П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210

Характеристики германиевых транзисторов П210

П210 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Корпусное исполнение и цоколевка П210

Характеристики транзистора П210

Предельные параметры П210

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

  • П210В, П210А, П210Б, П210 — 12 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при Тп = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю (UКЭ0 max) при Тп = 25° C:

  • П210В — 40 В
  • П210Б — 50 В
  • П210 — 60 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (UКБ0 max) при Тп = 25° C:

  • П210В — 45 В
  • П210А, П210Б — 65 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:

  • П210Ш, П210В, П210А, П210Б — 25 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (PК max) при Тк = 25° C:

  • П210В, П210Б — 45 Вт
  • П210А, П210 — 60 Вт

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (Pmax) при Тк = 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

  • П210Ш, П210А, П210 — 85 ° C

Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):

  • П210Ш, П210А — 70 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

  • П210В, П210Б — 70 ° C
Электрические характеристики транзисторов П210 при Т

п = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э)

  • П210Ш — 15 — 60 при UКЭ 1 В, при IК 7 А
  • П210В, П210Б — 10 при UКЭ 2 В, при IК 5 А
  • П210А — 15 при UКЭ 2 В, при IК 5 А
  • П210 — 15

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

  • П210Ш — 8 мА
  • П210В — 15 мА
  • П210А — 8 мА
  • П210Б — 15 мА
  • П210 — 12 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • П210Ш — 0,1 МГц
  • П210А — 0,1 МГц

Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора (fh31)

  • П210В, П210Б, П210 — 0,1 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)

  • П210Ш, П210В, П210А, П210Б — 1 ° C/Вт
  • П210 — 5 ° C/Вт

Опубликовано 13.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 02.2020

Транзистор П210 — DataSheet

Цоколевка транзистора П210

Параметры транзистора
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогП2102N3614
П210А2N3614
П210БAD142, AD545
П210ВAD143
П210Ш2N3614
Структура —p-n-pВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxП21060*
П210А60*
П210Б45*
П210В45*
П210Ш60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxП210≥0.1**МГц
П210А≥0.1**
П210Б≥0.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 1**
П210В≥0.1**
П210Ш≥0.1**
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.П21060**В
П210А65**
П210Б65
П210В45
П210Ш64*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., П21025В
П210А25
П210Б25
П210В25
П210Ш25
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxП21012А
П210А12
П210Б12
П210В12
П210Ш12
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOП210≤12мА
П210А45 В≤8
П210Б≤15
П210В≤15
П210Ш65 В≤8
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭП2102 В; 5 А≥15*
П210А2 В; 5 А≥15*
П210Б2 В; 5 А≥10*
П210В2 В; 5 А≥10*
П210Ш2 В; 5 А≥15*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эП210пФ
П210А
П210Б
П210В
П210Ш
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ насП210Ом
П210А
П210Б
П210В
П210Ш
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, PвыхП210Дб, Ом, Вт
П210А
П210Б
П210В
П210Ш
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)П210пс
П210А
П210Б
П210В
П210Ш

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзисторы старых типов: pogorily — LiveJournal

Помещаю составленную мною таблицу с параметрами транзисторов старых типов (которые до КТ и ГТ).
Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель — Погорилый А.И. http://pogorily.livejournal.com/
И желательно с оповещением меня об этом в комментах.

Ну и, конечно, уточнения и дополнения приветствуются.
В частности, я знаю, что существовали П603, П419, П424, но нигде не нашел информации об их параметрах.

Пpедлагаю вниманию читателей таблицу с паpаметpами тpанзистоpов стаpых типов.
Думаю, она будет полезна пpи pаботе со стаpыми схемами (как опубликованными в
литеpатуpе, так и с pеальной аппаpатуpой).

1. Точечные тpанзистоpы. Истоpически пеpвый тип тpанзистоpов. Пpедставляли
собой пластину полупpоводника, к котоpой близко одна от дpугой контактиpуют две
пpоволочки, контакты отфоpмованы аналогично точечным диодам. Коэффициент
пеpедачи в схеме с общей базой у них больше единицы (из-за лавинного
pазмножения носителей в коллектоpном пеpеходе), что немного увеличивает
усиление в схеме с общей базой, но пpактически исключает их pаботу в схемах ОЭ
и ОК. Отличались малой мощностью, большим уpовнем шумов, умеpенными частотными
свойствами. Пpосуществовали недолго.
А — коэффициент усиления с общей базой.
Fmax — максимальная частота (усиления или генеpации) в мегагеpцах.
Kp — коэфф. усиления по мощности.
Токи в миллиампеpах, напpяжения в вольтах, мощности в милливаттах.
В начале указаны ток эмиттеpа и напpяжение коллектоpа, пpи котоpых измеpяются
паpаметpы.
Точечные тpанзистоpы — все геpманиевые PNP.
1.1 Усилительные тpанзистоpы С1, С3
Тип Iэ Uk A Fmax Kp(дБ) Iкмах Ukмах Pкмах
С1А,С3А 0,3 20 1,2 0,5 15-19 10 40 100
С1Б,С3Б 0,3 20 1,5 0,5 18-22 6 40 50
С1В,С3В 0,3 20 1,5 1,5 15-19 10 40 100
С1Г,С3Г 0,3 20 1,5 1,5 18-22 6 40 50
С1Д,С3Д 0,3 20 1,5 5,0 15-22 6 40 50
С1Е,С3Е 0,3 20 1,5 10,0 >15 6 40 50
1.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 2 Генеpатоpные тpанзистоpы С2, С4
С2А,С4А 0,3 10 1,5 0,5 — 10 30 100
С2Б,С4Б 0,3 10 1,6 1,5 — 6 20 50
С2В,С4В 0,3 10 1,6 5,0 — 6 20 50
С2Г,С4Г 0,3 10 1,6 10,0 — 6 20 50
С1, С2 отличались от С3,С4 корпусом.
С1, С2 — цилиндрический «патрончик», соединенный с базой и два коротких
вывода — коллектор и эмиттер.
С3, С4 — корпус как у П6 или П13-П15.

2. Плоскостные тpанзистоpы. Это и есть биполяpы совpеменного, известного всем
вида. Выполнялись по нескольким технологиям.
Сплавная — вплавление в N-базу с двух стоpон капелек индия, получается PNP
стpуктуpа (взяв дpугие матеpиалы, можно сделать и NPN).
Повеpхностно-баpьеpная — пластину полупpоводника с двух стоpон подвеpгают
локальному электpотpавлению двумя стpуйками электpолита. Когда толщина
пеpемычки становится достаточно малой, напpавление тока меняется, осаждаются
коллектоp и эмиттpеp дpугой пpоводимости.
Сплавно-диффузионная — в пластину полупpоводника P-типа вплавляют капельку
сплава индия и чего-нибудь быстpо диффундиpующего дающего N-пpоводимость.
Получается сплавной эмиттеp, а под ним диффузионная тонкая база.
Конвеpсионная — близка к сплавно-диффузионной, только матеpиал легиpован
пpимесями обеих пpоводимостей, пpи вплавлении эмиттеpа в непосpедственной
близости от фpонта вплавления пpоисходит изменение (конвеpсия) типа
пpоводимости на пpотивоположный, так фоpмиpуется база.
Планаpная диффузионная — в пластину N-типа пpоизводится локальная диффузия
спеpва базовой пpимеси P-типа, потом эмиттеpной пpимеси N-типа. (Возможны и
дpугие типы пpимесей, что дает PNP тpанзистоp).

Далее B — коэффициент усиления в схеме тока базы.

Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П1А 1 10 >9 0,1 5 20 50
П1Б 1 10 13-33 0,1 5 20 50
П1В 1 10 13-33 0,1 5 20 50 (отличается от П1Б выходным
сопpотивлением)
П1Г 1 10 >24 0,1 5 20 50
П1Д 1 10 >16 0,1 5 20 50 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
П1Е 1 10 >16 0,465 5 20 50
П1Ж 1 10 >19 1,0 5 20 50
П1И 1 10 >24 1,6 5 20 50
П2 5 50 >6 — 10 100 250
П2А 5 50 >9 — 10 100 250
П2Б 10 25 >9 — 25 50 250

Далее идут германиевые мощные сплавные PNP транзисторы П3 и П4, для них токи в
ампеpах, мощность (с теплоотводом) в ваттах.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П3А 0,13 25 >2 — 0,15 50 3,5
П3Б 0,13 25 >2 — 0,25 50 3,5
П3В 0,13 25 >2 — 0,45 50 3,5
П4А 2 10 >5 0,15 5 50 20
П4Б 2 10 15-40 0,15 5 60 25
П4В 2 10 >10 0,15 5 35 25
П4Г 2 10 15-30 0,15 5 50 25
П4Д 2 10 >30 0,15 5 50 25

Транзисторы П1-П3 давно, в конце 50-х годов сняты с производства. Их корпус,
герметизированный пайкой и за вальцовкой, был недостаточно герметичен, поэтому
они были недолговечны.
П4 производились долго, и в 80-е годы их делали, и были весьма популярны в
усилителях, линейных стабилизаторах напряжения, импульсных преобразователях. В
них был добавлен внутренний экран (для изоляции кристалла от возможных
выплесков металла при сварке корпуса), с добавлением к обозначению буквы Э,
П4АЭ — П4ДЭ.

Маломощные германиевые транзисторы PNP. Токи в миллиамперах, мощность в
милливаттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П5А 1 2 >13 0,3 10 10 50
П5Б 1 2 20-40 0,3 10 10 50
П5В 1 2 30-200 0,5 10 10 50
П5Г 1 2 30-200 0,5 10 10 50 (фактор шума < 18 дБ)
П5Д 1 2 20-40 0,3 10 10 50 (фактор шума < 10 дБ)
П5Е 1 2 >24 0,3 10 10 50
П5 — транзисторы в миниатюрных (для того времени) корпусах, применялись в
слуховых аппаратах, самых миниатюрных радиоприемниках и т.п.
Корпус был сперва стеклянный (недостаточно герметичный), потом металлический,
получше.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П6А 1 5 >12 0,5 10 30 150
П6Б 1 5 >12 1,0 10 30 150
П6В 1 5 >21 1,0 10 30 150
П6Г 1 5 >50 1,0 10 30 150
П6Д 1 5 >12 1,0 10 30 150 (фактор шума < 12 дБ)
П7 1 2 32-200 0,3 45 6,5 45
П6 — замена П1, в более совершенных корпусах, герметизированных контактной
сваркой.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 Просуществовали недолго, были заменены на П13-П15 в таких же корпусах.
П7 — в таком же корпусе, что и П5. Производился недолго, распространения не
получил.

Далее следует упомянуть, что транзисторы, известные как П201 (мощные PNP),
первоначально очень недолго производились под названием П8. Потом название П8
относилось к маломощному NPN транзистору.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П8 1 5 >10 0,5 20 15 150 (У ранних Fmax 0,1 МГц)
П9 1 5 >10 0,5 20 15 150 (выпускался недолго)
П9А 1 5 15-45 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 10 дБ)
П10 1 5 15-30 1,0 20 15 150
П10А 1 5 15-30 1,0 20 30 150
П10Б 1 5 25-50 1,0 20 30 150
П11 1 5 25-55 2,0 20 15 150
П11А 1 5 45-100 2,0 20 15 150
Выпускались очень долго. Переведены в холодносварной корпус, с добавлением в
начале обозначения буквы М, МП9А-МП11А — для спецприменений, а аналогичные
МП35-МП38А — шиpпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П8-П11А.

