П14 транзистор: П13, П13А, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А

Музей отечественных транзистоов — П13, П14, П15, П16

Далее переходим к очень интересной серии П13, П14, П15, П16.

В предыдущем сообщении я рассказал о П8  -П11, и назвал их комплементарными.
Так вот П8, П9, П10, П11 являются комплементарными к транзисторам П13, П14, П15, П16.
Это их зеркальные копии с обратным типом проводимости.
В последующие годы появлялось немало таких комплементарных пар: например ГТ311 и ГТ313, КТ315 и КТ361, ГТ402 и ГТ404 и др.
Транзисторы П13-П16, и их модифицированные версии МП13 -МП16  и МП39 -МП42 , это целая эпоха в развитии отечественной электроники. Немалая часть аппаратуры специального назначения и бытовой техники 60-х годов построена с использованием этих транзисторов.

Модифицированные транзисторы типа МП начали применять примерно с 1963 г.:

Они отличаются от транзисторов П типом корпуса.Такой тип корпуса называется холодносварным. Что это означает ?

У транзисторов П крышка приваривалась к основанию горячей сваркой с разогревом места соединения электротоком. При разогреве происходило выделение вредных газов, попадающих на кристалл полупроводника. Кристалл приходилось предварительно покрывать специальным лаком. У холодносварного транзистора соединение деталей корпуса происходит методом холодного прессования, вредных газов не выделяется. К тому же у такого типа корпуса лучшая герметичность.

О транзисторе П16 следует рассказать отдельно:

П16 это первый отечественный импульсный транзистор. Что это означает ?
В полупроводниковой технике есть такое понятие: предельные допустимые параметры.
Почти для всех предыдущих транзисторов допустимый рабочий ток не превышал 10 -20 мА.
Для П16 этот параметр был существенно увеличен. Для него допустимый рабочий ток составлял 50 мА, и 300 мА в кратковременном, импульсном режиме. Это очень важно, поскольку многие устройства компьютерной техники работают именно в импульсном режиме.

Вот что мы читаем в одном из журналов 1962 г. :
«В СССР появились отечественные германиевые транзисторы П16, пригодные для логических переключающих схем относительно высокого быстродействия . . . Мы решили использовать их в своём первом модуле памяти, в электронике которого не было бы ламп.»
А вот что в своих воспоминаниях про П16 пишет один из участников создания первых отечественных ЭВМ:
«П16 -чрезвычайно популярные транзисторы для работы в импульсных и переключательных схемах. [ В дальнейшем ] выпускались как МП16-МП16Б , и их аналоги — МП42-МП42Б.»

Вот например транзисторная ячейка памяти от ЭВМ БЭСМ-4 , 60-х годов на транзисторах МП16Б :

В этой серии также есть малошумящий транзистор, это П13Б и его модификация МП13Б и МП39Б.

Если вы внимательно посмотрите схему бытового транзисторного магнитофона конца 60-х или 70-х годов, то увидите, что в первых каскадах усиления сигнала с воспроизводящей головки магнитофона, использовались малошумящие транзисторы МП39Б.  Далее им на замену пришли еще менее шумящие транзисторы П27 и КТ3102Е.
Но о них позже.

Здесь следует рассказать,

© Дубна, 2015 г.

Расчет элементов однокаскадного усилителя (стр. 3 из 4)

Недостатки схемы с общей базой:

малое усиление по току, так как α < 1

Малое входное сопротивление

Два разных источника напряжения для питания.

Достоинства:

Хорошие температурные и частотные свойства.

Высокое допустимое напряжение.

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки (от слова «би» — «два»). Схематическое устройство транзистора показано на втором рисунке.

Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, электроды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмиттером. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же коллектор отличается от эмиттера, главное отличие коллектора — бо́льшая площадь p — n-перехода. Кроме того, для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.

П13, П13А, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А

Германиевые плоскостные транзисторы типа П13, П13А, П14, П15 предназначены для усиления электрических сигналов промежуточной частоты. Транзистор П13Б предназначен для работы в схемах с низким уровнем шумов в схемах ОБ.

Выпускаются в цельнометаллических герметизированных сварных патронах со стеклянными изоляторами. Вес 2г.

Проводимость p-n-p.

Электрические параметры

Наибольшая частота усиления по току

П13, П13А — 465 кГц

П13Б, П14, П14А, П14Б — 1 МГц

П15, П15А — 2 МГц (1,6 МГц) *

Напряжение коллектора — 5 В

Номинальный ток эмиттера

П13, П13Б, П14 — 1 мА

П13А — 0,5 мА

Нулевой ток коллектора

П13А — 15 мкА

П14 — 5 мкА

Обратный ток коллектора

П13 не более — 15 мкА

П13Б — 10 мкА

П15 — 5 мкА (< 15 мкА) **

Обратный ток эмиттера при Uэ = — 5В не более 15 мкА (не более 30 мкА) **

Входное сопротивление при КЗ на выходе, f = 1000 Гц 40 Ом (< 32 Ом) **

Входное сопротивление при Iк = 1 мА, f = 270 Гц

П13А — 5 кОм

П14, П15 — 3 кОм

Выходное сопротивление — 50 кОм

Сопротивление базы на частоте 465 кГц (П14, П15) — 150 Ом

Крутизна характеристики

П13А — 30 мА/В

П14, П15 — 25 мА/В

Коэффициент усиления по току в схеме с общей базой, f = 1 кГц

П13 — 0,92

П13А — 0,97

П13Б, П14 — 0,95

П15 — 0,965 (0,95) *

Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером, Iк = 1 мА, f = 270 Гц

П13 > 12 (12…45) **

П13А > 32 (20…60) **

П13Б, П14, П14А, П15 > 20

П14Б > 30 (30…60) **

П15А > 50 (50…100) **

Коэффициент обратной связи по напряжению, f = 1 кГц

П13, П14, П15 5х10^-3

П13А, П13Б 6х10^-4

П14А 7х10^-3

Емкость коллектора на частоте 465 кГц 50 пФ

Емкость коллектора при Uкб = 0,1 В

П13 — 100 пФ

П14 — 80 пФ

П15 — 20 пФ

Коэффициент шумов в схеме ОЭ при Uк = — 1,5В, Iэ = 0,5мА, f = 1 кГц

П13, П13А, П15, П14 — 33 дБ

П13Б, П14Б — 12 дБ

Выходная проводимость на входе при холостом ходе на частоте 1000 Гц

П13, П14, П15 — 3,3 мксим

П13А — 2,2 мксим

П13Б — 2,0 мксим

П14А, П14Б, П15А — 2,5 мксим

Тепловое сопротивление корпуса 0,5°С/мВт (0,2°С/мВт) **

* ранние выпуски транзисторов

**последние выпуски транзисторов

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение коллектор-база при Тк < 50°С

П13, П13А, П13Б, П14, П15, П15А — 15 В

П14А, П14Б — 20 В

Импульсное напряжение коллектор-база при Тк < 50°С 30 В

Ток коллектора в режиме усиления

П13, П13А, П14, П15 — 20 мА, П13Б — 10 мА

Импульсный ток коллектора — 50 мА (150 мА) *

Ток эмиттера в режиме усиления — 10 мА (20 мА) *

Ток эмиттера в режиме переключения — 50 мА

Рассеиваемая мощность при Тк < 50°С — 150 мВт

Температура окружающей среды

П13, П13А, П13Б, П14А, П14Б, П15А — 60 … +85°С

П14, П15 — 50 … +60°С

Температура перехода — 60 … +100°С

Относительная влажность воздуха при — +40°С до 98%

Наибольшее ускорение при вибрации — 12 g

Наибольшее ускорение при одиночном ударе — 120 п

* по некоторым источникам

Зависимость крутизны характеристики, внутреннего сопротивления, входного сопротивления и емкости коллектора транзистора П13А от тока коллектора в схеме с общим эмиттером

Зависимость крутизны характеристики, внутреннего сопротивления и входного сопротивления от частоты.

Необходимо составить и рассчитать схему однокаскадного усилителя с эммиторной термостабилизацией. Определить коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности, входное и выходное сопротивление, элементы термостабилизации.

Тип транзистора — П 14;

Схема включения — с общей базой;

Построим нагрузочную прямую на семействе выходных характеристик транзистора, изображенную на рисунке 3.1 Для построения нагрузочной прямой требуется всего лишь провести прямую через две точки, а именно: через точку с координатой (E_ИП; 0) и точку с координатой (0; I_{К max}).

Выходная вольт-амперная характеристика

После построения нагрузочной прямой выбираем рабочую точку. На семействе входных характеристик отметим данную рабочую точку.

Рабочая точка имеет следующие координаты:

2.2.1 Определение коэффициента усиления

по току.

Из параметра

найдем коэффициент усиления по току:

2.2.2 Определение коэффициента усиления

по напряжению.

Из параметра

найдем коэффициент усиления по напряжению:

2.2.3 Определение коэффициента усиления

по мощности.

