Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов
Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности. И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.
Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.
Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:
Некоторые крупные производители полупроводников вводят свои системы обозначений. Например, Samsung, Nec, и другие. Рассмотрим системы обозначений более подробно.
Американская система обозначений JEDEK
Обозначение элементов состоит из четырех элементов.
Элемент 1. Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:
| 1 — диод |
| 2 — транзистор |
| 3 — тиристор |
Элемент 2. После цифры идет буква N (номинал?).
Элемент 3. Содержит серийный номер.
Элемент 4. Может содержать буквы или буквы и цифры. Этот элемент обозначает разные параметры для приборов одного типа.
Пример обозначений: 1N4148, 2N2906A, 2N7002LT1.
| Элемент 1 | Элемент 2 | Элемент 3 | Элемент 4 |
|---|---|---|---|
| Число P-N переходов: 1 — диод 2 — транзистор 3 — тиристор | Буква N | Серийный номер: 100-9999 | Буква: модификация прибора |
Европейская система обозначений PRO ELECTRON
Европейская система более богата в обозначениях.
Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.
После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.
Элемент 1. Первая буква — код материала.
| А — германий |
| В — кремний |
| С — арсенид галлия |
| R — сульфид кадмия |
Элемент 2. Вторая буква — назначение
| А — маломощный диод |
| В — варикап |
| С — маломощный низкочастотный транзистор |
| D — мощный низкочастотный транзистор |
| Е — туннельный диод |
| F — маломощный высокочастотный транзистор |
| G — несколько приборов в одном корпусе |
| Н — магнитодиод |
| L — мощный высокочастотный транзистор |
| М — датчик Холла |
| Р — фотодиод, фототранзистор |
| Q — светодиод |
| R — маломощный регулирующий или переключающий прибор |
| S — маломощный переключательный транзистор |
| Т — мощный регулирующий или переключающий прибор |
| U — мощный переключательный транзистор |
| Х — умножительный диод |
| Y — мощный выпрямительный диод |
| Z — стабилитрон |
Элемент 3. Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры
Элемент 4 и 5. Буквы или буква и цифры:
- для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
- Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
- Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.
Пример обозначений: BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.
| Элемент 1 | Элемент 2 | Элемент 3 | Элемент 4 |
|---|---|---|---|
| Буква — код материала: А – германий В – кремний С – арсенид галлия R – сульфид кадмия | Буква – назначение А — маломощный диод В — варикап С — маломощный низкочастотный транзистор D — мощный низкочастотный транзистор Е — туннельный диод F — маломощный высокочастотный транзистор G — несколько приборов в одном корпусе Н — магнитодиод L — мощный высокочастотный транзистор М — датчик Холла Р — фотодиод, фототранзистор Q — светодиод R — маломощный регулирующий или переключающий прибор S — маломощный переключательный транзистор Т — мощный регулирующий или переключающий прибор U — мощный переключательный транзистор Х — умножительный диод Y — мощный выпрямительный диод Z — стабилитрон | Серийный номер: 100-999 приборы общего назначенияZ10…A99 приборы для промышленного и специального назначения | Буква: модификация прибора |
Японская система обозначений JIC
Наверно самая универсальная система обозначений. Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:
Элемент 1. Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:
| 0 — фотодиод, фототранзистор |
| 1 — диод |
| 2 — транзистор |
| 3 — тиристор |
Элемент 2.
Буква S (Semiconductor).
Элемент 3. Тип полупроводникового прибора:
| А — высокочастотный p-n-p транзистор |
| В — низкочастотный p-n-p транзистор |
| С — высокочастотный n-p-n транзистор |
| D — низкочастотный n-p-n транзистор |
| Е — диод Есаки |
| F — тиристор |
| G — диод Ганна |
| Н — однопереходный транзистор |
| I — полевой транзистор с p-каналом |
| К — полевой транзистор с n-каналом |
| М — симметричный тиристор (симистор) |
| Q — светодиод |
| R — выпрямительный диод |
| S — слаботочный диод |
| Т — лавинный диод |
| V — варикап |
| Z — стабилитрон |
Элемент 4. Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.
Элемент 5. Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.
Элемент 6. Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.
Пример обозначений: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.
Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.
Другие системы обозначения полупроводниковых элементов
Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма MOTOROLA — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPS A-92).
Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S.
Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.
Еще примеры:
- RCA — RCA
- RCS — RCS
- TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
- TIPL — TI planar power transistor
- TIS — TI small signal transistor (plastic case)
- ZT — Ferranti
- ZTX — Ferranti
Пример обозначений: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.
Маркировка радиоэлементов (импортных, активных) « РадиоГазета – принципиальные схемы для меломанов и аудиофилов
Опубликовано: 18 сентября, 2017 • Рубрика: Разное
В последние годы производители полупроводников оптимизировали номенклатуру своих изделий, и количество предлагаемых устройств несколько сократилось. Однако, это трудно заметить при просмотре каталогов компонентов, где количество различных устройств только одного типа может составлять не менее нескольких сотен. Для крупного, профессионального поставщика в каталогах будет доступно несколько тысяч полупроводников.
Именно поэтому при подборе элементов даже опытным радиоинженерам следует проявлять осторожность, потому что легко ошибиться, когда имеется так много компонентов одного типа, многие из которых имеют схожую маркировку. Иначе вы рискуете купить неправильный прибор/компонент или правильный компонент, но неправильную его версию.
Анатомия маркировки
Ошибок не будет, если вы понимаете основную анатомию маркировки полупроводникового компонента. Конечно, всех проблем это не решит, но три составные части маркировки надо знать обязательно.
Обычно в маркировке есть префикс, который предоставляет некоторую базовую информацию об устройстве, но используемые методы кодирования очень просты и никогда не рассказывают вам о конкретном устройстве. Однако при покупке компонентов префикс может быть (и довольно часто) очень важен.
Вторая часть является основной (как бы серийный номер изделия) и имеет три или четыре цифры.
Третья часть – суффикс, предоставляет некоторую дополнительную информацию об устройстве, но он не всегда присутствует, особенно у транзисторов и диодов. Он необходим только при наличии двух или более разных версий устройства.
Опять же, это важно при покупке компонентов, и вы можете легко получить неправильную версию, если у устройства будет неправильный суффикс. Есть много примеров идентичных устройств, которые имеют разные суффиксы.
Менеджмент «среднего звена»
Основная часть – это наиболее простая часть маркировки полупроводниковых элементов. Первое устройство такого типа, которое должно быть зарегистрировано, может иметь номер «0001», следующий — «0002» и т. д.
На практике это работает не совсем так, и некоторые производители транзисторов начинают маркировку своих изделий с «100», а не «001». Но это и не важно.
Существенным недостатком такого метода маркировки является наличие большего числа полупроводниковых приборов, чем доступных номеров (3-х или 4-х значных).
Для примера, устройство, промаркированное «555», может быть популярной интегральной схемой таймера (ИС), транзистором с европейским типом номера и, возможно, чем-то другим, например, другим типом интегральной схемы или оптическим устройством.
Таким образом, базовая числовая маркировка важна, но сама по себе недостаточна для точной идентификации элемента.
Чтобы выбрать подходящий элемент нужно обязательно обращать внимание и на другие части маркировки.
Начать с начала
Первая часть маркировки (префикс) выполняет две функции, и для европейских производителей эта часть маркировки даёт некоторую базовую информацию о типе устройства. Она чем-то похожа и берёт истоки у маркировки вакуумных ламп, но применительно к твёрдотельным устройствам первая буква указывает на тип используемого полупроводникового материала или тип интегральной схемы:
| Первый символ | Тип элемента |
| A | Германий |
| B | Кремний |
| C | Арсенид галия |
| F | Интегральная логическая схема |
| R | Фотоэлемент |
| S | Цифровая интегральная схема |
| T | Линейная интегральная схема |
Вторая буква указывает тип устройства, так как в таблице 2.
| Второй символ | Тип прибора |
| A | Сигнальный диод |
| B | Варикап |
| C | Маломощный транзистор для аудио |
| D | Мощный транзистор для аудио |
| E | Туннельный диод |
| F | Маломощный высокочастотный транзистор |
| L | Мощный высокочастотный транзистор |
| P | Фототранзистор |
| S | Транзистор для ключевых схем |
| T | Тиристор |
| Y | Фильтр |
| Z | Стабилитрон |
Заметим, что элементы для промышленных применений имеют в маркировке три буквы.
Для примера, BC550 представляет собой небольшой кремниевый транзистор для аудио или других низкочастотных приложений, в то время как BF181 представляет собой маломощный кремниевый транзистор для использования на радиочастотах.
