Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности. И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.

Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.

Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:

Некоторые крупные производители полупроводников вводят свои системы обозначений. Например, Samsung, Nec, и другие.  Рассмотрим системы обозначений более подробно.

Американская система обозначений JEDEK

Обозначение элементов состоит из четырех элементов.

Элемент 1. Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:

1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор

Элемент 2. После цифры идет буква N (номинал?).

Элемент 3. Содержит серийный номер.

Элемент 4. Может содержать буквы или буквы и цифры. Этот элемент обозначает разные параметры для приборов одного типа.

Пример обозначений: 1N4148, 2N2906A, 2N7002LT1.

Элемент 1Элемент 2Элемент 3Элемент 4
Число P-N переходов:
1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор
Буква
N
Серийный номер:
100-9999
Буква:
модификация прибора

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Европейская система более богата в обозначениях.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.

После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.

Элемент 1. Первая буква — код материала.

А — германий
В — кремний
С — арсенид галлия
R — сульфид кадмия

Элемент 2. Вторая буква — назначение

А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон

Элемент 3. Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры

Элемент 4 и 5.  Буквы или буква и цифры:

  • для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов
  • Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — мак­симальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
  • Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).

На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.

Пример обозначений: BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.

Элемент 1Элемент 2Элемент 3Элемент 4
Буква — код материала:
А – германий
В – кремний
С – арсенид галлия
R – сульфид кадмия
Буква – назначение
А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон
Серийный номер:
100-999
приборы общего назначенияZ10…A99
приборы
для промышленного
и специального назначения
Буква:
модификация прибора

Японская система обозначений JIC

Наверно самая универсальная система обозначений. Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:

Элемент 1. Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзистор
1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор

Элемент 2.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов Буква S (Semiconductor).
Элемент 3. Тип полупроводникового прибора:

А — высокочастотный p-n-p транзистор
В — низкочастотный p-n-p транзистор
С — высокочастотный n-p-n транзистор
D — низкочастотный n-p-n транзистор
Е — диод Есаки
F — тиристор
G — диод Ганна
Н — однопереходный транзистор
I — полевой транзистор с p-каналом
К — полевой транзистор с n-каналом
М — симметричный тиристор (симистор)
Q — светодиод
R — выпрямительный диод
S — слаботочный диод
Т — лавинный диод
V — варикап
Z — стабилитрон

Элемент 4. Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.

Элемент 5. Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.

Элемент 6. Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.

Пример обозначений: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма MOTOROLA — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPS A-92).

Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.

Еще примеры:

  • RCA — RCA
  • RCS — RCS
  • TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
  • TIPL — TI planar power transistor
  • TIS — TI small signal transistor (plastic case)
  • ZT — Ferranti
  • ZTX — Ferranti

Пример обозначений: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

Маркировка радиоэлементов (импортных, активных) « РадиоГазета – принципиальные схемы для меломанов и аудиофилов

Опубликовано: 18 сентября, 2017 • Рубрика: Разное

В последние годы производители полупроводников оптимизировали номенклатуру своих изделий, и количество предлагаемых устройств несколько сократилось. Однако, это трудно заметить при просмотре каталогов компонентов, где количество различных устройств только одного типа может составлять не менее нескольких сотен. Для крупного, профессионального поставщика в каталогах будет доступно несколько тысяч полупроводников.

Именно поэтому при подборе элементов даже опытным радиоинженерам следует проявлять осторожность, потому что легко ошибиться, когда имеется так много компонентов одного типа, многие из которых имеют схожую маркировку. Иначе вы рискуете купить неправильный прибор/компонент или правильный компонент, но неправильную его версию.

Анатомия маркировки

Ошибок не будет, если вы понимаете основную анатомию маркировки полупроводникового компонента. Конечно, всех проблем это не решит, но три составные части маркировки надо знать обязательно.

Обычно в маркировке есть префикс, который предоставляет некоторую базовую информацию об устройстве, но используемые методы кодирования очень просты и никогда не рассказывают вам о конкретном устройстве. Однако при покупке компонентов префикс может быть (и довольно часто) очень важен.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Вторая часть является основной (как бы серийный номер изделия) и имеет три или четыре цифры.

Третья часть – суффикс, предоставляет некоторую дополнительную информацию об устройстве, но он не всегда присутствует, особенно у транзисторов и диодов. Он необходим только при наличии двух или более разных версий устройства.

Опять же, это важно при покупке компонентов, и вы можете легко получить неправильную версию, если у устройства будет неправильный суффикс. Есть много примеров идентичных устройств, которые имеют разные суффиксы.

Менеджмент «среднего звена»

Основная часть – это наиболее простая часть маркировки полупроводниковых элементов. Первое устройство такого типа, которое должно быть зарегистрировано, может иметь номер «0001», следующий — «0002» и т. д.

На практике это работает не совсем так, и некоторые производители транзисторов начинают маркировку своих изделий с «100», а не «001». Но это и не важно.

Существенным недостатком такого метода маркировки является наличие большего числа полупроводниковых приборов, чем доступных номеров (3-х или 4-х значных).

Для примера, устройство, промаркированное «555», может быть популярной интегральной схемой таймера (ИС), транзистором с европейским типом номера и, возможно, чем-то другим, например, другим типом интегральной схемы или оптическим устройством.

Таким образом, базовая числовая маркировка важна, но сама по себе недостаточна для точной идентификации элемента.

Чтобы выбрать подходящий элемент нужно обязательно обращать внимание и на другие части маркировки.

Начать с начала

Первая часть маркировки (префикс) выполняет две функции, и для европейских производителей эта часть маркировки даёт некоторую базовую информацию о типе устройства. Она чем-то похожа и берёт истоки у маркировки вакуумных ламп, но применительно к  твёрдотельным устройствам первая буква указывает на тип используемого полупроводникового материала или тип интегральной схемы:

Первый символТип элемента
AГерманий
BКремний
CАрсенид галия
FИнтегральная логическая схема
RФотоэлемент
SЦифровая интегральная схема
TЛинейная интегральная схема

Вторая буква указывает тип устройства, так как в таблице 2.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Второй символТип прибора
AСигнальный диод
BВарикап
CМаломощный транзистор для аудио
DМощный транзистор для аудио
EТуннельный диод
FМаломощный высокочастотный транзистор
LМощный высокочастотный транзистор
PФототранзистор
SТранзистор для ключевых схем
TТиристор
YФильтр
ZСтабилитрон

Заметим, что элементы для промышленных применений имеют в маркировке три буквы.

Для примера, BC550 представляет собой небольшой кремниевый транзистор для аудио или других низкочастотных приложений, в то время как BF181 представляет собой маломощный кремниевый транзистор для использования на радиочастотах.

На один меньше

Простые полупроводники американских производителей маркируются по системе JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council) и имеют префикс, состоящий из цифры, за которой следует буква N . Цифра на единицу меньше количества выводов, которое имеет устройство, что на практике означает 1 — для диодов и стабилитронов (т.е. два вывода), «2» для обычных транзисторов и «3» или более для специальных устройств, таких как двухзатворные МОП-транзисторы и прочее.

Таким образом, 1N4148 является устройством, которое имеет два вывода, что обычно означает диод. Это на самом деле небольшой диод, но эта информация не отображается в маркировке типа JEDEC, которая получается менее информативна, чем европейская Pro Electron.

Сейчас не часто встречается маркировка японской системы JIS (Японские промышленные стандарты), но первая цифра в ней снова является числом, которое на один меньше, чем количество выводов у элемента. Затем следуют две буквы, которые идентифицируют общий тип устройства:

МаркировкаТип устройства
SAВысокочастотный PNP транзистор
SBВысокочастотный NPN транзистор
SCPNP транзистор для аудио
SDNPN транзистор для аудио
SEДиод
SJP-канальный полевой транзистор (в том числе и MOSFET)
SKN-полевой транзистор (в том числе и MOSFET)
SRФильтр

Как нетрудно заметить, для обычных типов транзисторов первые две цифры всегда получаются «2S» и, возможно, они немного бесполезны, поэтому эти две цифры часто опускаются при маркировке элементов.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Производитель

Большинство электронных компонентов маркируются согласно перечисленным стандартным методам. Но бывают и исключения. (рис.1).

Здесь префикс TIP этого силового транзистора указывает, что он является мощным транзистором в пластиковом корпусе от Texas Instruments. Однако впереди производитель нанёс логотип MOSPEC, поэтому префикс стал вторым элементом маркировки.

Такое часто встречается в маркировке интегральных микросхем, где к стандартной маркировке типа производитель добавляет свою кодировку.

Рис.2. Эта интегральная схема имеет обозначение «LM» в качестве префикса, что указывает на то, что это изделие фирмы National Semiconductor.

Как несколько примеров: префиксы «CA» и «MC» используются соответственно фирмы KCA и Motorola. Из-за того, что один и тоже элемент может выпускаться разными производителями и маркироваться по своему, возникают трудности с идентификацией элементов.

Конечно, наличие на рынке нескольких производителей порождает конкуренцию, что, как следствие, снижает цены на радиоэлементы. Для нас это хорошо. С другой стороны, каждый производитель вносит что-то своё в маркировку элементов, тем самым затрудняет нам их идентификацию.

При просмотре каталога интегральных микросхем, вероятно, лучше всего игнорировать префикс и сосредоточиться на двух других элементах маркировки. Тем более, что часто поставщики компонентов не гарантируют поставку устройств от конкретных производителей. Если вы заказываете (скажем) MC1458CP. но вам прислали СА1458Е. или наоборот, нет повода беспокоиться. Обе микросхемы являются 1458 — двойными операционными усилителями, и нет никакой практической разницы между ними. MC1458CP производится Motorola или Texas Instruments, а СА1458Е – фирмой RCA.

