написать обзор о ней. Из недостатков — цена, увы.

Еще вариант, это заряжать каждый аккумулятор независимо, ограничений по количеству аккумуляторов нет. Применить можно мелкие платки зарядных устройств, стоят они не очень дорого, но подобный вариант имеет свои минусы:

1.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Блок питания должен иметь столько гальванически развязанных выходов, сколько каналов надо заряжать

2. Ток заряда фиксирован и изменить оперативно его нельзя.

В данном устройстве у меня стояла задача проводить балансировку быстро, желательно иметь гибкий режим работы и возможность выставлять различный ток заряда.

Потому было решено делать некий гибрид, балансира-зарядного. Ток заряда хотелось до 1.5-2 Ампера.

За основу был взят принцип пассивного балансира, где схема старается ограничить напряжение на батарее путем шунтирования ее через резистор с сопротивлением 50-100 Ом, но схема с резисторами меня не устраивала по нескольким причинам:

1. Малая гибкость

2. Неудобство отвода тепла от резисторов, при токе 2А и 19S это около 160Вт!

3. Как бы не показалось странным, но цена, мощные резисторы с возможностью установки на радиатор также стоят не 5 копеек.

Потому было решено сделать параллельный стабилизатор напряжения на базе известной TL431 и дополнительного транзистора.

Преимущества:

1. Большая гибкость, схема одинаково ограничивает напряжение как при 500мА, так и при 2А, а при дополнительном охлаждении думаю ток можно еще поднимать.

2. Транзисторы изначально задуманы на крепление к радиатору, потому вопрос с крепежом решается просто.

3. Цена транзистора меньше, чем цена мощного резистора.

4. Меньше габарит платы.

Схема стабилизатора довольно известна, регулируемый стабилитрон измеряет напряжение на входе, когда напряжение поднимается выше установленного уровня стабилитрон начинает открывать силовой транзистор, дальше схема работает просто в линейном режиме.

По сути это просто аналог мощного и точного стабилитрона, что и надо.

Фактически у меня получается многоканальное зарядное устройство, на вход которого надо подать напряжение больше чем 4.2 х количество ячеек и ограничить ток на необходимом уровне.

Для примера я нарисовал схему из 6 каналов, стабилитронами обозначены те узлы, схему которого я показал выше.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

1. Можно подключить все шесть аккумуляторов.

2. Можно только три по схеме 3S.

3. Либо три аккумулятора к произвольным каналам.

Во всех трех вариантах аккумуляторы будут заряжаться установленным током до напряжения 4.2 Вольта.

Минусом такого решения будет тепло, рассеиваемое на неиспользуемых каналах, либо там, где аккумуляторы уже заряжены так как стабилитроны начнут отбирать на себя все излишки энергии.

4. Для решения этой проблемы плюсовой выход источника тока будет иметь возможность подключения к произвольному месту сборки, например в случае с батареей 3S можно подключить его к плюсу верхнего аккумулятора. В таком случае напряжение можно выставить меньше, но так как для питания нужен источник тока, то можно просто оставить как есть. Формально можно вообще выставить на выходе все 80 вольт, ограничение тока и так и пользоваться, просто будет искрить при подключении «плавающей» клеммы.

Дальше я буду описывать этапы сборки и проблемы с которыми столкнулся в процессе.

Чтобы иметь меньше проблем как с качеством, так и с идентичностью параметров, зашел в наш харьковский Космодром и закупился детальками:

20шт стабилитронов TL431 — ссылка

20шт транзисторов BD438 — ссылка

Вышло примерно по 10 грн ($0.4) на канал, итого 8 долларов.

Плюс к этому купил по паре подстроечных резисторов.

TL431 от Texas Instruments, точность 1%.

Транзисторы выбирал долго, надо было PNP, с нормальным усилением, удобным креплением и рассеиваемой мощностью, причем варианты в корпусе ТО-220 чаще не подходили под эту задачу, в итоге купил BD438 в корпусе SOT-32, более знакомому нашим радиолюбителям по известным КТ814-817

Объемным монтажом набросал конструкцию для теста, резисторы рассчитал в программе по этой ссылке.

Собственно даже сходу получилось неплохо, без какой либо подстройки я получил 4.17 вольта при токе 0.5-1А (два верхних фото).

Но хотелось получше, потому прицепил подстроечный резистор и без проблем выставил 4.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 2, причем поднятие тока в два раза (с 0.5 до 1.0А) поднимает напряжение всего на 1.6мВ!

К сожалению такой вариант не подходит для работы в качестве основного балансира так как собственный ток потребления у схемы около 2-3мА

Не получилось также прицепить и индикацию, после установки светодиода между стабилитроном и базой транзистора сильно поднималось пороговое напряжение, схеме банально не хватало питания по цепи — стабилитрон-светодиод-БЭ переход транзистора.

Срабатывание очень точное, например между почти нулевым потреблением и 100мА достаточно увеличить входное напряжение на 10мВ, дальнейшее увеличение напряжения поднимает ток до установленного на БП и он переходит в режим СС.

В общем здесь мне все понравилось.

По итогам получилась такая схема, резисторы делителя критичны как к номиналу, так и к точности, резистор 6.19 Ома получился случайно, в магазине не нашлось более подходящего, а между 1% и 5% была копеечная разница в цене.

Ну дальше известный процесс, трассирую печатную плату, переношу на текстолит, травлю, лужу.

Пока занимался платой, товарищ купил остальные детальки, резисторы, термореле и пр.

С резисторами было все очень долго, хотел подобрать номиналы так, чтобы подстроечный резистор был минимально возможного сопротивления и при этом давал не слишком широкий диапазон регулировки.

Ну и кроме того резисторы покупал точные, 1%, пара штук на 5%, но их сопротивление вообще не имеет большого значения. Резисторы номиналом 1МОм были куплены на случай тонкой подстройки.

Собираем один канал, подаем питание и смотрим что получается, я калибровал при токе 1А.

1. 0.5А

2. 1.0А

3. 1.5А

При том что допускается до 2.45 вольта максимум, на мой взгляд получилось неплохо.

Выше было видно что я также купил резисторы 4.99кОм, была идея обойтись без подстроечного резистора, в этом случае 4.99кОм ставится вместо 5.1кОм, а контакты подстроечного резистора закорачиваются, ниже это показано на примере второго канала.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Собственно неплохо работает и так, при токе 0.5А получилось точно 4.2 вольта, дальше результаты для тока 1 и 1.5А.

Зависимость тока от напряжения просто отличная, слева ток в цепи почти нулевой, справа уже около 40-50мА, разница в напряжении всего 6мВ.