Рассчитаем входное сопротивление транзистора:

Рассчитаем входное сопротивление транзистора:

2.4.1 Расчёт резистора R_Э

Падение напряжения на резисторе R_Э рекомендуется выбирать в пределах порядка (0,05…0,1) U_П. Отсюда выбираем, что падение напряжения на резисторе R_Э выбираем равным 0,075U_П. Подставляя численные данные, получим:

Ток I_Э0 определим по следующей формуле:

где I_К0 — начальный ток коллектора, А,

I_б0 — постоянный ток базы, А.

Подставляя численные данные в формулу, получим:

Для определения резистора R_Э, Ом, воспользуемся следующей фор-мулой:

где U_Rэ — падение напряжения на резисторе R_Э, В;

Подставляя численные данные в формулу (3.3.1.2), получим:

2.4.2 Расчёт резистора R_К

Так как каскад работает в режиме класса “А”, рабочую точку выбираем примерно по середине нагрузочной прямой (данная тока уже определена в п. п.3.1), и тогда U_П = 2U_К0. Для определения резистора R_К, Ом, воспользуемся следующей формулой:

Заменяемость транзисторов

Заменяемость транзисторов

Заменяемость отечественных транзисторов старых выпусков

 

на главную

НОВАЯ ВЕРСИЯ САЙТА

КЛАССИФИКАЦИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Всем транзисторам, разработанным до 1964 года, присвоены
условные обозначения по стандарту, установленному в 1959 году. Согласно этому
стандарту условное обозначение транзисторов может состоять из трех элементов:
первый — буквенный (П — плоскостной транзистор): второй — цифровой, указывающий
на материал прибора (германий или кремний) и обычное применение или назначение
транзистора. Основная классификация ведется по максимальной допустимой мощности,
рассеиваемой на коллекторе Р

_{к.доп
и частотным свойствам — частоте fa или /макс Классификация различает
транзисторы малой мощности (Рк.доп < 0,25
вт)
и большой мощности (Рк.доп >
0,25 вт.), низкочастотные (fa < 5 Мгц) и высокочастотные (fa>
> 5 Мгц).  Последний третий элемент обозначения — буквенный,
указывающий разновидность прибора. Исключение из этого правила представляют
транзисторы типа П4А—П4Д, которые являются транзисторами большой мощности.}

Например, условное обозначение П13 расшифровывается:
«транзистор низкочастотный, германиевый, малой мощности, типа 13».

В настоящее время эта система классификации транзисторов
устарела и не соответствует возросшему количеству и разнообразию приборов. В
связи с этим с 1964 года была введена новая система классификации и условных
обозначений на полупроводниковые приборы, в том числе и на транзисторы. Согласно
новому стандарту основная классификация ведется по исходному материалу,
рассеиваемой прибором мощности и частотным свойствам.

В зависимости от этого транзисторы могут называться
германиевыми или кремниевыми, малой, средней или большой мощности; транзисторами
низкой, средней или высокой частоты. Энергетической характеристикой транзистора
является мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_к.доп,

_{а частотной — максимальная частота
генерации fмакс.}

Условное обозначение транзистора по новому стандарту состоит
из четырех элементов.

Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный
материал: Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия.
Одновременно первый элемент обозначает верхний предел допустимой температуры
корпуса прибора: Г-+ 60° С, 1-+70° С; К—+85° С, 2— +120° С.

Второй элемент — буква, указывающая класс полупроводникового
прибора: Т—транзистор (биполярный с проводимостью р-п-р или п-р-п).П—полевой
транзистор (с каналом р или п типа).

Третий элемент — цифровой, характеризующий основные
энергетические и частотные параметры транзистора.

Четвертый элемент обозначения — буквенный — указывает на
разновидность прибора.

Например, условное обозначение прибора ГТ108А означает:
«германиевый транзистор малой мощности, низкочастотный, подтипа А,
предназначенный для работы при температуре не выше +60° С».

Все необходимые сведения о параметрах транзисторов можно
найти в специальных справочниках по полупроводниковым приборам.

Следует заметить, что ряд транзисторов может иметь условные
индексы, которых нет в приведенных выше классификациях. Это главным образом
транзисторы, разработанные до 1964 года, но выпускаемые в модернизированном
варианте. В этом случае дополнительные буквенные индексы означают следующее:

М — холодносварной корпус;

Э — улучшенная влагостойкость;

И — улучшенные импульсные свойства. Например, МП39Б означает,
что это низкочастотный маломощный транзистор с холоднссварным корпусом; П601
А(И) — высокочастотный транзистор средней мощности с улучшенными импульсными
свойствами.

ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Наличие значительного количества типов и подтипов
транзисторов связано с большим разнообразием технологических средств и приемов,
а также исходных материалов, используемых при изготовлении транзисторов.
Производство транзисторов — очень сложный и трудоемкий процесс, требующий
высокой точности, чистоты и жесткого соблюдения технологических режимов.
Выполнение всех этих требований связано с большими техническими трудностями, чем
и объясняется имеющийся большой разброс параметров выпускаемых транзисторов. В
связи с этим обычно указываются средние либо минимальные значения параметров,
гарантированные для данного типа транзисторов. Наибольший разброс наблюдается у
коэффициента усиления по току бета в схеме с общим эмиттером, обратного тока
коллектора /_к0

_{и
емкости коллекторного перехода Ск. Несколько меньшим разбросом обладают
частотные параметры fа и fmакс.}

Большой разброс параметров транзисторов делает весьма
условными границы между типами транзисторов, что позволяет в ряде случаев без
особых затруднений заменять одни транзисторы другими. При такой замене в первую
очередь обращается внимание на параметры в режиме, при котором транзистор будет
работать в данной схеме Фк, /к, Рк). Исходя из этих сведений
подбираются типы транзисторов, обладающие некоторым запасом по указанным
параметрам и необходимыми частотными и усилительными свойствами (fa или fmakс и
beta). Предпочтение при этом отдается более дешевым и доступным транзисторам.

Например, имеется описание схемы усилителя низкой частоты на
двух транзисторах типа МП41. Постоянное напряжение источника питания составляет
9 в, постоянный ток коллектора каждого транзистора не превышает 1—2 ма, а
сама схема допускает применение транзисторов с beta = 20—40.

Из приведенных в приложении справочных таблиц видно, что в
данном случае возможно применение транзисторов типа МП40, МП42А, МП42Б, а также
некоторых образцов транзисторов МП39 и МП39Б.

Другой пример. В приемнике прямого усиления, рассчитанном для
работы в диапазоне средних волн (СВ), где максимальная частота сигнала 1,6Мгц,
рекомендуется применение транзисторов типа ГТ313А, приобрести которые по тем или
иным причинам не удалось. Учитывая сказанное ранее о том, что для устранения
влияния зависимости усилительных свойств транзисторов от частоты сигнала
необходимо применять транзисторы, у которых граничная частота усиления fm по
крайней мере в 20—30 раз выше максимальной частоты усиливаемого сигнала, делаем
вывод, что возможно использование транзисторов с граничной частотой от 50 Мгц
и выше. Как видно из таблицы 5, этому условию удовлетворяют практически все
высокочастотные транзисторы, кроме П401 и КТ301, КТ301А. Поскольку ГТ313А —
германиевый р-п-р транзистор, то, для того чтобы не вносить в схему
устройства каких-либо дополнительных изменений, следует применить такой же
проводимости германиевый транзистор, например, П402 или П403. Если же
германиевый транзистор заменяется кремниевым, хотя бы и той же проводимости, то
в большинстве случаев требуется проведение дополнительных изменений в схеме
смещения вследствие большого различия в характере зависимости тока коллектора от
напряжения смещения.

К сожалению, дать какой-либо конкретный рецепт замены
транзисторов на все случаи жизни нельзя из-за чрезмерно большого числа типов
выпускаемых транзисторов, а также вследствие огромного множества различных
вариантов схем. Можно только рекомендовать стремиться производить замену
транзисторов внутри группы наиболее близких по своему устройству и параметрам
транзисторов. При этом допускается замена с улучшением или ухудшением параметров
транзисторов. Лучше всего, когда заменяющий транзистор не уступает заменяемому
ни по одному из предельно

допустимых параметров (Рк.доп U_{K3, /K макс), а
также по величине гарантированных значений усиления тока (а или бета) и
предельной частоты усиления (fa или fbeta). В крайнем случае возможна
замена транзисторов с несколько заниженными значениями beta и fa, что хотя и
приведет к некоторому изменению параметров устройства, но ненамного.}

Особо следует сказать о замене транзисторов, выпуск и продажа
которых давно прекращены, но упоминание на страницах радиолюбительской
литературы еще иногда встречается. Кроме того, в употреблении находится большое
количество бытовой радиоэлектронной аппаратуры, где применяются транзисторы
старых выпусков, что создает определенные трудности при ремонте. Например,
согласно табл. транзистор П15 заменяется через МП41, П105 — МП 115, П420 —П401 и
т. д. При такой замене каких-либо дополнительных изменений в схемах не
требуется.

Нужно отметить, что труднее всего находить замену
транзисторов начинающим радиолюбителям, которые еще не накопили достаточного
опыта обращения с параметрами транзисторов, чтобы свободно сравнить их между
собой, находя лучшие и худшие варианты для взаимной замены транзисторов.