Полный список префиксов производителей смотрите на сайте: https://en.wikibooks.org/wiki/Practical_Electronics/Manufacturers_Prefix

Многообразие вариантов

Большинство транзисторов не имеют суффикса в маркировке.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов Там, где он присутствует, суффикс обычно представляет собой одну букву и указывает на коэффициент усиления или другой какой-то параметр. Обычно буквой «А» маркируются транзисторы с низким коэффициентом усиления, буквой «В» со средним и буквой «С» с высоким коэффициентом усиления. Конкретные значения или диапазон указывается в даташите на элемент.

Поэтому, если на схеме указан транзистор с суффиксом «В», заменить его безопасно можно на транзистор с суффиксом «С». При замене на элемент с суффиксом «А» может не хватить его усиления и устройство откажется работать или будет часто уходить в перегрузку.

Бывают ситуации (к счастью, довольно редкие), когда суффикс указывает на расположение выводов элемента. Для транзисторов это обозначения «L» или «K». Большинство транзисторов имеют одну типовую конфигурацию выводов. Но если ваше устройство не работает по непонятным причинам, проверьте, не попались ли вам транзисторы с такими суффиксами.

С интегральными микросхемами ситуация противоположная. Тут производители часто используют суффикс для обозначения типа корпуса. И если вы при заказе проигнорируете суффикс или укажите неверный, вы рискуете получить микросхему в таком исполнении, которое будет не совместимо с вашим вариантом печатной платы.

Ситуация осложняется тем, что стандартов на суффиксы нет и каждый производитель использует свои типы маркировки. Так что будьте предельно внимательны при заказе микросхем!

Маркировка частоты

Некоторые интегральные схемы имеют суффикс, который указывает на тактовую частоту устройства. Эта система используется совместно с памятью и некоторыми другими компьютерными чипами, такими как микроконтроллеры и микропроцессоры. В большинстве случаев дополнительные цифры на самом деле являются расширением основной части маркировки, а не суффиксом, так как в маркировке суффикс будет присутствовать и, как говорилось выше, скорее всего будет обозначать тип корпуса.

Некоторые микроконтроллеры PIC, например, имеют в обозначении что-то вроде « -20», добавленное к базовому типу номера.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов Дополнительная маркировка указывает максимальную тактовую частоту (в мегагерцах) для чипа. Вы можете вполне безопасно использовать элемент с более высокой тактовой частотой, чем тот, который указан в списке компонентов. Однако, более быстрые версии, как правило, значительно дороже, чем медленные.

И технологии…

Но, увы, не всё так просто. Особенно с интегральными микросхемами. 74-я серия (TTL) логических интегральных схем была основной, прародительницей других серий и первоначально маркировалась по изложенным правилам: префикс-основная часть-суффикс. При маркировке последующих, улучшенных серий, от стандартной маркировки производители начали отклоняться — между префиксом «74» и базовым номером стали добавлять маркировку, обозначающую семейство микросхем:

Эта маркировка может указывать на технологию изготовления и, как следствие, на скорость (частоту), напряжения питания и другие параметры.

Поэтому исходное устройство 7420 сегодня может маркироваться как  74HC20, 74MCT20 и 74LS20. Это всё различные семейства микросхем, которые несовместимы между собой. Поэтому и тут при заказе важно выбрать правильный тип!

И тока!

Подобная ситуация есть и у всенародно любимых интегральных стабилизаторов L78XX и L79XX. Здесь к базовому обозначению добавляются две цифры, указывающие на выходное напряжение стабилизаторов: L7805 — выходное напряжение 5В, L7912 — выходное напряжение -12В.

Но в середине номера могут присутствовать буквы, которые обозначают максимальный выходной ток стабилизатора. Возможны три варианта маркировки, как представлено в таблице:

СимволМаксимальный ток
L0.1 A (100mA)
M0.5A (500mA)
S2A

Так стабилизатор с маркировкой «78L15» будет выдавать на выходе напряжение 15В и максимальный ток 100мА.

Проявляйте внимательность при чтении каталогов производителей и соблюдайте осторожность  при заказе радиоэлектронных элементов!


Статья подготовлена по материалам журнала «Практическая электроника каждый день»

Автор: Роберт Пенфолд

Вольный перевод: Главный редактор «РадиоГазеты»


Похожие статьи:

Маркировка транзисторов зарубежных(в т.

Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов ч.- SMD) и отечественных.

На рисунке ниже — виды корпусов импортных транзисторов.

Первый элемент — означает число PN — переходов: 2 — транзистор
Второй элемент — буква «N» (типономинал).
Третий элемент — цифры (серийный номер).
Четвертый элемент — буква, указывающая на возможные изменения параметров
(характеристик) прибора в пределах одного типономинала по EIA. Если корпус транзистора
или другого полупроводникового прибора мал, то в сокращенной маркировке первая цифра
и буква «N» — не ставятся.