Но подумав, я решил отказаться от такого варианта так как хотел все таки оставить возможность регулировки.

Так как выделяемая на этом узле мощность при токе заряда 2А может достигать 85Вт. то конечно нужно нормальное охлаждение, для чего в том же Космодроме купил большой радиатор и защитную решетку. Вентилятор нашел дома.

Радиатор имеет шесть ребер, при этом сами ребра имеют мелкую насечку для улучшения теплоотвода.

Вес радиатора длиной 300мм почти килограмм, тот случай когда у нас покупать такие вещи выгоднее чем в Китае, мне радиатор обошелся в 8.5 доллара.

1. Длина чуть меньше заявленных 300мм

2. Высота почти 35мм

3, 4. Толщина тела посередине 7мм, ближе к краю 4.5мм.

Поверхность радиатора ровная, плоская, без выбоин.

Ширина около 83мм, я специально сделал это фото отдельным чтобы было видно расстояние между ребрами.

Дальше как говорится — Пилите Шура, пилите. Долго, нудно, обычной ножовкой по металлу. К сожалению в магазине из всех вариантов подошел именно такой, был еще 100мм, но мне он был короткий, а 150мм не было.

Меняем ножовку на шуруповерт, сверла и метчики и продолжаем генерировать алюминиевую стружку.

В сумме у меня получилось около 60 отверстий, большая часть с резьбой:

20 штук под транзисторы балансира

6 — крепеж платы балансира

4 — транзисторы нагрузки

4 — крепеж платы нагрузки

8 — вентилятор и решетка

8 — соединение радиаторов между собой

4 — термовыключатель

8 — провода к термовыключателю (4 получились лишними)

Еще осталось 4 под крепеж самого радиатора, но они будут делаться по месту установки.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Конструкция понятна и проста, я ее успешно обкатал в предыдущей нагрузке, но там радиатор был похуже и в полтора раза короче.

Попутно примерил плату электронной нагрузки и вентилятор. Зазор между радиаторами 5мм, при этом вентилятор 80мм крепится в отверстия в подошве радиатора.

Для нагрузки были куплены транзисторы IRF640 — ссылка, термовыключатели на 55 градусов, нормально разомкнутые.

Обычно я ратую за изоляцию радиатора от корпуса, а не транзисторов от радиатора, но в данном случае так нет получалось, резать радиатор на 20 частей и потом изолировать уж точно не получится.

В итоге взял полоску слюды, расслоил ее до тонкого состояния, нанес пасту и наживил транзисторы для одной платы.

На всякий случай проверяем, нет ли контакта транзисторов с радиатором.

Установил плату на выводы транзисторов, самый неудобный момент и я так и не придумал как его сделать более изящно, увы…

После этого я выставил между платой и радиатором 5мм, припаял по одному выводу каждого транзистора и аккуратно снял плату вместе с ними. Соответственно потом припаял остальные выводы.

Когда привинчивал, отвинчивал, в промежутке сверил под крепеж, то понял что делал неправильно. Более удобно сначала просто привинтить транзисторы без слюды и пасты, потом припаять их, просверлить отверстия под крепеж платы и только потом ставить слюду и мазать пасту, потому на второй плате поступил именно так.

Первое включение, ничего не задымилось, не коротнуло и при почти 42 вольта на выходе БП я получил ток 140мА.

Поднимаем напряжение, БП ушел в режим СС, напряжение на 10 каналах 42.057 Вольта или 4.2057 на канал.

Дальше попытался откалибровать, но за точку отсчета брал нижний контакт платы (землю), а дальше подстраивал каналы так чтобы было 4.2, 8.4, 12.6, 16.8 и т.д. После калибровки получилось 42.015 Вольта, общее напряжение на самом деле было не сильно связано с реальным положением вещей, на одних каналах поднимал, на других опускал.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги налицо «средняя температура по больнице».

Попутно вылезла проблема, один канал не получалось откалибровать, минимум получалось выставить 4.2086 Вольта.

Попытался заменить оба резистора делителя, безуспешно, в итоге параллельно верхнему резистору припаял еще один, номиналом 1 МОм, я говорил о них ранее.

Со вторым каналом все прошло отлично, слева напряжение до калибровки, справа после, все калибровки в итоге выполнялись поканально, а не относительно минусового провода, как я делал в первый раз.

Пока калибровал, радиатор успел прилично прогреться, вентилятор был выключен.

Но и здесь не обошлось без «нюансов». Еще когда калибровал, то обратил внимание, что у одного канала завышено напряжение, но без проблем вернул его в норму. Позже выяснилось, что один из подстроечных резисторов попался на 500Ом. а не на 100 как остальные.

Так как планируется отводить на радиатор тепло не только от балансиров, а и от нагрузки, то решил немного доработать и ее.

Про нагрузку я рассказывал ранее в другом обзоре.

Внесенные изменения:

1. Шунты 0.22 Ома заменены на 0.5 Ома (1+1 параллельно).

2. Конденсаторы коррекции номиналом 1нФ заменены на 22нФ. С конденсаторами малой емкости возникает паразитная генерация в определенных условиях и с некоторыми блоками питания, проявляется как повышенные пульсации. Можно поставить конденсаторы порядка 22-100нФ.

3. Последовательно по цепи питания вентилятора включил резистор 120Ом (240+240 параллельно) чтобы он постоянно вращался на малых оборотах. Дело в том, что даже когда радиатор холодный, внутри корпуса есть чему греться и это тепло надо вытягивать из корпуса.

Думал параллельно резисторам поставить конденсатор для облегчения запуска вентилятора, но пока передумал, так как это увеличивает нагрузку на термовыключатели, надо добавить еще резисторы порядка 1-2 Ома.

Слева до доработки, справа — после.

Вот собственно и получившийся модуль.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Такая схема отвода тепла выбрана потому, что одновременно работает только что-то одно, нагрузка или балансир. При этом отводимая мощность в обоих случаях примерно одинакова, 150-170Вт.

Термореле включены параллельно, два установлено только из-за балансиров, так как в отличие от нагрузки они могут греться независимо друг от друга.

Транзисторы нагрузки стоят с наклоном из-за моего просчета с местом сверления отверстия под провода к термореле.

Вид сверху.

Кстати, многооборотный резистор надо будет также заменить, потому как высокая точность установки не требуется и по большому счету хватило бы и ступенчатой регулировки кратно току 0.5А.

Чуть чуть тестов.

Сначала подключаем нагрузку. Изменение номиналов шунтов получилось очень удачно, с наиболее распространенными батареями 10S мощность рассеивания как раз около 150Вт. Т.е. даже чисто случайно не выйдет спалить нагрузку.