Граничная частота f_{m
определяет частоту, где гарантируется усиление потоку не менее единицы, а f2 —
характеризует максимальную частоту, выше которой наблюдается резкое возрастание
внутренних шумов транзистора. Наилучшими шумовыми характеристиками обладают
транзисторы ГТ322А—ГТ322Е, у которых коэффициент шума не превосходит 4 дб. Распространенные в любительской практике
транзисторы типа П401 — П403, имеют значительно худшие свойства. Из
низкочастотных транзисторов в лучшую сторону отличаются транзисторы типа П27А и
П27. Эти транзисторы применяются, как правило, в промышленной аппаратуре.
Конструктивно они оформлены точно так же, как МП35— МП42, но отличаются от них
значительно меньшим шумом. Для сравнения можно указать, что наименее «шумящим»
из доступных любителям транзисторов является МП39Б, у которого коэффициент шума
не более 12 дб, тогда как у остальных транзисторов типов МП39—МП42 он
может составлять до 24 дб. По этой причине в первых каскадах усиления
низкой частоты всегда желательно применение малошу-мящих транзисторов типа
МП39Б, а еще лучше- П27А и П28.}

Можно, конечно, производить разбраковку транзисторов по
величине интересующих параметров и выбирать наилучшие из них. Иногда это бывает
полезным или необходимым. Но ввиду влияния на транзисторы различных внешних
факторов и процесса естественного старения транзисторов, при конструировании
аппаратуры целесообразно ориентироваться на средние, а еще лучше — на
минимальные значения параметра.

Форум на сайте

на главную

пишите пожалуйста на

[email protected]

черепаха, реле, транзистор

КИБЕРНЕТИЧЕСКАЯ «ЧЕРЕПАХА»

       Пионером в практическом моделировании поведения живых существ по праву считается английский нейрофизиолог Уолтер Грей. У его модели «черепашки» можно выработать «условный рефлекс». Она сконструирована так, что, наталкиваясь
на препятствие, поворачивает обратно. В момент столкновения ее с препятствием
раздается свисток. Так повторяется несколько раз, после чего «черепашка»
«научается» поворачивать обратно по свистку, еще не коснувшись препятствия.
Свисток указывает «черепашке» на препятствие, отсылает ее к этому предмету,
сигнализирует о нем. И в этом случае в качестве объекта действия выступает не
сам свисток, а другой предмет – препятствие, от встречи с которым уклоняется
черепашка и о наличии которого говорит свисток и тп. Кроме него стоит упомянуть работы Беркли с его «белкой» «черепашек» Эшби. И приведённую ниже отечественную модель.

     Эта кибернетическая игрушка питается от трех батареек для карманного фонаря; такого комплекта хватает на три часа непрерывной работы. «Черепаха» выполняет следующие операции: при включении питания работает ведущий двигатель, и она идет прямо вперед; если при своем движении «черепаха» ударяется о препятствие, она отступает назад, и одновременно с этим включается второй мотор, который за­ставляет ее свернуть в сторону от препятствия. При попада­нии света в правый глаз «Черепаха» поворачивает направо, а при засвете левого глаза — налево, то есть она всегда стремится к свету. Если игрушка «услышит» громкий звук, то она «пугается» и замирает на несколько секунд, а затем снова идет вперед.

«Черепаха» может вырабатывать условный рефлекс. Для этого при ее столкновении с препятствием надо подать сви­сток; тогда механизм модели как бы запоминает, что препят­ствие встречается на пути после предупредительного свистка, и при следующем свистке «черепаха» уже не останавливается, а сворачивает от воображаемого препятствия.

«Черепаха» собрана на транзисторах и миниатюрных ре­ле постоянного тока типа «РЭС-10» и «РЭС-12» и состоит из нескольких узлов: узла звука, узла управления ведущим дви­гателем, управления мотором поворота, а также светового и «памяти».

Наиболее сложным является узел звука, который состоит из двух частей: собственно звукового реле и электронного реле времени, определяющего время остановки «черепахи». Звуковое реле (рис. 67) собрано на четырех транзисторах типа. П14 и работает следующим образом: сигналы с микро­фона поступают на первый каскад усилителя напряжения

Рис. 67. Схема звукового узла «черепахи».

звуковой частоты. Он собран по обычной схеме с заземлен­ным эмиттером.

Усиленные сигналы поступают на следующий каскад, вы­полненный на транзисторе Т2. В коллекторную цепь этого каскада включен резонансный контур, составленный из индук­тивности и конденсатора С3. Этот контур настроен на часто­ту 800 гц, благодаря чему усиление каскада будет наиболь­шим на частотах 600 — 1000 гц. Это необходимо для того, чтобы «черепаха» не реагировала на собственные шумы, ча­стота которых лежит в пределах 50 — 200 гц.

Последний каскад усиления по напряжению собран на транзисторе Т3. В коллектор этого транзистора включен вы­ходной трансформатор, первичная обмотка которого также настраивается на частоту 800 гц при помощи конденсато­ра C5. Переменное напряжение, снимаемое со вторичной об­мотки трансформатора, выпрямляется мостиковым выпрями­телем, собранным на полупроводниковых диодах.

Выпрямленное напряжение в отрицательной полярности

рис. 68.

поступает на базу транзистора Т4, в коллекторную цепь кото­рого включено исполнительное реле. При возрастании отри­цательного потенциала на базе этого транзистора коллектор­ный ток его резко увеличивается, и реле срабатывает. Кон­такты К1 приводят в действие транзисторное реле времени, собранное на транзисторах Т5 и Т6 (рис. 68). Реле времени представляет собой двухкаскадный усилитель постоянного тока на транзисторах прямой и обратной приводимости с большим коэффициентом усиления.

База первого каскада соединена с минусом источника пита­ния через R — С-цепочку. Когда конденсатор C6 разряжен, на базе транзистора Т5 отсутствует напряжение смещения и ток коллектора мал. Кратковременное замыкание накоротко кон­денсатора С6 контактами К1а при срабатывании реле P1 вы­зывает увеличение коллекторного тока первого каскада. Это увеличение, в свою очередь, вызывает срабатывание реле, включенного в коллектор второго транзистора. Контакты ре­ле Р4 будут оставаться замкнутыми до тех пор, пока конден­сатор не разрядится через сопротивление R9 и участок ба­за-эмиттер первого каскада. Время выдержки зависит от величины конденсатора С6, сопротивления R9 и коэффициента усиления примененных транзисторов.

Реле P4 имеет две пары контактов: одна пара нормально закрытых, а другая — открытых. Нормально закрытые кон­такты K 4а включают цепь питания моторов, а нормально от­крытые контакты К4б работают в логической схеме совпа­дений «И», совместно с контактами К3 включая «память» «черепахи». Таким образом, при свистке «черепаха» останав­ливается на несколько секунд.

При столкновении с препятствием срабатывают контак­ты К11, связанные с буферами. Они закорачивают конденса­тор C7 и тем самым включают реле времени, выполненное на транзисторах Т7 и Т8. Работа этой схемы аналогична выше­описанной и пояснении не требует. В коллектор транзисто­ра Т8 включены два электромеханических реле: Р2 и Р3. Ре­ле Р2 реверсирует ведущий и поворотный двигатели — «чере­паха» движется назад и поворачивает в сторону. Поворот происходит следующим образом; при ходе вперед ток через поворотный мотор не идет, так как диод Д1 включен в запор­ном направлении. При срабатывании реле Р2 полярность питающего двигатель напряжения меняется и диод Д1 про­водит ток. Поворотный мотор начинает вращаться и переме­щает кулачок, связанный с его осью. Кулачок через систему рычагов поворачивает переднее колесо. В конце хода кулач­ка установлен упорный контакт К9, который выключает пита ние двигателя. Рулевой механизм имеет три таких упорных контакта, два из которых (K9 и К10) поставлены в крайних положениях кулачка и один в среднем (К8), когда «черепаха» идет прямо. Как только реле Р2 отпустит якорь, полярность питающего двигатель напряжения вновь изменится, и ток пойдет по цени: диод Д2 — замкнутый контакт K 8 — поворот­ный мотор ПМ. до тех пор, пока кулачок не разомкнет кон­такт К8. Реле Р3 работает в логической схеме совпадений «И» для включения электронной «памяти».

«Память» «черепахи» представляет собой электронное реле времени, работа которого рассчитана на 40—60 секунд. Сра­батывает оно только тогда, когда столкновение с преградой и звук (свист) происходят одновременно, то есть когда кон­такты и K3 и K.4б оба замкнуты и закорачивают конденса­тор C5. Реле Р6 контактами К6, блокирует цепь питания дви­гателей. Теперь при подаче свистка «черепаха» не будет оста­навливаться, а пойдет назад, так как реле Р2 и Р3 срабаты­вают через контакты К4а, а питание моторов блокировано.