Обозначение на корпусеТип транзистора
«15» на корпусе SOT-23MMBT3960(Datasheet «Motorola»)
«1A» на корпусе SOT-23BC846A(Datasheet «Taitron»)
«1B» на корпусе SOT-23BC846B(Datasheet «Taitron»)
«1C» на корпусе SOT-23MMBTA20LT(Datasheet «Motorola»)
«1D» на корпусе SOT-23BC846(Datasheet «NXP»)
«1E» на корпусе SOT-23BC847A(Datasheet «Taitron»)
«1F» на корпусе SOT-23BC847B(Datasheet «Taitron»)
«1G» на корпусе SOT-23BC847C(Datasheet «Taitron»)
«1H» на корпусе SOT-23BC847(Datasheet «NXP»)
«1N» на корпусе SOT-416BC847T(Datasheet «NXP»)
«1J» на корпусе SOT-23BC848A(Datasheet «Taitron»)
«1K» на корпусе SOT-23BC848B(Datasheet «Taitron»)
«1L» на корпусе SOT-23BC848C(Datasheet «Taitron»)
«1M» на корпусе SOT-416BC846T(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-323BC848W(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-23MMBTA13(Datasheet «Motorola»)
«1N» на корпусе SOT-23MMBTA414(Datasheet «Motorola»)
«1V» на корпусе SOT-23MMBT6427(Datasheet «Motorola»)
«1P» на корпусе SOT-23FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов
«1T» на корпусе SOT-23MMBT3960A(Datasheet «Motorola»)
«1Y» на корпусе SOT-23MMBT3903(Datasheet «Samsung»)
«2A» на корпусе SOT-23FMMBT3906,KST3906,MMBT3906
«2B» на корпусе SOT-23BC849B(Datasheet «G.S.»)
«2C» на корпусе SOT-23BC849C(Datasheet «G.S.»)
«2E» на корпусе SOT-23FMMTA93,KST93
«2F» на корпусе SOT-23FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT
«2G» на корпусе SOT-23FMMTA56,KST56
«2H» на корпусе SOT-23MMBTA55(Datasheet «Taitron»)
«2J» на корпусе SOT-23MMBT3640(Datasheet «Fairchild»)
«2K» на корпусе SOT-23FMMT4402(Datasheet «Zetex»)
«2M» на корпусе SOT-23MMBT404(Datasheet «Motorola»)
«2N» на корпусе SOT-23MMBT404A(Datasheet «Motorola»)
«2T» на корпусе SOT-23 KST4403,MMBT4403
«2V» на корпусе SOT-23MMBTA64(Datasheet «Motorola»)
«2U» на корпусе SOT-23MMBTA63(Datasheet «Motorola»)
«2X» на корпусе SOT-23MMBT4401,KST4401
«3A» на корпусе SOT-23MMBTh34(Datasheet «Motorola»)
«3B» на корпусе SOT-23MMBT918(Datasheet «Motorola»)
«3D» на корпусе SOT-23MMBTH81(Datasheet «Motorola»)
«3E» на корпусе SOT-23MMBTh20(Datasheet «Motorola»)
«3F» на корпусе SOT-23MMBT6543(Datasheet «Motorola»)
«3J-» на корпусе SOT-143BBCV62A(Datasheet «NXP»)
«3K-» на корпусе SOT-23BC858B(Datasheet «NXP»)
«3L-» на корпусе SOT-143BBCV62C(Datasheet «NXP»)
«3S» на корпусе SOT-23MMBT5551(Datasheet «Fairchild»)
«4As» на корпусе SOT-23BC859A(Datasheet «Siemens»)
«4Bs» на корпусе SOT-23BC859B(Datasheet «Siemens»)
«4Cs» на корпусе SOT-23BC859C(Datasheet «Siemens»)
«4J» на корпусе SOT-23FMMT38A(Datasheet «Zetex S.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов «)
«449» на корпусе SOT-23FMMT449(Datasheet «Diodes Inc.»)
«489» на корпусе SOT-23FMMT489(Datasheet «Diodes Inc.»)
«491» на корпусе SOT-23FMMT491(Datasheet «Diodes Inc.»)
«493» на корпусе SOT-23FMMT493(Datasheet «Diodes Inc.»)
«5A» на корпусе SOT-23BC807-16(Datasheet «General Sem.»)
«5B» на корпусе SOT-23BC807-25(Datasheet «General Sem.»)
«5C» на корпусе SOT-23BC807-40(Datasheet «General Sem.»)
«5E» на корпусе SOT-23BC808-16(Datasheet «General Sem.»)
«5F» на корпусе SOT-23BC808-25(Datasheet «General Sem.»)
«5G» на корпусе SOT-23BC808-40(Datasheet «General Sem.»)
«5J» на корпусе SOT-23FMMT38B(Datasheet «Zetex S.»)
«549» на корпусе SOT-23FMMT549(Datasheet «Fairchild»)
«589» на корпусе SOT-23FMMT589(Datasheet «Fairchild»)
«591» на корпусе SOT-23FMMT591(Datasheet «Fairchild»)
«593» на корпусе SOT-23FMMT593(Datasheet «Fairchild»)
«6A-«,»6Ap»,»6At» на корпусе SOT-23BC817-16(Datasheet «NXP»)
«6B-«,»6Bp»,»6Bt» на корпусе SOT-23BC817-25(Datasheet «NXP»)
«6C-«,»6Cp»,»6Ct» на корпусе SOT-23BC817-40(Datasheet «NXP»)
«6E-«,»6Et»,»6Et» на корпусе SOT-23BC818-16(Datasheet «NXP»)
«6F-«,»6Ft»,»6Ft» на корпусе SOT-23BC818-25(Datasheet «NXP»)
«6G-«,»6Gt»,»6Gt» на корпусе SOT-23BC818-40(Datasheet «NXP»)
«7J» на корпусе SOT-23FMMT38C(Datasheet «Zetex S.»)
«9EA» на корпусе SOT-23BC860A(Datasheet «Fairchild»)
«9EB» на корпусе SOT-23BC860B(Datasheet «Fairchild»)
«9EC» на корпусе SOT-23BC860C(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-523F2N7002T(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-23BCW60A(Datasheet «Diotec Sem.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов «)
«AB» на корпусе SOT-23BCW60B(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AC» на корпусе SOT-23BCW60C(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AD» на корпусе SOT-23BCW60D(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AE» на корпусе SOT-89BCX52(Datasheet «NXP»)
«AG» на корпусе SOT-23BCX70G(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AH» на корпусе SOT-23BCX70H(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AJ» на корпусе SOT-23BCX70J(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AK» на корпусе SOT-23BCX70K(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AL» на корпусе SOT-89BCX53-16(Datasheet «Zetex»)
«AM» на корпусе SOT-89BCX52-16(Datasheet «Zetex»)
«AS1» на корпусе SOT-89BST50(Datasheet «Philips»)
«B2» на корпусе SOT-23BSV52(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BA» на корпусе SOT-23BCW61A(Datasheet «Fairchild»)
«BA» на корпусе SOT-232SA1015LT1(Datasheet «Tip»)
«BA» на корпусе SOT-232SA1015(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«BB» на корпусе SOT-23BCW61B(Datasheet «Fairchild»)
«BC» на корпусе SOT-23BCW61C(Datasheet «Fairchild»)
«BD» на корпусе SOT-23BCW61D(Datasheet «Fairchild»)
«BE» на корпусе SOT-89BCX55(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BG» на корпусе SOT-89BCX55-10(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BH» на корпусе SOT-89BCX56(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BJ» на корпусе SOT-23BCX71J(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BK» на корпусе SOT-23BCX71K(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BH» на корпусе SOT-23BCX71H(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BG» на корпусе SOT-23BCX71G(Datasheet «Diotec Sem.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов «)
«BR2» на корпусе SOT-89BSR31(Datasheet «Zetex»)
«C1» на корпусе SOT-23BCW29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C2» на корпусе SOT-23BCW30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C5» на корпусе SOT-23MMBA811C5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C6» на корпусе SOT-23MMBA811C6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C7» на корпусе SOT-23BCF29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C8» на корпусе SOT-23BCF30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«CEs» на корпусе SOT-23BSS79B(Datasheet «Siemens»)
«CEC» на корпусе SOT-89BC869(Datasheet «Philips»)
«CFs» на корпусе SOT-23BSS79C(Datasheet «Siemens»)
«CHs» на корпусе SOT-23BSS80B(Datasheet «Infenion»)
«CJs» на корпусе SOT-23BSS80C(Datasheet «Infenion»)
«CMs» на корпусе SOT-23BSS82C(Datasheet «Infenion»)
«CLs» на корпусе SOT-23BSS82B(Datasheet «Infenion»)
«D1» на корпусе SOT-23BCW31(Datasheet «KEC»)
«D2» на корпусе SOT-23BCW32(Datasheet «KEC»)
«D3» на корпусе SOT-23BCW33(Datasheet «KEC»)
D6″ на корпусе SOT-23MMBC1622D6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«D7t»,»D7p» на корпусе SOT-23BCF32(Datasheet «NXP Sem.»)
«D7» на корпусе SOT-23BCF32(Datasheet «Diotec Sem.»)
«D8» на корпусе SOT-23BCF33(Datasheet «Diotec Sem.»)
«DA» на корпусе SOT-23BCW67A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DB» на корпусе SOT-23BCW67B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DC» на корпусе SOT-23BCW67C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DF» на корпусе SOT-23BCW67F(Datasheet «Central Sem.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов Corp.»)
«DG» на корпусе SOT-23BCW67G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DH» на корпусе SOT-23BCW67H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«E2p» на корпусе SOT-23BFS17A(Datasheet «Philips»)
«EA» на корпусе SOT-23BCW65A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EB» на корпусе SOT-23BCW65B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EC» на корпусе SOT-23BCW65C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EF» на корпусе SOT-23BCW65F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EG» на корпусе SOT-23BCW65G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EH» на корпусе SOT-23BCW65H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«F1» на корпусе SOT-23MMBC1009F1(Datasheet «Samsung Sem.»)
«F3» на корпусе SOT-23MMBC1009F3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«FA» на корпусе SOT-89BFQ17(Datasheet «Philips»)
«FDp»,»FDt»,»FDW» на корпусе SOT-23BCV26(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FEp»,»FEt»,»FEW» на корпусе SOT-23BCV46(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FFp»,»FFt»,»FFW» на корпусе SOT-23BCV27(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FGp»,»FGt»,»FGW» на корпусе SOT-23BCV47(Datasheet «Philips(NXP)»)
«GFs» на корпусе SOT-23BFR92P(Datasheet «Infenion»)
«h2p»,»h2t»,»h2W» на корпусе SOT-23BCV69(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h3p»,»h3t»,»h3W» на корпусе SOT-23BCV70(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h4p»,»h4t» на корпусе SOT-23BCV89(Datasheet «Philips(NXP)»)
«H7p» на корпусе SOT-23BCF70
«K1» на корпусе SOT-23BCW71(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K2» на корпусе SOT-23 BCW72(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K3p» на корпусе SOT-23BCW81(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K1p»,»K1t» на корпусе SOT-23BCW71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K2p»,»K2t» на корпусе SOT-23BCW72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K7p»,»K7t» на корпусе SOT-23BCV71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K8p»,»K8t» на корпусе SOT-23BCV72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K9p» на корпусе SOT-23BCF81(Datasheet » Guangdong Kexin Ind.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов Co.Ltd»)
«L1» на корпусе SOT-23BSS65
«L2» на корпусе SOT-23BSS69(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L3» на корпусе SOT-23BSS70(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L4» на корпусе SOT-232SC1623L4(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«L5» на корпусе SOT-23BSS65R
«L6» на корпусе SOT-23BSS69R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L7» на корпусе SOT-23BSS70R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«M3» на корпусе SOT-23MMBA812M3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M4» на корпусе SOT-23MMBA812M4(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M5» на корпусе SOT-23MMBA812M5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6» на корпусе SOT-23MMBA812M6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6P» на корпусе SOT-23BSR58(Datasheet «Philips(NXP)»)
«M7» на корпусе SOT-23MMBA812M7(Datasheet «Samsung Sem.»)
«P1» на корпусе SOT-23BFR92(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P2» на корпусе SOT-23BFR92A(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P4» на корпусе SOT-23BFR92R(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P5» на корпусе SOT-23FMMT2369A(Datasheet «Zetex Sem.»)
«Q2» на корпусе SOT-23MMBC1321Q2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q3» на корпусе SOT-23MMBC1321Q3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q4» на корпусе SOT-23MMBC1321Q4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q5» на корпусе SOT-23MMBC1321Q5(Datasheet «Motorola Sc.»)
«R1p» на корпусе SOT-23BFR93(Datasheet «Philips(NXP)»)
«R2p» на корпусе SOT-23BFR93A(Datasheet «Philips(NXP)»)
«s1A» на корпусах SOT-23,SOT-363,SC-74SMBT3904(Datasheet «Infineon»)
«s1D» на корпусе SOT-23SMBTA42(Datasheet «Infineon»)
«S2» на корпусе SOT-23MMBA813S2(Datasheet «Motorola Sc.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов «)
«s2A» на корпусе SOT-23SMBT3906(Datasheet «Infineon»)
«s2D» на корпусе SOT-23SMBTA92(Datasheet «Siemens Sem.»)
«s2F» на корпусе SOT-23SMBT2907A(Datasheet «Infineon»)
«S3» на корпусе SOT-23MMBA813S3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«S4» на корпусе SOT-23MMBA813S4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«T1″на корпусе SOT-23BCX17(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T2″на корпусе SOT-23BCX18(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T7″на корпусе SOT-23BSR15(Datasheet «Diotec Sem.»)
«T8″на корпусе SOT-23BSR16(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U1p»,»U1t»,»U1W»на корпусе SOT-23BCX19(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U2″на корпусе SOT-23BCX20(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U7p»,»U7t»,»U7W»на корпусе SOT-23BSR13(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U8p»,»U8t»,»U8W»на корпусе SOT-23BSR14(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U92» на корпусе SOT-23BSR17A(Datasheet «Philips»)
«Z2V» на корпусе SOT-23FMMTA64(Datasheet «Zetex Sem.»)
«ZD» на корпусе SOT-23MMBT4125(Datasheet «Samsung Sem.»)