А вот с температурой не все гладко. Через время некоторые транзисторы нагреваются выше сотни градусов, что с учетом линейного режима работы совсем плохо.

Интересно что на термофото платы нагрузки шунты справа имеют температуру меньше чем остальные, хотя напряжение на них одинаковое.

Но погрев еще какое-то время и посмотрев более внимательно, выяснилось что реальная температура ближе к 115-125 градусов.

Я пока виню мелкий корпус ТО-220, который из-за прокладки из слюды не успевает отводить все тепло. Кроме того у моей нагрузки стоит два вентилятора, один из которых имеет высокую производительность. Здесь же применен обычный, корпусной компьютерный вентилятор.

Пока напрашивается два решения проблемы-

1. Заменить транзисторы на что-то в корпусе ТО-247, например IRFP460

2. Поставить более производительный вентилятор.

Есть еще варианты решения, но я их не рассматриваю в виду сложности/малой эффективности.

Теперь подключим одну половинку балансира. Для теста я подал ток 2 ампера, максимальный который планируется использовать, реально ток будет скорее в диапазоне 0.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 5-1.5А. На модуле рассеивается почти 85 Вт.

Ну здесь все гораздо лучше, на момент включения термореле температура на транзисторах 72 градуса, потом поднимается до 77 и дальше почти не растет, а так как в данном случае транзисторы биполярные, то для них это вполне нормальная рабочая температура, даже с запасом.

Вообще устройство собственно уже собрано и эксплуатируется, но подумал что возможно кому-то будет полезна данная информация, транзисторы в электронной нагрузке заменил на более подходящие в корпусе TO-247, все пришло в норму.

На данный момент устройство выглядит так, но это уже «совсем другая история» и возможно я как-то её расскажу.

Сложный момент — нагрев, в остальном работает все просто отлично, особенно понравилась работа балансира, ну или многоканального зарядного, кому как.

Возможно некоторые вещи получились не так красиво как хотелось бы, также сильно влияет длина проводов к аккумуляторам, в общем проблем хватает, да и само решение было что называется — в лоб. Собственно простительно это всё только потому, что собиралось оно в одном экземпляре.

Как обычно буду рад вопросам и пожеланиям.

Техническое описание

IRF640 — 18 А, 200 В, 0,180 Ом, N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы

MS4D5 : Silicon FAST Recovery 3.0 AMP Diodes. СЕРИЯ EDAL MR4 / MS4 / MT4 КРЕМНИЕВОЕ БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ 3,0 АМП ДИОДЫ Время восстановления Trr измерено от 5 ампер вперед до 1 ампер назад до 25 ампер PIV (Вольт) P / N MR4K5 MR4M5 Trr NSec. Номер детали MS4K5 MS4M5 Trr NSec. Артикул MT4K5 MT4M5 Trr NSec. .

DC-215R : 1,8 Вт, 24 контакта, Dip / Dil. Недорогой миниатюрный корпус DIP / DIL Изоляция входа / выхода 500 В постоянного тока Одиночные и двойные выходы Внешние компоненты не требуются Низкопрофильный и компактный размер Диапазон входного напряжения: 10% Входной фильтр: Изоляция внутреннего конденсатора Напряжение: 500 В постоянного тока КПД: см.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Таблицу Частота коммутации: стандартная изоляция 25 кГц Сопротивление: 1000 МОм Выходное напряжение и ток :.

HTE127 : Высоковольтные / толстопленочные резисторы. Сопротивления от 700 МОм Номинальная мощность до 17 Вт Допуски сопротивления до 1% Низкое значение TCR: 100 ppm / K Стандартные номинальные напряжения до 48 кВ Неиндуктивная конструкция SMD по запросу S Номер детали — Сопротивление — Допуск — TCR (если не стандартно) Пример: 10 МОм 1% Диапазон сопротивления Допуски Температурный коэффициент Температурный диапазон Сопротивление изоляции Герметизация.

MM74C95J : 4-битный регистр сдвига вправо влево.Этот 4-битный регистр сдвига представляет собой монолитную интегральную схему комплементарной МОП (CMOS), состоящую из четырех D-триггеров. Этот регистр будет выполнять операции сдвига вправо или влево в зависимости от уровня логического входа для управления режимом. Количество этих регистров может быть соединен последовательно для формирования N-битного регистра сдвига вправо или влево.

M38020E1 : 8-битный однокристальный микрокомпьютер 740 Family / 38000 Series. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Mitsubishi Electric и Mitsubishi XX, на Renesas Technology Corp.Производство полупроводников Hitachi и Mitsubishi Electric было передано Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают микрокомпьютер, логические, аналоговые и дискретные устройства, а также память.

ISL8489EIBZ : + -15 кВ с защитой от электростатического разряда, 5 В, низкое энергопотребление, высокая скорость и ограничение скорости нарастания, полнодуплексный режим, приемопередатчики RS-485 / RS-422.

001035-000 : Одножильные кабели, провода; КАБЕЛЬ 18AWG Экранированный. s: Без свинца Статус: Без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

7X-30.000MBA-T : ОСЦИЛЛЯТОР, 30 МГц. s: Стабильность частоты: 25ppm; Допуск по частоте: -; Напряжение питания: от 1,8 до 3,3 В; Частота: 30 МГц; Диапазон рабочих температур: от -10 ° C до + 70 ° C; Емкость нагрузки: 15 пФ; Монтаж генератора: SMD; Количество контактов: 4; MSL: -.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

31403 : Rfi и Emi — экранирующий и поглощающий материал Rf / if и Rfid; FERRITE MATERIL FLEX 297X210X0.3. s: Толщина — общая: 0,012 дюйма (0,3 мм); ширина: 8,268 дюйма (210,00 мм); Длина: 11.7 дюймов (297 мм); диапазон температур: -13 ~ 185 F (-25 ~ 85 ° C); клей: синтетическая смола, проводящий — двусторонний; форма: лист; бессвинцовый статус: бессвинцовый; статус RoHS: RoHS.

A1RXB-2036M : Прямоугольный кабельный узел «штекер-кабель» 3,00 дюйма (914,40 мм) поляризационный ключ, разгрузка от натяжения; КАБЕЛЬ IDC — APR20B / AE20M / X. s: Тип разъема: Подключите к кабелю; Количество позиций: 20; Контактная отделка: золото; Количество рядов: 2; : Поляризационный ключ, снятие напряжения; Цвет: несколько, лента; Длина: 3.00 ‘(914,40 мм); Использование: — ; Экранирование: неэкранированное; Контакт.