На один меньше
Простые полупроводники американских производителей маркируются по системе JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council) и имеют префикс, состоящий из цифры, за которой следует буква N . Цифра на единицу меньше количества выводов, которое имеет устройство, что на практике означает 1 — для диодов и стабилитронов (т.е. два вывода), «2» для обычных транзисторов и «3» или более для специальных устройств, таких как двухзатворные МОП-транзисторы и прочее.
Таким образом, 1N4148 является устройством, которое имеет два вывода, что обычно означает диод. Это на самом деле небольшой диод, но эта информация не отображается в маркировке типа JEDEC, которая получается менее информативна, чем европейская Pro Electron.
Сейчас не часто встречается маркировка японской системы JIS (Японские промышленные стандарты), но первая цифра в ней снова является числом, которое на один меньше, чем количество выводов у элемента. Затем следуют две буквы, которые идентифицируют общий тип устройства:
| Маркировка | Тип устройства |
| SA | Высокочастотный PNP транзистор |
| SB | Высокочастотный NPN транзистор |
| SC | PNP транзистор для аудио |
| SD | NPN транзистор для аудио |
| SE | Диод |
| SJ | P-канальный полевой транзистор (в том числе и MOSFET) |
| SK | N-полевой транзистор (в том числе и MOSFET) |
| SR | Фильтр |
Как нетрудно заметить, для обычных типов транзисторов первые две цифры всегда получаются «2S» и, возможно, они немного бесполезны, поэтому эти две цифры часто опускаются при маркировке элементов.
Производитель
Большинство электронных компонентов маркируются согласно перечисленным стандартным методам. Но бывают и исключения. (рис.1).
Здесь префикс TIP этого силового транзистора указывает, что он является мощным транзистором в пластиковом корпусе от Texas Instruments. Однако впереди производитель нанёс логотип MOSPEC, поэтому префикс стал вторым элементом маркировки.
Такое часто встречается в маркировке интегральных микросхем, где к стандартной маркировке типа производитель добавляет свою кодировку.
Рис.2. Эта интегральная схема имеет обозначение «LM» в качестве префикса, что указывает на то, что это изделие фирмы National Semiconductor.
Как несколько примеров: префиксы «CA» и «MC» используются соответственно фирмы KCA и Motorola. Из-за того, что один и тоже элемент может выпускаться разными производителями и маркироваться по своему, возникают трудности с идентификацией элементов.
Конечно, наличие на рынке нескольких производителей порождает конкуренцию, что, как следствие, снижает цены на радиоэлементы. Для нас это хорошо. С другой стороны, каждый производитель вносит что-то своё в маркировку элементов, тем самым затрудняет нам их идентификацию.
При просмотре каталога интегральных микросхем, вероятно, лучше всего игнорировать префикс и сосредоточиться на двух других элементах маркировки. Тем более, что часто поставщики компонентов не гарантируют поставку устройств от конкретных производителей. Если вы заказываете (скажем) MC1458CP. но вам прислали СА1458Е. или наоборот, нет повода беспокоиться. Обе микросхемы являются 1458 — двойными операционными усилителями, и нет никакой практической разницы между ними. MC1458CP производится Motorola или Texas Instruments, а СА1458Е – фирмой RCA.
Полный список префиксов производителей смотрите на сайте: https://en.wikibooks.org/wiki/Practical_Electronics/Manufacturers_Prefix
Многообразие вариантов
Большинство транзисторов не имеют суффикса в маркировке.
Там, где он присутствует, суффикс обычно представляет собой одну букву и указывает на коэффициент усиления или другой какой-то параметр. Обычно буквой «А» маркируются транзисторы с низким коэффициентом усиления, буквой «В» со средним и буквой «С» с высоким коэффициентом усиления. Конкретные значения или диапазон указывается в даташите на элемент.
Поэтому, если на схеме указан транзистор с суффиксом «В», заменить его безопасно можно на транзистор с суффиксом «С». При замене на элемент с суффиксом «А» может не хватить его усиления и устройство откажется работать или будет часто уходить в перегрузку.
Бывают ситуации (к счастью, довольно редкие), когда суффикс указывает на расположение выводов элемента. Для транзисторов это обозначения «L» или «K». Большинство транзисторов имеют одну типовую конфигурацию выводов. Но если ваше устройство не работает по непонятным причинам, проверьте, не попались ли вам транзисторы с такими суффиксами.
С интегральными микросхемами ситуация противоположная. Тут производители часто используют суффикс для обозначения типа корпуса. И если вы при заказе проигнорируете суффикс или укажите неверный, вы рискуете получить микросхему в таком исполнении, которое будет не совместимо с вашим вариантом печатной платы.
Ситуация осложняется тем, что стандартов на суффиксы нет и каждый производитель использует свои типы маркировки. Так что будьте предельно внимательны при заказе микросхем!
Маркировка частоты
Некоторые интегральные схемы имеют суффикс, который указывает на тактовую частоту устройства. Эта система используется совместно с памятью и некоторыми другими компьютерными чипами, такими как микроконтроллеры и микропроцессоры. В большинстве случаев дополнительные цифры на самом деле являются расширением основной части маркировки, а не суффиксом, так как в маркировке суффикс будет присутствовать и, как говорилось выше, скорее всего будет обозначать тип корпуса.
Некоторые микроконтроллеры PIC, например, имеют в обозначении что-то вроде « -20», добавленное к базовому типу номера.
Дополнительная маркировка указывает максимальную тактовую частоту (в мегагерцах) для чипа. Вы можете вполне безопасно использовать элемент с более высокой тактовой частотой, чем тот, который указан в списке компонентов. Однако, более быстрые версии, как правило, значительно дороже, чем медленные.
И технологии…
Но, увы, не всё так просто. Особенно с интегральными микросхемами. 74-я серия (TTL) логических интегральных схем была основной, прародительницей других серий и первоначально маркировалась по изложенным правилам: префикс-основная часть-суффикс. При маркировке последующих, улучшенных серий, от стандартной маркировки производители начали отклоняться — между префиксом «74» и базовым номером стали добавлять маркировку, обозначающую семейство микросхем:
Эта маркировка может указывать на технологию изготовления и, как следствие, на скорость (частоту), напряжения питания и другие параметры.
Поэтому исходное устройство 7420 сегодня может маркироваться как 74HC20, 74MCT20 и 74LS20. Это всё различные семейства микросхем, которые несовместимы между собой. Поэтому и тут при заказе важно выбрать правильный тип!
И тока!
Подобная ситуация есть и у всенародно любимых интегральных стабилизаторов L78XX и L79XX. Здесь к базовому обозначению добавляются две цифры, указывающие на выходное напряжение стабилизаторов: L7805 — выходное напряжение 5В, L7912 — выходное напряжение -12В.
Но в середине номера могут присутствовать буквы, которые обозначают максимальный выходной ток стабилизатора. Возможны три варианта маркировки, как представлено в таблице:
| Символ | Максимальный ток |
| L | 0.1 A (100mA) |
| M | 0.5A (500mA) |
| S | 2A |
Так стабилизатор с маркировкой «78L15» будет выдавать на выходе напряжение 15В и максимальный ток 100мА.
Проявляйте внимательность при чтении каталогов производителей и соблюдайте осторожность при заказе радиоэлектронных элементов!