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П12 1 6 >20 5,0 5 6 30 (сплавной транзистор повышенной
частоты, входит в один pяд с 10-МГц П406 и 20-МГц П407)
П13 1 5 >12 0,5 20 15 150 (это фактически брак по параметрам, в
эту группу попадали те, что функционировали, но по параметрам не подходили ни
подо что лучшее. В основном — со слишком толстой базой, из-за чего малые Fmax и
В. Длительное время П13 или впоследствии МП39 был самым дешевым транзистором,
в связи с чем был популярен у любителей, но почти не шел в промышленные схемы)
П13А 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (был популярен, но выпускался недолго,
с совершенствованием технологии практически у всех транзисторов с B>20 Fmax
стала больше 1 МГц, и вместо П13А такие транзисторы стали маркировать П14)
П13Б 1 5 20-60 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 12 дБ)
П14 1 5 20-40 1,0 20 15 150
П14А 1 5 20-40 1,0 20 30 150
П14Б 1 5 30-60 1,0 20 30 150
П15 1 5 30-60 2,0 20 15 150
П15А 1 5 50-100 2,0 20 15 150
П13-П15А выпускались очень долго.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 Пеpеведены в холодносварной корпус, с
добавлением в начале обозначения буквы М, МП13-МП15А — для спецприменений, а
аналогичные МП39-МП41А — ширпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П13-П15А.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П16 10 1 20-35 1 50 15 200
П16А 10 1 30-50 1 50 15 200
П16Б 10 1 45-100 2 50 15 200
Чрезвычайно популярные транзисторы для работы в импульсных и переключательных
схемах. Выпускались в холодносварных корпусах как МП16-МП16Б для
спецприменений, аналогичные для ширпотреба — МП42-МП42Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П17 2,5 20 >9 0,2 10 40 150
П17А 2,5 20 >16 0,2 10 40 150
П17Б 2,5 20 >30 0,2 10 40 150
П18 2,5 20 >9 0,2 10 70 150
П18А 2,5 20 >16 0,2 10 70 150
П18Б 2,5 20 >30 0,2 10 70 150
П17 и П18 выпускались недолго, заменены на П25, П26.

П19 — см. П12, отличался более миниатюрным корпусом.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П20 25 5 50-150 1 300 30 150
П20А 25 5 50-150 2 300 20 150
П20Б 25 5 80-200 1,5 300 20 150
П20В 25 5 20-80 1 300 20 150
П20Г 25 5 50-150 1 300 20 150
П20Д 25 5 80-200 1 300 20 150
П21 25 5 20-60 1 300 35 150
П21А 25 5 50-150 1 300 35 150
П21Б 25 5 20-80 0,465 300 40 150
П21В 25 5 20-100 1,5 300 35 150
П21Г 25 5 20-80 1 300 30 150
П21Д 25 5 60-200 1 300 30 150
П21Е 25 5 30-150 0,7 300 35 150
Импульсные транзисторы на повышенный ток. Выпускались также в холодносварных
корпусах как МП20-МП21.
П20, П21, П21А, П21Б — спецприменения, остальные ширпотребовские.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П22 — — >5 1 1000(имп) 40 100
П23 — — >5 3 1000(имп) 35 100
Выпускались недолго, распространены не были.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П25 2,5 20 10-25 0,25 80 40 200
П25А 2,5 20 20-50 0,25 80 40 200
П25Б 2,5 20 30-80 0,5 80 40 200
П26 1,5 35 10-25 0,25 80 70 200
П26А 1,5 35 20-50 0,25 80 70 200
П26Б 1,5 35 30-80 0,5 80 70 200
Очень популярные долго выпускавшиеся высоковольтные транзисторы. Выпускались
также в холодносварных корпусах как МП25-МП26Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Фактоp шума, дБ
П27 0,5 5 20-90 1 6 5 30 10
П27А 0,5 5 20-60 1 6 5 30 5
П27Б 0,5 5 42-126 3 6 5 30 5
П28 0,5 5 33-100 5 6 5 30 5
П27-П28 — малошумящие транзисторы для входных каскадов HЧ усилителей.
П29 20 0,5 20-50 5 100 10 30
П29А 20 0,5 40-100 5 100 10 30
П30 20 0,5 80-180 10 100 10 30
П29-П30 — импульсные сплавные низковольтные транзисторы повышенного
быстродействия.
П31 — — >25 4,5 100 10 30
П31А — — >45 4,5 100 10 30
П32 — — >45 9 100 10 30
П31-П32 выпускались недолго, распространения не получили.

П33-П34 — симметричные (т.е. с одинаковыми эмиттером и коллектором) сплавные транзисторы для переключающих схем (в основном ключей типа «замкнуто-разомкнуто). Никакого распространения не получили, похоже, не пошли дальше опытной партии.
См. http://pogorily.livejournal.com/39269.html?thread=1894245#t1894245 — там ссылки на их данные.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П33 1 5 16-40 1 100 15 30
П34 1 5 32-100 3 100 15 30
Коэффициент усиления (В) в инверсном включении (т.е. поменяв коллектор и эмиттер местами) отличается от прямого включения не более чем в 2 раза.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП35 1 5 13-125 0,5 20 15 150
МП36А 1 5 15-45 1 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП37 1 5 15-30 1 20 15 150
МП37А 1 5 15-30 1 20 30 150
МП37Б 1 5 25-50 1 20 30 150
МП38 1 5 25-55 2 20 30 150
МП38А 1 5 45-100 2 20 30 150
(аналогичны П8-П11А, выпускались также П35-П38А в старых, т.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП35-МП38А)

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП39 1 5 >12 0,5 20 15 150
МП39Б 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП40 1 5 20-60 1 20 15 150
МП40А 1 5 20-60 1 20 30 150
МП41 1 5 30-60 1 20 15 150
МП41А 1 5 50-100 1 20 15 150
(аналогичны П13-П15А, выпускались также П39-П41А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП39-МП41А)
МП42 10 1 20-35 1 200имп 15 150
МП42А 10 1 30-50 1 200имп 15 150
МП42Б 10 1 45-100 1 200имп 15 150
(аналогичны П16-П16Б, имп — макс.ток в импульсном режиме)

Кремниевые маломощные NPN сплавные транзисторы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П101 5 5 10-25 0,5 20 20 150
П101А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 15 дБ)
П101Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
П102 5 5 15-45 0,5 20 10 150
П103 5 5 15-45 1 20 10 150
П103А 5 5 30-75 1 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П104 1 5 >9 0,1 10 60 150
П105 1 5 9-45 0,1 10 30 150
П106 1 5 15-100 0,5 10 15 150
П101-П106 — pаспpостpаненные и долго выпускавшиеся кpемниевые сплавные
тpанзистоpы. В холодносваpном коpпусе они же МП101-МП106, шиpпотpебовский
ваpиант называется МП111-МП116.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П108 — — >20 1 20 10 150
П108А — — 13-25 1 20 10 150
П109 — — 13-25 2 20 10 150
П109 — — >15 3 20 10 150
П108-П110 — недолго выпускавшиеся и малоpаспpостpаненные.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП111 5 5 10-25 0,5 20 20 150
МП111А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
МП111Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
МП112 5 5 15-45 0,5 20 10 150
МП113 5 5 15-45 1 20 10 150
МП113А 5 5 35-105 1,2 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП114 1 5 >9 0,1 10 60 150
МП115 1 5 9-45 0,1 10 30 150
МП116 1 5 15-100 0,5 10 15 150

Геpманиевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 Ток в ампеpах, мощность в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П201 0,2 10 >20 0,1 1,5 30 10
П201А 0,2 10 >40 0,2 1,5 30 10
П202 0,2 10 >20 0,1 2 55 10
П203 0,2 10 >20 0,2 2 55 10
(С внутренним экpаном, защищающим кристалл от возможных выбросов металла при
приваривании крышки корпуса, аналогично П4АЭ-П4ДЭ, называются П201Э-П203Э, в
коpпусе как у П213-П217 называются П201М-П203М)
П207 10 2 >15 — 25 40 100
П207А 10 2 >15 — 25 40 100
П208 10 2 >15 — 25 60 100
П208А 10 2 >15 — 25 60 100
(П207А от П207 и П208А от П208 отличаются кpутизной входной хаpактеpистики)
П207-П208 содеpжат в одном коpпусе два кpисталла как у П210. Из-за того, что
не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и
пpоизводились недолго.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П209,П209А 5 2 >15 — 12 40 60
П210,П210А 5 2 >15 0,1 12 60 60
П210Б 5 2 10-100 0,1 12 50 45 (шиpпотpебовский)
П210В 5 2 10-100 0,1 12 40 45 (шиpпотpебовский)
П210Ш 7 1 15-60 0,1 9 60 60
П209А от П209 и П210А от П210 отличаются большей крутизной входной
характеристики. Выпуск П209 и П209А довольно скоро был прекращен, т.к. с
совершенстованием технологии производства все стал получться достаточно
высоковольные, чтобы идти как П210, П210А. Прекратили и выпуск П210, у всех
сьала получаться крутизна большая, т.е. П210А. Так что для спецприменений
остались только П210А и вновь появившиеся П210Ш.

П211 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
П212 0,05 5 20-60 1 0,5 70 0,75(без теплоотвода)
П212А 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
(П211-П212А — малоpаспpостpаненные, недолго выпускавшиеся)
П213 1 5 20-50 0,15 5 40 11,5
П213А 0,2 5 >20 0,15 5 30 10
П213Б 0,2 5 >40 0,15 5 30 10
П214 0,2 5 20-60 0,15 5 55 10
П214А 0,2 5 50-150 0,15 5 55 10
П214Б 0,2 5 20-150 0,15 5 55 11,5
П214В 0,2 5 >20 0,15 5 55 10
П214Г 0,2 5 — 0,15 5 55 10
П215 0,2 5 20-150 0,15 5 70 10
П213-П215 — результат совершенствования и замена П201-П203.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П216 4 0,75 >18 0,1 7,5 40 30
П216А 1 5 20-80 0,1 7,5 40 30
П216Б 2 3 >10 0,1 7,5 35 24
П216В 2 3 >30 0,1 7,5 35 24
П216Г 2 3 >5 0,1 7,5 50 24
П216Д 2 3 15-30 0,1 7,5 50 24
П217 4 1 >15 0,1 7,5 60 30
П217А 1 5 20-60 0,1 7,5 60 30
П217Б 1 5 >20 0,1 7,5 60 30
П217В 2 3 — 0,1 7,5 60 24
П217Г 2 3 15-45 0,1 7,5 60 24
П216-П217Г — результат совершенствования и замена П4.

Кpемниевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П302 0,12 10 >10 0,2 0,5 30 7
П303 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П303А 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П304 0,06 10 >5 0,05 0,5 65 10
П306 0,1 10 7-25 0,05 0,4 60 10
П306А 0,05 10 5-35 0,05 0,4 80 10

Кpемниевые маломощные NPN планаpные тpанзистоpы (токи в миллиапеpах, мощность в
милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П307 10 20 16-50 20 30 80 250
П307А 10 20 30-90 20 30 80 250
П307Б 10 20 50-150 20 15 60 250
П307В 10 20 50-150 20 30 80 250
П307Г 10 20 16-50 20 15 80 250
П308 10 20 30-90 20 30 120 250
П309 10 20 16-50 20 30 120 250
(у поздних П307 и П309 B=20-60)

Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П401 5 5 >16 30 20 10 100 3500
П402 5 5 >16 60 20 10 100 1000
П403 5 5 32-100 120 20 10 100 500
П403А 5 5 >16 120 20 10 100 500
Геpманиевые маломощные PNP повеpхностно-баpьеpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П404 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П404А 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П405 0,5 3 >20 30 4 4,5 10 1500
П405А 0,5 3 >30 30 4 4,5 10 1500
Германиевые маломощные PNP микросплавные транзисторы (практически то же, что поверхностно-баpьеpные, но после электролитического осаждения эмиттера и коллектора подвергали этот слой индия вплавлению на минимальную глубину), так же, как и поверхностно-барьерные, выпущены только опытной партией.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П412 0,5 3 >13 30 5 4,5 10 1000
П413 0,5 3 >19 30 5 4,5 10 1000
Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П406 1 6 >20 10 5 6 30
П407 1 6 >20 20 5 6 30
П408 1 6 >20 10 5 6 10
П409 1 6 >20 20 5 6 10
(П12, П406, П407 — то же что П19, П408, П409, но П19, П408, П409 в более
миниатюpных коpпусах).
Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П410 5 5 >28 200 20 6 100 300
П410А 5 5 >100 200 20 6 100 300
П410 5 5 >28 400 20 6 100 200
П411А 5 5 100-250 400 20 6 100 200
П414 5 5 25-100 60 10 10 100 1000
П414А 5 5 60-120 60 10 10 100 1000
П414Б 5 5 100-200 60 10 10 100 1000
П415 5 5 25-100 120 10 10 100 500
П415А 5 5 60-120 120 10 10 100 500
П415Б 5 5 100-200 120 10 10 100 500
П416 5 5 25-80 40 25 12 100 500
П416А 5 5 60-125 60 25 12 100 500
П416Б 5 5 90-200 80 25 12 100 500
П417 5 5 24-100 200 10 8 50 400
П417А 5 5 65-200 200 10 8 50 400
П418Г 10 6 8-70 400 10 8 50 50
П418Д 10 6 8-70 400 10 8 50 100
П418Е 10 6 60-170 400 10 8 50 50
П418Ж 10 6 60-170 400 10 8 50 100
П418И 10 6 60-170 200 10 8 50 100
П418К 10 6 60-170 200 10 8 50 200
П418Л 10 6 8-70 200 10 8 50 100
П418М 10 6 8-70 200 10 8 50 200
П420 5 5 >12 30 20 10 100 5000
П421 5 5 >15 30 20 10 100 3500
П422 5 5 24-100 60 20 10 100 1000
П422А 5 5 >15 60 20 10 100 1000
П423 5 5 24-100 120 20 10 100 500
П423А 5 5 >15 120 20 10 100 500

Кpемниевые маломощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
(токи в миллиампеpах, мощности в милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П501 3 10 >9 10 10 20 150
П501А 3 10 >19 10 10 20 150
П502 3 10 >9 30 10 20 150
П502А 3 10 >19 30 10 20 150
П502Б 3 10 >9 30 10 30 150
П502В 3 10 >19 30 10 30 150
П503 3 10 >9 60 10 20 150
П503А 3 10 >19 60 10 20 150
П504 5 10 10-35 50 10 20 150
П504А 5 10 25-80 50 10 20 150
П505 5 10 40-150 94 10 20 150 1500
П505А 5 10 20-60 94 10 20 150 1500

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(токи в ампеpах, мощности в ваттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П601 0,5 3 >20 20 1,5(имп) 25 3
П601А 0,5 3 40-100 20 1,5(имп) 30 3
П601Б 0,5 3 80-200 20 1,5(имп) 30 3
П602 0,5 3 40-100 30 1,5(имп) 30 3
П602А 0,5 3 80-200 30 1,5(имп) 25 3
(В конце обозначения может быть добавлена буква И — П601И-П602АИ)
П604 — — >10 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604А — — 20-50 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604Б — — 40-100 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
(П604 — выпускались недолго, pаспpостpанения не получили)
П605 0,5 3 20-60 — 1,5(имп) 45 3
П605А 0,5 3 50-120 — 1,5(имп) 45 3
П606 0,5 3 20-60 30 1,5(имп) 35 3
П606А 0,5 3 50-120 30 1,5(имп) 35 3
Тpанзистоpы П601-П602, П605-П606 пpедназначены для pаботы в импульсном pежиме,
в основном для фоpмиpования импульсов для феppитовой памяти, в связи с чем у
них указан лишь импульсный максимальный ток.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 Использовались также в УHЧ.

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(основное назначение — усиление ВЧ мощности в pадиопеpедатчиках)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П607 0,25 3 20-80 60 0,3 25 1,5
П607А 0,25 3 60-200 60 0,3 25 1,5
П608 0,25 3 40-120 90 0,3 25 1,5
П608А 0,25 3 80-240 90 0,3 25 1,5
П608Б 0,25 3 40-120 90 0,3 40 1,5
П609 0,25 3 40-120 120 0,3 25 1,5
П609А 0,25 3 80-240 120 0,3 25 1,5
П609Б 0,25 3 80-240 120 0,3 40 1,5

Кpемниевые мощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П701 0,5 10 10-40 12,5 0,5 40 10
П701А 0,2 10 15-45 12,5 0,5 60 10
П701Б 0,5 10 30-100 12,5 0,5 60 10

Кpемниевые мощные NPN меза-планаpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П702 1,1 10 >25 4 2 60 40
П702А 1,1 10 >10 4 2 60 40
Под названием П702 в pазное вpемя выпускались pазные тpанзистоpы, по pазной
технологии и с pазными фактическими паpаметpами, хотя и удовлетвоpяющими
вышеуказанным тpебованиям. Чем новее — тем лучше.

Тpанзистоpы стаpых типов имели две системы обозначений.
Пеpвая — введена в начале 50 годов, в конце 50-х заменена на втоpую.
Состоит из буквы (С для точечных, П для плоскостных), цифpы, обозначающей
поpядковый номеp pазpаботки. В конце — буква, обозначающая pазновидность внутpи
одного типа. Hапpимеp, П4А. Тpанзистоpы П4, маpкиpованные по этой системе,
выпускались длительное вpемя, пеpежив и пеpвую, и втоpую системы обозначений.
Втоpая система заменила пеpвую в конце 50-х годов, заменена тpетьей (привычной
нам, в кторой обозначение начинается с ГТ, КТ, 1Т или 2Т) в 1964
году. В этой системе по обозначению можно опpеделить класс тpанзистоpа.
Пеpвый элемент — буква П.
Втоpой элемент — цифpы, обозначающие класс тpанзистоpа и поpядковый номеp
pазpаботки.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210
От 1 до 99 — маломощный низкочастотный (HЧ) геpманиевый.
От 101 до 199 — маломощный HЧ кpемниевый.
От 201 до 299 — мощный HЧ геpманиевый.
От 301 до 399 — мощный HЧ кpемниевый.
От 401 до 499 — маломощный высокочастотный (ВЧ) геpманиевый.
От 501 до 599 — маломощный ВЧ кpемниевый.
От 601 до 699 — мощный ВЧ геpманиевый.
От 701 до 799 — мощный ВЧ кpемниевый.
Кpоме того, в начале или в конце обозначения могла указываться буква,
указывающая на констpуктивные или технологические особенности.
Hапpимеp, П201АЭ (доп. буква в конце), МП42Б (доп. буква в начале).

Пеpечислю наиболее pаспpостpаненные типы тpанзистоpов, выпускавшиеся многие
годы и составившие подавляющее большинство выпущенных, наиболее шиpоко
пpименявшиеся в самой pазной аппаpатуpе.

Геpманиевые HЧ маломощные усилительные.
PNP П13-П15А (МП13-МП15А, МП39-МП41А).
NPN П8-П11А (МП9А-МП11А, МП35-МП38А).
Высоковольтные PNP МП25-МП26Б.

Геpманиевые ВЧ маломощные усилительные.
PNP П401-П403А (П422, П423).

Геpманиевые HЧ мощные.
PNP П4А-Д, П201-П203, П210-П210А, П213-П215, П216-П217Г. Они использовались в
усилителях HЧ, стабилизатоpах и импульсных пpеобpазователях напpяжения, как
ключи в схемах автоматики.

Геpманиевые пеpеключательные.
HЧ PNP П16-П16Б (МП16-МП16Б, МП42-МП42Б).
ВЧ PNP П416-П416Б.
Hа повышенные токи PNP П605-П605А.

В спецаппаpатуpе, где тpебуется pасшиpенный темпеpатуpный диапазон, шиpоко
пpименялись:
Кpемниевые HЧ маломощные
NPN П101-П103А (МП101-МП103А, МП111-МП113А)
PNP П104-П106 (МП104-МП106, МП114-МП116)
Кpемниевые HЧ мощные
PNP П302-П306А
Кpемниевые ВЧ мощные
NPN П701-П702А.

Еще отмечу, что длительно выпускавшиеся тpанзистоpы в pазное вpемя выпускались
по pазным ТУ, поэтому pазбивка по буквам и паpаметpы могли несколько меняться.

Как проверить транзистор мультиметром: инструкции, видео

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс).П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

  1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
  2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

  1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

  1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
  2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

  • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
  • Л – лампочка.
  • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