На свет «черепаха» реагирует благодаря фотосопротив лениям, которые подключены к усилителям постоянного тока на транзисторах Т11 и Т12. При освещении фотосопротивле ния ярким светом отрицательный потенциал на базе того или другого транзистора увеличивается, что приводит к сра­батыванию реле Р5 или P7. Контакты реле P7 включены параллельно контактам K8, то есть к упорным контактам ру­левого механизма, и при их замыкании «черепаха» начинает двигаться влево. При срабатывании Р5 меняется поляр­ность питания рулевого мотора, диод Д, проводит ток в пря­мом направлении, и «черепаха» движется вправо. «Черепаха»смонтирована на шасси эллиптической формы размерами 240х180х3 мм. Размещение моторов, батарей питания, двигателей и электронных блоков показано на рисунках 69, 70, 71.

В качестве привода использованы двигатели постоянного тока типа ДИП-1, которые потребляют небольшую мощность и развивают усилие, достаточное для движения игрушки и поворота её. Ведущий мотор передаёт вращение на колесо через червячный редуктор с замедлением 1:30, червячная шестерня имеет непосредственное сцепление с колесом. Необходимо отметить, что механические работы должны быть выполнены очень тщательно:

Рис. 69. «Черепаха» со снятым «панцирем» (вид слева).

передачи от двигателей должны легко вращаться и не иметь люфтов, колеса желательно укрепить в миниатюрных под­шипниках и т. д.

Транзисторы Т6, T8, Т10—обратной проводимости, типа П8 или П101, остальные—типа П13 или П14. Транзисторы под­бираются с малым начальным током коллектора и усилением не менее 20. Сопротивления и конденсаторы — малогаба­ритные. Реле P7 и Р3 — миниатюрные, типа РЭС-9, реле Р2, Р5 и Р6 — также типа РЭС-9, а реле Р1—типа РЭС-10.

Все реле подвергаются переделке: ослабляются пружины, приближаются контакты для того, чтобы уменьшить ток сра­батывания и понизить напряжение питания. После переделки ток срабатывания уменьшается в 2,5 раза. Эту операцию также нужно производить с достаточной тщательностью и ак­куратностью. Для устранения помех от двигателей звуковой

Рис. 70. «Черепаха» со снятым «панцирем» (вид справа).

узел питается от трех последователь­но включенных ак­кумуляторов ти­па «Д-0,06». Эти аккумуляторы по­мещаются в са­модельную кассету с выводами для подзарядки.

Электролитические конденсаторы должны быть подо­браны с небольшим током утечки. Мик­рофон — капсюль типа «ДЭМШ». Трансформатор име­ет сердечник сечени­ем 1 см 2. Данные его обмоток: пер­вичная — 500 витков ПЭ-0,1; вторичная – 150 витков ПЭ-0,18.

Налаживание «черепахи» начина­ют с настройки звукового узла. Подключают питание и на вход подают сигнал от звукового генератора с частотой 900 гц и амплитудой 5 мв. Подбором емкостей конденсаторов С3 и C5 добиваются срабатывания реле на этой частоте. Если срабатывание происходит при сигнале большем, чем 15 мв, следует применить транзисторы с боль­шим коэффициентом усиления.

Затем приступа­ют к налаживанию реле времени на транзисторах Т5 и T6. Для этого замыка­ют конденсатор С6 накоротко, а в цепь коллектора последо­вательно с реле

включают миллиамперметр. При замыкании С6 ток коллек­тора возрастает до 20—25 ма и затем плавно уменьшается до 1—3 ма. Если значение тока при полном разряде конден­сатора будет более 5 ма, то следует сменить транзистор Т5 на другой, с меньшим начальным током коллектора, или вы­брать электролитический конденсатор с малой утечкой. Вре­мя остановки «черепахи» регулируется сопротивлением R9 и составляет 4—5 секунд. Остальные реле времени регули­руются точно так же. Фотореле в регулировке не нуждают­ся, необходимо лишь использовать транзисторы с достаточ­но большим коэффициентом усиления.

Для любителей конструирования в настоящее время выпускаются наборы мобильных роботов, которые продаются в магазинах Мастер Кит или Чип и Дип. Особый интерес представляет конструктор NM 7010 Робот Жук.

Современные разработки бионических роботов по материалам ТВ

Занимательная анатомия роботов. Скачать

Схемы простейших beam-роботов

Известные и неизвестные люди России

Сервис объявлений OLX: сайт объявлений в Украине

Германиевый транзистор — тип — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Германиевый транзистор — тип

Cтраница 1

Германиевые транзисторы типов П207 — П208А должны — прикрепляться к теплоотводящей панели с помощью двух шпилек. При использовании транзисторов в предельных режимах рекомендуется применение водяного охлаждения из расчета не менее 1 5 л / лшм.
[1]

Германиевые транзисторы типов П209 — П210А привинчиваются к теплоотводящей панели с помощью накидного фланца. При температуре корпуса 25 С и выше предельно допустимая мощность, рассеиваемая коллектором, снижается на 100 мет через каждые 10 С.
[2]

Германиевый транзистор типа р-п — р включен по схеме с общим эмиттером.
[4]

Исследовались германиевые транзисторы типов П13, П15, П16А, П26А, П202, П4Е, а также кремниевые типа ПЗОЗ.
[5]

Для германиевого транзистора типа п-р — п с шириной базы ш 2 5 — 10 — см найти предельные частоты К и f h, если транзистор работает при Т 300 К.
[6]

База в германиевом транзисторе типа п-р — п имеет ширину 0 025 мм. Определить: а) время, необходимое неосновным носителям для пролета базы; б) время, необходимое неосновным носителям для пролета базы в аналогичном транзисторе типа р-п — р; в) каким частотам переменного напряжения соответствуют найденные значения времени пролета.
[7]

Подходящим для каскада является маломощный германиевый транзистор типа П14, имеющий Ржци 20 при токе коллектора / ко 1 ма; останавливаемся на этом транзисторе и увеличиваем ток покоя коллектора до рекомендуемого значения в 1 ма.
[8]

Подходящим для каскада является маломощный германиевый транзистор типа П6В, имеющий ам н — 0 94 при токе коллектора / — о 1 ма; останавливаемся на этом транзисторе и увеличиваем ток покоя коллектора до рекомендуемого значения в 1 ма.
[9]

Для примера рассмотрим надежность германиевого транзистора типа П214В, который работает в схеме усилителя напряжения при температуре окружающей среды 40 С.
[11]

Определяя нулевой уровень схемы рис. 3 — 23 с германиевыми транзисторами типа П407, примем, что параметры полной эквивалентной схемы рис. 4 — 3 обоих транзисторов одинаковы, за исключением величины динами-еских сопротивлений закрытых транзисторов г3, которые отличаются в два раза.
[12]

У транзисторов, имеющих сравнительно небольшое изменение дг и а7 ( германиевые транзисторы типа р-п — р), должно наблюдаться увеличение / при повышении температуры в сравнительно широком диапазоне температур.
[13]

На рис. 1 — 14 показаны экспериментальные вольт-амперные характеристики промежутка коллектор-эмиттер германиевого транзистора типа П16Б для нормального и инверсного включений.
[14]

Применены новые типы транзисторов: вместо КТ342А — КТ645А, вместо КТ608А — КТ646А, а вместо германиевого транзистора типа П214А применен кремниевый типа К.
[15]

Страницы:  

1

2

Транзисторы Применение — Энциклопедия по машиностроению XXL

Цепь —С1 облегчает переходные процессы при появлении и прекращении тока в первичной обмотке катушки. Конденсатор С2 защищает транзистор от перенапряжений, которые могут возникнуть в цепи питания. Германиевый транзистор, примененный в транзисторном коммутаторе, должен работать при температуре окружающего воздуха не выше 65° С, поэтому коммутатор следует размещать не под капотом двигателя, а в кабине водителя и по возможности ближе к дверным проемам.  [c.120]











Автором разработана опытная схема автоматического регулятора с усилителями на транзисторах, применение которых позволило создать малогабаритную конструкцию регулятора с достаточно высокой чувствительностью. Описываемый регулятор служит для поддержания силы тока в изделии на заранее заданном уровне. Он имеет диапазон регулирования от 400 до 1000 а и чувствительность срабатывания 50 а. Возможно выполнение регулятора с другим диапазоном регулирования силы сварочного тока при замене трансформатора тока или переключении его пределов.  [c.136]

СНИЖЕНИЕ ПОТЕРЬ ПРИ КОММУТАЦИИ ТРАНЗИСТОРОВ Применение форсирующих цепочек  [c.221]

Основные области применения полупроводниковых материалов 1) выпрямительные и усилительные приборы разной МОЩНОСТИ на разные частоты неуправляемые и управляемые — диоды, транзисторы, тиристоры 2) нелинейные резисторы-варисторы 3) терморезисторы 4) фоторезисторы 5) фотоэлементы 6) термоэлектрические генера,-  [c.276]

Транзисторы (полупроводниковые триоды) предназначаются для усиления, генерирования и переключения токов. Использование транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре повышает ее к. п. д., экономичность, надежность и срок службы. Аппаратура на транзисторах малогабаритна. Однако значительный разброс параметров, а также зависимость параметров и режимов работы транзисторов от температуры, в некоторых случаях ограничивает область их применения.  [c.247]

В практической схеме (фиг. 15, б) можно использовать транзисторы П13, П14, П15, П16 и им подобные в случае применения транзисторов п—р—и следует сменить полярность источников питания и электролитических конденсаторов на обратную.  [c.251]