Статья подготовлена по материалам журнала «Практическая электроника каждый день»
Автор: Роберт Пенфолд
Вольный перевод: Главный редактор «РадиоГазеты»
Похожие статьи:
| Обозначение на корпусе | Тип транзистора |
| «15» на корпусе SOT-23 | MMBT3960(Datasheet «Motorola») |
| «1A» на корпусе SOT-23 | BC846A(Datasheet «Taitron») |
| «1B» на корпусе SOT-23 | BC846B(Datasheet «Taitron») |
| «1C» на корпусе SOT-23 | MMBTA20LT(Datasheet «Motorola») |
| «1D» на корпусе SOT-23 | BC846(Datasheet «NXP») |
| «1E» на корпусе SOT-23 | BC847A(Datasheet «Taitron») |
| «1F» на корпусе SOT-23 | BC847B(Datasheet «Taitron») |
| «1G» на корпусе SOT-23 | BC847C(Datasheet «Taitron») |
| «1H» на корпусе SOT-23 | BC847(Datasheet «NXP») |
| «1N» на корпусе SOT-416 | BC847T(Datasheet «NXP») |
| «1J» на корпусе SOT-23 | BC848A(Datasheet «Taitron») |
| «1K» на корпусе SOT-23 | BC848B(Datasheet «Taitron») |
| «1L» на корпусе SOT-23 | BC848C(Datasheet «Taitron») |
| «1M» на корпусе SOT-416 | BC846T(Datasheet «NXP») |
| «1M» на корпусе SOT-323 | BC848W(Datasheet «NXP») |
| «1M» на корпусе SOT-23 | MMBTA13(Datasheet «Motorola») |
| «1N» на корпусе SOT-23 | MMBTA414(Datasheet «Motorola») |
| «1V» на корпусе SOT-23 | MMBT6427(Datasheet «Motorola») |
| «1P» на корпусе SOT-23 | FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A. |
| «1T» на корпусе SOT-23 | MMBT3960A(Datasheet «Motorola») |
| «1Y» на корпусе SOT-23 | MMBT3903(Datasheet «Samsung») |
| «2A» на корпусе SOT-23 | FMMBT3906,KST3906,MMBT3906 |
| «2B» на корпусе SOT-23 | BC849B(Datasheet «G.S.») |
| «2C» на корпусе SOT-23 | BC849C(Datasheet «G.S.») |
| «2E» на корпусе SOT-23 | FMMTA93,KST93 |
| «2F» на корпусе SOT-23 | FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT |
| «2G» на корпусе SOT-23 | FMMTA56,KST56 |
| «2H» на корпусе SOT-23 | MMBTA55(Datasheet «Taitron») |
| «2J» на корпусе SOT-23 | MMBT3640(Datasheet «Fairchild») |
| «2K» на корпусе SOT-23 | FMMT4402(Datasheet «Zetex») |
| «2M» на корпусе SOT-23 | MMBT404(Datasheet «Motorola») |
| «2N» на корпусе SOT-23 | MMBT404A(Datasheet «Motorola») |
| «2T» на корпусе SOT-23 | KST4403,MMBT4403 |
| «2V» на корпусе SOT-23 | MMBTA64(Datasheet «Motorola») |
| «2U» на корпусе SOT-23 | MMBTA63(Datasheet «Motorola») |
| «2X» на корпусе SOT-23 | MMBT4401,KST4401 |
| «3A» на корпусе SOT-23 | MMBTh34(Datasheet «Motorola») |
| «3B» на корпусе SOT-23 | MMBT918(Datasheet «Motorola») |
| «3D» на корпусе SOT-23 | MMBTH81(Datasheet «Motorola») |
| «3E» на корпусе SOT-23 | MMBTh20(Datasheet «Motorola») |
| «3F» на корпусе SOT-23 | MMBT6543(Datasheet «Motorola») |
| «3J-» на корпусе SOT-143B | BCV62A(Datasheet «NXP») |
| «3K-» на корпусе SOT-23 | BC858B(Datasheet «NXP») |
| «3L-» на корпусе SOT-143B | BCV62C(Datasheet «NXP») |
| «3S» на корпусе SOT-23 | MMBT5551(Datasheet «Fairchild») |
| «4As» на корпусе SOT-23 | BC859A(Datasheet «Siemens») |
| «4Bs» на корпусе SOT-23 | BC859B(Datasheet «Siemens») |
| «4Cs» на корпусе SOT-23 | BC859C(Datasheet «Siemens») |
| «4J» на корпусе SOT-23 | FMMT38A(Datasheet «Zetex S. «) |
| «449» на корпусе SOT-23 | FMMT449(Datasheet «Diodes Inc.») |
| «489» на корпусе SOT-23 | FMMT489(Datasheet «Diodes Inc.») |
| «491» на корпусе SOT-23 | FMMT491(Datasheet «Diodes Inc.») |
| «493» на корпусе SOT-23 | FMMT493(Datasheet «Diodes Inc.») |
| «5A» на корпусе SOT-23 | BC807-16(Datasheet «General Sem.») |
| «5B» на корпусе SOT-23 | BC807-25(Datasheet «General Sem.») |
| «5C» на корпусе SOT-23 | BC807-40(Datasheet «General Sem.») |
| «5E» на корпусе SOT-23 | BC808-16(Datasheet «General Sem.») |
| «5F» на корпусе SOT-23 | BC808-25(Datasheet «General Sem.») |
| «5G» на корпусе SOT-23 | BC808-40(Datasheet «General Sem.») |
| «5J» на корпусе SOT-23 | FMMT38B(Datasheet «Zetex S.») |
| «549» на корпусе SOT-23 | FMMT549(Datasheet «Fairchild») |
| «589» на корпусе SOT-23 | FMMT589(Datasheet «Fairchild») |
| «591» на корпусе SOT-23 | FMMT591(Datasheet «Fairchild») |
| «593» на корпусе SOT-23 | FMMT593(Datasheet «Fairchild») |
| «6A-«,»6Ap»,»6At» на корпусе SOT-23 | BC817-16(Datasheet «NXP») |
| «6B-«,»6Bp»,»6Bt» на корпусе SOT-23 | BC817-25(Datasheet «NXP») |
| «6C-«,»6Cp»,»6Ct» на корпусе SOT-23 | BC817-40(Datasheet «NXP») |
| «6E-«,»6Et»,»6Et» на корпусе SOT-23 | BC818-16(Datasheet «NXP») |
| «6F-«,»6Ft»,»6Ft» на корпусе SOT-23 | BC818-25(Datasheet «NXP») |
| «6G-«,»6Gt»,»6Gt» на корпусе SOT-23 | BC818-40(Datasheet «NXP») |
| «7J» на корпусе SOT-23 | FMMT38C(Datasheet «Zetex S.») |
| «9EA» на корпусе SOT-23 | BC860A(Datasheet «Fairchild») |
| «9EB» на корпусе SOT-23 | BC860B(Datasheet «Fairchild») |
| «9EC» на корпусе SOT-23 | BC860C(Datasheet «Fairchild») |
| «AA» на корпусе SOT-523F | 2N7002T(Datasheet «Fairchild») |
| «AA» на корпусе SOT-23 | BCW60A(Datasheet «Diotec Sem. «) |
| «AB» на корпусе SOT-23 | BCW60B(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «AC» на корпусе SOT-23 | BCW60C(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «AD» на корпусе SOT-23 | BCW60D(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «AE» на корпусе SOT-89 | BCX52(Datasheet «NXP») |
| «AG» на корпусе SOT-23 | BCX70G(Datasheet «Central Sem.Corp.») |
| «AH» на корпусе SOT-23 | BCX70H(Datasheet «Central Sem.Corp.») |
| «AJ» на корпусе SOT-23 | BCX70J(Datasheet «Central Sem.Corp.») |
| «AK» на корпусе SOT-23 | BCX70K(Datasheet «Central Sem.Corp.») |
| «AL» на корпусе SOT-89 | BCX53-16(Datasheet «Zetex») |
| «AM» на корпусе SOT-89 | BCX52-16(Datasheet «Zetex») |
| «AS1» на корпусе SOT-89 | BST50(Datasheet «Philips») |
| «B2» на корпусе SOT-23 | BSV52(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «BA» на корпусе SOT-23 | BCW61A(Datasheet «Fairchild») |
| «BA» на корпусе SOT-23 | 2SA1015LT1(Datasheet «Tip») |
| «BA» на корпусе SOT-23 | 2SA1015(Datasheet «BL Galaxy El.») |
| «BB» на корпусе SOT-23 | BCW61B(Datasheet «Fairchild») |
| «BC» на корпусе SOT-23 | BCW61C(Datasheet «Fairchild») |
| «BD» на корпусе SOT-23 | BCW61D(Datasheet «Fairchild») |
| «BE» на корпусе SOT-89 | BCX55(Datasheet » BL Galaxy El.») |
| «BG» на корпусе SOT-89 | BCX55-10(Datasheet » BL Galaxy El.») |
| «BH» на корпусе SOT-89 | BCX56(Datasheet » BL Galaxy El.») |
| «BJ» на корпусе SOT-23 | BCX71J(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «BK» на корпусе SOT-23 | BCX71K(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «BH» на корпусе SOT-23 | BCX71H(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «BG» на корпусе SOT-23 | BCX71G(Datasheet «Diotec Sem. «) |
| «BR2» на корпусе SOT-89 | BSR31(Datasheet «Zetex») |
| «C1» на корпусе SOT-23 | BCW29(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «C2» на корпусе SOT-23 | BCW30(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «C5» на корпусе SOT-23 | MMBA811C5(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «C6» на корпусе SOT-23 | MMBA811C6(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «C7» на корпусе SOT-23 | BCF29(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «C8» на корпусе SOT-23 | BCF30(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «CEs» на корпусе SOT-23 | BSS79B(Datasheet «Siemens») |
| «CEC» на корпусе SOT-89 | BC869(Datasheet «Philips») |
| «CFs» на корпусе SOT-23 | BSS79C(Datasheet «Siemens») |
| «CHs» на корпусе SOT-23 | BSS80B(Datasheet «Infenion») |
| «CJs» на корпусе SOT-23 | BSS80C(Datasheet «Infenion») |
| «CMs» на корпусе SOT-23 | BSS82C(Datasheet «Infenion») |
| «CLs» на корпусе SOT-23 | BSS82B(Datasheet «Infenion») |
| «D1» на корпусе SOT-23 | BCW31(Datasheet «KEC») |
| «D2» на корпусе SOT-23 | BCW32(Datasheet «KEC») |
| «D3» на корпусе SOT-23 | BCW33(Datasheet «KEC») |
| D6″ на корпусе SOT-23 | MMBC1622D6(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «D7t»,»D7p» на корпусе SOT-23 | BCF32(Datasheet «NXP Sem.») |