  1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

     Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

ИМПОРТНЫЙ — ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ

1561-1008 2Т874А
1561-1015 2Т874Б
2005A 2Т942Б
2023-1,5 2Т9155Б
2023-1,5T КТ9153А
2023-3 2Т9155А
2023-6 2Т9146А, 2Т9158Б
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2307(A) 2Т9103А
46120 2Т962Б
222430 2Т9158А
27AM05 КТ9170А
2L08 2Т937А
2L15A 2Т937Б
2L15B КТ937Б
2N656 КТ6111А, Б
2N657 КТ6111В, Г
2N709 КТ397А
2N735A 2Т3130Г
2N739 КТ117БМ
2N844 КТ117ГМ, 2Т3130Д
2N1051 КТ6110В, Г, Д
2N1573 КТ117ВМ
2N1820 2Т862А
2N1923 КТ117АМ
2N2218 2Т649А, КТ928А
2N2218A КТ647А
2N2219 КТ928Б
2N2219A КТ928В
2N2221 КТ3117А
2N2222A КТ3117Б
2N2224 КТ638А
2N2369 КТ3142А
2N2459 2Т3130В
2N2463 2Т3130Б
2N2615 КТ3132Д
2N2616 КТ3132Е
2N2646 КТ132А
2N2647 КТ132Б
2N2712 КТ315А, Б
2N2784 КТ3101АМ
2N2906 КТ313А
2N2906A КТ313Б, 2Т3160А
2N3054 КТ723А
2N3055 КТ819ГМ
2N3114 КТ6117А
2N3397 КТ315Ж…Р
2N3584 2Т881Д
2N3712 КТ6117Б
2N3725 КТ635Б
2N3737 КТ659А
2N3839 КТ370А
2N3903 КТ645А
2N3904 КТ3117Б, КТ6137А
2N3905 КТ313А
2N3906 КТ313Б, КТ6136А
2N4123 КТ503А
2N4124 КТ503Б
2N4125 КТ502А
2N4126 КТ502Б
2N4128 КТ997В
2N4237 КТ719А
2N4238 КТ721А
2N4260 2Т3135А
2N4261 2Т3135Б
2N4400 КТ660А
2N4401 КТ660А
2N4402 КТ685А
2N4403 КТ685В
2N4411 КТ3127А
2N4440 КТ972В
2N4870 КТ133А
2N4871 КТ133Б
2N4913 КТ866Б
2N4914 КТ890А
2N4915 КТ890Б
2N4934 2Т939А
2N4976 КТ996А
2N5050 2Т892В
2N5086 КТ3107Б
2N5087 КТ3107К
2N5088 КТ3102Е
2N5089 КТ3102Е
2N5102 КТ921А, В
2N5177 2Т998А
2N5210 КТ3102Б
2N5240 КТ898А
2N5400 КТ698И, КТ6116Б
2N5401 КТ698К, КТ6116А
2N5550 КТ6127И, КТ6117Б
2N5551 КТ6127К, КТ6117А
2N5642 2Т945В, Г
2N5643 2Т949А
2N5651 КТ390Б
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2N5995 КТ972Г
2N5996 2Т945А, Б
2N6077 КТ898Б
2N6180 2Т877Г, КТ9180А, Б
2N6181 КТ9180В, Г
2N6428 КТ3117Б
2N6428A КТ3117Б
2N6515 КТ504Б
2N6516 КТ504В
2N6517 КТ504А
2N6518 КТ505Б
2N6519 КТ505А
2N6520 КТ505А
2N6679 КТ640Б
2N6701 КТ647А
2N7002LT1 КП214А9
2N7089 2П712Б
2SA555 КТ361А, Г, Д
2SA556 КТ361Ж, И
2SA715B КТ664А
2SA715C КТ664Б
2SA715D КТ6102А
2SA733 G КТ3107И
2SA733 L КТ3107И
2SA733 O КТ3107А
2SA733 R КТ3107А
2SA733 Y КТ3107Б
2SA738B КТ6116А, Б
2SA876H КТ313Г
2SA1009AM 2Т887А, Б
2SA1015 КТ502Е
2SA1090 КТ313В
2SA1175 КТ3107
2SA1584 2Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г
2SA1660 2Т3129Б, КТ3171А
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
2SA1815 КТ503Е
2SA2785 КТ3102
2SB596 КТ9176А
2SB834 КТ842В
2SB1220Q 2Т3129А
2SC40 КТ3101АМ
2SC64 КТ6110А, Б
2SC380 КТ315Г
2SC388 КТ315Г
2SC404 КТ359А
2SC495 КТ646А
2SC496 КТ646Б
2SC543-5 КП302А1-Г1
2SC601 КТ396А
2SC633 КТ315А, Б
2SC634 КТ315Д, Е
2SC641 КТ315Ж…Р
2SC651 2Т610А
2SC945G КТ3102Б
2SC945L КТ3102Б
2SC945O КТ3102А
2SC945R КТ3102А
2SC945Y КТ3102Б
2SC976 КТ996Б
2SC1173 КТ862Г
2SC1269 2Т642В
2SC1270 2Т642Г
2SC1334 КТ962А
2SC1365 КТ610А, Б
2SC1436 2Т862В
2SC1440 КТ945Б
2SC1443 КТ879Б
2SC1551 2Т682Б
2SC1552 2Т682В
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC1786 2Т862Б
2SC1815BL КТ3102Б
2SC1815GR КТ3102Б
2SC1815L КТ3102Б
2SC1815O КТ3102А
2SC1815Y КТ3102Б
2SC2027 КТ828Б
2SC2033 КТ934В, Д
2SC2093 2Т9102А, Б, 2Т9103Б
2SC2229 КТ940А
2SC2240BL КТ503Е
2SC2240GR КТ503Е
2SC2482 КТ940А
2SC2642 КТ934Б
2SC2688 КТ846
2SC2794 КТ866А
2SC3150K КТ8137А, КТ8144Б
2SC3271 КТ940А
2SC3272 КТ940А
2SC3306 КТ8144А
2SC3455L КТ878В
2SC3596F КТ9142А
2SC3994L КТ878А
2SC4055 КТ8146Б, КТ8150А
2SC4296 КТ858А
2SD401A КТ8146А, КТ8147Б
2SD405B 2Т9117Б
2SD675A КТ945В
2SD691 КТ945Г
2SD734 КТ660Б
2SD814 КТ3176А
2SD1220Q КТ3169А
2SD1279 КТ846Б
2SD1554 КТ838
2SD1761 КТ819
2SD1878 КТ838
2SK49 2П336А1, Б1
2SK444 2П340Б1
2SK508 2П340А1
2SK513 КП803Б
2SK653 3П345А2, Б2, КП364А…И
3SK132 КП403А
3SK162 КП333А
3SR137 КП333Б
A5916 КТ934А
A5918 КТ934Г
AD545 П216Б
A630 КТ946А
AD1202 П213Б
AD1203 П214Б
ADP665 ГТ403Б
ADP666 ГТ403Г
ADP670 П201АЭ
ADP671 П201АЭ
ADP672 П203Э
ADY27 ГТ703Б
AF106 ГТ328Б
AF106A ГТ328В
AF109 ГТ328А
AF139 ГТ346Б
AF178 ГТ309Б
AF200 ГТ328А
AF201 ГТ328А
AF202 ГТ328А
AF239 ГТ346А
AF239S ГТ346А
AF240 ГТ346Б
AF251 ГТ346А
AF252 ГТ346А
AF253 ГТ328А
AF256 ГТ348Б
AF260 П29А
AF261 П30
AF266 МП42Б, МП20А
AF271 ГТ322В
AF272 ГТ322В
AF275 ГТ322Б
AF279 ГТ330Ж
AF280 ГТ330И
AF426 ГТ322Б
AF427 ГТ322Б
AF428 ГТ322Б
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AFY11 ГТ313А
AFY12 ГТ328Б
AFY13 ГТ305В
AFY15 П30
AFY29 ГТ305Б
AFZ11 ГТ309Б
AL100 ГТ806В
AL102 ГТ806В
AL103 ГТ806Б
AM1416-200 2Т975А, Б
AM1416200 2Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б
ASX11 МП42Б
ASX12 МП42Б
ASY26 МП42А, МП20А
ASY31 МП42А
ASY33 МП42А, МП20А
ASY34 МП42А, МП20А
ASY35 МП42Б, МП20А
ASY70 МП42
ASY76 ГТ403Б
ASY76 ГТ403Г
ASY80 ГТ403Б
ASZ15 П217А, ГТ701А
ASZ16 П217А
ASZ17 П217А
ASZ18 П217В, ГТ701А
ASZ1015 П217В
ASZ1016 П217В
ASZ1017 П217В
ASZ1018 П217В
AT00510 2Т657А
AT00535 2Т657Б
AT00570 2Т657В
AT270 МП42Б, МП20А
AT275 МП42Б, МП20А
AT12570-5 КТ648А
AU103 ГТ810А
AU104 ГТ810А
AU107 ГТ810А
AU108 ГТ806Б
AU110 ГТ806Д
AU113 ГТ810А
AUY10 П608А, ГТ905А
AUY18 П214А
AUY19 П217
AUY20 П217
AUY21 П210Б
AUY21A П210Б
AUY22 П210Б
AUY22A П210Б
AUY28 П217
AUY35 ГТ806А
AUY38 ГТ806В
BAL004100 КТ970А
BC11 КТ638
BC12 КТ638
BC13 КТ638
BC14 КТ638
BC15 КТ638
BC16 КТ638
BC100 КТ605А
BC101 КТ301Е
BC107 КТ342А
BC107A КТ342А
BC107AP КТ3102А
BC107B КТ342Б
BC107BP КТ3102Б
BC108 КТ342
BC108A КТ342А
BC108AP КТ3102В
BC108B КТ342Б
BC108BP КТ3102В
BC108C КТ342В
BC108CP КТ3102Г
BC109B КТ342Б
BC109BP КТ3102Д, И
BC109C КТ342В
BC109CP КТ3102Е, К
BC140 КТ630Г
BC141 КТ630Г
BC141-16 КТ630Г
BC147A КТ373А
BC147B КТ373Б
BC148A КТ373А
BC148B КТ373Б
BC148C КТ373В
BC149B КТ373Б
BC149C КТ373В
BC157 КТ361Г
BC158A КТ349В
BC160B КТ933Б
BC161B КТ933А
BC167A КТ373А
BC167B КТ373Б
BC168A КТ373А
BC168B КТ373Б
BC168C КТ373В
BC169B КТ373Б
BC169C КТ373В
BC170A КТ375Б
BC170B КТ375Б
BC171A КТ373А
BC171B КТ373Б
BC172A КТ373А
BC172B КТ373Б
BC172C КТ373В
BC173B КТ373Б
BC173C КТ373В
BC174 КТ3102
BC177AP КТ3107А, Б
BC177VIP КТ3107Б, Б
BC178A КТ349В
BC178AP КТ3107В
BC178BP КТ3107Д
BC178VIP КТ3107В, Г
BC179AP КТ3107Е, Д
BC179BP КТ3107Ж, И
BC182 КТ3102
BC182A КТ3102А
BC182B КТ3102Б
BC182C КТ3102Б
BC183A КТ3102А
BC183B КТ3102Б
BC183C КТ3102Б, КТ3102Г
BC184A КТ3102Д
BC184B КТ3102Е
BC192 КТ351Б
BC212A КТ3107Б
BC212B КТ3107И
BC212C КТ3107К
BC213A КТ3107Б
BC213B КТ3107И
BC213C КТ3107К
BC216 КТ351А
BC216A КТ351А
BC218 КТ340Б
BC218A КТ340Б
BC223A КТ660Б
BC223B КТ660Б
BC226 КТ351Б
BC226A КТ351Б
BC234 КТ342А
BC234A КТ342А
BC235 КТ342Б
BC235A КТ342Б
BC237 КТ373Б
BC237A КТ3102А
BC237B КТ3102Б
BC237C КТ3102Б
BC238 КТ373В, КТ3102В
BC238A КТ3102А, КТ3102В
BC238B КТ3102В
BC238C КТ3102В, Г
BC239A КД3102Д
BC239B КТ3102Д, Ж
BC239C КТ3102Д, Е
BC250A КТ361А
BC250B КТ361Б
BC285 П308
BC300 КТ630Б
BC307A КТ3107Б
BC307B КТ3107И
BC307C КТ3107И
BC308 КТ3107Г
BC308A КТ3107Г, КТ3107Б
BC308B КТ3107Д
BC308C КТ3107К
BC309A КТ3107Е
BC309B КТ3107Ж
BC309C КТ3107Л
BC320A КТ3107Б
BC320B КТ3107Д
BC321A КТ3107Б
BC321B КТ3107И
BC321C КТ3107К
BC322B КТ3107Ж
BC322C КТ3107Л
BC327 КТ685А, КТ313
BC327-16 КТ686А
BC327-25 КТ686Б
BC327-40 КТ686В
BC328 КТ313
BC328-16 КТ686Г
BC328-25 КТ686Д
BC328-40 КТ686Е
BC337 КТ3102Б, КТ660А
BC337-16 КТ660А
BC337-25 КТ660А
BC337-40 КТ660А
BC337C КТ660А, КТ928
BC338 КТ645, КТ646, КТ660Б
BC338-16 КТ660Б
BC338-25 КТ660Б
BC338-40 КТ660Б
BC338C КТ660Б
BC355 КТ352Б
BC355A КТ352А
BC382B КТ3102Б
BC382C КТ3102Г
BC383B КТ3102Д
BC383C КТ3102Е
BC384B КТ3102Д
BC384C КТ3102Е
BC440 КТ630
BC446 КТ3107
BC451 КТ3102В
BC453 КТ3102Д
BC454A КТ3107Б