Реже возникают отказы из-за плохого присоединения контактов и неоднородности материалов. В лабораториях иногда обнаруживаются токовые перегрузки транзисторов, вызванные ошибками операторов. В таких случаях внутренние выводы оказываются отпаянными от внешних контактов и на их концах образуются шарики припоя. У мощных транзисторов наблюдаются отказы, обусловленные тепловыми перегрузками. Они могут быть предотвращены применением в конструкции хороших теплоотводов.  [c.290]

Миниатюризация производится путем применения транзисторов, микромодулей, интегральных твердых схем и пленочно-гибридных схем.  [c.137]

Зачастую рещаемая задача требует применения нелинейных элементов повышенной стабильности. Более подробно об этом будет идти речь в гл. XVI. Здесь рассмотрим схему такого элемента, в которой наряду с полупроводниковыми триодами используются операционные усилители в интегральном исполнении. Элемент обладает надежностью, минимальными габаритами, простотой перестройки функции и удобно согласуется с другими элементами моделирующих установок [203]. Устройство (рис. 29) состоит из операционных усилителей У/, У2, УЗ, транзисторов Т1, Т2 и резисторов, участвующих в управлении.  [c.108]

Применение для моделирования нелинейностей нелинейных электрических сопротивлений ставит перед исследователем в числе других еще одну, достаточно важную проблему. Дело в том, что на характеристику нелинейного элемента обычно оказывает влияние ряд параметров (напряжения смещения, величины дополнительных сопротивлений, ток базы транзистора и т. п.). Подбор необходимого режима работы элемента является трудоемким процессом, так как требуется снятие большого количества характеристик. Для упрощения этого процесса разработан прибор, функциональная схема которого показана на рис. 30. В ней с генератора линейно-нарастающего напряжения ГЛН пилообразное напряжение подается на НС. Между катодом и сетками лампы включены регулируемые источники смещения E i и а параллельно лампе — магазин сопротивлений R типа РЗЗ. Между катодом лампы и землей включено калибровочное сопротивление R , на котором создается падение напряжения f/к, пропорциональное току, текущему через НС. Напряжение подается на вход У осциллографа ЭО типа С1-13, на экран которого нанесена эталонная парабола у = Поскольку ток /не яв-  [c.109]

Применение в качестве нелинейных сопротивлений многоэлектродных электронных ламп, транзисторов и универсальных нелинейных элементов позволяет распространить метод нелинейных сопротивлений на нелинейные задачи нестационарной теплопроводности. При этом задача может быть решена на существующих аналоговых машинах (7 С-сетках) с использованием нелинейных сопротивлений и блоков, имеющихся в этих машинах.  [c.127]

Наиболее широко используются диоды и транзисторы, имеются данные и о применении в качестве термодатчиков тиристоров и других полупроводниковых приборов.  [c.251]

В последнее время разработаны системы зажигания с применением полупроводниковых элементов — транзисторов. Эта система сложнее рассмотренной, но имеет ряд  [c.154]

В САУ нашли широкое применение также полупроводниковые усилители на базе триод-транзисторов, которые позволяют усиливать мощность и силу тока подаваемых сигналов, а также тиристорные преобразователи-усилители. Применение последних обеспечивает плавность пусковых режимов, повышение КПД, снижение массы и габаритов аппаратуры.  [c.105]

Методики НК в зависимости от требуемого уровня надежности ЗРИ позволяют обеспечить проведение диагностического контроля подавляющего большинства изделий различных классов (микросхем, транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов, реле и т.д.). Эти методики разрабатывались, в первую очередь, для исследования тех ЭРИ, которые по опыту их применения в отрасли обладали пониженной надежностью и недостаточным ресурсом. Разработанные и внедренные индивидуальные методики устанавливают  [c.461]

Коэффициентом усиления транзистора (Вот) называется отношение силы тока коллектора к силе тока базы. Для транзистора, примененного в РР382,  [c.51]

Пользователь САПР может не знать этих эквивалентных схем, ему достаточно сведений об области применения моделей, их описания на входном языке программного комплекса анализа и значений параме7 ров. Описание транзистора может выглядеть так  [c.91]

Спейсистор — транзистор, в котором носители заряда инжектируются из эмиттера в обедненный слой обратно-смещенного перехода управление током осуществляется электродом, введенным в пределы обедненного слоя так как в приборе не используется диффузия неосновных носителей, то его можно теоретически применять на частотах до 1 ГГц, однако практического применения спейсисторы не получили из-за несовершенства конструкций [9].  [c.153]

Естественно, что тот или иной конкретный прибор может не содержать некоторых из перечисленных узлов. Так, вместо МДМ-усилителя может быть применен иной усилитель постоянного тока, в этом случае будут отсутствовать модулятор и демодулятор. Приборы выполняются на лампах или транзисторах, а иногда сочетают те и друтие элементы.  [c.46]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений.  [c.288]

Германий как полупроводник играет важную роль в полупроводниковой электронике. В этой области инфоко используют германий для изготовления кристаллических выпрямителей (диодов) и кристаллических усилителей (триодов или транзисторов]. Кристаллические выпрямители и усилители обладают рядом преимуществ перед электронными лампами потребляемая ими мощность значительно ниже, чем у вакуумных ламп, а poir их службы длительнее они отличаются большей механической устойчивостью по отношению к вибрациям и ударам, чем электронные лампы, и имеют по сравнению с ними значительно меньшие размеры. Это делает особенно перспективным их применение в сложных счетных машинах, телемеханике, радарных установках и т. п.  [c.531]

В 50—60-х годах продолжались интенсивные разработки магнитных аналоговых элементов и усилителей. Разработанные принципы построения рядов сердечников обеспечили возможность создания оптимальных по чувствительности, коэффициенту усиления, весу, стоимости и к. п. д. магнитных элементов, работающих в широком диапазоне мощностей на основе ограниченного числа типоразмеров сердечников. Была создана общесоюзная нормаль на такие сердечники. Были разработаны новые принципы построения магнитных усилителей, модуляторов, зондов и бесконтактных реле, отличающихся повышенной чувствительностью и стабильностью на основе применения двойной (перекрестной) обратной связи, выпрямления четных гармоник нелинейными симметричными сопротивлениями, наложения взаимно перпендикулярных магнитных полей, применения двухфазных источников питания, выполнения условий минимальных искажений выходного напряжения и шумов и др. Созданные бесконтактные реле получили широкое применение в качестве измерительных элементов в системах автоматического контроля электротехнических изделий. Кроме того, были разработаны новые типы усилителей с повышенными к. п. д. и быстродействием на основе сочетания магнитных усилителей с транзисторами, устранения задержки в рабочей цепи усилителей с выходом на переменном токе и применения бестрансформаторных реверсивных схем постоянного тока.  [c.265]

Наиболее ранними полупроводниковыми приборами, вошедшими в практику, были германиевые или кремниевые радиолокационные детекторы. Изучение их свойств, получение опыта их использования и достижения теории полупроводников создали условия для появления транзисторов и развития транзисторной электроники (1948 г.). Основными задачами ее были (да и продолжают оставаться) повышение рабочих частот транзисторов, увеличение отдаваемой ими мощности и увеличение рабочих напряжений для тех случаев, где в том встречается необходимость. В начале 50-х годов промышленностью уже были освоены высокочастотные маломощные транзисторы (рис. 71), и они сразу нашли себе применение в приемных устройствах. Вскоре появились смесительные диоды, используемые в сунергетеро-  [c.382]

Чувствительность Р. у., особенно в СВЧ-диапазояе, решающим образом зависит от коэф. шума и усиления по мощности первых каскадов УТ. На рис. 3 приведены обобщённые шумовые характеристики МШУ и диодных смесителей. Наименьшим уровнем шумов обладают охлаждаемые квантовые парамагн. усилители, однако вследствие высокой сложности и стоимости, плохих массогабаритных показателей их использование ограничено практически радиоастрономическими Р. у. Весьма низким уровнем шумов обладают также охлаждаемые параметрич. усилители и усилители на полевых транзисторах с барьером Шоттки (УПТШ), причём массогабаритные показатели допускают их применение даже в бортовых Р. у. Оба типа устройств применяются препы. в наземных Р. у. систем космич. связи, причём вследствие большей простоты и технологичности полевых транзисторов они постепенно вытесняют пара мет-  [c.233]

Применение. С., обладающие фоторефрактивным эффектом, используются для записи и обработки оптич. сигналов. Сегнетокерамика с эффектом ПТКС применяется для создания приборов в системах теплового контроля и в измерит, технике. Полупроводниковая сегнетокерамика с гонкими межзёренными прослойками испольэуетсп в конденсаторах большой ёмкости. Высокоомные С. применяются в гибридных структурах, где возможно управление проводимостью полевого транзистора в канале исток— сток путём переключения спонтанной поляризации в сегнетоэлектрич. затворе. Возможно использование переключения сегнетоэлектрич, доменов в плёнках для создания энергонезависимых устройств памяти с высокой ёмкостью и высоким быстродействием (технология таких устройств совместима с кремниевой технологией).  [c.475]