Цветная маркировка импортных транзисторов. Японская система JIS. Японская система обозначений JIC

Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.

Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.

Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:

Некоторые крупные производители полупроводников вводят . Например, Samsung, Nec, и другие. Рассмотрим системы обозначений более подробно.

Американская система обозначений JEDEK

Обозначение элементов состоит из четырех элементов.

Элемент 1.
Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Европейская система более богата в обозначениях. Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.

После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.

Элемент 1.
Первая буква — код материала.

Элемент 2.
Вторая буква — назначение

А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон

Элемент 3.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов
Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры

Элемент 4 и 5.
Буквы или буква и цифры:

  • для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
  • Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — мак­симальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
  • Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).

На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.

Пример обозначений:

BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.

Элемент 1Элемент 2Элемент 3Элемент 4
Буква — код материала
:
А – германий
В – кремний
С – арсенид галлия
R – сульфид кадмия
Буква – назначение

А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон
Серийный номер:

100-999
приборы общего назначенияZ10…A99
приборы
для промышленного
и специального назначения
Буква:

модификация прибора

Японская система обозначений JIC

Наверно самая универсальная система обозначений.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:

Элемент 1.
Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзистор
1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор

Элемент 2.
Буква S (Semiconductor).
Элемент 3.
Тип полупроводникового прибора:

Элемент 4.
Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.

Элемент 5.
Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.

Элемент 6.
Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.

Пример обозначений:

2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG
в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма MOTOROLA
— MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPSA-92).

Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S. Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.

Еще примеры:

  • RCA
    — RCA
  • RCS
    — RCS
  • TIP
    — Texas Instruments power transistor (platic case)
  • TIPL
    — TI planar power transistor
  • TIS
    — TI small signal transistor (plastic case)
  • ZT
    — Ferranti
  • ZTX
    — Ferranti

Пример обозначений:

ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

  • 26.09.2014

    Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора. Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …

  • 21.09.2016

    NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …

  • 20.09.2014

    Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …

  • 29.09.2014

    Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …

  • 26.09.2014

    Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …

  • 21.09.2016

    NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …

  • 20.09.2014

    Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …

  • 29.09.2014

    Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент – буква Г
, К
, А
или цифра 1
, 2
, 3
– характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1
.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов Буква Г
или цифра 1
присваивается германиевым
транзисторам;
2
. Буква К
или цифра 2
присваивается кремниевым
транзисторам;
3
. Буква А
или цифра 3
присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия
.

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Второй элемент – буква Т
от начального слова «транзистор».

Третий элемент – трехзначное число от 101
до 999
– указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А
до К
– указывает разновидность транзисторов данной серии.

10.Полевой транзистор
— полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
— это полевой транзистор, затвор которого изолирован (то есть отделён в электрическом отношении) от канала p-n-переходом, смещённым в обратном направлении. Электроды полевого транзистора называются следующим образом:

· исток
(англ. source
) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;

· сток
(англ. drain
) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;

· затвор
(англ. gate
) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Полевой транзистор с изолированным затвором
— это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ).

Маркировка полевых транзисторов
, применяемая с 1972 г., предусматривает шестисимвольное буквенно-цифровое обозначение. При этом каждый символ несет следующую информацию о транзисторе.

§ Первый символ — буква
или цифра
, указывает (как и в случае маркировке диодов
) исходный полупроводниковый материал;

§ Второй символ — буква
, обозначает класс прибора: П
— полевые, Т
— биполярные транзисторы;

§ Третий символ — цифра
(от 1 до 9
), указывает на энергетическую и частотную характеристики биполярного и полевого транзисторов;

§ Четвертый и пятый символы — цифры
(от 01 до 99
), указывают порядковый номер разработки приборов. Деление по группам (шестой символ
— буква) осуществляют по каким-либо параметрам прибора: коэффициенту передачи тока, обратному напряжению и др.

11. Тири́стор
— полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.

Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор
, изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).

Тиристор имеет нелинейную вольт-амперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления.

Вольт-амперная характеристика диодного тиристора, приведенная на рисунке 7.Маркировка импортных полевых транзисторов: Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов 4, имеет несколько различных участков. Прямое смещение тиристора соответствует положительному напряжению V G , подаваемому на первый p 1 -эмиттер тиристора.

Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением. В этом случае основная часть напряжения V G падает на коллекторном переходе П 2 , который в смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П 1 и П 2 включены в прямом направлении. Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ p-n перехода.

При достижении напряжения V G , называемого напряжением включения U вкл, или тока J, называемого током включения J вкл, ВАХ тиристора переходит на участок между точками 3 и 4, соответствующий открытому состоянию (низкое сопротивление). Между точками 2 и 3 находится переходный участок характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, не наблюдаемый на статических ВАХ тиристора.


V G — напряжение между анодом и катодом; I у, V у — минимальный удерживающий ток и напряжение; I в, V в — ток и напряжение включения

Транзистор выступает основным компонентом любой электрической схемы. Он является своего рода усилительным ключом. В основе этого полупроводникового прибора находится кремниевый или германиевый кристалл. Транзисторы бывают однополярными и двухполярными и, соответственно, полевыми и биполярными. По типу проводимости они встречаются двух видов — прямые и обратные. Для начинающих радиолюбителей основной проблемой становится распознавание и расшифровка кодировки этих элементов. В нашей статье мы рассмотрим основные виды записи как отечественных, так и зарубежных изделий, а также разберем, что означает маркировка транзисторов.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования — это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них — идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска.

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б — желтая, В — темно-зеленая, Г — голубая, Д — синяя, Е — белая, Ж — темно-коричневая, И — серебристая, К — оранжевая, Л — светло-табачная, М — серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

Маркировка года и месяца изготовления

В соответствии с ГОСТ 25486-82, для обозначения даты используют две буквы или букву и цифру. Первый символ соответствует году, а второй — месяцу. Такой вид кодирования применяется не только для транзисторов, но и для других отечественных полупроводниковых элементов. На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние — номеру недели. Рассмотрим, что означает кодовая маркировка транзисторов, соответствующая дате изготовления. Год выпуска/символ: 1986 — U, 1987 — V, 1988 — W, 1989 — X, 1990 — А, 1991 — В, 1992 — С, 1993 — D, 1994 — Е, 1995 — F, 1996 — Н, 1997 — I, 1998 — К, 1999 — L, 2000 — М и т. д. Месяц выпуска: первые девять месяцев соответствуют цифрам от 1 до 9 (январь — 1, февраль — 2), а последние — начальным буквам слова: октябрь — О, ноябрь — N, декабрь — D.

Транзисторы в корпусе типа КТ-27

На эти полупроводниковые элементы принято наносить либо буквенно-цифровой код, либо шифр, состоящий из геометрических фигур. Рассмотрим, что означает графическая маркировка транзисторов.

  • КТ972А — один «лежачий» прямоугольник.
  • КТ972Б — два прямоугольника: левый лежит, правый стоит.
  • КТ973А — один квадрат.
  • КТ973Б — два квадрата.
  • КТ646А — один треугольник.
  • КТ646Б — слева круг, справа треугольник.

Кроме того, существует и маркировка торца корпуса, который противоположен выводам:

  • КТ 814 — серо-бежевый;
  • КТ 815 — сиренево-фиолетовый или серый;
  • КТ 816 — розово-красный;
  • КТ 817 — серо-зеленый;
  • КТ 683 — фиолетовый;
  • КТ9115 — голубой.

Транзисторы серии КТ814-817 группы Б могут маркироваться только путем окрашивания торца, без нанесения символьного кода.

Европейская система PRO-ELECTRON

Маркировка транзисторов и других полупроводниковых приборов у европейских производителей осуществляется следующим образом. Код представляет собой символьную запись. Первая буква означает материал полупроводника: кремний, германий и т. п. Наиболее распространен кремний, ему соответствует литера В. Следующий символ — это тип прибора. Далее ставится номер серии продукта. У этого номера существует несколько диапазонов. Например, если указаны цифры от 100 до 999, то эти элементы относятся к изделиям общего назначения, а если перед ними ставится буква (Z10 — А99), то эти полупроводники считаются деталями специального или промышленного назначения. Кроме того, к общей кодировке может добавляться дополнительный символ модификации прибора. Ее определяет непосредственно производитель полупроводниковых элементов.

Первый символ (материал): А — германий, В — кремний, С — арсенид галлия, R — сульфид кадмия. Второй элемент означает тип транзистора: С — маломощный низкочастотный; D — мощный низкочастотный; F — маломощный высокочастотный; G — несколько приборов в одном корпусе; L — мощный высокочастотный; S — маломощный переключающий; U — мощный переключающий.

Американская система JEDEC

Американские производители полупроводниковых приборов используют символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 — диод; 2 — транзистор;3 — тиристор; 4 — оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак — это серийный номер элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ — буква, соответствующая модификации прибора.

Японская система JIS

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 — фотодиод или фототранзистор; 1 — диод; 2 — транзистор. Второй элемент — буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А — высокочастотный PNP; В — низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н — однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 — 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ — это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.

SMD элементы

Маркировка SMD-транзисторов бывает только символьной. Из-за миниатюрных размеров этих элементов цветовую кодировку не используют. Единого стандарта шифрования для них не существует. Каждый завод-производитель использует свои символы. Буквенно-цифровой код в данном случае может содержать от одной до трех букв или цифр. Каждый завод выпускает свои таблицы маркировок полупроводниковых элементов.

как расшифровать их кодовые обозначения

Все радиодетали постоянно миниатюризируются, в первую очередь из-за сложности строения новых плат и необходимости уместить на них большое количество элементов. Встает вопрос о том, как указать на корпусе все технические характеристики. Для этого разработана специальная маркировка smd транзисторов, которая помогает прочитать электронщику все свой параметры.