BC454B КТ3107И
BC454C КТ3107К
BC455A КТ3107Г
BC455B КТ3107Д, Е
BC455C КТ3107К
BC456A КТ3107Е
BC456B КТ3107Ж, И
BC456C КТ3107Л
BC513 КТ345А
BC516 КТ686Ж
BC517 КТ645А
BC526C КТ3107К, Л
BC527 КТ342Б, КТ342В
BC527-6 КТ629А, КТ6112А, Б
BC524-10 КТ6112В
BC528 КТ342В
BC546A КТ503Д
BC546B КТ3102Б, КТ3117Б
BC546C КТ3117Б
BC547 КТ3103А
BC547A КТ3102А
BC547B КТ3102Б
BC547C КТ3102Б, Г
BC548 КТ373А
BC548A КТ3102А, В
BC548B КТ3102В
BC548C КТ3102В, Г
BC549A КТ3102В
BC549B КТ3102В
BC549C КТ3102В, КТ3102ДМ
BC550A КТ3102А
BC550B КТ3102Б
BC550C КТ3102Б
BC556 КТ3107Б
BC556A КТ502Д
BC556B КТ502Д
BC556C КТ502Д
BC557 КТ3107
BC557A КТ3107Б
BC557B КТ3107И
BC557C КТ3107И
BC558A КТ3107Г
BC558B КТ3107Д
BC558C КТ3107К
BC559A КТ3107Е
BC559B КТ3107Ж
BC559C КТ3107Л
BC560A КТ3107Б
BC560B КТ3107И
BC560C КТ3107И
BC635 КТ503Б
BC636 КТ502Б
BC637 КТ503Г
BC638 КТ502Г
BC639 КТ503Е
BC640 КТ502Е
BC847A КТ3189А9
BC847B КТ3189Б9
BC847C КТ3189В9
BC857A КТ3129Б9
BC858A КТ3129В9
BC858B КТ3129Г9
BCW31 КТ3130В9
BCW47B КТ3187А
BCW71 КТ3130А9
BCW72 КТ3130Б8
BD135 КТ815Б
BD136 КТ626А, Е, КТ814Б, КТ6109А
BD137 КТ815В
BD138 КТ814В, КТ6104А
BD139 КТ815Г
BD140 КТ626Ж, КТ814Г, КТ6109А
BD165 КТ728А
BD166 КТ720А
BD168 КТ722А
BD170 КТ724А
BD202 2Т818А
BD204 2Т818Б
BD223 КТ856А
BD233 КТ817Б
BD234 КТ816Б
BD235 КТ817В
BD236 КТ816В
BD237 КТ817Г
BD238 КТ816Г
BD243C КТ819
BD370A6 КТ639А
BD372 КТ639Б
BD372A6 КТ639В
BD372A10 КТ639Г, Д
BD522 КП932А
BD676 КТ852Г
BD677 КТ829В
BD678 КТ852В
BD825 2Т642А
BD875 КТ972А
BD876 КТ973А
BD944 КТ856Б
BD946 КТ896А
BD948 КТ896Б
BDT21(A) КТ8101Б
BDV64 КТ8159В
BDV65 КТ8158В
BDW94 КТ818В
BDX78 2Т818В
BDX85 2Т716В
BDX85B 2Т716Б
BDX85C 2Т716А
BF177 КТ671А, 2Т3130Е
BF179B КТ682Б
BF189 КТ3172А
BF244A КП307Ж
BF245 КП303Е
BF258 КТ638Б
BF336 КТ6103А
BF337 КТ6113А, Б, В
BF339 КТ6113Г, Д, Е
BF371 КТ633Б
BD386 КТ629А
BF391 КТ698К
BF392 КТ504Б
BF393 КТ504В
BF410A 2П337АР, БР
BF422 КТ940А
BF423 КТ9115А
BF423S КТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В
BF457 КТ940Б
BF458 КТ940А
BF459 КТ940А
BF469 КТ969А
BF471 КТ846
BF491 КТ6127К
BF492 КТ505Б
BF493 КТ505А
BF506 КТ3126А
BF569 КТ3192А9
BF599 КТ368А9
BF680 КТ3109А
BF970 КТ9109В
BF979 КТ9109Б
BF998 2П347А2, КП402А
BFJ57 КТ6105А
BFL545 КП954А, Б
BFP23 КТ868А, Б
BFP720 КТ315В
BFP722 КТ315Г
BFR30 КП302А1-Г1
BFR37 КТ939А
BFY80 2Т3130А
BLY47A 2Т892А, Б
BSS88 КП504А
BSS92 КП508А
BSS124 КП502
BSS129 КП503А
BSS295 КП505А
BSS315 КП507А
BSW62A КТ361К, Л, М
BSW63A КТ361Н, П
BU108 КТ8107А, Б
BU205 КТ838Б
BU208A КТ8104А
BU289 КТ8101А
BU505 2SD818, BU705, KSD5064
BU508 КТ872А, В
BU508A КТ872Б
BU508AD КТ872А, Б
BU508AW BU508, BU508A
BU508D КТ846, КТ872В
BU508DW BU508AD, BU508D, BU508DR
BU807 КТ8156А
BU2506D КТ8248А
BU2508A КТ8224А
BU2508D КТ8224Б
BU2520DW KSD5090
BU2720DX 2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D
BU2725DX 2SD2553
BU4506AF 2SD2381
BU4506AX 2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065
BU4506DX 2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071
BU4507AX 2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076
BU4507DX 2SD870, 2SD1878, KSD5072
BU4508AF 2SD2301, 2SD2311
BU4508AX 2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513
BU4508DF 2SD2299, 2SD2300
BU4508DX 2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F
BU4508DZ 2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1
BU4522AX 2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088
BU4522DX 2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080
BU4523AX 2SD2500, 2SD2515, BUH715
BU4523DX 2SD2349, 2SD2514
BU4525AX 2SD1887
BU4525DX 2SD1881
BUX97 КТ8106А
BUX97A КТ8106Б
BUY90 КТ8107В, Г
BUZ71 КП727А
BV104P КТ8126А
BV2310 2П803А
BVK462 КП959А, Б, В
BVP38 КТ878Б
BVR11 КТ867А
BVT91 КТ879А
BVX14 КТ846В
BVZ90 КП809В, Г
BVZ90(A) КП809Д, Е
CD1412 2Т946А
CD6105 КТ930А
CDR075 2Т9118А
CX954 2Т370Б
D44H7 КТ9181А, Б
D62T4040 КТ886А
DC5108 2Т370А
DC5445 2Т642А
DI4044 КТ222АС-ВС
DVZ216 КП810А
F1014 КП953Г, Д
F1053 2П917А, Б, КП934А
FJ201E 2Т642Б
FLM5964-4C 3П927А2
FLV5964-8C 3П927Б2
HXTR4105 КТ640А
I02015A КТ9116Б
IRF510 КП743А
IRF520 КП744А
IRF530 КП745А, Б
IRF540 КП746А, Б
IRF610 КП748А
IRF620 КП749А
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRF710 КП731А
IRF720 КП751А
IRF730 КП752А
IRF830 КП753А
IRF5532 КП719Б
IRFBG30 КП803А
IRFR024 КП945А, Б
IRFZ30 КП727Б
IRFZ34 КП727В
IRFZ35 КП727Г
IRFZ40 КП723В
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRLZ44 КП723Г
IRLZ46 КП741А
IRLZ48 КП741Б
IXTP3N80(A) КП809А,Б
KC508 КТ342А
KF423 2Т3129Д, 2Т3152Б, Е
KSD882G КТ8296Г
KSD882O КТ8296Б
KSD882R КТ8296А
KSD882Y КТ8296В
LDR405B 2Т9118Б
LOT-1000D1-12B КТ979А
LT1739 КТ9171В
MA42181-510 КТ937А
MGF1802 3П606А2…В2
MI10000 КТ892Б, В
MI10004PF1 КТ892А
MIE13005 КТ8121А
MIL13004 КТ8121Б
MJE304 КТ504В
MJE350 КТ505А
MJE13001 КТ538А
MJE13002 КТ8170Б1
MJE13003 КТ8170А1
MJE13004 КТ8164Б
MJE13005 КТ8164А
MJE13007 КТ8126А
MJE2801T КТ9177А
MMBT3904 КТ3197А9
MMBT3906 КТ3196А9
MPF873 2Т987А
MPS706 КТ648А, КТ682А
MPS3866 2Т633А
MPS6512 КТ3184А
MPS6513 КТ3184Б
MPSL07 2Т3164А
MPS A-42 КТ604В
MPS A-43 КТ3127К
MPS A-92 КТ505А
MPS A-93 КТ698К
MRF136 2П942А, Б, В
MRF327 2Т970А
MRF422 КТ9160А, Б, В
MRF430 КТ9181В, Г
MRF515 КТ606А
MRF544 2Т9159А
MRF627 КТ606Б
MRF840 КТ962Б
MRF846 2Т9117В, Г, 2Т9118В
MRF1035MA 2Т962В
MRF1035MC КТ962В
MRF2016M 2Т948А
MSC0204100 КП934В
MSC81325M 2Т9127Д, Е
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC85853 2Т637А
MSM5964-2 3П927В2
MSM5964-5 3П927Г2
MSM5964-10 ЗП927Д2
MTP4N10 2П703Б
MTP5N05 КП932А
MTP8P10 2П712В
MTP12P08 2П712А
NE080481E-12 2Т9109А
NE1010E 2Т962А
NE3001 2Т9119А2
NE24318 2Т640А
NE56755 2Т647А, 2Т648А
NE56787 2Т642А
NE56854 2Т971А
NE56887 2Т634А, КТ634Б
NE57835 2Т682А
NE243188 КТ642А, 2Т643А
NE243287 2Т643Б
NE243499 2Т9108А
NEM2015 КТ948А
NTP7N05 КП922А, КП931 А, Б, В
PBC107B 2Т3158А
PBC108A 2Т3133А
PBC108B 2Т3133А
PDE1001 КТ607Б
PEE1000U 2Т607А
PEE1001T КТ607А
PFP12P08 КП719А
Ph2214-60 2Т9122Б
PKB20010U КТ948Б
PN3691 КТ3117Б
PN5132 КТ3117А
PWB2010U 2Т948Б
PXT2222 КТ3153А
PZB27020V 2Т9122А
S923TS 2Т3152А, Г, Д
S2055AF КТ838
SD1015 КТ9116А
SDR075 2Т9117А
SDT3207 КТ9171А, Б
SDT69504 2Т880Д
SE5035 КТ939Б
SF123A 2Т672А
SF123C КТ6107А
SG769 2Т3133А
SML723 КТ828В
SML804 КТ828А
SML55401 КТ886Б
SS8050B КТ968В, КТ6114А
SS8050C КТ968В, КТ6114Б
SS8050D КТ968В, КТ6114В
SS8550B КТ6127В, КТ6115А
SS8550C КТ6127В, КТ6115Б
SS8550D КТ6127В, КТ6115В
SS9012D КТ681А, КТ6109А
SS9012E КТ681А, КТ6109Б
SS9012F КТ681А, КТ6109В
SS9012G КТ681А, КТ6109Г
SS9012H КТ681А, КТ6109Д
SS9013D КТ680А, КТ6110А
SS9013E КТ680А, КТ6110Б
SS9013F КТ680А, КТ6110В
SS9013G КТ680А, КТ6110Г
SS9013H КТ680А, КТ6110Д
SS9014A КТ3102А, КТ6111А
SS9014B КТ3102Б, КТ6111Б
SS9014C КТ3102Б, КТ6111В
SS9014D КТ3102Б, КТ6111Г
SS9015A КТ3107А, КТ6112А
SS9015B КТ3107И, КТ6112Б
SS9015C КТ3107И, КТ6112В
SS9016D КТ6128А
SS9016E КТ6128Б
SS9016F КТ6128В
SS9016G КТ6128Г
SS9016H КТ6128Д
SS9016I КТ6128Е
SS9018D КТ6113А
SS9018E КТ6113Б
SS9018F КТ6113В
SS9018G КТ6113Г
SS9018H КТ6113Д
SS9018I КТ6113Е
ST1053 КП934Б
STD18202 КТ828Г
STD55476 КТ846А
STH75N05 КП742Б
STH75N05 КП742A
TBC547A КТ3186А
TCC1821G 2Т942А, КТ942В
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
TIP31A КТ8176А
TIP31B КТ8176Б
TIP31C КТ8176В
TIP32A КТ8177А
TIP32B КТ8177Б
TIP32C КТ8177В
TIP41A КТ8212В
TIP41B КТ8212Б
TIP41C КТ8212А
TIP110 КТ8214В
TIP111 КТ8214Б
TIP112 КТ8214А
TIP120 КТ8116В
TIP121 КТ8116Б
TIP122 КТ8116А, КТ8147А
TIP125 КТ8115В
TIP126 КТ8115Б
TIP127 КТ8115А
TIP132 КТ8116А, КТ8147А
TIP150 КТ8111А
TIP151 КТ8111Б
TN20 2Т9130А
UMIL70 КТ930Б