Наим, шумами обладают квантовые усилители, у к-рых в условиях глубокого охлаждения жидким гелием уровень тепловых шумов становится соизмеримым с шумами спонтанного излучения активного вещества в диапазоне частот 0,520 ГГц Т 5- 6 К при охлаждении до 4,2 К. Обычно применяемые трёхуровневые мазеры строятся как регенеративные У. э, к., реже как усилители бегущей волны. Наличие громоздких и дорогостоящих криогенной охлаждающей и магн. систем ограничивает область применения квантовых усилителей уникальными приёмными устройствами радиоастрономии и сверхдальней космич. связи. С мазерами сравнимы по шумовым свойствам полупроводниковые параметрич. усилители (ППУ) при глубоком охлаждении (до 20 К и ниже), однако необходимость системы охлаждения заставляет использовать их в осн. в наземных радиосистемах, где требуются высокочувствит. радиоприёмные устройства, а габариты, масса и потребляемая мощность менее существенны. ППУ, в к-рых в качестве изменяемого энергоёмкого параметра служит нелинейная ёмкость полупроводникового диода — варикапа, работают в диапазоне частот 0,3- -35 ГГц, имеют относит, полосы пропускания от долей до неск. %, АГ,о= 17-нЗО дБ на каскад, широкий динамич. диапазон. В качестве источников накачки применяются генераторы на транзисторах СВЧ без умножения и с умножением частоты, на Ihmia диодах и на лавинно-пролётных диодах. Неохлаждаемые ППУ превосходят по шумовым параметрам неохлаждаемые У. э. к. на транзисторах СВЧ, но значительно уступают последним по сложности, технологическим и массогабаритным показателям, в связи с чем вытесняются ими, прежде всего из бортовой аппаратуры.  [c.242]

Применение коммутатора облегчает работу контактов прерывателя, так как прерывание тока в первичной цепи осуществляется транзистором, а через контакты гфоходит уже не весь ток первичной цепи, а лишь малый по значению  [c.22]

Первые германиевые транзисторы имели почти такие же размеры, что и германиевые диоды, и отличались от них только наличием на германиевой пластинке двух проволочных контактов вместо одного. Это были так называемые точечные транзисторы. Позднее был разработан прибор другого Tiina. Этот прибор был изготовлен из тонкой пластинки монокристалличе-ского германия, обработанной таким образом, что ее поверхности обладали свойствами, отличающимися от свойств ее внутренней части. Это были так называемые плоскостные транзисторы. Германиевые транзисторы обоих типов при их применении имеют свои преимущества и недостатки. Уже первые из таких транзисторов имели очень небольшие размеры (около 0,3 гм ). Так же как и в случае Д1юдов, усовершенствование технологии их изготовления привело к уменьшению размеров и. значительному улучшению их эксплуатационных характеристик. Силовые транзисторы обычно имеют гораздо большие размеры.  [c.213]

Первые германиевые транзисторы применялись в качестве усилителей и осцилляторов. Новые открытия привели к столь йначите-пьному расширению областей их применения, что в одном только 19Г)9 г. было выпущено 125 млн. штук полупроводниковых приборов [ 161. В течение последних 4—5 лет были разработаны способы изготовления полупроводниковых приборов в массовом масштабе, благодаря чему эти приборы иашли широкпе применение в различных областях техники. Применение полупроводниковых приборов позволило усовершенствовать радиоаппаратуру, усилители для глухих, оборудование для проволочной связи и уменьшить  [c.213]

MX габариты. Замена электронных ламп транзисторами привела к увеличению дальности действия телефонной связи. Устойчивость работы всех видов связи в значительной мере зависит от применения для этой цепи полупроводниковых приборов. Благодаря их применению были значительно уменьшены размеры и усовершонствонаны различные виды военной аппаратуры. Эти улучшения, столь важные для военных объектов, способствовали также их применению в бытовых и промышленных устройствах. Применение специальных германиевых приборов привело к большим успехам в технике управления ракетами и спутниками земли.  [c.214]

Припои. Иидий и многие его сплавы хорошо прилипают к многим металлам II неметаллам [33]. Благодаря этому широкое применение находят специальные припои, содержащие индий. Разработаны некоторые низкотемпературные припои, содержащие иидий, в том числе сплавы индий — медь — серебро и индий — медь — золото. Большое количество нидийсодержащих припоев в таблетках применяется в производстве транзисторов.  [c.240]

Эмиттеры, транзисторы, выключатели. Среди многочисленных потенциальных областей применения углеродных нанотрубок использование последних в электронной технике считается одним из самых перспективных. В связи с размерными особенностями (большое отношение длины к диаметру и малые размеры), возможностью изменения проводимости в широких пределах и химической устойчивостью углеродные нанотрубки рассматриваются как принципиально новый материал для электронных приборов нового поколения, в том числе и ультраминиатюрных [3, 13, 17].  [c.166]

транзистор% 20p14 техническое описание и примечания по применению

L3305L-P14-R техническое описание — Усилитель низкого напряжения класса B

888D-M4AC1-1F: Розетки.Корпус розетки Разъем Вставка Контакты Изоляция провода Температура Никелированная латунь Нейлон Обработанная латунь с золотым никелированием Маслостойкий ПВХ, многожильный медный провод 22AWG, до + 221F) Розетки перегородки с наружной резьбой или 8-контактная конфигурация Монтажная резьба 1/2 дюйма -14NPT Вид спереди Цвет мужского провода 1 Коричневый 2 Белый 3 Синий 4 Черный 1 Коричневый 2 Белый.

D320GB70PF: 32 мегабит (4 M x 8 бит / 2 M x 16 бит) CMOS, только 3,0 В, флэш-память для одновременной работы.

CMDA6AY7D1S: Стандартный светодиод — SMD GRN 570нм 15мкд DIFF.»» »Светодиоды — Высокая яркость — SMD — Зеленые светодиоды — Высокая яркость — SMD — Зеленый Стандартный SMD (устройство для поверхностного монтажа) Светодиодные компоненты часто используются в системах индикации и обычно имеют уровни мощности s: Производитель: Chicago Miniature; Категория продукта: Стандартные светодиоды — SMD; RoHS: Подробности.

LM2596SX-12 / NOPB: Pmic — Регулятор напряжения — Импульсный стабилизатор постоянного тока Интегральная схема (ics) понижающий (понижающий) 3A 12V; Микросхема BUCK 12V 3A TO263-5. s: Тип: Step-Down (Бак); Тип выхода: фиксированный; Тип ШИМ: -; Синхронный выпрямитель: Нет; Количество выходов: 1; Напряжение — Выход: 12 В; Ток — Выход: 3А; Частота — переключение: 150 кГц; Напряжение — Вход: 4.5 В ~ 40 В; Вести.

M29F800AB70M1: Интегральная схема памяти (ics) FLASH — Nor Tube 4.5 V ~ 5.5 V; IC FLASH 8MBIT 70NS 44SOIC. s: Тип памяти: FLASH — Nor; Объем памяти: 8 МБ (1 МБ x 8, 512 КБ x 16); Скорость: 70 нс; Интерфейс: параллельный (байтовый); Упаковка / ящик: 44-SOIC (0,525 дюйма, ширина 13,34 мм); упаковка: трубка; напряжение — питание: 4,5 В ~ 5,5 В; рабочая температура: 0 ° C ~ 70 ° C; формат.

IPW90R1K0C3: Fet — Отдельный дискретный полупроводниковый прибор 5,7 А, 900 В, 89 Вт, сквозное отверстие; МОП-транзистор N-CH 900 В 5.7А ТО-247. s: Тип установки: Сквозное отверстие; Тип полевого транзистора: МОП-транзистор с N-каналом, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 900 В; Ток — постоянный сток (Id) при 25 ° C: 5,7 А; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 1 Ом при 3,3 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 850 пФ @ 100 В.

400294: Принадлежности; БЛОК ПИТАНИЯ TOUCH SCRN MOD. s: Тип аксессуара: Блок питания; Для использования с / сопутствующими товарами: Контроллер сенсорного экрана; Статус без свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS.

TNPW12061M80BETA: 1.Чип-резистор 8 МОм 0,25 Вт, 1/4 Вт — поверхностный монтаж; RES 1,80 МОм 1/4 Вт 0,1% 1206. с: Сопротивление (Ом): 1,8 МОм; Мощность (Вт): 0,25 Вт, 1/4 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 25 частей на миллион / C; Статус без свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS.

TT11EGPC3: Тумблер SPDT Вкл.-Выкл. 0,4 ВА при 20 В переменного / постоянного тока; SW TOGGLE SPDT 1 / 4-40 PC GOLD. s: Цепь: SPDT; Функция переключателя: вкл-выкл-вкл; Тип установки: На плату, на сквозное отверстие; Длина привода: 5.61 мм; Тип привода: стандартный круглый; Резьба втулки: без резьбы; Номинальные характеристики контактов при напряжении: 0,4 ВА при 20 В переменного / постоянного тока; Освещение: Без подсветки; Тип завершения: контакт ПК; Вести.