TS1608-680M : Катушки постоянной индуктивности, катушки, дроссели 68H 400mA 1608 -; ИНДУКТОР 68UH 400MA SHLD 1608. s: Индуктивность: 68H; Допуск: 20%; Упаковка / коробка: 1608; Упаковка: лента и катушка (TR); Тип: — ; Ток: 400 мА; Тип установки: поверхностное крепление; Q @ Freq: 40 @ 100 кГц; Частота — Саморезонансная: 15 МГц; Сопротивление постоянному току (DCR): 290 мОм Макс; Экранирование: экранированное; Приложения:.

10960

01808+ : Принадлежности; РАЗЪЕМ СВЕТОДИОДНОЙ СВЕТИЛЬНИКА / ПОДСВЕТКИ.s: Тип аксессуара: Разъем; Для использования с / сопутствующими товарами: светодиодная подсветка / светодиодная подсветка; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

SSQE48T20033-NABNG : Источник питания преобразователя постоянного тока — монтаж на плате; ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ DC-DC 3.3В 20А. s: Тип: Изолированный; Количество выходов: 1; Напряжение — вход (мин.): 36 В; Напряжение — вход (макс.): 75 В; Напряжение — Выход 1: 3,3 В; Напряжение — Выход 2: -; Напряжение — Выход 3: -; Ток — выход (макс.): 20А; Мощность (Вт) — Заводская серия: 66 Вт; Напряжение — изоляция: 2.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги 25кВ (2250В).

VI-J0Y-CX-B1 : Блок питания преобразователя постоянного тока — монтаж на плате; МОД ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ DC / DC 3.3V 49.5W. s: Тип: Изолированный; Количество выходов: 1; Напряжение — вход (мин.): 10 В; Напряжение — вход (макс.): 20 В; Напряжение — Выход 1: 3,3 В; Напряжение — Выход 2: -; Напряжение — Выход 3: -; Ток — выход (макс.): 49,5 А; Мощность (Вт) — Заводская серия: *; Напряжение — Изоляция: *; Вести.

317-93-121-41-005000 : Гнездо со сквозным отверстием под золото для микросхем, транзисторных соединителей, сквозное отверстие для межсоединения; РОЗЕТКА SLDRTAIL SHRINK SIP 21POS.s: Контактная поверхность: Золото; : Закрытый каркас; Тип установки: Сквозное отверстие; Шаг: 0,070 дюйма (1,78 мм); количество позиций или штифтов (сетка): 21 (1 x 21); тип: SIP; толщина поверхности контакта: 30 дюймов (0,76 м); бессвинцовый статус: содержит свинец.

VO2268AC-FREQ : VCXO, CLOCK, 5–155 МГц, CMOS OUTPUT. s: Тип генератора: VCXO; Корпус / форм-фактор: поверхностный монтаж; Частота: от 5 до 155 МГц; Стабильность частоты: 40 ppm; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F); Напряжение питания: 5.0 Вольт; Тип вывода: CMOS.

3364A-1-503G : RES, TAPPED, CERMET, 50K OHMS, 25% +/- TOL, -250,250PPM TC, 1715 КОРПУС. s: Тип потенциометра: Триммер; Стандарты и сертификаты: RoHS.

74826-0011 : 8 КОНТАКТОВ, ВНУТРЕННИЙ, ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ РАЗЪЕМ ТЕЛЕКОМ И ДАТАКОМА, ПАЯ. s: Приложения: Телекоммуникации / Данные / Сетевые разъемы; Женский пол ; Типы прекращения: SOLDER; Кол-во контактов: 8.

Utsource является дистрибьютором 2SC2879 Toshiba, купите 2SC2879 Toshiba, в наличии, новый и оригинальный по более низкой цене, предложите техническое описание изображения | pdf

2SC2879 Описание транзистора

2SC2879 — транзистор NPN, предназначенный для работы при номинальном напряжении 45 В, Коллекторный ток 25 ампер и в диапазоне частот 2-30 МГц.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги он имеет небольшое базовое триггерное напряжение 4 В. Поскольку 2SC2879 является транзистором, его конструкция позволяет ему работать как усилитель или переключающее устройство. Он состоит из трех выводов: базы, эмиттера и коллектора.

Конфигурация выводов

База

Базовый вывод для транзистора 2SC2879 имеет более низкий уровень легирования, чем эмиттер и коллектор. Он остается небольшим, чтобы гарантировать, что носители заряда эмиттера, входящие в базу, не рекомбинируют в области базы, следовательно, носители заряда движутся в направлении области коллектора.Когда на базовый вывод подается небольшое количество, срабатывает батарея, что позволяет протекать высокому току от коллектора к эмиттеру.

Эмиттер

Вывод эмиттера, который является выводом стока питания, сильно легирован, поэтому он может подавать носитель заряда в коллектор через базу. Ток, подаваемый через коллектор, отводится через эмиттер, который обычно соединен с землей. Электроны движутся от эмиттера к коллектору.

Коллектор

Коллекторный терминал — через него подается очень высокий ток, терминал умеренно легирован, а его размер немного больше, чем у эмиттера, так как все носители заряда, выходящие из эмиттера, рекомбинируют на базе.

Описание

9

включение и выключение транзистора для управления его смещением

Номер контакта

Имя контакта

Описание

2

Коллектор

Подача энергии сначала проходит через коллектор, его можно подключить к нагрузке

3

Эмиттер

Электропитание отводится через эмиттер, его также можно заземлить

Транзистор, эквивалентный 2SC2879 — 2SC2879A

003 Недостаток

8 Транзистор

Высокая цена

2

2SC2879 технические характеристики и особенности 9 0005

I

2

Обозначение

Параметр

Значение

25A

В CE

Макс.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги пиковый выходной ток

+ 45V

902 902 902 902

+ 4V

I C

Макс.ток коллектора

25A

h 150

P C

Максимальная выходная мощность

250 Вт

Принцип работы транзистора 2SC2879

SC имеет три клеммы для каждой функции it.База действует как триггерный контроллер ворот для более крупных источников питания. Коллектор — это место, через которое подается большая мощность, а эмиттер — это выход мощности. Небольшое количество тока используется для управления большим током, то есть путем изменения тока от базы, что позволяет регулировать ток, протекающий от коллектора к затвору.

Применение 2SC2879

Транзистор 2SC2879, который он используется как для коммутации, так и для линейных усилителей, из-за низкого напряжения срабатывания 4 В.

· Обманы, применяющие небольшую скорость нарастания — скорость нарастания напряжения гарантирует, что схема снижает искажения, а транзистор

имеет быстрый выход. Скорость нарастания действительно определяет производительность схемы. Превышена скорость нарастания

предела производительности цепи.

· Применение AF / RF — в цепи звуковой частоты и радиочастоты

Другие области применения транзистора 2SC2879: Двухтактная схема, линейные усилители AF из-за низкого напряжения срабатывания.