Партнер статьи: Electronoff.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 ua

Мп39б содержание драгметаллов цена | Домострой

Если Вас интересует продажа радиодеталей, то мы готовы предложить Вам сотрудничество. Скупка плат, конденсаторов, транзисторов и других компонентов приемников – наш основной вид деятельности. ООО «Транзистор» заинтересован в любом поставщике. Приветствуются большие партии на постоянной основе.

Какие радиодетали можно продать?

Мы готовы купить в Москве новые, старые (б/у), заводские неликвидные (брак) электронные компоненты. Осуществляется покупка отечественных и импортных деталей. Их состояние значения не имеет: ООО «Транзистор» принимает любые. Поскольку наши цели – последующая переработка и извлечение драгоценных металлов, передача их на аффинаж.

Ведется покупка радиодеталей:

  • печатных плат,
  • реле,
  • транзисторов,
  • конденсаторов,
  • резисторов,
  • разъемов,
  • генераторных ламп,
  • микросхем,
  • переключателей,
  • катализаторов и т.д.

Кроме покупки б/у радиодеталей с содержанием драгметаллов компания занимается приемом авиационного провода, лома черных и цветных металлов, строительного мусора.

Купим радиодетали дорого: цены и условия

Купить радиодетали в Интернете предлагают компании и частные лица. Мы работаем в этой сфере не первый год, и для многих ООО «Транзистор» – надежный партнер.

В Москве цены при скупке радиодеталей разные. Многое зависит от года выпуска компонентов и их состояния. Так, одни из самых дорогих – советские: транзисторы, платы, выпущенные до 80-х годов. В них больше всего драгоценных или редких металлов.

ООО «Транзистор» принимает любые детали. Наши расценки – одни из самых выгодных. Достаточно небольшого сравнения прайс-листов с предложениями конкурентов, чтобы убедиться в этом.

При покупке радиодеталей цена зависит от количества изделий. Лом и компоненты принимаем по весу, мелким и крупным оптом. Работаем с партиями любого размера. Постоянные поставщики могут продать новые и старые радиодетали по специальным ценам.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210 Если Вы готовы регулярно поставлять комплектующие крупным оптом, то мы предложим индивидуальные условия.

Как и где продать радиодетали?

Чтобы узнать цены на конкретные радиодетали, вышлите нам их фото на почту. Укажите также наименование для удобства. Наш менеджер свяжется с Вами и предоставит всю необходимую информацию. В каталоге на сайте в Интернете Вы также можете найти основной перечень с краткими описаниями.

Мы сотрудничаем с поставщиками из любых регионов РФ. Если Вы ищете компанию, которая купит старые радиодетали по высокой цене, то Ваш поиск окончен. ООО «Транзистор» идет навстречу своим клиентам и обеспечивает скупку по оптимальной стоимости.

Перечень радиодеталей, принимаемых в скупку:

  1. Конденсаторы керамические в корпусном и бескорпусном исполнении. Основные марки: КМ3, КМ4, КМ5, КМ6, К10-7, -9, -17, -23, -26, -28, -43, -46, -47, -48.
  2. Конденсаторы керамические производства стран СЭВ (болгария). Основные марки: К52-1, К52-2,-5,-7,-9, ЭТО-1,-2 ,ЭТ, ЭТН, К53-1,7,18 и т.д.
  3. Емкостные сборки Б-18, Б-20, проходные фильтры Б-23, линии задержки МЛЗ
  4. Микросхемы и транзисторы в круглых, керамических, планарных, DIP, пластмассовых корпусах всех серий.
  5. Транзисторы в круглых, плоских, металлических, пластмассовых корпусах, силовые транзисторы.
  6. Импортные микросхемы и транзисторы в керамических, планарных, DIP и круглых корпусах. Процессоры от персональных компьютеров, материнские платы и их составляюшие.
  7. Разъемы отечественного производства. Любые марки.
  8. Штырьки отечественных и импортных разъемов с белым или желтым покрытием контактных частей.
  9. Разъемы импортного производства. Любые марки.
  10. Ламели от плат любых видов и покрытий
  11. Переключатели ПГ2, 5, 7, ПР1, ПР2, ПП6, ПП8, ПП9, ПП11, МП12, П1М9-1, П1М10-1, П1М11-1, П1М12-1, ПМ2-1, ПкП2-1, ПКН4-1, П2КнТА, ПК1С, ПК1Э, ПК2С, П1Т3-1, П1Т4-1, ПТ9-1, Пт11-1, Пт13-1, Пт23-1, Пт25-1, Пт27-1, Пт8.
  12. Другие переключатели с содержанием ДМ.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210
  13. СП5-1, 2, 3, 4, 14, 15, 16, 17, 18, 20, 21, 22, 24, 37, 39, 44, СП3-39, СП3-19, 37, 44.
  14. ПП3-40, 41, 43, 44, 45, 47.
  15. Потенциометры специального назначения. Основные марки: ППМЛ-М, ППМЛ-И, ППМЛ-ИМ, ППМЛ-Ф, ППМФ-М, ППБЛ-В, РПП, ПТП-1, ПТП-2, ПТП-5, ПЛП-1, ПЛП-2.
  16. Реохорды и резистивные элементы в составе самописцев серий:
  17. КСП-1, КСП-4, КСУ-1, КСД-1, КПУ-1, КПП-1, КПД-1, КП-41, и мостов уравновешенных самопишущих серий: КСМ-1, КПМ-1.
  18. РЭС7 РЭС8 РЭС9 РЭС10 РЭС14 РЭС15 РЭС22 РЭС32 РЭС34 РЭС37 РЭС48 РЭС78 РП 3, 4, 5, 7 РПС 3, 4, 5, 7 РПС 11,15,18 РПС20 РПС24 РПС32 РПС34 РПС36 ДП12 РКН РКНМ РКМ-1 РКМ-1Т РКМ-П РЭК43 ТРА ТРВ ТРЛ ТРМ ТРН ТРП ТРТ РТН ТРСМ-1,2 РВМУ-1 РКП Е-506 СК-594 РВ-5А РТС-5
  19. Другие реле в том числе импортного производства.
  20. Радиодетали специальной аппаратуры, гироскопы, электромеханические навигационные приборы.
  21. Датчики угла поворота, давления, тензодатчики, датчики давления, термопары (ТПП, ТПР), термосопротивления (ТСП), термодатчики.
  22. Провод монтажный в фторопластовой изоляции (БИФ, МС, МСЭ, РК-50, РК-75 и другие марки). Припой ПСР всех типов и его отходы.
  23. Лампы генераторные ГУ, ГС, ГМИ, клистроны
  24. Блоки МКС, ШИВ-25, ШИВ-50, ЭМРВ-27, УВПМ-1, Аккумуляторы СЦС.
  25. Платы от всех устройств с любыми радиоэлементами в том числе импортные.
  26. Вся срезка с плат.
  27. Катализаторы риформинга АП-56, АП-64, БАП-91, КР-104, КР-108, КР-110.
  28. Катализаторы риформинга с непрерывной регенерацией: Р-32, Р-56, Р-132, Р-134.
  29. Катализаторы риформинга аромизинга и изомерации: AR-403S, AR-405, IS-612, IS-612A, IS-632, GP-201, RD-291, RG-412, RG-482, RG-492, RG-582, E-301, E-302, E-311, E-603, E-611, E-801, E-802, E-803, E-1000.
  30. Катализаторы селективного гидрокрекинга: СГ-3П.
  31. Фильтрующие бачки противогазов ДП-2, ДП-4, ФГ-120, ФКП, ФКЛ.

Основные преимущества нашего предложения:

  • Мы производим скупку радиодеталей в любых количествах.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210
  • Оплата по сделке – сразу после оценки и передачи товара.
  • Предлагаем обоснованные расценки при скупке драгметаллов в радиодеталях.
  • Гарантируем индивидуальный подход и учитываем пожелания клиента по проведению сделки.
  • Принимаем технику в целом, а также платы и другие радиодетали: конденсаторы КМ, части приемников и т.д.
  • Работаем в удобном офисе недалеко от станции метро «Белорусская».
  • Гарантируем оперативность и качественный сервис.

Для того чтобы быстро и без лишних хлопот избавиться от устаревшей техники и получить за нее вполне приемлемую сумму, обращайтесь в компанию «Альфа-Металл». Подробнее о расценках, курсах, условиях сотрудничества и оказываемых услугах можно узнать у менеджеров или на сайте. Задать вопросы и договориться о времени встречи можно по телефону или заказав обратный звонок.

Транзистор П210.

Т ранзисторы П210 — германиевые, мощные низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металлостеклянный. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Масса — около 37 г. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max )коллектора с теплоотводом у П210А — 60 Вт, П210Ш, П210Б и П210В — 45Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер65 в, у П210В — 45 в.

Коэффициент передачи тока(паспортное значение) — у П210А — 17, у П210Ш — 21.
у П210Б, П210В — от 10.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора(Iк max) для П210А,П210Б — 12 А, для П210Ш — 9А;

Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию, у П210А с напряжением коллектор-база 45в и у П210Ш с напряжением коллектор-база 60в — не более 8 мА, У П210Б, П210В — не более 15 мА
При температуре окружающей среды +70 по Цельсию:
У П210А с напряжением коллектор-база 45в — не более 50 мА.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210
У П210Ш с напряжением коллектор-база 60в — не более 12 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в у П210Ш, не более — 100 мкА.

Существует масса зарубежных транзисторов, считающимися ВОЗМОЖНЫМИ аналогами П210.
Это такие германиевые приборы как — 2NU74(10), 2N457(7), AUY22(8), 2N456(5).
Цифра в скобке за наименованием — максимально допустимый ток. Как видите, ближе всего к П210 по этому показателю — 2NU74. По напряжению коллектор-эмиттор из предложенного ближе всего AUY22 — 60 вольт.

Если например, необходимо заменить вышедший из строя П210 в зарядном устройстве, где максимальный ток заряда больше 5 А, то например, 2N456 уже для этого — явно не годится, а возможно сойдет AUY22 и особенно — 2NU74.
В общем, в отношении предлагаемых возможных аналогов, приходится вести себя осмотрительно, тщательно проверяя их данные по каталогам(лучше использовать несколько разных источников).

«Плохие» транзисторы.

П210, как и многие другие «советские» полупроводниковые приборы разрабатывался и создавался главным образом для нужд «оборонки». Готовые образцы тщательно проверялись, и при отклонениях(по нагреву, коэффиц. усиления и т. д.) превышающих установленную норму — нещадно отбраковывались. Отбракованные детали не утилизировались а наоборот, использовались — для нужд «народного хозяйства».

Транзисторы «второго сорта»(П210Б и П210В) применялись в выходных каскадах усилитей радиотрансляционных точек, различных стабилизаторах напряжения, устройствах для подзарядки автомобильных аккумуляторов и т. д. Однако, кроме «второго», имелся еще и «третий» сорт.

Такие П210 по сути, хотя и сохраняли работоспособность но имели весьма значительный разброс параметров. Именно они и попадали на прилавки магазинов, а через них — в руки советских радиолюбителей. Бывало, что устройства собранные на таких транзисторах вполне прилично работали. Бывало и наоборот, в общем — все как в лотерее.П210Б параметры: Характеристики германиевых транзисторов П210

С другой стороны, «военные» П210 вели себя совершенно иначе.
Не открою гос. тайны, если скажу что большинство бортовых радиостанций советских танков, БМП, и т. д. в конце восьмидесятых годов 20-го века оставались ламповыми (выходной каскад на ГУ-50). Очень надежные, хотя и несколько громоздкие устройства. Для питания такой радиостанции от бортовых аккумуляторов, необходим специальный блок питания, включающий в себя преобразователь напряжения. За полтора года моей службы, не один из этих блоков (на П210) не вышел из строя.

А служить мне пришлось в военной части «постоянной готовности». Т.е. танки, БМП и БЭТРЫ не простаивали в боксах а активно эксплуатировались. Машины еженедельно учавствовали в учебных стрельбах, часто перемещались по пересеченной местности. Радиоаппаратура постоянно подвергалась воздействию сильной вибрации и толчков, перепадам напряжения в бортовой сети. Должна была ломаться, ведь «совковая» — наверное хреновая?! А вот поди-ж ты.

Мне кажется, что вместо пренебрежительного отношения П210 заслуживают скорее, взвешенного подхода. Едва ли кто-то будет пытаться сейчас собрать на них, например — высококлассный УЗЧ. Но такие вещи, как стабилизатор напряжения, зарядное устройство — почему бы и нет?

Простое зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов.

Ниже приведена схема очень простого зарядного устройства с ручным регулированием тока зарядки.

Ток заряда выставляется с помощью переменного резистора, регулирующего сопротивление перехода коллектор-эмиттер транзистора VT1(П210). Коэффициент передачи тока транзистора П210 невысок, поэтому здесь добавлен дополнительный транзистор VT2. Коэффициент усиления полученного составного транзистора уже достаточно высок — поэтому ток протекающий через резистор относительно невелик.