735411: Терминал — соединители для сращивания проводов, линейные межсоединения, ответвители; КЛЕММНАЯ СОЕДИНИТЕЛЬ ОЛОВА ЖЕЛТЫЙ. s: Цвет: желтый; : Откидная крышка (и); Утеплитель: полностью утеплен; Количество вводов проводов: 2; Упаковка: навалом; Тип терминала: встроенный, кран; Прекращение: обжим; Калибр провода: 10-11,5 AWG; Статус без содержания свинца: без содержания свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

AD9129: 14-разрядный цифро-аналоговый преобразователь RF, 5,6 GSPS. AD9119 / AD9129 — это высокопроизводительные 11-битные и 14-битные РЧ ЦАП, поддерживающие скорость передачи данных до 2,8 GSPS. Ядро ЦАП основано на архитектуре с четырьмя переключателями, которая позволяет работать с двухканальной синхронизацией, эффективно увеличивая частоту обновления ЦАП до 5,6 GSPS при настройке для смешанного режима или 2-кратной интерполяции.

RHDL81h205K2A2C03B: КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 50 В, X8L, 1 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствует RoHS: Да; Диапазон емкости: 1 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Тип установки: сквозное отверстие.

223155: 95 КОНТАКТ (-Ы), НАРУЖНЫЙ, ПРЯМОЙ ДВУСТОРОННИЙ СОЕДИНИТЕЛЬ ПЛАТЫ, ПРЕСС-ФИТ. s: Тип разъема: ДВУСТОРОННИЙ ПЛАТНЫЙ СОЕДИНИТЕЛЬ; Мужской пол ; Типы прекращения: PRESS FIT; Кол-во контактов: 95.

3-963557-2: 15 КОНТАКТ (-Ы), НАРУЖНЫЙ, ПРАВЫЙ УГОЛ ДВУСТОРОННИЙ СОЕДИНИТЕЛЬ ПЛАТЫ, ПАЯ. s: Тип разъема: ДВУСТОРОННИЙ ПЛАТНЫЙ СОЕДИНИТЕЛЬ; Мужской пол ; Типы прекращения: SOLDER; Кол-во контактов: 15.

LTC2387-18: LTC2387-18 — 18-битный АЦП последовательного приближения 15 Мбит / с. LTC2387-18 — это малошумящий, высокоскоростной 18-битный АЦП с регистром последовательного приближения (SAR) со скоростью 15 Мбит / с, идеально подходящий для широкого круга приложений.Сочетание превосходной линейности и широкого динамического диапазона делает LTC2387-18 идеальным решением для высокоскоростной визуализации и измерительных приборов. Без задержки операции.

Поиск

может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас, вы получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓ Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.

Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.

Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
Если что-то неясно или у вас есть вопросы, обращайтесь в нашу службу поддержки.

См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.
Получите заказанный товар или верните свои деньги.
Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
PayPal Защита покупателей
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.

Лист данных или технические спецификации в формате PDF доступны по запросу для загрузки.

Почему выбирают нас?

Каковы ваши основные продукты?

Какая цена?

Какой способ оплаты?

Что такое возврат и замена?

Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?

Когда вы пришлете мне детали?

Как разместить заказ?

Предлагаете ли вы техническую поддержку?

Предлагаете ли вы гарантию?

Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

Если у вас возникнут другие вопросы, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!

All Wave 8 Транзистор 8S-P14 Radio Sanyo Electric Co.

{gbW: «933», gbH: «699», mW: «500», mH: «375», kb: «58 КБ», примечания: «Для модели All Wave 8 Transistor 8S-P14, Sanyo Electric Co. Ltd. .; Моригути (Осака): [br] SANYO 8S-P14 FRENTE «, название:» Sanyo Electric Co. All Wave 8 Transistor 8S-P14 от Альберто Крузадо (1) «, ite:» 1 «}
{gbW: «933», gbH: «699», mW: «500», mH: «375», kb: «52 КБ», примечания: «Для модели All Wave 8 Transistor 8S-P14, Sanyo Electric Co.Ltd .; Моригути (Осака): [br] SANYO 8S-P14 INSIDE », название:« Sanyo Electric Co. All Wave 8 Transistor 8S-P14 от Альберто Крузадо (1) », ite:« 1 »}
{gbW: «933», gbH: «699», mW: «500», mH: «375», kb: «41 КБ», примечания: «Для модели All Wave 8 Transistor 8S-P14, Sanyo Electric Co. Ltd. .; Моригути (Осака): [br] SANIO 8S-P14 PARTE TRASERA «, название:» Sanyo Electric Co. All Wave 8 Transistor 8S-P14 от Альберто Крузадо (1) «, ite:» 1 «}
{gbW: «102», gbH: «39», мВт: «102», mH: «39», kb: «2 КБ», примечания: «Для модели All Wave 8 Transistor 8S-P14, Sanyo Electric Co.Ltd .; Моригути (Осака): [br] Ориг. Коробка », название:« Транзистор 8S-P14 All Wave 8 компании Sanyo Electric Co., загруженный участником RM (sID 38) (2) », ite:« 2 »}
{gbW: «933», gbH: «727», mW: «481.0», mH: «375», kb: «143 КБ», примечания: «Для модели All Wave 8 Transistor 8S-P14, Sanyo Electric Co. Ltd. .; Моригути (Осака): [br] Radioflohmarkt A-Breitenfurt 9/2011 », заголовок:« Sanyo Electric Co. All Wave 8 Transistor 8S-P14 от RM Member (sID 38) (1) », итерации:« 1 » }
{gbW: «933», gbH: «636», mW: «500», mH: «340.0», kb: «75 КБ», примечания: «Для модели All Wave 8 Transistor 8S-P14, Sanyo Electric Co.Ltd .; Моригути (Осака): [br] Radioflohmarkt A-Breitenfurt 9/2011 «, название:» Sanyo Electric Co. All Wave 8 Transistor 8S-P14 от RM Member (sID 38) (1) «, ite:» 1 «}
{gbW: «933», gbH: «440», мВт: «500», mH: «235.0», kb: «63 КБ», примечания: «Для модели All Wave 8 Transistor 8S-P14, Sanyo Electric Co. Ltd. .; Моригути (Осака): [br] Radioflohmarkt A-Breitenfurt 9/2011 », заголовок:« Sanyo Electric Co. All Wave 8 Transistor 8S-P14 от RM Member (sID 38) (1) », итерации:« 1 » }
{gbW: «600», gbH: «600», мВт: «375.0», mH: «375», kb: «78 КБ», примечания: «Для модели All Wave 8 Transistor 8S-P14, Sanyo Electric Co.Ltd .; Моригути (Осака): [br] Источник: eBay.com, № 331120762057, продавец: lez266 «, заголовок:» Транзистор 8S-P14 All Wave 8 компании Sanyo Electric Co., загруженный Даниэлем Роша (2) «, ite:» 2 » }
{gbW: «800», gbH: «630», mW: «476.0», mH: «375», kb: «111 KB», примечания: «Для модели All Wave 8 Transistor 8S-P14, Sanyo Electric Co. Ltd .; Моригути (Осака): [br] Источник: eBay.com, № 331120762057, продавец: lez266 «, заголовок:» Транзистор 8S-P14 All Wave 8 компании Sanyo Electric Co., загруженный Даниэлем Роша (2) «, ite:» 2 «}
{gbW: «733», gbH: «550», мВт: «500», mH: «375», kb: «66 КБ», примечания: «Для модели All Wave 8 Transistor 8S-P14, Sanyo Electric Co.Ltd .; Моригути (Осака) «, название:» Sanyo Electric Co. All Wave 8 Transistor 8S-P14 from Edoardo Sigismondo (1) «, ite:» 1 «}

Поперечное сечение устройства ЭДЛТ из рубрена, закрытого с ИЖ. b) …

Контекст 1

… EDLT были изготовлены в соответствии с ранее установленными процедурами. [16] Транзистор с воздушным зазором сначала был изготовлен путем ламинирования кристалла рубрена на предварительно структурированной подложке из поли (диметилсилоксана) (PDMS), а затем небольшая капля IL была введена в канал капиллярным заполнением. все пространство воздушного зазора, образуя ЭДЛТ из резины (рис. 1 а).Решающим фактором успеха этого исследования, которое предполагает работу устройства при большом смещении затвора в течение длительного периода времени, был тщательный выбор состава ИЖ (мы используем [1-бутил-1-метилпирролидин] [трис (пентафторэтил) трис (пентафторэтил) три — флуорофосфат], или [P14] [FAP], молекулярная структура, показанная на рисунке 1 b), а также работа устройства при более низких температурах, немного превышающих точку замерзания жидкости (около 230 K). [14] Следовательно, было достигнуто большее окно напряжения затвора для EDLT, что позволило накопить дырки до (6-7) × 10 13 см -2 (прибл….