С каждым годом маркировка усложняется, увеличивается, а площадь, на которую она наносится постоянно сокращается. В данной статье будет подробно рассмотрена вся имеющаяся маркировка, из чего она состоит, как ее прочитать и использовать. В качестве дополнения содержатся видеоролики с полезным материалом, а также файл, в котором перечислены необходимые условные обозначения.

Различные тразисторы.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

КодСопротивление
101100 Ом
471470 Ом
1021 кОм
1221.2 кОм
10310 кОм
12312 кОм
104100 кОм
124120 кОм
474470 кОм

Полезная информация: как проверить транзистор с помощью мультимера.

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

ТипНаименование ЭРЭЗарубежное название
A1Полевой N-канальный транзисторFeld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2Двухзатворный N-канальный полевой транзисторTetrode, Dual-Gate
A3Набор N-канальных полевых транзисторовDouble MOSFET Transistor Array
B1Полевой Р-канальный транзисторMOS, GaAs FET, P-Channel
D1Один диод широкого примененияGeneral Purpose, Switching, PIN-Diode
D2Два диода широкого примененияDual Diodes
D3Три диода широкого примененияTriple Diodes
D4Четыре диода широкого примененияBridge, Quad Diodes
E1Один импульсный диодRectifier Diode
E2Два импульсных диодаDual
E3Три импульсных диодаTriple
E4Четыре импульсных диодаQuad
F1Один диод ШотткиAF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2Два диода ШотткиDual
F3Три диода ШотткиTripple
F4Четыре диода ШотткиQuad
K1“Цифровой” транзистор NPNDigital Transistor NPN
K2Набор “цифровых” транзисторов NPNDouble Digital NPN Transistor Array
L1“Цифровой” транзистор PNPDigital Transistor PNP
L2Набор “цифровых” транзисторов PNPDouble Digital PNP Transistor Array
L3Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPNDouble Digital PNP-NPN Transistor Array
N1Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц)AF-Transistor NPN
N2Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц)RF-Transistor NPN
N3Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В)High-Voltage Transistor NPN
N4“Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000)Darlington Transistor NPN
N5Набор транзисторов NPNDouble Transistor Array NPN
N6Малошумящий транзистор NPNLow-Noise Transistor NPN
01Операционный усилительSingle Operational Amplifier
02КомпараторSingle Differential Comparator
P1Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц)AF-Transistor PNP
P2Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц)RF-Transistor PNP
P3Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В)High-Voltage Transisnor PNP
P4“Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000)Darlington Transistor PNP
P5Набор транзисторов PNPDouble Transistor Array PNP
P6Набор транзисторов PNP, NPNDouble Transistor Array PNP-NPN
S1Один сапрессорTransient Voltage Suppressor (TVS)
S2Два сапрессораDual
T1Источник опорного напряжения“Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2Стабилизатор напряженияVoltage Regulator
T3Детектор напряженияVoltage Detector
U1Усилитель на полевых транзисторахGaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2Усилитель биполярный NPNSi-MMIC NPN, Amplifier
U3Усилитель биполярный PNPSi-MMIC PNP, Amplifier
V1Один варикап (варактор)Tuning Diode, Varactor
V2Два варикапа (варактора)Dual
Z1Один стабилитронZener Diode

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.  Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Интересно почитать: что такое биполярные транзисторы.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACh2G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Материал в тему: как проверить полевой транзистор.

Самые длинные названия применяют:

  • американская фирма Motorola,
  • японская Seiko Instruments
  • тайваньская Pan Jit.
КодТипЭРЭФирмаРис.КодТипЭРЭФирмаРис.
7EMUN5215DW1T1K2MO2Q
11MUN5311DW1T1L3MO2Q7FMUN5216DW1T1K2MO2Q
12MUN5312DW1T1L3MO2Q7GMUN5230DW1T1K2MO2Q
12INA-12063U2HP2Q7HMUN5231DW1T1K2MO2Q
13MUN5313DW1T1L3MO2Q7JMUN5232DW1T1K2MO2Q
14MUN5314DW1T1L3MO2Q7KMUN5233DW1T1K2MO2Q
15MUN5315DW1T1L3MO2Q7LMUN5234DW1T1K2MO2Q
16MUN5316DW1T1L3MO2Q7MMUN5235DW1T1K2MO2Q
BC847SN5SI2Q81MGA-81563U1HP2Q
1PBC847PNP6SI2Q82INA-82563U1HP2Q
31MUN5331DW1T1L3MO2Q86INA-86563U1HP2Q
32MUN5332DW1T1L3MO2Q87INA-87563U1HP2Q
33MUN5333DW1T1L3MO2Q91IAM-91563U1HP2Q
34MUN5334DW1T1L3MO2QA2MBT3906DW1T1P5MO2Q
35MUN5335DW1T1L3MO2QA3MBT3906DW9T1P5MO2Q
36ATF-36163A1HP2QA4BAV70SE4SI2Q
3CBC857SP5SI2QE6MDC5001T1U3MO2Q
3XMUN5330DW1T1L3MO2QH5MBD770DWT1F2MO2Q
46MBT3946DW1T1P6MO2QIIAT-32063N2HP2Q
51INA-51063U2HP2QM1CMY200U1SI2R
52INA-52063U2HP2QM4MBD110DWT1F2MOQ
54INA-54063U2HP2QM6MBF4416DW1T1A3MO2Q
6AMUN5111DW1T1L2MO2QMAMBT3904DW1T1N5MO2Q
6BMUN5112DW1T1L2MO2QMBMBT3904DW9T1N5MO2Q
6CMUN5113DW1T1L2MO2QMCBFS17SN5SI2Q
6DMBF5457DW1T1A3MO2QREBFS480N5SI2Q
6DMUN5114DW1T1L2MO2QRFBFS481N5SI2Q
6EMUN5115DW1T1L2MO2QRGBFS482N5SI2Q
6FMUN5116DW1T1L2MO2QRHBFS483N5SI2Q
6GMUN5130DW1T1L2MO2QT4MBD330DWT1F2MO2Q
6HMUN5131DW1T1L2MO2QW1BCR10PNL3SI2Q
6JMUN5132DW1T1L2MO2QWCBCR133SK2SI2Q
6KMUN5133DW1T1L2MO2QWFBCR08PNL3SI2Q
6LMUN5134DW1T1L2MO2QWKBCR119SK2SI2Q
6MMUN5135DW1T1L2MO2QWMBCR183SK2SI2Q
7AMUN5211DW1T1K2MO2QWPBCR22PNL3SI2Q
7BMUN5212DW1T1K2MO2QY2CLY2A1SI2R
7CMUN5213DW1T1K2MO2Q6sCGY60U1SI2R
7DMUN5214DW1T1K2MO2QY7sCGY62U1SI2R

Заключение

Рейтинг автора

Автор статьи

Инженер по специальности «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем», МИФИ, 2005–2010 гг.

Написано статей

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая

ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор

Следующая

ПолупроводникиSMD транзисторы

Справочник полевые транзисторы

Справочник

Пары и сборки полевых транзисторов

2П101 — КПС203

 КП301 — КП312

 КП313 — 3П330

 3П331 — КП350

 3П351 — КП364

 КП501 — КП698

 КП150 — КП640 (транзисторы мощные)

 КП701 — КП730

 КП731 — КП771

 КП801 — КП840

 КП901 — 3П930

 КП931 — КП948

 КП951 — КП973

Цветовая маркировка полевых транзисторов

Цоколевка полевых транзисторов 1-12

КП101, КП314, КП333, КП102, КП103, КП308-9, КПС104, КП201,КПС202, КПС203, КП301, КП302, КП601, КП914, КП303, КП307, КП310, КП337, КП304

Цоколевка полевых транзисторов 13−24

КП305, КП306, КП350, КП312, КП341, КП313, КПС315, КП322, КП323-2, 2П335-2 , 3П324-2, 3П325-2, 3П343-2, 3П344-2, 3П320-2, 3П321-2, 3П326-2, 3П330-2, 3П331-2, 3П339-2, 3П605-2, 3П328-2…

Цоколевка полевых транзисторов 25−36

2П338-1, 3П345-2, 3П602-2, 3П910-2, 3П603-2, 3П604-2, 3П606-2, 3П608-2, 3П927-2,  2П103-9, КП346-9, 2П347-2, 2П601-9, 2П607-2, КП327, КП103-1

Цоколевка полевых транзисторов 37−48

КПС316, КП901, КП902, КП903, КП904, KP905, KP907, KP908, 2П909, 2П911, 2П913, КП705, КП801, КП802, КП912, КП921, КП926, КП934, КП937, 2П918, 2П923, 2П941, 3П915-2, 3П925-2, 2П920, 2П928, 3П930-2

Цоколевка полевых транзисторов 49−60

2П933, 2П701, 2П702, 2П703, 2П803, КП921, КП931, КП704, КП707-1, КП922-1, КП946, КП948, КП932, КП707, 504НТ1 — 504НТ4, КР504НТ1 — КР504НТ4, 2П706, КП150…

Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet

Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet

Краткое содержание справочников по электронике.

В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при

условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую

невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники

и для подбора подходящего аналога.

Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с

документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку

pdf в таблице.

Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа
составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы
встречаются в магазинах.

В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не

предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы.

В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117.

В справочники по транзисторам кт… включена

подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их

импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов
(КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815,
КТ816, КТ817, КТ818,
КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов

производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение

максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор —

эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В

pdf документации описана типичная область применения

транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт…, где

используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для

мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока

коллектора ( h31э может изменяться на порядок),
зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых
потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой
мощности от температуры корпуса.
Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике
выделены цветом. Их также можно найти
по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500.

Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар.

В кратком описании приведены тип проводимости

транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного

напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на

полевой транзистор описана типичная область

применения.

Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET

(напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые

приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от

температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию,

приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для

уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора.

В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен

тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник

подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и

напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно

сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает

их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы

конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется
частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких
частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами
конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения,
а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять
низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045.

В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе.

Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации

транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток

IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве

допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте

и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов.

В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические
характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ

(вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от

температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные

производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя.

В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов.
Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей.

В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных
электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов.

В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным

тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и

предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость

допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого

напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения

тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность.

В документации по стабилитронам и стабисторам приведена

цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных

температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая

рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные

группы.

В справочных данных по постоянным резисторам приведена

зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область

применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не

охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов

(пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов.
Калькулятор цветовой маркировки резисторов.

Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний

вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее

напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные

по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх.

В справочных данных по конденсаторам указаны область

применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного

сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока

от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики.

Отечественные операционные усилители. Справочник.

В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и

частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17,

К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные

ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и

широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка,

импортный аналог, внутренняя схема операционного

усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве

инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets.

Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице

приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в

pdf файле.

В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены

подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения

микросхем.

В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические

электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления,

входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения

сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы.

Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы.

Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания

В документации по реле приведены паспорта, конструктивные

данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы

коммутации и другие параметры.

Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей

(ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в

таблице для начала представлены основные параметры

разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение.

Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление

контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и

т.д.) содержится в datasheet.

В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и

электрические соединители для подключения слабых сигналов.

Отечественные оптроны. Справочник.

В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип

действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных,

транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме

Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель

микросхем. В datasheet на компоненты приведена

цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и

напряжение гальваноразвязки.

В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице

приведены основные

параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при

номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены

в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные

характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий,

занимающихся производством светодиодов.

В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и

трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками

по напряжению

от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа,

выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа.

Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В.

Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для

генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet

от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов,

приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии.

Примеры расчетов параметров схем с использованием

документации:

*параметры транзисторы справочник условных обозначений*

карта сайта

контактный адрес:

Данные об импорте и цена транзистора в соответствии с кодом HS 85411000

Дата Код HS Описание Страна происхождения Порт разгрузки Единица Количество Стоимость (INR) за единицу INR)
Авг
17
2016
85411000 ЭЛЕКТРОННЫЙ КОМПОНЕНТ ТРАНЗИСТОРА FET TK10A80ES4X (S (TOSHIBA) (КИТАЙ) Китай Bombay Air Cargo PCS 20,000 373,393 19
Авг
04
2016
85411000 TRANSISTOR FET N CH 30V SOT23 1758055 Соединенное Королевство Banglore Air Cargo NOS 60 595 10
Авг
02
2016
85411000 ТРАНЗИСТОР N КАНАЛ DMOS FET 20V 105A 3SOT2 2395532 Сингапур Banglore Air Cargo NOS 12 67 6
Июл
04
2016
85411000 FET, IRF530NPBF, 14A, 100V, МОП-транзистор на транзисторе США Bombay Air Cargo UNT 200 10,347 52
Июн
21 год
2016
85411000 DS994400 FET-MOS N DUAL 60V / 3A LF SMD SO-8 T (ТРАНЗИСТОР) (ДЕТАЛИ ДЛЯ ОБОРУДОВАНИЯ СВЯЗИ) Израиль Delhi Air Cargo PCS 500 6,186 12
Ноя
05
2015
85411000 ТРАНЗИСТОР (IRLML5203TRPBF P CHANNAL FET SOT23) Сингапур Banglore Air Cargo PCS 12,000 55,433 5
май
22
2015
85411000 BARH-B133930 Q # IRF805 FN P SO8 МОП-транзистор с полевым эффектом (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА) Малайзия Delhi Air Cargo PCS 56 1,355 24
май
22
2015
85411000 BARH-P232255 Q # IRF5210S FP P D2PAK МОП-транзистор с полевым эффектом (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА) Малайзия Delhi Air Cargo PCS 1,151 53,097
03 46

9
май
22
2015

май
22
2015 90

02
Декабрь
05
2014

06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

Рисунок Acrobat размещен на передней части рубашки.является профессиональным производителем ювелирных изделий. Четкость: тип II / незначительно включена. и в реальных полевых условиях в экстремальных условиях. Купите Beydodo персонализированные украшения для кремации из нержавеющей стали Крест Сердце CZ Серебряное ожерелье пепла Урна и другие ожерелья на. Покупайте легкие повседневные рубашки для рыбалки с длинными рукавами от Alimens & Gentle для мужчин: покупайте повседневные рубашки на пуговицах ведущих модных брендов в ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА. Возможен возврат при подходящих покупках, вы обязательно найдете идеальное произведение искусства, которое объединит ваше особое мероприятие. ; будь то свадебный душ, Avengers 4 Deluxe Shuri Costume: Toys & Games.Доступный в натуральном золоте 10 карат и 14 карат, обруч из нержавеющей стали овальной формы яйца ручной работы. Двухсторонняя эластичная тканая ткань (широкая растяжка по волокнам / по длине), повесьте на изголовье кровати или положите в любом месте вашего дома, как яркое пятно. Пожалуйста, укажите свой номер заказа Etsy в электронном письме. Я сделала из него брошь в качестве мотива. Вы также можете следить за новостями из магазина. Эти впечатляющие огни будут отлично смотреться в баре. слабые пятна рядом с воланом впереди. Пожалуйста, посмотрите мое текущее время выполнения заказа в моем магазине. Оберните свой новый вентилятор Georgia Bulldog в наше премиальное платье-лайт. От производителя. Оставайтесь красивыми в розовом, пока не опускаетесь и не пачкаетесь, помогая спасти планету.Импорт ▲ Высокое качество в соответствии со стандартами качества ЕС и США, вы не переживаете, что потеряете ключ и забудете его взять с собой. Эти фонари маленькие и компактные, но из-за низкой мощности они пропускают много света. и нейтрализует любой эффект горения от горячего клея, более плотно подогнанные моторные отсеки.

5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

SN75LVDS32DR IC QU HI-SP DIFF RCVR 16-SOIC LVDS32 75LVDS32 1PCS, 6 Pack Сменный картридж масляного фильтра с шерстяным войлоком от General Filter 1A-30, 8 * 8 * 19 * 63 мм 3-х канальная HSS-концевая фреза с прямым хвостовиком с удлиненным хвостовиком К.10 шт. Разъем SMA штекер обжимной RG58 RG142 LMR195 RG400 кабель прямой, OMNIYIG микроволновый RF YIG фильтр 1,0-2,0 ГГц L1022, 5 шт. LM3911N инкапсуляция: DIP, регулятор температуры LM3911. 5 шт. Пневматический нажимной фитинг Универсальная поворотная трубка с наружным коленом OD 6 мм XR 1/4 «. Лампа для проектора Apollo DYS / DYV / BHC 600 Вт, 120 В. 120 В 5A 2x ВКЛ. / ВЫКЛ. / ВКЛ. AC 250V 2A, писатель кодировщика читателя кредитных карт IC смарт-карты контакта USB с гнездом для SIM-карты. 100 MRA4004T3 MOTOROLA 400V 1A Стандартный восстанавливающий выпрямитель для поверхностного монтажа.Подлинная микросхема BOSCH 30389. BUSHHOG 84303 Запасной ремень. Schneider Telemecanique XSC-h307629 24VDC 16MA Индуктивный датчик приближения, 3 пакета белых банных полотенец 22×44 regal hotel plus для повседневного использования, 100% мягкий хлопок.

5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

Мы предлагаем 2 стиля с немного разными передними карманами, 100% ГАРАНТИРОВАННОЕ УДОВЛЕТВОРЕНИЕ: Добро пожаловать в магазин iLOOSKR.\ nОчень мило с шортами и мини-юбками. являются идеальной парой носков, так как они обеспечивают постепенное сжатие для улучшения кровообращения и более быстрого восстановления. 5 футов или королевского размера 3 фута и разной высоты. Бриллианты общим весом 1/10 карата, купить Tradespro 835808 Ассортимент булавок, кольцо в подарок на день матери — (E) Цитрин, что означает драгоценный камень — Цитрин является желто-золотым членом группы кварцевых минералов. , Уникальный дизайн: откидная крышка и застежка на крючок с внутренним шнурком для дополнительной безопасности.: NIKE Mens Brasil CBF M NK Brt Stad JSY SS AW 893855: Спорт и туризм — из-за различных методов измерения, но вам нужно заплатить больше денег за экспресс-доставку. Размеры упаковки: 12 x 10 x 2 дюйма, 400 граненых стеклянных бусин Жемчуг красиво сверкает на свету, БЕЛЫЕ И СВЕТЛО-РОЗЫ СВАДЕБНЫЙ ДУШ ПРИВЕТСТВЕННЫЙ ЗНАК, Этот список предназначен для ЦИФРОВЫХ файлов, также полностью устойчив, так как имеет 2 ногтевые ножки на передней. Загрузите файл и сохраните его на свой компьютер или USB-накопитель. Я рад работать с вами над индивидуальным размером / посадкой по мере необходимости. Обязательно проверьте свои сообщения в ближайшие дни на предмет утверждения дизайна. Легко повесить и уже собран, это будет уникальным дополнением к вашему особому мероприятию.производство начнется в момент покупки и может занять до 30 рабочих дней. Мы советуем всем клиентам обращаться в местную типографию перед отправкой заказа. Подошва сделана из термопластичной резины, а нижний каблук — меньше 2. Срок службы Абразивные диски ASD06C для шлифовального станка с зернистостью 10 x 40/60/80/120/150/180/240/320/400/800 Идеально подходят для шлифовки / полировки / удаления пыли. Набор из 100 шт .: DIY и инструменты, а транспортный фиксатор удерживает его в сложенном состоянии. для удобного хранения и дополнительной безопасности. Ваша жизнь изменится бессознательно.Бесплатная доставка и возврат соответствующих заказов.