В качестве VT2 можно применить, как германиевые транзисторы П213 — П217, так и кремниевые — КТ814 или КТ816. Для отвода тепла необходимо установить транзисторы на радиатор, площадью не мене 300 кв.см. Переменный резистор с мощностью рассеивания 0,5 ватт. Его номинал подбирается опытным путем и зависит от коэффициентов усиления используемых транзисторов.

Трансформатор мощностью минимум 250 ватт, лучше — 500, с напряжением вторичной обмотки 15 — 17 вольт. В диодном мосте используются любые выпрямительные диоды на максимальный рабочий ток не менее 5 ампер. Ток предохранителя Пр1 — 1 ампер, Пр2 — 5 ампер. Лампы Hl1 и Hl2 — индикаторы. В качестве их можно использовать любую сигнальную арматуру, в т. ч. и светодиодную, на напряжение 24 вольта.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 — 2N1413
МП40 — 2N104
МП41 возможный аналог — 2N44A
МП42 возможный аналог — 2SB288

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12, у МП39Б находится в пределах от 20 до 60.
У транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40.
У транзисторов МП41 — от 30 до 60, МП41А — от 50 до 100.
у транзисторов МП42 — от 20 до 35, МП42А — от 30 до 50, МП42Б — от 45 до 100.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП39, МП40 — 15в.
У транзисторов МП40А — 30в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15в.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До 1,5 МГц у транзисторов МП42А.
До 2 МГц у транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора.20мА постоянный, 150мА — пульсирующий.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30 мкА.

Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц — не более 60 пФ.

Коэффициент собственного шума — у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12дб.

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150мВт.
У МП42 — 200мВт.

Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно, на одном транзисторе, без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы МП39, МП40,МП41,МП42 можно найти в приемниках «Альпинист 405», «Вэф 12″,»Вэф — транзистор 17», «Геолог»,»Гиала»,»Кварц-401″,»Мрия 301″,»Россия 301″,»Сокол 4″, «Спорт 301», «Юпитет 601», «Юпитер М», в магнитофонах — «Весна 3», «Романтик 3».
П210Б можно добыть из радиотрансляционных усилителей ВТУ -100. П210А и П210Ш — из списанных блоков питания военной радиостанции. Кроме того, иногда П210 можно встретить в промышленных лабораторных стабилизаторах напряжения.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

S9012 транзистор характеристики аналоги

ТранзисторыSS9012(S9012) D, SS9012(S9012) E,

SS9012(S9012) F, SS9012(S9012) G, SS9012(S9012) H, SS9012(S9012) I.

Т ранзисторы SS9012(S9012) – кремниевые, высокочастотные усилительные, структуры – p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 0,625 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером – 150 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер25в.

Максимальное напряжение коллектор – база40в.

Максимальное напряжение эмиттер – база5в.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов SS9012(S9012) с буквой D – от 64 до 91.
У транзисторов SS9012(S9012) с буквой E – от 78 до 112.
У транзисторов SS9012(S9012) с буквой F – от 96 до 135.
У транзисторов SS9012(S9012) с буквой G – от 112 до 166.
У транзисторов SS9012(S9012) с буквой H – от 144 до 202.
У транзисторов SS9012(S9012) с буквой I – от 190 до 300.

Максимальный постоянный ток коллектора500мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА – не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА – не выше 1,2в.

Обратный ток коллектор – база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 20в. не более 0,2 мА.

Обратный ток эмиттера – база при напряжении эмиттер-база 5в не более – 0,1 мА.

Транзисторы SS9015(S9015) A, SS9015(S9015) B,

SS9015(S9015) C.

Т ранзисторы SS9015(S9015) – кремниевые, высокочастотные усилительные, малошумящие(на низких частотах) структуры – p-n-p.
Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 0,450 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером – 190 МГц;

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер45в.

Максимальное напряжение коллектор – база50в.

Максимальное напряжение эмиттер – база5в.

Коэффициент передачи тока :
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой A – от 60 до 150.
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой B – от 100 до 300.
У транзисторов SS9015(S9015) с буквой C – от 200 до 600.

Максимальный постоянный ток коллектора100мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА – не выше 0,7в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА – не выше 1,2в.

Обратный ток коллектор – база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 50в. не более 50 мКА.

Обратный ток эмиттера – база при напряжении эмиттер-база 5в не более – 50 мКА.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H

FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам , решил создать таблицу аналогов . Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