Context 2

… 16] Сначала был изготовлен транзистор с воздушным зазором, ламинировав кристалл рубрена на предварительно структурированную подложку из поли (диметилсилоксана) (PDMS), а затем была нанесена небольшая капля IL. вводится в канал капиллярно, заполняя все пространство воздушного зазора, образуя EDLT из рубрена (рис. 1 а). Решающим фактором успеха этого исследования, которое предполагает работу устройства при большом смещении затвора в течение длительного периода времени, был тщательный выбор состава ИЖ (мы используем [1-бутил-1-метилпирролидин] [трис (пентафторэтил) трис (пентафторэтил) три — флуорофосфат], или [P14] [FAP], молекулярная структура, показанная на рисунке 1 b), а также работа устройства при более низких температурах, немного превышающих точку замерзания жидкости (около 230 K).[14] Следовательно, было достигнуто большее окно напряжения затвора для EDLT, что позволило накопить отверстия размером до (6-7) × 10 13 см -2 (примерно 0,33 отверстия / рубрен) до выхода устройства из строя, что определяется измерение тока смещения затвора. …

Context 3

… дополнительно поддерживается сохранением кристаллической структуры рубрена до и после IL-стробирования. [16] Передаточная кривая показана на рисунке 1c, где проводимость четырехконтактного листа σ s показана как функция напряжения затвора…

Контекст 4

… отверстия / рубрен). Эффективная подвижность дырок μ (= σ s / ep, где e — заряд элемента) также демонстрирует немонотонную VG-зависимость на рисунке 1 d, с максимальной подвижностью, достигающей 2-3 см 2 В -1 с -1. . По сравнению со значением в первом пике подвижность дырок во втором пике значительно меньше, обычно ниже 1 см 2 В -1 с -1. …

Контекст 5

… со значением на первом пике подвижность дырок на втором пике значительно меньше, обычно ниже 1 см 2 В −1 с −1.Ток затвора I G, показанный на рисунке 1e, на несколько порядков меньше, чем I D (явно не показан), и монотонно зависит от V G без каких-либо пиков, что указывает на то, что электрохимическая реакция IL во время работы устройства незначительна. Насколько нам известно, эти необычные свойства проводимости и подвижности при плотности дырок выше 10 13 см -2 в EDLT из рубрена не наблюдались ни в каких OFET, управляемых традиционными диэлектриками [15,19,20], или неорганическими EDLT, управляемыми электролитами. ….

Контекст 6

… серия контрольных экспериментов была проведена для подтверждения достоверности пиков проводимости (раздел 1 вспомогательной информации). Один из них заключался в использовании четырехполюсной архитектуры для корректировки контактного сопротивления и определения проводимости листа, что уже показано на рисунке 1c. На рисунке S1a в вспомогательной информации контактное сопротивление R c отображается вместе с сопротивлением канала R ch в развертке V G. …

Контекст 7

…. было использовать четырехконтактную архитектуру для корректировки контактного сопротивления и извлечения проводимости листа, которая уже показана на рисунке 1 c. На рисунке S1a в вспомогательной информации контактное сопротивление R c отображается вместе с сопротивлением канала R ch в развертке V G. Результат показывает, что R c обычно составляет долю или имеет тот же порядок величины, что и R ch, что обычно наблюдается в других органических транзисторах с электролитным затвором. …

Контекст 8

…. результат показывает, что R c обычно является долей или того же порядка величины, что и R ch, что обычно наблюдается в других органических транзисторах с электролитным затвором. [24,27] Немонотонная VG-зависимость R c более вероятно связана с немонотонной VG-зависимостью подвижности дырок (на рисунке 1 d), поскольку R c, как было обнаружено, обратно пропорционален носителю. подвижность в органических транзисторах. [28,29] Помимо жидкости [P14] [FAP], которая в целом способствовала более высокой подвижности и лучшей стабильности устройства, EDLT рубрена также стробировались с другими типами IL, в которых аналогично наблюдались два пика проводимости для аналогичных плотностей дырок (рис. S1b)….

Контекст 9

… 24,27] Немонотонная VG-зависимость R c более вероятно связана с немонотонной VG-зависимостью подвижности дырок (на рисунке 1 d), поскольку R Было обнаружено, что c обратно пропорционален подвижности носителей в органических транзисторах. [28,29] Помимо жидкости [P14] [FAP], которая в целом способствовала более высокой подвижности и лучшей стабильности устройства, EDLT рубрена также стробировались с другими типами IL, в которых аналогично наблюдались два пика проводимости для аналогичных плотностей дырок (рис. S1b).Кроме того, два пика проводимости (с одинаковой высотой пика) воспроизводимо появлялись независимо от скорости развертки VG (рисунок S1c), что означает, что на проводимость рубренового канала не влияет движение ионов и / или перестройка EDL на границе раздела, оба из которых сильно зависят от времени. …

Контекст 10

… 28,29] Помимо жидкости [P14] [FAP], которая в целом способствовала более высокой мобильности и лучшей стабильности устройства, EDLT рубрена также были закрыты другими типами IL, в которых два Пики проводимости также наблюдались для аналогичных плотностей отверстий (Рисунок S1b).Кроме того, два пика проводимости (с одинаковой высотой пика) воспроизводимо появлялись независимо от скорости развертки VG (рисунок S1c), что означает, что на проводимость рубренового канала не влияет движение ионов и / или перестройка EDL на границе раздела, оба из которых сильно зависят от времени. Наконец, ID -VG и IG -VG были зарегистрированы при различных температурах (Рисунок S1d), где пики были устойчивыми при температурах (245 K и 225 K) выше точек плавления IL, тогда как когда IL замораживалась при 212 K, ID оставался константа без пиков и больше не может модулироваться VG….

Контекст 11

… кроме того, два пика проводимости (с одинаковой высотой пика) воспроизводимо появлялись независимо от скорости развертки VG (рисунок S1c), что означает, что на проводимость канала рубрена не влияет ион движение и / или перестройка EDL на интерфейсе, оба из которых сильно зависят от времени. Наконец, ID -VG и IG -VG были зарегистрированы при различных температурах (Рисунок S1d), где пики были устойчивыми при температурах (245 K и 225 K) выше точек плавления IL, тогда как когда IL замораживалась при 212 K, ID оставался константа без пиков и больше не может модулироваться VG.Этот результат ясно подтверждает, что два пика проводимости не связаны с двумя разными состояниями ИЖ, когда эффект локального джоулева нагрева может вызывать переходы твердое тело в жидкость, которые могут вызывать два уровня тока. …

Монослои нековалентных полупроводниковых полимеров для высокоэффективных полевых транзисторов

Abstract

В последние годы нековалентно собранные монослои сопряженных полупроводниковых полимеров толщиной менее 5 нм привлекают все большее внимание из-за их определяющей роли в транспорт носителей заряда в полевых транзисторах и их многофункциональность в других электронных устройствах.В этой статье рассматриваются последние достижения в области различных перспективных и передовых полимерных монослоев для высокоэффективных полевых транзисторов. Основное внимание уделяется: (I) методам обработки растворов для дальнего упорядочения; (II) важность агрегации полимера в растворе; (III) влияние ориентации упаковки полимера; (IV) разработка интерфейса монослоя полимера с электродами и диэлектриками; (V) исследование механизма транспорта носителей заряда. Суммируя полевые подвижности различных классов монослоев сопряженных полупроводниковых полимеров, будет выявлено дальнейшее понимание корреляции между структурой монослоя и свойствами устройства.Кроме того, мы также отмечаем недавний прогресс в других электронных применениях полимерных монослоев, таких как интегральные схемы, химические датчики и светодиоды. Наконец, мы предлагаем возможности для будущих исследований и нерешенные проблемы в этой захватывающей области исследований.

Ключевые слова

Полупроводниковые полимеры

Монослой

Полевые транзисторы

Агрегация

Полимерная упаковка

Интерфейс

Транспортировка заряда

Аббревиатуры

9-P0007-P0007-P000-7-P000-7-P000-7-P000-7-P000-7-P-1000 COF

Ковалентные органические каркасы

ESR

Электронно-спиновый резонанс

FI-ESR

Электронно-спиновый резонанс, индуцированный полем

GIWAXS

Широкоугольное рентгеновское рассеяние скользящего падения

HOF

Водородно-связанный органический каркас

HOMO

наивысшая занятая молекулярная орбиталь

HOPG

Высокоориентированный пиролитический графит

I _on / I _off

Отношение тока в выключенном состоянии

μ

Подвижность носителей заряда

MOF

Металлоорганические каркасы

M _n

Среднечисленная молекулярная масса

PBTTT

PBTTT Поли (2,5-бис (3-тетрадецилтиофен-2-ил) тиено [3,2-b] тиофен

ПЕДОТ: PSS

Поли (3,4-этилендиокситиофен) -поли (стиролсульфонат)

PFBT

2,3,4,5,6-Пентафтортиофенол

ПММА

Поли (метилметакрилат)

R _q

Среднеквадратичная шероховатость поверхности

SAM

, самоорганизующийся монослой

SAMFET

Самособирающийся однослойный полевой транзистор

STM

Сканирующая туннельная микроскопия

TMD

Дихалькогенид переходного металла

UV-vis-NIR

Ультрафиолетовое, видимое и ближнее инфракрасное излучение

C

Рекомендуемые статьи )

© 2021 Elsevier B.V. Все права защищены.

Рекомендуемые статьи

Цитирующие статьи

(Решено) — 14.59 На рисунке P14.59 показаны два подхода к реализации OR … — (1 ответ)

.