| «D7» на корпусе SOT-23 | BCF32(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «D8» на корпусе SOT-23 | BCF33(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «DA» на корпусе SOT-23 | BCW67A(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «DB» на корпусе SOT-23 | BCW67B(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «DC» на корпусе SOT-23 | BCW67C(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «DF» на корпусе SOT-23 | BCW67F(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «DG» на корпусе SOT-23 | BCW67G(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «DH» на корпусе SOT-23 | BCW67H(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «E2p» на корпусе SOT-23 | BFS17A(Datasheet «Philips») |
| «EA» на корпусе SOT-23 | BCW65A(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «EB» на корпусе SOT-23 | BCW65B(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «EC» на корпусе SOT-23 | BCW65C(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «EF» на корпусе SOT-23 | BCW65F(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «EG» на корпусе SOT-23 | BCW65G(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «EH» на корпусе SOT-23 | BCW65H(Datasheet «Central Sem. Corp.») |
| «F1» на корпусе SOT-23 | MMBC1009F1(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «F3» на корпусе SOT-23 | MMBC1009F3(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «FA» на корпусе SOT-89 | BFQ17(Datasheet «Philips») |
| «FDp»,»FDt»,»FDW» на корпусе SOT-23 | BCV26(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «FEp»,»FEt»,»FEW» на корпусе SOT-23 | BCV46(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «FFp»,»FFt»,»FFW» на корпусе SOT-23 | BCV27(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «FGp»,»FGt»,»FGW» на корпусе SOT-23 | BCV47(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «GFs» на корпусе SOT-23 | BFR92P(Datasheet «Infenion») |
| «h2p»,»h2t»,»h2W» на корпусе SOT-23 | BCV69(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «h3p»,»h3t»,»h3W» на корпусе SOT-23 | BCV70(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «h4p»,»h4t» на корпусе SOT-23 | BCV89(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «H7p» на корпусе SOT-23 | BCF70 |
| «K1» на корпусе SOT-23 | BCW71(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «K2» на корпусе SOT-23 | BCW72(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «K3p» на корпусе SOT-23 | BCW81(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «K1p»,»K1t» на корпусе SOT-23 | BCW71(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «K2p»,»K2t» на корпусе SOT-23 | BCW72(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «K7p»,»K7t» на корпусе SOT-23 | BCV71(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «K8p»,»K8t» на корпусе SOT-23 | BCV72(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «K9p» на корпусе SOT-23 | BCF81(Datasheet » Guangdong Kexin Ind. Co.Ltd») |
| «L1» на корпусе SOT-23 | BSS65 |
| «L2» на корпусе SOT-23 | BSS69(Datasheet «Zetex Sem.») |
| «L3» на корпусе SOT-23 | BSS70(Datasheet «Zetex Sem.») |
| «L4» на корпусе SOT-23 | 2SC1623L4(Datasheet «BL Galaxy El.») |
| «L5» на корпусе SOT-23 | BSS65R |
| «L6» на корпусе SOT-23 | BSS69R(Datasheet «Zetex Sem.») |
| «L7» на корпусе SOT-23 | BSS70R(Datasheet «Zetex Sem.») |
| «M3» на корпусе SOT-23 | MMBA812M3(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «M4» на корпусе SOT-23 | MMBA812M4(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «M5» на корпусе SOT-23 | MMBA812M5(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «M6» на корпусе SOT-23 | MMBA812M6(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «M6P» на корпусе SOT-23 | BSR58(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «M7» на корпусе SOT-23 | MMBA812M7(Datasheet «Samsung Sem.») |
| «P1» на корпусе SOT-23 | BFR92(Datasheet «Vishay Telefunken») |
| «P2» на корпусе SOT-23 | BFR92A(Datasheet «Vishay Telefunken») |
| «P4» на корпусе SOT-23 | BFR92R(Datasheet «Vishay Telefunken») |
| «P5» на корпусе SOT-23 | FMMT2369A(Datasheet «Zetex Sem.») |
| «Q2» на корпусе SOT-23 | MMBC1321Q2(Datasheet «Motorola Sc.») |
| «Q3» на корпусе SOT-23 | MMBC1321Q3(Datasheet «Motorola Sc.») |
| «Q4» на корпусе SOT-23 | MMBC1321Q4(Datasheet «Motorola Sc.») |
| «Q5» на корпусе SOT-23 | MMBC1321Q5(Datasheet «Motorola Sc.») |
| «R1p» на корпусе SOT-23 | BFR93(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «R2p» на корпусе SOT-23 | BFR93A(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «s1A» на корпусах SOT-23,SOT-363,SC-74 | SMBT3904(Datasheet «Infineon») |
| «s1D» на корпусе SOT-23 | SMBTA42(Datasheet «Infineon») |
| «S2» на корпусе SOT-23 | MMBA813S2(Datasheet «Motorola Sc. «) |
| «s2A» на корпусе SOT-23 | SMBT3906(Datasheet «Infineon») |
| «s2D» на корпусе SOT-23 | SMBTA92(Datasheet «Siemens Sem.») |
| «s2F» на корпусе SOT-23 | SMBT2907A(Datasheet «Infineon») |
| «S3» на корпусе SOT-23 | MMBA813S3(Datasheet «Motorola Sc.») |
| «S4» на корпусе SOT-23 | MMBA813S4(Datasheet «Motorola Sc.») |
| «T1″на корпусе SOT-23 | BCX17(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «T2″на корпусе SOT-23 | BCX18(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «T7″на корпусе SOT-23 | BSR15(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «T8″на корпусе SOT-23 | BSR16(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «U1p»,»U1t»,»U1W»на корпусе SOT-23 | BCX19(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «U2″на корпусе SOT-23 | BCX20(Datasheet «Diotec Sem.») |
| «U7p»,»U7t»,»U7W»на корпусе SOT-23 | BSR13(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «U8p»,»U8t»,»U8W»на корпусе SOT-23 | BSR14(Datasheet «Philips(NXP)») |
| «U92» на корпусе SOT-23 | BSR17A(Datasheet «Philips») |
| «Z2V» на корпусе SOT-23 | FMMTA64(Datasheet «Zetex Sem.») |
| «ZD» на корпусе SOT-23 | MMBT4125(Datasheet «Samsung Sem.») |
ч.- SMD) и отечественных.Цветная маркировка импортных транзисторов. Японская система JIS. Японская система обозначений JIC
Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности.
И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.
Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.
Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:
Некоторые крупные производители полупроводников вводят . Например, Samsung, Nec, и другие. Рассмотрим системы обозначений более подробно.
Американская система обозначений JEDEK
Обозначение элементов состоит из четырех элементов.
Элемент 1.
Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:
Европейская система обозначений PRO ELECTRON
Европейская система более богата в обозначениях. Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.
После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.
Элемент 1.
Первая буква — код материала.
Элемент 2.
Вторая буква — назначение
| А — маломощный диод |
| В — варикап |
| С — маломощный низкочастотный транзистор |
| D — мощный низкочастотный транзистор |
| Е — туннельный диод |
| F — маломощный высокочастотный транзистор |
| G — несколько приборов в одном корпусе |
| Н — магнитодиод |
| L — мощный высокочастотный транзистор |
| М — датчик Холла |
| Р — фотодиод, фототранзистор |
| Q — светодиод |
| R — маломощный регулирующий или переключающий прибор |
| S — маломощный переключательный транзистор |
| Т — мощный регулирующий или переключающий прибор |
| U — мощный переключательный транзистор |
| Х — умножительный диод |
| Y — мощный выпрямительный диод |
| Z — стабилитрон |
Элемент 3.
Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры
Элемент 4 и 5.
Буквы или буква и цифры:
- для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
- Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
- Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.