IRFZ48VPBF Таблицы данных | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы

Обзор продукта

Изображение:
Номер по каталогу производителя: IRFZ48VPBF
Категория продукта: Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные
Наличие:
Производитель: Infineon Technologies
Описание: N-канал 60 В 72A (Tc) 150 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Лист данных: IRFZ48VPbF
Упаковка: К-220-3
Минимум: 1
Время выполнения: 3 (168 часов)
Количество: Под заказ
Отправить запрос предложений: Запрос

IRFZ48VPBF Изображения служат только для справки.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Модели CAD

Атрибуты продукта

серия: HEXFET®
Состояние детали: Вышло из употребления
FET Тип: N-канал
Технологии: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-источник (Vdss): 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 72A (TC)
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения): 10 В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 12 МОм при 43 А 10 В
Vgs (th) (Max) @ Id: 4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 110 нКл при 10 В
Vgs (макс.): ± 20 В
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 1985pF при 25 В
Полевой транзистор Характеристика:
Рассеиваемая мощность (макс.): 150 Вт (TC)
Рабочая температура:-55 ° C ~ 175 ° C (ТДж)
Тип установки: Сквозное отверстие
Пакет устройств поставщика: К-220АБ
Упаковка / ящик: К-220-3
Производитель: Infineon Technologies
Упаковка: Трубка

Описания

Для этой части пока нет релевантной информации.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

ХАРАКТЕРИСТИКИ

Описание

В полевых МОП-транзисторах Advanced HEXFET®Power от International Rectifier используются передовые технологии обработки, обеспечивающие чрезвычайно низкое сопротивление на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и надежной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы на полевых HEXFET-транзисторах,
, предоставляет разработчикам чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.

1. Передовые технологические процессы

2. Сверхнизкое сопротивление при открытии
3. Динамическое сопротивление dv / dt
4. Рабочая температура 175 ° C
5. Быстрое переключение
6. Полностью лавинный режим

Экологическая и экспортная классификации

Статус RoHS: Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL): 1 (без ограничений)
Статус REACH: REACH Без изменений
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541.29.0095

Производитель продукта

1 апреля 1999 года компания Siemens Semiconductors стала Infineon Technologies. Динамичная, более гибкая компания, ориентированная на успех в конкурентном, постоянно меняющемся мире микроэлектроники.
Infineon — ведущий мировой разработчик, производитель и поставщик широкого спектра полупроводников, используемых в различных приложениях микроэлектроники.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Портфель продуктов Infineon состоит из логических продуктов, включая цифровые, смешанные и аналоговые интегральные схемы, а также дискретные полупроводниковые продукты.

Популярность по регионам

  • 1. США

    100

  • 2. Южная Корея

    97

  • 3. Эквадор

    96

  • 4.Швеция

    95

  • 5. Канада

    90

  • 6. Ангола

    89

  • 7. Перу

    84

  • 8.Дания

    84

  • 9. Малайзия

    84

  • 10. Египет

    84

  • 11. Гондурас

    83

  • 12.Шри-Ланка

    83

  • 13. Сингапур

    83

  • 14. Фиджи

    82

  • 15. Мальдивы

    82

  • 16.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Пакистан

    79

  • 17. Южная Африка

    79

  • 18. Гонконг

    78

  • 19. Нигерия

    78

  • 20.Россия

    78

  • 21. Чили

    77

  • 22. Венгрия

    77

  • 23. Уганда

    77

  • 24.Танзания

    77

  • 25. Нидерланды

    77

  • 26. Сербия

    77

  • 27. Ирландия

    77

  • 28.Хорватия

    76

  • 29. Индонезия

    76

  • 30. Финляндия

    76

  • 31. Эфиопия

    75

  • 32.Украина

    75

  • 33. Объединенные Арабские Эмираты

    75

  • 34.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Гаити

    75

  • 35. Мексика

    75

  • 36.Япония

    75

  • 37. Австрия

    75

  • 38. Узбекистан

    75

  • 39. Австралия

    75

  • 40.Алжир

    74

  • 41. Гана

    74

  • 42. Ямайка

    74

  • 43. Словакия

    74

  • 44.Кения

    74

  • 45. Франция

    74

  • 46. Боливия

    74

  • 47. Польша

    74

  • 48.Тринидад и Тобаго

    74

  • 49. Болгария

    74

  • 50. Марокко

    73

  • 51. Италия

    73

  • 52.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Бельгия

    73

  • 53. Беларусь

    73

  • 54. Чешская Республика

    72

  • 55. Соединенное Королевство

    72

  • 56.Португалия

    72

  • 57. Румыния

    72

  • 58. Джибути

    72

  • 59. Мадагаскар

    72

  • 60.Тунис

    72

  • 61. Доминиканская Республика

    72

  • 62. Испания

    72

  • 63. Молдова

    72

  • 64.Греция

    72

  • 65. Филиппины

    72

  • 66. Китай

    71

  • 67. Турция

    71

  • 68.Реюньон

    70

  • 69. Вьетнам

    70

  • 70.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Латвия

    70

  • 71. Словения

    70

  • 72.Израиль

    69

  • 73. Пуэрто-Рико

    69

  • 74. Тайвань

    68

  • 75. Индия

    68

  • 76.Казахстан

    68

  • 77. Уругвай

    68

  • 78. Панама

    67

  • 79. Мьянма

    67

  • 80.Швейцария

    67

  • 81. Мавритания

    67

  • 82. Аргентина

    65

  • 83. Венесуэла

    62

  • 84.Бразилия

    61

  • 85. Замбия

    61

  • 86. Колумбия

    59

  • 87. Германия

    59

  • 88.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Босния и Герцеговина

    59

  • 89. Таиланд

    59

  • 90. Йемен

    59

  • 91. Исландия

    46

  • 92.Гвинея

    45

  • 93. Норвегия

    43

  • IRFZ48VPBF
    Популярность по регионам

    Вас также может заинтересовать

    Связанный параметр

    • Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные, N-канальные, 55 В, 61A (Tc), 91 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-220AB
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, P-Channel 60V 4A (Ta) 3.1 Вт (Ta) для поверхностного монтажа 8-SOIC
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 1000V 37A SOT-227
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевой МОП-транзистор P-CH 20V 3.1A SOT23-3
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 500V 77A SOT-227
    • Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы P-CH 300V 0.17A SOT54

    Статьи по теме

    IRF520 Power MOSFET: распиновка, техническое описание, спецификации [FAQ]

    Миа
    21 декабря 2020
    186

    IRF520 — это силовой МОП-транзистор 9.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Ток коллектора 2А и напряжение пробоя 100В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и поэтому обычно используется с микроконтроллерами …

    Читать дальше »

    IRFZ44N MOSFET: техническое описание, применение, эквивалент [видео]

    Биллили
    21 ноя 2020
    643

    Описание IRFZ44N — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, в этом блоге описывается распиновка, техническое описание, характеристики и другая информация о том, как использовать и где использовать это устройство.Каталог
    D …

    Читать дальше »

    МОП-транзистор IRF540N: распиновка, эквивалент, схема [FAQ]

    Игги
    23 декабря 2020
    634

    IRF540N — N-канальный МОП-транзистор. В этом блоге рассказывается о распиновке IRF540N MOSFET, таблице данных, эквиваленте, функциях и другой информации о том, как использовать и где использовать это устройство.