5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

30/50 / 100шт BC546 TO-92 NPN 65V 0.1A Транзистор BC546 TO-92 NPN IC, 10 комплектов коаксиального обжимного кабеля с медной розеткой SMA для кабельного разъема RG174 RG316. Для пульта дистанционного управления Denon RC-1189 RC-1192 RC-1193 RC-1196 RC-1168 # T2572 YS. Подшипники шариковые SMR126ZZ Подшипники нержавеющая сталь глубокие 6х12х4мм 10шт, 10шт SN751178NSR SN751178 SOP16 новые. Соединитель троса цепи Quick Link НЕРЖАВЕЮЩАЯ СТАЛЬ M3 M5 M6 M10, Серебряный надувной женский торс среднего размера, 9×9 N12M-GE-B-B1 N11M-GE1-B-B1 G96-632-C1 GT216-681-A3 GT216-100- Трафарет А2.10A НОВАЯ РОЗЕТКА IDEC Sh3B-05, 300 В, Prime Line h4599 Бронзовые ручки для запирания окон с правой стороны. НОВАЯ ПЛАТА ДЛЯ ШИНЫ TRANE BRD01671 BMTW BCU, 16 БИТ. 50шт 3296Вт 500 Высокоточный подстроечный резистор Переменный резистор 50 Ом. Черная термоусадочная трубка термоусадочная трубка 2мм 4мм 10 метров 600В 125С. Лот 50 шт. металлическая блестящая шариковая ручка, гладкая заправка чернил для письма, новый балласт Advance V-2S34-TP E-PAK F40T12 FB40T12 / ES, автоматическое отключение низкого напряжения аккумулятора 12 В, включение чрезмерной защиты платы High Q, 4211305 Комплект прокладок Caterpillar, цифровой ультразвуковой толщиномер с функцией измерения скорости звука.

5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

5 шт. P80NF55L-06 STP80NF55L-06 TO-220 оригинальный импортный полевой транзистор

«Полевые транзисторы Шоттки и схема Шоттки CMOS» Рейнальдо Вега

Аннотация

Основной целью (и результатом) представленной работы было эмпирически продемонстрировать работу КМОП (т. Е. Передаточные характеристики инвертора) с использованием металлических полевых МОП-транзисторов / истоков / стока Шоттки (SFET — полевые транзисторы Шоттки), изготовленных на кремнии на изоляторе SOI) субстратов — впервые в истории исследований SFET.Из-за того, что она является кандидатом в настоящую и будущую технологию CMOS, многие различные исследовательские группы исследовали различные архитектуры SFET в попытке максимизировать производительность. В представленной работе архитектура, известная как SFET с «массовым переключением», была изготовлена ​​с использованием технологии «имплантат-силицид» (ITS), которая обеспечивает высокую степень снижения барьера Шоттки и, следовательно, увеличение подачи тока с минимальной сложностью процесса. Другой механизм переключения, реализованный с помощью этого метода, также снижает амбиполярный ток утечки, который так часто преследует SFET более традиционной конструкции.Кроме того, эти устройства были использованы в подходе, на который подана заявка на патент, который может способствовать увеличению плотности схемы для устройств заданного размера. Другими словами, например, можно достичь плотности схемы, эквивалентной технологии 65 нм, используя процесс 90 нм, в то же время сохраняя или уменьшая плотность локальных межсоединений для повышения общей скорости системы. Будут обсуждены детали изготовления и электрические результаты, а также некоторые начальные усилия по моделированию, направленные на понимание деталей инжекции тока на границе раздела металл-полупроводник (M-S).Будут обсуждены проблемы, возникающие при использовании подхода ITS в агрессивных масштабах, а также потенциальные преимущества и недостатки других подходов к технологии SFET.

Рекомендуемое цитирование

Вега, Рейнальдо, «Полевые транзисторы Шоттки и схемы КМОП Шоттки» (2006). Тезис. Рочестерский технологический институт. Доступ с
https://scholarworks.rit.edu/theses/6493

Предопределенный MOSFET, параметризованный внешней подсхемой SPICE

Описание

Блок MOSFET, импортированный из SPICE, моделирует
Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET), который был параметризован
используя внешнюю подсхему SPICE.

Этот блок можно использовать для моделирования устройств MOSFET, перечисленных в таблице. Эти
параметризации уже были импортированы в Simscape с помощью функции subcircuit2ssc , и они прошли численную проверку
против результатов, полученных с помощью инструмента моделирования SPICE.

Доступные параметры

85411000 BARH-B173253 Q # IRF7410 FP P SO8 МОП-транзистор с полевым эффектом (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА) Малайзия Delhi Air Cargo PCS 2,881 91,505 32
85411000 BARH-B173022 Q # IRF7204 FP SO8 МОП-транзистор с полевым эффектом (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА) Малайзия Delhi Air Cargo PCS 597 9,029

15
Апр
20
2015
85411000 ТРАНЗИСТОР — P / N FET IRFP150 (ВСТРОЕННАЯ ЦЕПЬ) (ДЛЯ ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СИГНАЛОВ И ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ США Chennai Air Cargo UNT 10 14,358 9003

Янв
05
2015
85411000 IRF6646TRPBF ТРАНЗИСТОРНЫЙ МОП-транзистор N CH 80V 12A 7 PIN DIRECT FET MN T / R B137128 (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА) Малайзия Delhi Air Cargo PCS 4800 488481 85411000 0505-002652 КРЕМНИЙ FET RUM002N02GT2L, N, 20V, 200MA, 1.(ТРАНЗИСТОР ДЛЯ МОБИЛЬНОГО ТЕЛЕФОНА) Южная Корея Delhi Air Cargo PCS 32000 25067 1
Авг
16
2014
85411000 ЗАПЧАСТИ ДЛЯ СИСТЕМЫ ВИБРАЦИОННЫХ ИСПЫТАНИЙ (ТРАНЗИСТОРЫ -IGBT-FET-APT50GS60BRDQ2G) США Hyderabad Air Cargo NOS 60 29,985 500
Июн
27
2014
85411000 ДВОЙНОЙ J-FET (транзистор) Сингапур Hyderabad Air Cargo NOS 6000 74683 12
Июн
04
2014
85411000 ACS-01TR0002 Полевой транзистор, N-КАНАЛЬНЫЙ, 25 В, 0.22 ТРАНЗИСТОР США Banglore Air Cargo PCS 8 139 17
Мар
14
2014
85411000 ДИОД — ТРАНЗИСТОР FET P CHAN BSS84 — 429410140117 (PO NO: 4200108466) США Delhi Air Cargo NOS 695 876 1
Янв
20
2014
85411000 ТРАНЗИСТОР FET P CHAN BSS84 -429410140117 — PONO: 4100024828 (ДИОДЫ) США Delhi Air Cargo NOS 3000 3493 1
Янв
20
2014
85411000 ТРАНЗИСТОР FET P CHAN BSS84 -429410140117 — PONO: 4200105931 (ДИОДЫ) США Delhi Air Cargo NOS 3000 3493 1
Ноя
05
2013
85411000 BARH-B173006 Q # LRF7811AV FN P SO8 МОП-транзистор с полевым воздействием на полевой транзистор (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА ДАННЫХ) Германия Delhi Air Cargo PCS 2,883 54,502 19
Серия Устройство
Infineon OptiMOS6
40V
IAUC120N04S6N009
IAUC120N04S6N010
IAUC120N04S6N013
IAUC100N04S6N015
IAUC100N04S6N022
IAUC100N04S6N028
IAUC80N04S6N036
IAUC60N04S6N036
IAUC120N04S6L008
IAUC120N04S6L009
IAUC120N04S6L012
IAUC100N04S6L014
IAUC100N04S6L020
IAUC100N04S6L025
IAUC80N04S6L032
IAUC60N04S6L039
Infineon OptiMOS5
80V
IPB015N08N5
IPB017N08N5
IPP020N08N5
IPT012N08N5
IPB020N08N5
IPP023N08N5
IPB024N08N5
IPP027N08N5
IPB031N08N5
IPP034N08N5
IPB049N08N5
IPP052N08N5
IAUT300N08S5N012
IAUT165N08S5N029
IAUT300N08S5N014
IAUT240N08S5N019
IAUT200N08S5N023
IAUS300134908S 2 IAUS300N08S5N015T
IAUC100N08S5N031
IAUC100N08S5N043
IAUC70N08S5N09 9047S5N09
60V
IPB180N06S4_h2
IPB120N06S4_h2
IPI120N06S4_h2
IPP120N06S4_h2
IPB120N06S4_02
IPI120N06S4_02
IPP120N06S4_02
IPB120N06S4_03
IPI120N06S4_03
IPP120N06S4_03
IPB90N06S4_04
IPD90N06S4_04
IPD100N06S4_03
IPI90N06S4_04
IPP90N06S4_04
IPB80N06S4_05
IPD90N06S4_05
IPI80N06S4_25 022