Пример обозначений:
BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.
| Элемент 1 | Элемент 2 | Элемент 3 | Элемент 4 |
|---|---|---|---|
| Буква — код материала : А – германий В – кремний С – арсенид галлия R – сульфид кадмия | Буква – назначение А — маломощный диод В — варикап С — маломощный низкочастотный транзистор D — мощный низкочастотный транзистор Е — туннельный диод F — маломощный высокочастотный транзистор G — несколько приборов в одном корпусе Н — магнитодиод L — мощный высокочастотный транзистор М — датчик Холла Р — фотодиод, фототранзистор Q — светодиод R — маломощный регулирующий или переключающий прибор S — маломощный переключательный транзистор Т — мощный регулирующий или переключающий прибор U — мощный переключательный транзистор Х — умножительный диод Y — мощный выпрямительный диод Z — стабилитрон | Серийный номер: 100-999 приборы общего назначенияZ10…A99 приборы для промышленного и специального назначения | Буква: модификация прибора |
Японская система обозначений JIC
Наверно самая универсальная система обозначений.
Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:
Элемент 1.
Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:
| 0 — фотодиод, фототранзистор |
| 1 — диод |
| 2 — транзистор |
| 3 — тиристор |
Элемент 2.
Буква S (Semiconductor).
Элемент 3.
Тип полупроводникового прибора:
Элемент 4.
Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.
Элемент 5.
Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.
Элемент 6.
Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.
Пример обозначений:
2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.
Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.
Другие системы обозначения полупроводниковых элементов
Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG
в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма MOTOROLA
— MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPSA-92).
Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S. Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.
Еще примеры:
- RCA
— RCA - RCS
— RCS - TIP
— Texas Instruments power transistor (platic case) - TIPL
— TI planar power transistor - TIS
— TI small signal transistor (plastic case) - ZT
— Ferranti - ZTX
— Ferranti
Пример обозначений:
ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.
- 26.09.2014
Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора. Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …
- 21.09.2016
NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …
- 20.09.2014
Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …
- 29.09.2014
Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …
- 26.09.2014
Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора.
Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи … - 21.09.2016
NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …
- 20.09.2014
Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …
- 29.09.2014
Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …
Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.
Первый элемент – буква Г
, К
, А
или цифра 1
, 2
, 3
– характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.
1
.
Буква Г
или цифра 1
присваивается германиевым
транзисторам;
2
. Буква К
или цифра 2
присваивается кремниевым
транзисторам;
3
. Буква А
или цифра 3
присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия
.
Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.
Второй элемент – буква Т
от начального слова «транзистор».
Третий элемент – трехзначное число от 101
до 999
– указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.
Четвертый элемент – буква от А
до К
– указывает разновидность транзисторов данной серии.
10.Полевой транзистор
— полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
— это полевой транзистор, затвор которого изолирован (то есть отделён в электрическом отношении) от канала p-n-переходом, смещённым в обратном направлении. Электроды полевого транзистора называются следующим образом:
· исток
(англ. source
) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
· сток
(англ. drain
) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
· затвор
(англ. gate
) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.
Полевой транзистор с изолированным затвором
— это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ).
Маркировка полевых транзисторов
, применяемая с 1972 г., предусматривает шестисимвольное буквенно-цифровое обозначение. При этом каждый символ несет следующую информацию о транзисторе.
§ Первый символ — буква
или цифра
, указывает (как и в случае маркировке диодов
) исходный полупроводниковый материал;
§ Второй символ — буква
, обозначает класс прибора: П
— полевые, Т
— биполярные транзисторы;
§ Третий символ — цифра
(от 1 до 9
), указывает на энергетическую и частотную характеристики биполярного и полевого транзисторов;
§ Четвертый и пятый символы — цифры
(от 01 до 99
), указывают порядковый номер разработки приборов. Деление по группам (шестой символ
— буква) осуществляют по каким-либо параметрам прибора: коэффициенту передачи тока, обратному напряжению и др.
11. Тири́стор
— полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.
Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор
, изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).
Тиристор имеет нелинейную вольт-амперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления.
Вольт-амперная характеристика диодного тиристора, приведенная на рисунке 7.
4, имеет несколько различных участков. Прямое смещение тиристора соответствует положительному напряжению V G , подаваемому на первый p 1 -эмиттер тиристора.
Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением. В этом случае основная часть напряжения V G падает на коллекторном переходе П 2 , который в смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П 1 и П 2 включены в прямом направлении. Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ p-n перехода.
При достижении напряжения V G , называемого напряжением включения U вкл, или тока J, называемого током включения J вкл, ВАХ тиристора переходит на участок между точками 3 и 4, соответствующий открытому состоянию (низкое сопротивление). Между точками 2 и 3 находится переходный участок характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, не наблюдаемый на статических ВАХ тиристора.
V G — напряжение между анодом и катодом; I у, V у — минимальный удерживающий ток и напряжение; I в, V в — ток и напряжение включения
Транзистор выступает основным компонентом любой электрической схемы. Он является своего рода усилительным ключом. В основе этого полупроводникового прибора находится кремниевый или германиевый кристалл. Транзисторы бывают однополярными и двухполярными и, соответственно, полевыми и биполярными. По типу проводимости они встречаются двух видов — прямые и обратные. Для начинающих радиолюбителей основной проблемой становится распознавание и расшифровка кодировки этих элементов. В нашей статье мы рассмотрим основные виды записи как отечественных, так и зарубежных изделий, а также разберем, что означает маркировка транзисторов.
Виды записи
Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования — это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них — идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.
Транзисторы в корпусе типа КТ-26
Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска.
Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б — желтая, В — темно-зеленая, Г — голубая, Д — синяя, Е — белая, Ж — темно-коричневая, И — серебристая, К — оранжевая, Л — светло-табачная, М — серая.
Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.
Маркировка года и месяца изготовления
В соответствии с ГОСТ 25486-82, для обозначения даты используют две буквы или букву и цифру. Первый символ соответствует году, а второй — месяцу. Такой вид кодирования применяется не только для транзисторов, но и для других отечественных полупроводниковых элементов. На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние — номеру недели. Рассмотрим, что означает кодовая маркировка транзисторов, соответствующая дате изготовления. Год выпуска/символ: 1986 — U, 1987 — V, 1988 — W, 1989 — X, 1990 — А, 1991 — В, 1992 — С, 1993 — D, 1994 — Е, 1995 — F, 1996 — Н, 1997 — I, 1998 — К, 1999 — L, 2000 — М и т. д. Месяц выпуска: первые девять месяцев соответствуют цифрам от 1 до 9 (январь — 1, февраль — 2), а последние — начальным буквам слова: октябрь — О, ноябрь — N, декабрь — D.
Транзисторы в корпусе типа КТ-27
На эти полупроводниковые элементы принято наносить либо буквенно-цифровой код, либо шифр, состоящий из геометрических фигур. Рассмотрим, что означает графическая маркировка транзисторов.
- КТ972А — один «лежачий» прямоугольник.
- КТ972Б — два прямоугольника: левый лежит, правый стоит.
- КТ973А — один квадрат.
- КТ973Б — два квадрата.
- КТ646А — один треугольник.
- КТ646Б — слева круг, справа треугольник.
Кроме того, существует и маркировка торца корпуса, который противоположен выводам:
- КТ 814 — серо-бежевый;
- КТ 815 — сиренево-фиолетовый или серый;
- КТ 816 — розово-красный;
- КТ 817 — серо-зеленый;
- КТ 683 — фиолетовый;
- КТ9115 — голубой.
Транзисторы серии КТ814-817 группы Б могут маркироваться только путем окрашивания торца, без нанесения символьного кода.
Европейская система PRO-ELECTRON
Маркировка транзисторов и других полупроводниковых приборов у европейских производителей осуществляется следующим образом. Код представляет собой символьную запись. Первая буква означает материал полупроводника: кремний, германий и т. п. Наиболее распространен кремний, ему соответствует литера В. Следующий символ — это тип прибора. Далее ставится номер серии продукта. У этого номера существует несколько диапазонов. Например, если указаны цифры от 100 до 999, то эти элементы относятся к изделиям общего назначения, а если перед ними ставится буква (Z10 — А99), то эти полупроводники считаются деталями специального или промышленного назначения. Кроме того, к общей кодировке может добавляться дополнительный символ модификации прибора. Ее определяет непосредственно производитель полупроводниковых элементов.
Первый символ (материал): А — германий, В — кремний, С — арсенид галлия, R — сульфид кадмия. Второй элемент означает тип транзистора: С — маломощный низкочастотный; D — мощный низкочастотный; F — маломощный высокочастотный; G — несколько приборов в одном корпусе; L — мощный высокочастотный; S — маломощный переключающий; U — мощный переключающий.
Американская система JEDEC
Американские производители полупроводниковых приборов используют символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 — диод; 2 — транзистор;3 — тиристор; 4 — оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак — это серийный номер элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ — буква, соответствующая модификации прибора.