    Топ-5 проектов в области электроники…

    Читать дальше »

    IRF3205 MOSFET: распиновка, эквивалент, техническое описание [видео]

    Миа
    26 янв.2021 г.
    211

    IRF3205 — это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор, который может коммутировать токи до 110 А и 55 В. Его легко найти в упаковке TO-220AB. Этот чип в основном используется в потребительских устройствах полного моста …

    Читать дальше »

    N-канал 60V 72A (Tc) 150W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

    • Атрибуты продукта
    • Описания
    • Характеристики
    • CAD-модели
    серия: HEXFET®
    Состояние детали: Вышло из употребления
    FET Тип: N-канал
    Технологии: MOSFET (оксид металла)
    Напряжение сток-источник (Vdss): 60 В
    Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 72A (TC)
    Напряжение привода (макс.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Показания при включении, мин. Значения): 10 В
    Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 12 МОм при 43 А 10 В
    Vgs (th) (Max) @ Id: 4 В при 250 мкА
    Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 110 нКл при 10 В
    Vgs (макс.): ± 20 В
    Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 1985pF при 25 В
    Полевой транзистор Характеристика:
    Рассеиваемая мощность (макс.): 150 Вт (TC)
    Рабочая температура:-55 ° C ~ 175 ° C (ТДж)
    Тип установки: Сквозное отверстие
    Пакет устройств поставщика: К-220АБ
    Упаковка / ящик: К-220-3
    Производитель: Infineon Technologies
    Упаковка: Трубка

    По этой части пока нет релевантной информации.

    ХАРАКТЕРИСТИКИ

    Описание

    В полевых МОП-транзисторах Advanced HEXFET®Power от International Rectifier используются передовые технологии обработки, обеспечивающие чрезвычайно низкое сопротивление на площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и надежной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы на полевых HEXFET-транзисторах,
    , предоставляет разработчикам чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях.Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.

    1. Передовые технологические процессы

    2. Сверхнизкое сопротивление при открытии
    3. Динамическое сопротивление dv / dt
    4. Рабочая температура 175 ° C
    5. Быстрое переключение
    6. Полностью лавинный режим

    По этой части пока нет релевантной информации.

Irf640 контур

В этой статье мы исследуем 2 простые, но мощные схемы десульфатора аккумуляторных батарей, которые можно использовать для эффективного удаления и предотвращения десульфатации в свинцово-кислотных аккумуляторах. Первый метод использует импульсы ШИМ, а второй метод реализует обычный мостовой выпрямитель для того же.

Сульфатирование в свинцово-кислотных аккумуляторах является довольно распространенным явлением и представляет собой большую проблему, поскольку этот процесс полностью снижает эффективность аккумулятора.Считается, что зарядка свинцово-кислотной батареи с помощью метода ШИМ инициирует десульфатацию, помогая восстановить эффективность батареи до некоторых уровней.

Сульфатирование — это процесс, при котором серная кислота, присутствующая внутри свинцово-кислотных аккумуляторов, со временем реагирует с пластинами с образованием слоев белого порошкообразного вещества над пластинами.

Этот слой отложения серьезно ухудшает химические процессы внутри батареи во время зарядки или разрядки, делая батарею неэффективной с ее способностью передавать энергию.Обычно это происходит, когда аккумулятор не используется в течение длительного времени, а процессы зарядки и разрядки выполняются не очень часто. К сожалению, не существует эффективного способа решения этой проблемы, однако было исследовано, что застрявшие отложения серы на поврежденной батарее могут быть в некоторой степени разрушены, подвергая батарею сильноточным импульсам во время ее зарядки.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги

Эти сильноточные зарядные импульсы должны быть хорошо оптимизированы с помощью некоторой схемы управления и должны тщательно диагностироваться при реализации процесса.

Реализация метода через схему с ШИМ-управлением, вероятно, лучший способ сделать это. Лучше всего работают короткие сильноточные импульсы. Электронные схемы используются для регулирования импульсов различной длительности и частоты сильноточных импульсов.

Их также можно использовать для автоматизации процесса, поскольку для полной десульфатации батареи требуется длительный период времени. Обсуждаемая здесь схема зарядного устройства с ШИМ-сигналом может рассматриваться как лучшая конструкция для проведения описанного выше процесса десульфатации.Выходной сигнал ИС соответствующим образом усиливается через пару транзисторов, так что он может подавать упомянутые сильноточные импульсы на батарею, которую необходимо десульфатировать.

Управление ШИМ будет зависеть исключительно от личных предпочтений человека, поэтому должно выполняться правильно в соответствии с инструкциями производителя батарей. Несоблюдение правильных процедур может привести к несчастному случаю со смертельным исходом из-за возможного взрыва аккумулятора. Уровень входного тока, равный уровню AH батареи, может быть выбран изначально и постепенно уменьшаться, если обнаруживается положительный ответ от батареи.Чтобы сделать этот простейший, но эффективный десульфатор аккумуляторов со схемой зарядного устройства, вам просто потребуются трансформатор подходящего номинала и мостовой выпрямитель.

Конструкция не только обессеривает аккумулятор, но и предотвращает возникновение этой проблемы в новых аккумуляторах и одновременно заряжает их до желаемого уровня. В начале этого поста мы узнали, как десульфатировать с помощью концепции ШИМ, однако более глубокое исследование показывает, что процесс десульфатации батареи не обязательно требует точной схемы ШИМ, просто источник питания должен колебаться с определенной заданной скоростью, и это достаточно, чтобы инициировать процесс десульфатирования в большинстве случаев.Irf640 характеристики на русском: IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги Итак, что вам нужно, чтобы сделать эту сверхпростую схему десульфатора батареи, которая также будет заряжать данную батарею и, кроме того, обладать способностью предохранять новые батареи от развития проблемы сульфатирования?