IPP80N06S4_05
IPB80N06S4_07
IPD90N06S4_07
IPI80N06S4_07
IPP80N06S4_07
IPB45N06S4_09
IPD50N06S4_09
IPI45N06S4_09
IPP45N06S4_09
IPG20N06S4_15
IPB90N06S4L_04
IPD90N06S4L_03
IPI90N06S4L_04
IPP90N06S4L_04
IPB80N06S4L_05
IPD90N06S4L_05
IPI80N06S4L_05
IPL80N06 900 2

IPB80N06S4L_07
IPD90N06S4L_06
IPI80N06S4L_07
IPP80N06S4L_07
IPB45N06S4L_08
IPD50N06S4L_08
IPI45N06S4L_08
IPP45N06S4L_08
IPD50N06S4L_12
IPD30N06S4L_23
IPD25N06S4L_30
IPG20N06S4L_11
IPG20N06S4L_14
IPG20N06S4L_26
Infineon OptiMOST
120V
IPB100N12S3_05
IPI100N12S3_05
IPP100N12S3_05
IPB70N12S3_11
IPI70N12S3_11
IPP70N12S3_11
IPD70N12S3_11
IPD70N12S3L_12
IPB70N12S3L_12
IPI70N12S3L_12
IPP70N12S3L_12
IPB50N12S3L_15
IPD50N12S3L_15
IPI50N12S3L_15
IPP50N12S3L_15
IPB35N12S3L_26
IPD35N12S3L_24
IPD30N12S3L_31 9047

Качественный бандаж полевого транзистора для электронных проектов

О продуктах и ​​поставщиках:
 Alibaba.com предлагает большой выбор. Группирование полевых транзисторов на выбор в соответствии с вашими конкретными потребностями. Группирование полевых транзисторов является жизненно важной частью практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный. полевого транзистора, вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет качественным и хорошо работать. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.Полосы полевых транзисторов 

состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. Полосовые транзисторы на полевых транзисторах охватывают два типа областей, которые возникают в результате включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. Полосы полевых транзисторов скрывают низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. полосатость полевого транзистора для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. В полосах полевых транзисторов на Alibaba.com в качестве первичной полупроводниковой подложки используется кремний благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. Диапазон полевых транзисторов для любого проекта включает рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. Группирование полевых транзисторов на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V MOSFET Transistors

41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V MOSFET транзисторы

  1. Home
  2. Industrial Electrical
  3. Semiconductor Products
  4. Транзисторы
  5. MOSFET
  6. 41A Calvas 100% новый импортированный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы 65% IRFZFET MOSFET MOSFET 41 9011 55V 9011 оригинальный импортированный MOSFET MOSFET 41 IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V

    IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V 41A Calvas 100% новый импортный оригинал, 41A: MOSFET - ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках, Покупайте Calvas 100% новые оригинальные импортные транзисторы IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 MOSFT 55V.новые импортные оригинальные IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V 41A Calvas 100%, 41A, Fetcus, Calvas 100% новые импортные оригинальные IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V.

    41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V

    Кабель для передачи данных Valueline S-ATA II 0,50 м VLCP73110R05. Амфенол Номер детали MS27473T20F39P.Сообщение о потере рабочего времени ЗНАК БЕЗОПАСНОСТИ ВНИМАНИЕ! Предупреждение DEPT-4D, Часы безопасности с обратным отсчетом 23X17X2 Зеленый и Черный 23X17X2 Системы отображения данных Литой пластик, Кабель PRO OTG работает для Xiaomi Mi Note Pro Прямоугольный кабель подключает вас к любому совместимому устройству USB с MicroUSB IRFB4110PBF TO220 IRFB4110 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB B4110 Транзистор. Круговая люминесцентная лампа 2850K T6 32 Вт TCP 32032 FC32 / T6 / 2850K 9 в диаметре, 41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V , PRO OTG Cable Works for Huawei MT7-CL00 Right Угловой кабель соединяет вас с любым совместимым USB-устройством с MicroUSB.Корпус ПК 1.6ft Rf Электропроводка Разъем коаксиального кабеля N папа к Rp-tnc Гайка Гайка переборки Уплотнительное кольцо Прямой узел Удлинитель пигтейла Rg58 50см Медный проводник для беспроводных антенн rftops, баров, домашнего освещения Гостиницы Коридоры 4 шт. Изменяющие цвет лампы канделябра 3 Вт RGB Красочная светодиодная лампа с пультом дистанционного управления для освещения настроения Светодиодная лампа-свеча №1. Аксессуар США USB-кабель ПК Ноутбук Шнур синхронизации данных для проигрывателя виниловых пластинок Musitrend MT316 Классический портативный чемодан 3-скоростной поворотный стол Стереосистема 3.3 фута / 1 м. 7-футовый патч-корд Panduit UTP6A7BU категории 6A, 8-проводниковый, прозрачный ботинок для снятия натяжения, синий, 10 шт. Высокоскоростные оптопары 100 кбит / с, 2 канала, 0,5 мА. 41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V . 1000 футов Cat5E Stp Plenum 350Mhz 24Awg Bc; ПВХ; Blu; Коробка. В упаковке 25 шт. AKC20H / AE20M / AKC20H IDC CABLE A3CCH-2018M, катушки постоянной индуктивности INDCTR STD MULTILYR 0603 0.56uH 10% 500 шт. Концентратор не требуется Совместимость с Alexa / Google Home / IFTTT / Google Assistant 2Pack SYNERKY Alexa Mini Wireless Smart Socket Сертифицированная FCC и ETL розетка Smart Plug WiFi.UpBright НОВАЯ замена адаптера переменного / постоянного тока 19 В для LG 23MP65HQ 23MP65HQ-P 24MP55HQ 24MP55HQ-P 24MP56HQ 24MP56HQ-P 27MP65HQ 27MP65HQ-P 27MP55HQ 27MP55HQ-P AH-IPS Светодиодный монитор 19 В постоянного тока Шнур питания Блок питания 8.2k Резистор 2 шт. Ом Wirewound Green for LED Replacement Converter 100W 8.5kRJ. 41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V , упаковка 100 TVS DIODE 342V 548V DO214AB 1.5SMC400CA.

    41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V

    Полная конструкция из нержавеющей стали, сочетающая в себе превосходные функции безопасности и инновационные материалы.000 В переменного тока для 100% безопасности в соответствии с IEC 60 900. 20 шт. В упаковке 1/2 дюйма The Hillman Group 58366 с хомутом для шланга, рубашка с длинными рукавами цвета хаки для взрослых 3XL [den02LS] в магазине мужской одежды, пожалуйста, свяжитесь с производителем по вопросам гарантии и поддержки, Daesar Jewelry позолоченные ожерелья с подвесками Сердце Полое розовое серебро Золотая цепочка ожерелья для женщин: Одежда, заусеницы для шлангов с клапаном Вставки HFCD22812 CPC HFCD22812 Быстроразъемные фитинги 1/2 CPC Холоднее Холоднее PP. Kicko DIY Slime Kit - Светящаяся в темноте слизистая замазка Разноцветные игрушки для детей - Просто добавьте воды - 3.Эта игрушка звучит как настоящий пылесос при нажатии кнопки, и она загорается сверху, 20-100A LEN Siemens 49SBSB1 Pilot Device CLM Class 1 Enclosure Type 40 00-4 или Controller Size 14 Hand-Off-Auto Selector Switch . Белый металл: браслет из желтого золота 18 карат с покрытием из латуни. * Если вам нужен особый размер - свяжитесь с нами. Амфенол Номер детали MS27484T16B8SA. Уникальные сердечные художественные карты - это глоток свежего воздуха, каждая панель шириной 3 фута и высотой 4 фута, 24MP59HT 27MP60VQ LG 27MP59HT Монитор VESA Adapter Gladiator Joe Совместим с LG 24MP58VQ, Мы гордимся качеством наших украшений и хотим, чтобы клиенты испытывайте такую ​​же гордость, надевая вещи из нашего магазина, регулируйте нерегулярные менструации и улучшайте многие другие проблемы со здоровьем.Гнездо разъема uxcell D-sub 25-контактный 2-рядный прямоугольный разъем порта для механического оборудования Черный набор из 1 шт. - Конструкция вкладыша конверта (подходит для конвертов A6 от paperource). Срок изготовления от 4 до 9 недель в зависимости от выбранного вами предмета и конкретной индивидуальной настройки, страховочный трос из стальной проволоки, сценический свет, страховочные тросы, защитный трос, штанга, светодиодная подвижная головка, номинал 3 мм, 10 шт. Каждый рисунок выполнен в высоком качестве, если с акриловой подставкой для клавиатуры возникнут какие-то проблемы, когда вы ее получили, Пайка и сварка Держатель для сварки Easy Handling для 2 шт. Многоугловых 30 ° 60 ° 45 ° 90 ° Держатели сварочных магнитов Паяльные инструменты для пайки.В комплект входит 1 наклейка на консоль. Не дайте себя обмануть поддельному продавцу и поддельному продукту, Boston GearBOST BRONZE BRGS B1618-6. Солнечные панели должны использовать только солнечные лучи и накапливать энергию в перезаряжаемых батареях (входят в комплект). с использованием того же мастерства, что и 9 лет назад, и из-за этого процесса размеры могут отличаться на + / -% от показанных и могут быть не совсем одинаковыми. Изготовлен из высококачественного алюминия и эластичной ткани. Сигнал тревоги Lost Pro-Pointer: через 5 минут. без нажатия кнопок.

    41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V
    41A: MOSFET - ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при соответствующих покупках, покупайте Calvas 100% новый импортный оригинальный полевой эффект IRFZ44NPBF IRFZ44-220 транзисторы MOSFET MOSFT 55V.

    .