Японская система JIS
Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 — фотодиод или фототранзистор; 1 — диод; 2 — транзистор. Второй элемент — буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А — высокочастотный PNP; В — низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н — однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 — 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ — это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.
SMD элементы
Маркировка SMD-транзисторов бывает только символьной. Из-за миниатюрных размеров этих элементов цветовую кодировку не используют. Единого стандарта шифрования для них не существует. Каждый завод-производитель использует свои символы. Буквенно-цифровой код в данном случае может содержать от одной до трех букв или цифр. Каждый завод выпускает свои таблицы маркировок полупроводниковых элементов.
как расшифровать их кодовые обозначения
Все радиодетали постоянно миниатюризируются, в первую очередь из-за сложности строения новых плат и необходимости уместить на них большое количество элементов. Встает вопрос о том, как указать на корпусе все технические характеристики. Для этого разработана специальная маркировка smd транзисторов, которая помогает прочитать электронщику все свой параметры.
С каждым годом маркировка усложняется, увеличивается, а площадь, на которую она наносится постоянно сокращается. В данной статье будет подробно рассмотрена вся имеющаяся маркировка, из чего она состоит, как ее прочитать и использовать. В качестве дополнения содержатся видеоролики с полезным материалом, а также файл, в котором перечислены необходимые условные обозначения.
Различные тразисторы.
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Полезная информация: как проверить транзистор с помощью мультимера.
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
| Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
| A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
| A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
| A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
| B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
| D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
| D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
| D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
| D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
| E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
| E2 | Два импульсных диода | Dual |
| E3 | Три импульсных диода | Triple |
| E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
| F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
| F2 | Два диода Шоттки | Dual |
| F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
| F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
| K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
| K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
| L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
| L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
| L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
| N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
| N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
| N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
| N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
| N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
| N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
| 01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
| 02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
| P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
| P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
| P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
| P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
| P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
| P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
| S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
| S2 | Два сапрессора | Dual |
| T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
| T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
| T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
| U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
| U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
| U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
| V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
| V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
| Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Интересно почитать: что такое биполярные транзисторы.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACh2G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.
Материал в тему: как проверить полевой транзистор.
Самые длинные названия применяют:
- американская фирма Motorola,
- японская Seiko Instruments
- тайваньская Pan Jit.
| Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
| 7E | MUN5215DW1T1 | K2 | MO | 2Q | |||||
| 11 | MUN5311DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7F | MUN5216DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 12 | MUN5312DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7G | MUN5230DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 12 | INA-12063 | U2 | HP | 2Q | 7H | MUN5231DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 13 | MUN5313DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7J | MUN5232DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 14 | MUN5314DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7K | MUN5233DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 15 | MUN5315DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7L | MUN5234DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 16 | MUN5316DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7M | MUN5235DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 1С | BC847S | N5 | SI | 2Q | 81 | MGA-81563 | U1 | HP | 2Q |
| 1P | BC847PN | P6 | SI | 2Q | 82 | INA-82563 | U1 | HP | 2Q |
| 31 | MUN5331DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 86 | INA-86563 | U1 | HP | 2Q |
| 32 | MUN5332DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 87 | INA-87563 | U1 | HP | 2Q |
| 33 | MUN5333DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 91 | IAM-91563 | U1 | HP | 2Q |
| 34 | MUN5334DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A2 | MBT3906DW1T1 | P5 | MO | 2Q |
| 35 | MUN5335DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A3 | MBT3906DW9T1 | P5 | MO | 2Q |
| 36 | ATF-36163 | A1 | HP | 2Q | A4 | BAV70S | E4 | SI | 2Q |
| 3C | BC857S | P5 | SI | 2Q | E6 | MDC5001T1 | U3 | MO | 2Q |
| 3X | MUN5330DW1T1 | L3 | MO | 2Q | H5 | MBD770DWT1 | F2 | MO | 2Q |
| 46 | MBT3946DW1T1 | P6 | MO | 2Q | II | AT-32063 | N2 | HP | 2Q |
| 51 | INA-51063 | U2 | HP | 2Q | M1 | CMY200 | U1 | SI | 2R |
| 52 | INA-52063 | U2 | HP | 2Q | M4 | MBD110DWT1 | F2 | MO | Q |
| 54 | INA-54063 | U2 | HP | 2Q | M6 | MBF4416DW1T1 | A3 | MO | 2Q |
| 6A | MUN5111DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MA | MBT3904DW1T1 | N5 | MO | 2Q |
| 6B | MUN5112DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MB | MBT3904DW9T1 | N5 | MO | 2Q |
| 6C | MUN5113DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MC | BFS17S | N5 | SI | 2Q |
| 6D | MBF5457DW1T1 | A3 | MO | 2Q | RE | BFS480 | N5 | SI | 2Q |
| 6D | MUN5114DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RF | BFS481 | N5 | SI | 2Q |
| 6E | MUN5115DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RG | BFS482 | N5 | SI | 2Q |
| 6F | MUN5116DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RH | BFS483 | N5 | SI | 2Q |
| 6G | MUN5130DW1T1 | L2 | MO | 2Q | T4 | MBD330DWT1 | F2 | MO | 2Q |
| 6H | MUN5131DW1T1 | L2 | MO | 2Q | W1 | BCR10PN | L3 | SI | 2Q |
| 6J | MUN5132DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WC | BCR133S | K2 | SI | 2Q |
| 6K | MUN5133DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WF | BCR08PN | L3 | SI | 2Q |
| 6L | MUN5134DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WK | BCR119S | K2 | SI | 2Q |
| 6M | MUN5135DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WM | BCR183S | K2 | SI | 2Q |
| 7A | MUN5211DW1T1 | K2 | MO | 2Q | WP | BCR22PN | L3 | SI | 2Q |
| 7B | MUN5212DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y2 | CLY2 | A1 | SI | 2R |
| 7C | MUN5213DW1T1 | K2 | MO | 2Q | 6s | CGY60 | U1 | SI | 2R |
| 7D | MUN5214DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y7s | CGY62 | U1 | SI | 2R |
Заключение
Рейтинг автора
Автор статьи
Инженер по специальности «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем», МИФИ, 2005–2010 гг.
Написано статей
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы
Справочник |
Пары и сборки полевых транзисторов |
2П101 — КПС203 |
КП301 — КП312 |
КП313 — 3П330 |
3П331 — КП350 |
3П351 — КП364 |
КП501 — КП698 |
КП150 — КП640 (транзисторы мощные) |
КП701 — КП730 |
КП731 — КП771 |
КП801 — КП840 |
КП901 — 3П930 |
КП931 — КП948 |
КП951 — КП973 |
Цветовая маркировка полевых транзисторов |
Цоколевка полевых транзисторов 1-12 |
КП101, КП314, КП333, КП102, КП103, КП308-9, КПС104, КП201,КПС202, КПС203, КП301, КП302, КП601, КП914, КП303, КП307, КП310, КП337, КП304 |
Цоколевка полевых транзисторов 13−24 |
КП305, КП306, КП350, КП312, КП341, КП313, КПС315, КП322, КП323-2, 2П335-2 , 3П324-2, 3П325-2, 3П343-2, 3П344-2, 3П320-2, 3П321-2, 3П326-2, 3П330-2, 3П331-2, 3П339-2, 3П605-2, 3П328-2… |
Цоколевка полевых транзисторов 25−36 |
2П338-1, 3П345-2, 3П602-2, 3П910-2, 3П603-2, 3П604-2, 3П606-2, 3П608-2, 3П927-2, 2П103-9, КП346-9, 2П347-2, 2П601-9, 2П607-2, КП327, КП103-1 |
Цоколевка полевых транзисторов 37−48 |
КПС316, КП901, КП902, КП903, КП904, KP905, KP907, KP908, 2П909, 2П911, 2П913, КП705, КП801, КП802, КП912, КП921, КП926, КП934, КП937, 2П918, 2П923, 2П941, 3П915-2, 3П925-2, 2П920, 2П928, 3П930-2 |
Цоколевка полевых транзисторов 49−60 |
2П933, 2П701, 2П702, 2П703, 2П803, КП921, КП931, КП704, КП707-1, КП922-1, КП946, КП948, КП932, КП707, 504НТ1 — 504НТ4, КР504НТ1 — КР504НТ4, 2П706, КП150… |
Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet
Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet
Краткое содержание справочников по электронике.
В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при
условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую
невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники
и для подбора подходящего аналога.
Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с
документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку
pdf в таблице.
Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа
составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы
встречаются в магазинах.
В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не
предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы.
В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117.
В справочники по транзисторам кт… включена
подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их
импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов
(КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815,
КТ816, КТ817, КТ818,
КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов
производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение
максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор —
эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В
pdf документации описана типичная область применения
транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт…, где
используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для
мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока
коллектора ( h31э может изменяться на порядок),
зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых
потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой
мощности от температуры корпуса.
Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике
выделены цветом. Их также можно найти
по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500.
Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар.
В кратком описании приведены тип проводимости
транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного
напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на
полевой транзистор описана типичная область
применения.
Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET
(напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые
приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от
температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию,
приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для
уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора.
В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен
тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник
подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и
напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно
сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает
их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы
конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется
частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких
частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами
конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения,
а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять
низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045.
В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе.
Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации
транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток
IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве
допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте
и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов.
В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические
характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ
(вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от
температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные
производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя.
В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов.
Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей.
В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных
электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов.
В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным
тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и
предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость
допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого
напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения
тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность.
В документации по стабилитронам и стабисторам приведена
цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных
температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая
рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные
группы.
В справочных данных по постоянным резисторам приведена
зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область
применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не
охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов
(пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов.
Калькулятор цветовой маркировки резисторов.
Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний
вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее
напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные
по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх.
В справочных данных по конденсаторам указаны область
применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного
сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока
от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики.
Отечественные операционные усилители. Справочник.
В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и
частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17,
К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные
ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и
широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка,
импортный аналог, внутренняя схема операционного
усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве
инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets.
Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице
приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в
pdf файле.
В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены
подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения
микросхем.
В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические
электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления,
входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения
сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы.
Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы.
Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания
В документации по реле приведены паспорта, конструктивные
данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы
коммутации и другие параметры.
Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей
(ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в
таблице для начала представлены основные параметры
разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение.
Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление
контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и
т.д.) содержится в datasheet.
В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и
электрические соединители для подключения слабых сигналов.
Отечественные оптроны. Справочник.
В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип
действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных,
транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме
Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель
микросхем. В datasheet на компоненты приведена
цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и
напряжение гальваноразвязки.
В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице
приведены основные
параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при
номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены
в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные
характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий,
занимающихся производством светодиодов.
В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и
трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками
по напряжению
от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа,
выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа.
Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В.
Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для
генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet
от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов,
приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии.
Примеры расчетов параметров схем с использованием
документации:
*параметры транзисторы справочник условных обозначений*
карта сайта
контактный адрес:
| Дата | Код HS | Описание | Страна происхождения | Порт разгрузки | Единица | Количество | Стоимость (INR) | за единицу INR) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Авг 17 2016 | 85411000 | ЭЛЕКТРОННЫЙ КОМПОНЕНТ ТРАНЗИСТОРА FET TK10A80ES4X (S (TOSHIBA) (КИТАЙ) | Китай | Bombay Air Cargo | PCS | 20,000 | 373,393 | 19 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Авг 04 2016 | 85411000 | TRANSISTOR FET N CH 30V SOT23 1758055 | Соединенное Королевство | Banglore Air Cargo | NOS | 60 | 595 | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Авг 02 2016 | 85411000 | ТРАНЗИСТОР N КАНАЛ DMOS FET 20V 105A 3SOT2 2395532 | Сингапур | Banglore Air Cargo | NOS | 12 | 67 | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Июл 04 2016 | 85411000 | FET, IRF530NPBF, 14A, 100V, МОП-транзистор на транзисторе | США | Bombay Air Cargo | UNT | 200 | 10,347 | 52 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Июн 21 год 2016 | 85411000 | DS994400 FET-MOS N DUAL 60V / 3A LF SMD SO-8 T (ТРАНЗИСТОР) (ДЕТАЛИ ДЛЯ ОБОРУДОВАНИЯ СВЯЗИ) | Израиль | Delhi Air Cargo | PCS | 500 | 6,186 | 12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ноя 05 2015 | 85411000 | ТРАНЗИСТОР (IRLML5203TRPBF P CHANNAL FET SOT23) | Сингапур | Banglore Air Cargo | PCS | 12,000 | 55,433 | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| май 22 2015 | 85411000 | BARH-B133930 Q # IRF805 FN P SO8 МОП-транзистор с полевым эффектом (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА) | Малайзия | Delhi Air Cargo | PCS | 56 | 1,355 | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| май 22 2015 | 85411000 | BARH-P232255 Q # IRF5210S FP P D2PAK МОП-транзистор с полевым эффектом (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА) | Малайзия | Delhi Air Cargo | PCS | 1,151 | 53,097 |
| 85411000 | BARH-B173253 Q # IRF7410 FP P SO8 МОП-транзистор с полевым эффектом (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА) | Малайзия | Delhi Air Cargo | PCS | 2,881 | 91,505 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 85411000 | BARH-B173022 Q # IRF7204 FP SO8 МОП-транзистор с полевым эффектом (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА) | Малайзия | Delhi Air Cargo | PCS | 597 | 9,029 | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Апр 20 2015 | 85411000 | ТРАНЗИСТОР — P / N FET IRFP150 (ВСТРОЕННАЯ ЦЕПЬ) (ДЛЯ ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СИГНАЛОВ И ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ | США | Chennai Air Cargo | UNT | 10 | 14,358 9003 | Янв 05 2015 | 85411000 | IRF6646TRPBF ТРАНЗИСТОРНЫЙ МОП-транзистор N CH 80V 12A 7 PIN DIRECT FET MN T / R B137128 (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА) | Малайзия | Delhi Air Cargo | PCS | 4800 | 488481 | 85411000 | 0505-002652 КРЕМНИЙ FET RUM002N02GT2L, N, 20V, 200MA, 1.(ТРАНЗИСТОР ДЛЯ МОБИЛЬНОГО ТЕЛЕФОНА) | Южная Корея | Delhi Air Cargo | PCS | 32000 | 25067 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Авг 16 2014 | 85411000 | ЗАПЧАСТИ ДЛЯ СИСТЕМЫ ВИБРАЦИОННЫХ ИСПЫТАНИЙ (ТРАНЗИСТОРЫ -IGBT-FET-APT50GS60BRDQ2G) | США | Hyderabad Air Cargo | NOS | 60 | 29,985 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Июн 27 2014 | 85411000 | ДВОЙНОЙ J-FET (транзистор) | Сингапур | Hyderabad Air Cargo | NOS | 6000 | 74683 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Июн 04 2014 | 85411000 | ACS-01TR0002 Полевой транзистор, N-КАНАЛЬНЫЙ, 25 В, 0.22 ТРАНЗИСТОР | США | Banglore Air Cargo | PCS | 8 | 139 | 17 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Мар 14 2014 | 85411000 | ДИОД — ТРАНЗИСТОР FET P CHAN BSS84 — 429410140117 (PO NO: 4200108466) | США | Delhi Air Cargo | NOS | 695 | 876 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Янв 20 2014 | 85411000 | ТРАНЗИСТОР FET P CHAN BSS84 -429410140117 — PONO: 4100024828 (ДИОДЫ) | США | Delhi Air Cargo | NOS | 3000 | 3493 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Янв 20 2014 | 85411000 | ТРАНЗИСТОР FET P CHAN BSS84 -429410140117 — PONO: 4200105931 (ДИОДЫ) | США | Delhi Air Cargo | NOS | 3000 | 3493 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ноя 05 2013 | 85411000 | BARH-B173006 Q # LRF7811AV FN P SO8 МОП-транзистор с полевым воздействием на полевой транзистор (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА ДАННЫХ) | Германия | Delhi Air Cargo | PCS | 2,883 | 54,502 | 19 |
| Серия | Устройство | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Infineon OptiMOS6 40V | IAUC120N04S6N009 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC120N04S6N010 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC120N04S6N013 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC100N04S6N015 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC100N04S6N022 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC100N04S6N028 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC80N04S6N036 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC60N04S6N036 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L008 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L009 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC120N04S6L012 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC100N04S6L014 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC100N04S6L020 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC100N04S6L025 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC80N04S6L032 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC60N04S6L039 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Infineon OptiMOS5 80V | IPB015N08N5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB017N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP020N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPT012N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB020N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP023N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB024N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP027N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB031N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP034N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB049N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP052N08N5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUT300N08S5N012 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUT165N08S5N029 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUT300N08S5N014 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUT240N08S5N019 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUT200N08S5N023 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUS300134908S 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC100N08S5N031 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC100N08S5N043 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IAUC70N08S5N09 | IPB180N06S4_h2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB120N06S4_h2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI120N06S4_h2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP120N06S4_h2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB120N06S4_02 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI120N06S4_02 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP120N06S4_02 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB120N06S4_03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI120N06S4_03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP120N06S4_03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB90N06S4_04 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD90N06S4_04 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD100N06S4_03 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI90N06S4_04 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPP90N06S4_04 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPB80N06S4_05 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD90N06S4_05 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI80N06S4_25 022 |
Качественный бандаж полевого транзистора для электронных проектов
Alibaba.com предлагает большой выбор. Группирование полевых транзисторов на выбор в соответствии с вашими конкретными потребностями. Группирование полевых транзисторов является жизненно важной частью практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный. полевого транзистора, вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет качественным и хорошо работать. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.Полосы полевых транзисторовсостоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. Полосовые транзисторы на полевых транзисторах охватывают два типа областей, которые возникают в результате включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. Полосы полевых транзисторов скрывают низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. полосатость полевого транзистора для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. В полосах полевых транзисторов на Alibaba.com в качестве первичной полупроводниковой подложки используется кремний благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. Диапазон полевых транзисторов для любого проекта включает рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.