Трансформатор подходящего номинала, мостовой выпрямитель и амперметр — все, что нужно для этой цели.Мостовой выпрямитель должен быть рассчитан в соответствии с указанными или рассчитанными уровнями заряда. На приведенной выше диаграмме показаны минимальные требования к предлагаемому десульфатору аккумулятора со схемой зарядного устройства. Мы можем увидеть самый стандартный или довольно грубый источник питания переменного тока в постоянный, где трансформатор понижает сетевое напряжение до 15 В переменного тока для указанной батареи 12 В. Последние проекты Образование.

JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере, прежде чем продолжить.Автор темы all4here Дата начала 6 июл, Искать по форуму Новые сообщения. Статус Не открыт для дальнейших ответов. Автор темы all4here присоединился 3 июля. Прокрутите, чтобы продолжить.

SgtWookie присоединился 17 июля 22 г. Какое у вас приложение? Объясните, что вы хотите делать с IRF. Простое высказывание о том, что вы хотите использовать его для переключения, мало что говорит нам, поскольку именно для этого они предназначены. Сержант Вуки сказал: Не обошлось и без множества громких шумов, ярких вспышек и дыма.

IRF не соответствует вашим требованиям.Он умрет в считанные секунды. Gated Joined 7 июля. Этот поток не является продуктивным, поскольку упомянутые устройства не предназначены для переключения переменного тока.

Автор темы Подобные темы Ответы на форуме Дата Подскажите, пожалуйста, какие двухтактные транзисторы используются в этом инверторе? Подобные темы Подскажите, пожалуйста, какие двухтактные транзисторы в этом инверторе? Как определить, является ли ячейка NiCd или NiMh?

IRF640 МОП-транзистор. Технический паспорт pdf. Эквивалент

Могу ли я определить напряжение двигателя? Кто-нибудь может сказать мне, почему в этом проекте использовались rtos? Вам также может понравиться.

Перейти на сайт. Подскажите, пожалуйста, какие в этом инверторе двухтактные транзисторы? Вчера в AM. Общий чат электроники.

14 марта, 22 января, 20 января, 1 января В этой статье мы исследуем 2 простые, но мощные схемы десульфатора аккумуляторных батарей, которые можно использовать для эффективного удаления и предотвращения десульфатации в свинцово-кислотных аккумуляторах.

В первом методе используются импульсы ШИМ, а во втором методе используется обычный мостовой выпрямитель.

правильно управляет mosfet irf640

Сульфатирование в свинцово-кислотных аккумуляторах является довольно распространенным явлением и представляет собой большую проблему, поскольку этот процесс полностью снижает эффективность аккумулятора.Считается, что зарядка свинцово-кислотной батареи с помощью метода ШИМ инициирует десульфатацию, помогая восстановить эффективность батареи до некоторых уровней. Сульфатирование — это процесс, при котором серная кислота, присутствующая в свинцово-кислотных аккумуляторах, со временем реагирует с пластинами с образованием слоев белого порошка, подобного веществу, над пластинами.

Этот слой отложения серьезно ухудшает химические процессы внутри батареи во время зарядки или разрядки, делая батарею неэффективной с ее способностью передавать энергию.Обычно это происходит, когда аккумулятор не используется в течение длительного времени, а процессы зарядки и разрядки выполняются не очень часто.

К сожалению, не существует эффективного способа решения этой проблемы, однако было исследовано, что застрявшие отложения серы над поврежденной батареей могут быть в некоторой степени разрушены, подвергая батарею сильноточным импульсам во время ее зарядки. Эти сильноточные зарядные импульсы должны быть хорошо оптимизированы с помощью некоторой схемы управления и должны тщательно диагностироваться при реализации процесса.

Реализация метода через схему с ШИМ-управлением, вероятно, лучший способ сделать это.

IRF640, SiHF640 Информация о продукте

Короткие сильноточные импульсы работают лучше всего. Электронные схемы используются для регулирования импульсов различной длительности и частоты сильноточных импульсов. Их также можно использовать для автоматизации процесса, поскольку для полной десульфатации батареи требуется длительный период времени. Обсуждаемая здесь схема зарядного устройства с ШИМ-сигналом может рассматриваться как лучшая конструкция для проведения описанного выше процесса десульфатации.

Выходной сигнал ИС соответствующим образом усиливается через пару транзисторов, так что он может подавать упомянутые сильноточные импульсы на батарею, которую необходимо десульфатировать. Управление ШИМ будет зависеть исключительно от личных предпочтений человека, поэтому должно выполняться правильно в соответствии с инструкциями производителя батарей. Несоблюдение правильных процедур может привести к несчастному случаю со смертельным исходом из-за возможного взрыва аккумулятора.

Уровень входного тока, равный уровню AH батареи, может быть выбран изначально и постепенно уменьшаться, если обнаруживается положительный ответ от батареи.Чтобы сделать этот простейший, но эффективный десульфатор аккумуляторов со схемой зарядного устройства, вам просто потребуются трансформатор подходящего номинала и мостовой выпрямитель. Конструкция не только обессеривает аккумулятор, но и предотвращает появление этой проблемы в новых аккумуляторах и одновременно заряжает их до желаемого уровня.

В начале этого поста мы узнали, как десульфатировать, используя концепцию ШИМ, однако более глубокое исследование показывает, что процесс десульфатации батареи не обязательно требует точной схемы ШИМ, просто источник питания должен колебаться с определенной заданной скоростью, и этого достаточно, чтобы инициировать процесс десульфатирования в большинстве случаев. Итак, что вам нужно, чтобы сделать эту сверхпростую схему десульфатора батареи, которая также будет заряжать данную батарею и, кроме того, обладать способностью предохранять новые батареи от развития проблемы сульфатирования?

Трансформатор подходящего номинала, мостовой выпрямитель и амперметр — все, что нужно для этой цели.Это силовые полевые транзисторы с кремниевым затвором с N-канальным режимом улучшения. Это современные силовые полевые МОП-транзисторы, разработанные, испытанные и гарантированно выдерживающие определенный уровень энергии в лавинном режиме пробоя.

Все эти силовые полевые МОП-транзисторы предназначены для таких приложений, как импульсные регуляторы, переключающие преобразователи, драйверы двигателей, драйверы реле и драйверы для мощных биполярных переключающих транзисторов, требующих высокой скорости и низкой мощности управления затвором. Эти типы могут управляться напрямую от интегральных схем.