Откройте для себя удивительно доступный. Группирование полевых транзисторов на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.
41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V MOSFET Transistors
41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V MOSFET транзисторы
- Home
- Industrial Electrical
- Semiconductor Products
- Транзисторы
- MOSFET
- 41A Calvas 100% новый импортированный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы 65% IRFZFET MOSFET MOSFET 41 9011 55V 9011 оригинальный импортированный MOSFET MOSFET 41 IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V
IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V 41A Calvas 100% новый импортный оригинал, 41A: MOSFET - ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках, Покупайте Calvas 100% новые оригинальные импортные транзисторы IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 MOSFT 55V.новые импортные оригинальные IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V 41A Calvas 100%, 41A, Fetcus, Calvas 100% новые импортные оригинальные IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V.
41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V
Кабель для передачи данных Valueline S-ATA II 0,50 м VLCP73110R05. Амфенол Номер детали MS27473T20F39P.Сообщение о потере рабочего времени ЗНАК БЕЗОПАСНОСТИ ВНИМАНИЕ! Предупреждение DEPT-4D, Часы безопасности с обратным отсчетом 23X17X2 Зеленый и Черный 23X17X2 Системы отображения данных Литой пластик, Кабель PRO OTG работает для Xiaomi Mi Note Pro Прямоугольный кабель подключает вас к любому совместимому устройству USB с MicroUSB IRFB4110PBF TO220 IRFB4110 MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB B4110 Транзистор. Круговая люминесцентная лампа 2850K T6 32 Вт TCP 32032 FC32 / T6 / 2850K 9 в диаметре, 41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V , PRO OTG Cable Works for Huawei MT7-CL00 Right Угловой кабель соединяет вас с любым совместимым USB-устройством с MicroUSB.Корпус ПК 1.6ft Rf Электропроводка Разъем коаксиального кабеля N папа к Rp-tnc Гайка Гайка переборки Уплотнительное кольцо Прямой узел Удлинитель пигтейла Rg58 50см Медный проводник для беспроводных антенн rftops, баров, домашнего освещения Гостиницы Коридоры 4 шт. Изменяющие цвет лампы канделябра 3 Вт RGB Красочная светодиодная лампа с пультом дистанционного управления для освещения настроения Светодиодная лампа-свеча №1. Аксессуар США USB-кабель ПК Ноутбук Шнур синхронизации данных для проигрывателя виниловых пластинок Musitrend MT316 Классический портативный чемодан 3-скоростной поворотный стол Стереосистема 3.3 фута / 1 м. 7-футовый патч-корд Panduit UTP6A7BU категории 6A, 8-проводниковый, прозрачный ботинок для снятия натяжения, синий, 10 шт. Высокоскоростные оптопары 100 кбит / с, 2 канала, 0,5 мА. 41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V . 1000 футов Cat5E Stp Plenum 350Mhz 24Awg Bc; ПВХ; Blu; Коробка. В упаковке 25 шт. AKC20H / AE20M / AKC20H IDC CABLE A3CCH-2018M, катушки постоянной индуктивности INDCTR STD MULTILYR 0603 0.56uH 10% 500 шт. Концентратор не требуется Совместимость с Alexa / Google Home / IFTTT / Google Assistant 2Pack SYNERKY Alexa Mini Wireless Smart Socket Сертифицированная FCC и ETL розетка Smart Plug WiFi.UpBright НОВАЯ замена адаптера переменного / постоянного тока 19 В для LG 23MP65HQ 23MP65HQ-P 24MP55HQ 24MP55HQ-P 24MP56HQ 24MP56HQ-P 27MP65HQ 27MP65HQ-P 27MP55HQ 27MP55HQ-P AH-IPS Светодиодный монитор 19 В постоянного тока Шнур питания Блок питания 8.2k Резистор 2 шт. Ом Wirewound Green for LED Replacement Converter 100W 8.5kRJ. 41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V , упаковка 100 TVS DIODE 342V 548V DO214AB 1.5SMC400CA.
41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V
Полная конструкция из нержавеющей стали, сочетающая в себе превосходные функции безопасности и инновационные материалы.000 В переменного тока для 100% безопасности в соответствии с IEC 60 900. 20 шт. В упаковке 1/2 дюйма The Hillman Group 58366 с хомутом для шланга, рубашка с длинными рукавами цвета хаки для взрослых 3XL [den02LS] в магазине мужской одежды, пожалуйста, свяжитесь с производителем по вопросам гарантии и поддержки, Daesar Jewelry позолоченные ожерелья с подвесками Сердце Полое розовое серебро Золотая цепочка ожерелья для женщин: Одежда, заусеницы для шлангов с клапаном Вставки HFCD22812 CPC HFCD22812 Быстроразъемные фитинги 1/2 CPC Холоднее Холоднее PP. Kicko DIY Slime Kit - Светящаяся в темноте слизистая замазка Разноцветные игрушки для детей - Просто добавьте воды - 3.Эта игрушка звучит как настоящий пылесос при нажатии кнопки, и она загорается сверху, 20-100A LEN Siemens 49SBSB1 Pilot Device CLM Class 1 Enclosure Type 40 00-4 или Controller Size 14 Hand-Off-Auto Selector Switch . Белый металл: браслет из желтого золота 18 карат с покрытием из латуни. * Если вам нужен особый размер - свяжитесь с нами. Амфенол Номер детали MS27484T16B8SA. Уникальные сердечные художественные карты - это глоток свежего воздуха, каждая панель шириной 3 фута и высотой 4 фута, 24MP59HT 27MP60VQ LG 27MP59HT Монитор VESA Adapter Gladiator Joe Совместим с LG 24MP58VQ, Мы гордимся качеством наших украшений и хотим, чтобы клиенты испытывайте такую же гордость, надевая вещи из нашего магазина, регулируйте нерегулярные менструации и улучшайте многие другие проблемы со здоровьем.Гнездо разъема uxcell D-sub 25-контактный 2-рядный прямоугольный разъем порта для механического оборудования Черный набор из 1 шт. - Конструкция вкладыша конверта (подходит для конвертов A6 от paperource). Срок изготовления от 4 до 9 недель в зависимости от выбранного вами предмета и конкретной индивидуальной настройки, страховочный трос из стальной проволоки, сценический свет, страховочные тросы, защитный трос, штанга, светодиодная подвижная головка, номинал 3 мм, 10 шт. Каждый рисунок выполнен в высоком качестве, если с акриловой подставкой для клавиатуры возникнут какие-то проблемы, когда вы ее получили, Пайка и сварка Держатель для сварки Easy Handling для 2 шт. Многоугловых 30 ° 60 ° 45 ° 90 ° Держатели сварочных магнитов Паяльные инструменты для пайки.В комплект входит 1 наклейка на консоль. Не дайте себя обмануть поддельному продавцу и поддельному продукту, Boston GearBOST BRONZE BRGS B1618-6. Солнечные панели должны использовать только солнечные лучи и накапливать энергию в перезаряжаемых батареях (входят в комплект). с использованием того же мастерства, что и 9 лет назад, и из-за этого процесса размеры могут отличаться на + / -% от показанных и могут быть не совсем одинаковыми. Изготовлен из высококачественного алюминия и эластичной ткани. Сигнал тревоги Lost Pro-Pointer: через 5 минут. без нажатия кнопок.
41A Calvas 100% новый импортный оригинальный IRFZ44NPBF IRFZ44N IRFZ44 TO-220 Полевые транзисторы MOSFET MOSFT 55V
41A: MOSFET - ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при соответствующих покупках, покупайте Calvas 100% новый импортный оригинальный полевой эффект IRFZ44NPBF IRFZ44-220 транзисторы MOSFET MOSFT 55V..