Ранее испытательный тип TA ПРИМЕЧАНИЕ. При заказе используйте полный номер детали. Напряжение пробоя от стока к источнику Примечание 1. Коэффициент снижения мощности рассеяния частичных разрядов. Это номинальная нагрузка, и работа устройства в этих или любых других условиях, превышающих указанные в рабочих разделах данной спецификации, не подразумевается. Рейтинг повторяемости: ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода. См. Кривую переходного теплового импеданса на рис. 3. DCR: 1. Этот 4-битный регистр сдвига представляет собой монолитную комплементарную интегральную схему MOS CMOS, состоящую из четырех D-триггеров. Этот регистр будет выполнять операции сдвига вправо или влево в зависимости от логического входа. уровень управления режимом. Ряд этих регистров могут быть соединены последовательно, чтобы сформировать N-битный регистр сдвига вправо или влево, когда.

Эти операции включают микрокомпьютер, логические, аналоговые и дискретные устройства и память. Схема поиска. Раздел «Технические данные поставщика». Переключить навигацию Digchip. Характеристики, применение Это силовые полевые транзисторы с силовым затвором с N-канальным режимом расширения. Скачать техническое описание IRF. IRF 14A, V, 0. IRF 2. IRFA 2. IRF 3. Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных IRF по ссылке внизу страницы.

Mosfet может переключать нагрузки, потребляющие до 8 А, он может включаться, обеспечивая пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source.Следовательно, этот МОП-транзистор не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Mosfet требует, чтобы схема драйвера обеспечивала 10 В на выводе затвора этого Mosfet. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора. Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока в постоянный.

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных IRF будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники.

Серия

Littelfuse Nano2 F усиливает защиту от токов перегрузки и короткого замыкания. Гнезда Stewart Connector серии SS идеально подходят для 2. Техническое описание компонентов. Информационный лист IRF. Получите нашу еженедельную рассылку! Предохранитель Littelfuse серии F. Межблочные соединения миллиметрового диапазона Amphenol. Компания Amphenol SV Microwave оснащена высокочастотными коаксиальными разъемами миллиметрового диапазона. Стюарт СС серии. Датчики положения AVX.Несмотря на кажущуюся простоту, этот усилитель показал отличные качественные параметры, что позволяет смело причислять его к Hi-Fi аппаратуре.

Усилитель с очень приятным звуком в середине восьмидесятых был запатентован. С тех пор элементная база изменилась. С тех пор элементная база довольно сильно изменилась и появилась возможность упростить схему, сохранив саму идею и получив лучшие характеристики без ущерба для надежности.

Схема имеет предварительный буферный усилитель напряжения, выполненный на ОУ TL, и двухкаскадный двухтактный усилитель мощности.Оба усилителя имеют свои локальные отрицательные обратные связи: RR9 и RR. Коэффициент усиления зависит от соотношения номиналов этих резисторов, и в этом случае он выбирается таким образом, чтобы получить минимальные искажения в этом каскаде. Менять номиналы не рекомендуется. R9 и R10 могут быть от 27 до 43 Ом, оптимально — 33 или 39 Ом. Поскольку последний каскад работает в режиме усилителя, переходя в режим насыщения, сопротивление между выходом усилителя и источником питания становится минимально возможным 0.

Именно этот фактор позволяет MOSFIT иметь гораздо более высокую эффективность на выходе по сравнению с традиционными усилителями с эмиттерными повторителями, поскольку амплитуда выходного сигнала всего на несколько вольт меньше напряжения питания.

В небольших пределах вы можете изменить R2 для получения необходимого усиления, но не более 37 дБ. R2 не должно быть меньше Ом. Список элементов, необходимых для самостоятельной сборки усилителя, приведен в таблице ниже. Оконечные транзисторы устанавливают на радиатор через электроизоляционные теплопроводящие прокладки, предварительно смазав фланцы теплопроводной пастой.

Впрочем, можно обойтись и без прокладок, но следует учитывать, что выходной сигнал усилителя будет присутствовать на излучателе, что может вызвать возбуждение усилителя, излучатель необходимо изолировать от корпуса. На рис. Из особенностей усилителя следует также отметить, что фланцы оконечных транзисторов электрически соединены между собой и выходом усилителя, поэтому при использовании небольших радиаторов с принудительным охлаждением можно не использовать диэлектрические прокладки, а наоборот. изолируйте радиатор от корпуса.

При использовании радиаторов с естественной конвекцией воздуха размеры последнего уже становятся большими и не рекомендуется подавать на него выход усилителя — будут создаваться слишком большие помехи, которые при неправильной установке плат в корпусе может вызвать возбуждение усилителя, даже несмотря на его жесткую стабильность.

Оба варианта загружены на эквивалентный желтый прямоугольник динамика и не используют идеальные блоки питания с собственным сопротивлением. Тем не менее IRFIRF в симуляторе полностью справился с возложенными на них задачами, а также может использоваться в усилителе в качестве оконечных транзисторов.Однако при использовании корпусов ТО не следует забывать, что мощность одного корпуса ТО не должна превышать 60 Вт, в отличие от корпуса ТО до… Вт.

Другими словами, при использовании IRFIRF в качестве оконечного транзистора не рекомендуется снимать более ватт с усилителя с четырьмя парами. На рисунках 5 и 6 показаны карты токов, протекающих через каждый элемент усилителя в режиме ожидания без входного сигнала.

Об этом стоит упомянуть отдельно: в данном усилителе нет цепей стабилизации тока, поэтому при изменении напряжения питания изменятся и режимы работы оконечного каскада — при увеличении питания ток покоя будет увеличиваться, при уменьшении будет уменьшаться.

По этой причине рекомендуется использовать усилитель как широкополосный с качественным питающим напряжением, или как усилитель для сабвуфера и выставляя ток покоя в пределах 15-20 мА. В качестве термостабилизирующих элементов используются диоды VD3-VD4, которые можно устанавливать как на радиатор, так и оставаться на печатной плате — мгновенного нагрева все равно не происходит, поэтому скорости нагрева платы, установленной над радиатором, вполне хватает. Новые сообщения Поиск по форуму.

ST Microelectronics

Статьи Лучшие статьи Поиск по ресурсам. Члены Текущие посетители. Авторизоваться Зарегистрироваться. Искать только в заголовках. Поиск Расширенный поиск…. Новые сообщения. Поиск по форуму. Авторизуйтесь. Добро пожаловать на наш сайт! Electro Tech — это онлайн-сообщество, в которое входят люди, которым нравится обсуждать и создавать электронные схемы, проекты и гаджеты. Для участия вам необходимо зарегистрироваться. Регистрация бесплатна. Нажмите здесь для регистрации.

JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере, прежде чем продолжить.Автор темы EmmKay Дата начала 1 августа, новый участник EmmKay.

Привет, я управляю IRF MOSFET с напряжением 12 В. Из приведенного выше уравнения я рассчитал, что Ig должно быть.