ИМПОРТНЫЙ – ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ

1561-1008 2Т874А
1561-1015 2Т874Б
2005A 2Т942Б
2023-1,5 2Т9155Б
2023-1,5T КТ9153А
2023-3 2Т9155А
2023-6 2Т9146А, 2Т9158Б
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2307(A) 2Т9103А
46120 2Т962Б
222430 2Т9158А
27AM05 КТ9170А
2L08 2Т937А
2L15A 2Т937Б
2L15B КТ937Б
2N656 КТ6111А, Б
2N657 КТ6111В, Г
2N709 КТ397А
2N735A 2Т3130Г
2N739 КТ117БМ
2N844 КТ117ГМ, 2Т3130Д
2N1051 КТ6110В, Г, Д
2N1573 КТ117ВМ
2N1820 2Т862А
2N1923 КТ117АМ
2N2218 2Т649А, КТ928А
2N2218A КТ647А
2N2219 КТ928Б
2N2219A КТ928В
2N2221 КТ3117А
2N2222A КТ3117Б
2N2224 КТ638А
2N2369 КТ3142А
2N2459 2Т3130В
2N2463 2Т3130Б
2N2615 КТ3132Д
2N2616 КТ3132Е
2N2646 КТ132А
2N2647 КТ132Б
2N2712 КТ315А, Б
2N2784 КТ3101АМ
2N2906 КТ313А
2N2906A КТ313Б, 2Т3160А
2N3054 КТ723А
2N3055 КТ819ГМ
2N3114 КТ6117А
2N3397 КТ315Ж…Р
2N3584 2Т881Д
2N3712 КТ6117Б
2N3725 КТ635Б
2N3737 КТ659А
2N3839 КТ370А
2N3903 КТ645А
2N3904 КТ3117Б, КТ6137А
2N3905 КТ313А
2N3906 КТ313Б, КТ6136А
2N4123 КТ503А
2N4124 КТ503Б
2N4125 КТ502А
2N4126 КТ502Б
2N4128 КТ997В
2N4237 КТ719А
2N4238 КТ721А
2N4260 2Т3135А
2N4261 2Т3135Б
2N4400 КТ660А
2N4401 КТ660А
2N4402 КТ685А
2N4403 КТ685В
2N4411 КТ3127А
2N4440 КТ972В
2N4870 КТ133А
2N4871 КТ133Б
2N4913 КТ866Б
2N4914 КТ890А
2N4915 КТ890Б
2N4934 2Т939А
2N4976 КТ996А
2N5050 2Т892В
2N5086 КТ3107Б
2N5087 КТ3107К
2N5088 КТ3102Е
2N5089 КТ3102Е
2N5102 КТ921А, В
2N5177 2Т998А
2N5210 КТ3102Б
2N5240 КТ898А
2N5400 КТ698И, КТ6116Б
2N5401 КТ698К, КТ6116А
2N5550 КТ6127И, КТ6117Б
2N5551 КТ6127К, КТ6117А
2N5642 2Т945В, Г
2N5643 2Т949А
2N5651 КТ390Б
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2N5995 КТ972Г
2N5996 2Т945А, Б
2N6077 КТ898Б
2N6180 2Т877Г, КТ9180А, Б
2N6181 КТ9180В, Г
2N6428 КТ3117Б
2N6428A КТ3117Б
2N6515 КТ504Б
2N6516 КТ504В
2N6517 КТ504А
2N6518 КТ505Б
2N6519 КТ505А
2N6520 КТ505А
2N6679 КТ640Б
2N6701 КТ647А
2N7002LT1 КП214А9
2N7089 2П712Б
2SA555 КТ361А, Г, Д
2SA556 КТ361Ж, И
2SA715B КТ664А
2SA715C КТ664Б
2SA715D КТ6102А
2SA733 G КТ3107И
2SA733 L КТ3107И
2SA733 O КТ3107А
2SA733 R КТ3107А
2SA733 Y КТ3107Б
2SA738B КТ6116А, Б
2SA876H КТ313Г
2SA1009AM 2Т887А, Б
2SA1015 КТ502Е
2SA1090 КТ313В
2SA1175 КТ3107
2SA1584 2Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г
2SA1660 2Т3129Б, КТ3171А
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
2SA1815 КТ503Е
2SA2785 КТ3102
2SB596 КТ9176А
2SB834 КТ842В
2SB1220Q 2Т3129А
2SC40 КТ3101АМ
2SC64 КТ6110А, Б
2SC380 КТ315Г
2SC388 КТ315Г
2SC404 КТ359А
2SC495 КТ646А
2SC496 КТ646Б
2SC543-5 КП302А1-Г1
2SC601 КТ396А
2SC633 КТ315А, Б
2SC634 КТ315Д, Е
2SC641 КТ315Ж…Р
2SC651 2Т610А
2SC945G КТ3102Б
2SC945L КТ3102Б
2SC945O КТ3102А
2SC945R КТ3102А
2SC945Y КТ3102Б
2SC976 КТ996Б
2SC1173 КТ862Г
2SC1269 2Т642В
2SC1270 2Т642Г
2SC1334 КТ962А
2SC1365 КТ610А, Б
2SC1436 2Т862В
2SC1440 КТ945Б
2SC1443 КТ879Б
2SC1551 2Т682Б
2SC1552 2Т682В
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC1786 2Т862Б
2SC1815BL КТ3102Б
2SC1815GR КТ3102Б
2SC1815L КТ3102Б
2SC1815O КТ3102А
2SC1815Y КТ3102Б
2SC2027 КТ828Б
2SC2033 КТ934В, Д
2SC2093 2Т9102А, Б, 2Т9103Б
2SC2229 КТ940А
2SC2240BL КТ503Е
2SC2240GR КТ503Е
2SC2482 КТ940А
2SC2642 КТ934Б
2SC2688 КТ846
2SC2794 КТ866А
2SC3150K КТ8137А, КТ8144Б
2SC3271 КТ940А
2SC3272 КТ940А
2SC3306 КТ8144А
2SC3455L КТ878В
2SC3596F КТ9142А
2SC3994L КТ878А
2SC4055 КТ8146Б, КТ8150А
2SC4296 КТ858А
2SD401A КТ8146А, КТ8147Б
2SD405B 2Т9117Б
2SD675A КТ945В
2SD691 КТ945Г
2SD734 КТ660Б
2SD814 КТ3176А
2SD1220Q КТ3169А
2SD1279 КТ846Б
2SD1554 КТ838
2SD1761 КТ819
2SD1878 КТ838
2SK49 2П336А1, Б1
2SK444 2П340Б1
2SK508 2П340А1
2SK513 КП803Б
2SK653 3П345А2, Б2, КП364А…И
3SK132 КП403А
3SK162 КП333А
3SR137 КП333Б
A5916 КТ934А
A5918 КТ934Г
AD545 П216Б
A630 КТ946А
AD1202 П213Б
AD1203 П214Б
ADP665 ГТ403Б
ADP666 ГТ403Г
ADP670 П201АЭ
ADP671 П201АЭ
ADP672 П203Э
ADY27 ГТ703Б
AF106 ГТ328Б
AF106A ГТ328В
AF109 ГТ328А
AF139 ГТ346Б
AF178 ГТ309Б
AF200 ГТ328А
AF201 ГТ328А
AF202 ГТ328А
AF239 ГТ346А
AF239S ГТ346А
AF240 ГТ346Б
AF251 ГТ346А
AF252 ГТ346А
AF253 ГТ328А
AF256 ГТ348Б
AF260 П29А
AF261 П30
AF266 МП42Б, МП20А
AF271 ГТ322В
AF272 ГТ322В
AF275 ГТ322Б
AF279 ГТ330Ж
AF280 ГТ330И
AF426 ГТ322Б
AF427 ГТ322Б
AF428 ГТ322Б
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AFY11 ГТ313А
AFY12 ГТ328Б
AFY13 ГТ305В
AFY15 П30
AFY29 ГТ305Б
AFZ11 ГТ309Б
AL100 ГТ806В
AL102 ГТ806В
AL103 ГТ806Б
AM1416-200 2Т975А, Б
AM1416200 2Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б
ASX11 МП42Б
ASX12 МП42Б
ASY26 МП42А, МП20А
ASY31 МП42А
ASY33 МП42А, МП20А
ASY34 МП42А, МП20А
ASY35 МП42Б, МП20А
ASY70 МП42
ASY76 ГТ403Б
ASY76 ГТ403Г
ASY80 ГТ403Б
ASZ15 П217А, ГТ701А
ASZ16 П217А
ASZ17 П217А
ASZ18 П217В, ГТ701А
ASZ1015 П217В
ASZ1016 П217В
ASZ1017 П217В
ASZ1018 П217В
AT00510 2Т657А
AT00535 2Т657Б
AT00570 2Т657В
AT270 МП42Б, МП20А
AT275 МП42Б, МП20А
AT12570-5 КТ648А
AU103 ГТ810А
AU104 ГТ810А
AU107 ГТ810А
AU108 ГТ806Б
AU110 ГТ806Д
AU113 ГТ810А
AUY10 П608А, ГТ905А
AUY18 П214А
AUY19 П217
AUY20 П217
AUY21 П210Б
AUY21A П210Б
AUY22 П210Б
AUY22A П210Б
AUY28 П217
AUY35 ГТ806А
AUY38 ГТ806В
BAL004100 КТ970А
BC11 КТ638
BC12 КТ638
BC13 КТ638
BC14 КТ638
BC15 КТ638
BC16 КТ638
BC100 КТ605А
BC101 КТ301Е
BC107 КТ342А
BC107A КТ342А
BC107AP КТ3102А
BC107B КТ342Б
BC107BP КТ3102Б
BC108 КТ342
BC108A КТ342А
BC108AP КТ3102В
BC108B КТ342Б
BC108BP КТ3102В
BC108C КТ342В
BC108CP КТ3102Г
BC109B КТ342Б
BC109BP КТ3102Д, И
BC109C КТ342В
BC109CP КТ3102Е, К
BC140 КТ630Г
BC141 КТ630Г
BC141-16 КТ630Г
BC147A КТ373А
BC147B КТ373Б
BC148A КТ373А
BC148B КТ373Б
BC148C КТ373В
BC149B КТ373Б
BC149C КТ373В
BC157 КТ361Г
BC158A КТ349В
BC160B КТ933Б
BC161B КТ933А
BC167A КТ373А
BC167B КТ373Б
BC168A КТ373А
BC168B КТ373Б
BC168C КТ373В
BC169B КТ373Б
BC169C КТ373В
BC170A КТ375Б
BC170B КТ375Б
BC171A КТ373А
BC171B КТ373Б
BC172A КТ373А
BC172B КТ373Б
BC172C КТ373В
BC173B КТ373Б
BC173C КТ373В
BC174 КТ3102
BC177AP КТ3107А, Б
BC177VIP КТ3107Б, Б
BC178A КТ349В
BC178AP КТ3107В
BC178BP КТ3107Д
BC178VIP КТ3107В, Г
BC179AP КТ3107Е, Д
BC179BP КТ3107Ж, И
BC182 КТ3102
BC182A КТ3102А
BC182B КТ3102Б
BC182C КТ3102Б
BC183A КТ3102А
BC183B КТ3102Б
BC183C КТ3102Б, КТ3102Г
BC184A КТ3102Д
BC184B КТ3102Е
BC192 КТ351Б
BC212A КТ3107Б
BC212B КТ3107И
BC212C КТ3107К
BC213A КТ3107Б
BC213B КТ3107И
BC213C КТ3107К
BC216 КТ351А
BC216A КТ351А
BC218 КТ340Б
BC218A КТ340Б
BC223A КТ660Б
BC223B КТ660Б
BC226 КТ351Б
BC226A КТ351Б
BC234 КТ342А
BC234A КТ342А
BC235 КТ342Б
BC235A КТ342Б
BC237 КТ373Б
BC237A КТ3102А
BC237B КТ3102Б
BC237C КТ3102Б
BC238 КТ373В, КТ3102В
BC238A КТ3102А, КТ3102В
BC238B КТ3102В
BC238C КТ3102В, Г
BC239A КД3102Д
BC239B КТ3102Д, Ж
BC239C КТ3102Д, Е
BC250A КТ361А
BC250B КТ361Б
BC285 П308
BC300 КТ630Б
BC307A КТ3107Б
BC307B КТ3107И
BC307C КТ3107И
BC308 КТ3107Г
BC308A КТ3107Г, КТ3107Б
BC308B КТ3107Д
BC308C КТ3107К
BC309A КТ3107Е
BC309B КТ3107Ж
BC309C КТ3107Л
BC320A КТ3107Б
BC320B КТ3107Д
BC321A КТ3107Б
BC321B КТ3107И
BC321C КТ3107К
BC322B КТ3107Ж
BC322C КТ3107Л
BC327 КТ685А, КТ313
BC327-16 КТ686А
BC327-25 КТ686Б
BC327-40 КТ686В
BC328 КТ313
BC328-16 КТ686Г
BC328-25 КТ686Д
BC328-40 КТ686Е
BC337 КТ3102Б, КТ660А
BC337-16 КТ660А
BC337-25 КТ660А
BC337-40 КТ660А
BC337C КТ660А, КТ928
BC338 КТ645, КТ646, КТ660Б
BC338-16 КТ660Б
BC338-25 КТ660Б
BC338-40 КТ660Б
BC338C КТ660Б
BC355 КТ352Б
BC355A КТ352А
BC382B КТ3102Б
BC382C КТ3102Г
BC383B КТ3102Д
BC383C КТ3102Е
BC384B КТ3102Д
BC384C КТ3102Е
BC440 КТ630
BC446 КТ3107
BC451 КТ3102В
BC453 КТ3102Д
BC454A КТ3107Б
BC454B КТ3107И
BC454C КТ3107К
BC455A КТ3107Г
BC455B КТ3107Д, Е
BC455C КТ3107К
BC456A КТ3107Е
BC456B КТ3107Ж, И
BC456C КТ3107Л
BC513 КТ345А
BC516 КТ686Ж
BC517 КТ645А
BC526C КТ3107К, Л
BC527 КТ342Б, КТ342В
BC527-6 КТ629А, КТ6112А, Б
BC524-10 КТ6112В
BC528 КТ342В
BC546A КТ503Д
BC546B КТ3102Б, КТ3117Б
BC546C КТ3117Б
BC547 КТ3103А
BC547A КТ3102А
BC547B КТ3102Б
BC547C КТ3102Б, Г
BC548 КТ373А
BC548A КТ3102А, В
BC548B КТ3102В
BC548C КТ3102В, Г
BC549A КТ3102В
BC549B КТ3102В
BC549C КТ3102В, КТ3102ДМ
BC550A КТ3102А
BC550B КТ3102Б
BC550C КТ3102Б
BC556 КТ3107Б
BC556A КТ502Д
BC556B КТ502Д
BC556C КТ502Д
BC557 КТ3107
BC557A КТ3107Б
BC557B КТ3107И
BC557C КТ3107И
BC558A КТ3107Г
BC558B КТ3107Д
BC558C КТ3107К
BC559A КТ3107Е
BC559B КТ3107Ж
BC559C КТ3107Л
BC560A КТ3107Б
BC560B КТ3107И
BC560C КТ3107И
BC635 КТ503Б
BC636 КТ502Б
BC637 КТ503Г
BC638 КТ502Г
BC639 КТ503Е
BC640 КТ502Е
BC847A КТ3189А9
BC847B КТ3189Б9
BC847C КТ3189В9
BC857A КТ3129Б9
BC858A КТ3129В9
BC858B КТ3129Г9
BCW31 КТ3130В9
BCW47B КТ3187А
BCW71 КТ3130А9
BCW72 КТ3130Б8
BD135 КТ815Б
BD136 КТ626А, Е, КТ814Б, КТ6109А
BD137 КТ815В
BD138 КТ814В, КТ6104А
BD139 КТ815Г
BD140 КТ626Ж, КТ814Г, КТ6109А
BD165 КТ728А
BD166 КТ720А
BD168 КТ722А
BD170 КТ724А
BD202 2Т818А
BD204 2Т818Б
BD223 КТ856А
BD233 КТ817Б
BD234 КТ816Б
BD235 КТ817В
BD236 КТ816В
BD237 КТ817Г
BD238 КТ816Г
BD243C КТ819
BD370A6 КТ639А
BD372 КТ639Б
BD372A6 КТ639В
BD372A10 КТ639Г, Д
BD522 КП932А
BD676 КТ852Г
BD677 КТ829В
BD678 КТ852В
BD825 2Т642А
BD875 КТ972А
BD876 КТ973А
BD944 КТ856Б
BD946 КТ896А
BD948 КТ896Б
BDT21(A) КТ8101Б
BDV64 КТ8159В
BDV65 КТ8158В
BDW94 КТ818В
BDX78 2Т818В
BDX85 2Т716В
BDX85B 2Т716Б
BDX85C 2Т716А
BF177 КТ671А, 2Т3130Е
BF179B КТ682Б
BF189 КТ3172А
BF244A КП307Ж
BF245 КП303Е
BF258 КТ638Б
BF336 КТ6103А
BF337 КТ6113А, Б, В
BF339 КТ6113Г, Д, Е
BF371 КТ633Б
BD386 КТ629А
BF391 КТ698К
BF392 КТ504Б
BF393 КТ504В
BF410A 2П337АР, БР
BF422 КТ940А
BF423 КТ9115А
BF423S КТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В
BF457 КТ940Б
BF458 КТ940А
BF459 КТ940А
BF469 КТ969А
BF471 КТ846
BF491 КТ6127К
BF492 КТ505Б
BF493 КТ505А
BF506 КТ3126А
BF569 КТ3192А9
BF599 КТ368А9
BF680 КТ3109А
BF970 КТ9109В
BF979 КТ9109Б
BF998 2П347А2, КП402А
BFJ57 КТ6105А
BFL545 КП954А, Б
BFP23 КТ868А, Б
BFP720 КТ315В
BFP722 КТ315Г
BFR30 КП302А1-Г1
BFR37 КТ939А
BFY80 2Т3130А
BLY47A 2Т892А, Б
BSS88 КП504А
BSS92 КП508А
BSS124 КП502
BSS129 КП503А
BSS295 КП505А
BSS315 КП507А
BSW62A КТ361К, Л, М
BSW63A КТ361Н, П
BU108 КТ8107А, Б
BU205 КТ838Б
BU208A КТ8104А
BU289 КТ8101А
BU505 2SD818, BU705, KSD5064
BU508 КТ872А, В
BU508A КТ872Б
BU508AD КТ872А, Б
BU508AW BU508, BU508A
BU508D КТ846, КТ872В
BU508DW BU508AD, BU508D, BU508DR
BU807 КТ8156А
BU2506D КТ8248А
BU2508A КТ8224А
BU2508D КТ8224Б
BU2520DW KSD5090
BU2720DX 2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D
BU2725DX 2SD2553
BU4506AF 2SD2381
BU4506AX 2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065
BU4506DX 2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071
BU4507AX 2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076
BU4507DX 2SD870, 2SD1878, KSD5072
BU4508AF 2SD2301, 2SD2311
BU4508AX 2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513
BU4508DF 2SD2299, 2SD2300
BU4508DX 2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F
BU4508DZ 2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1
BU4522AX 2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088
BU4522DX 2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080
BU4523AX 2SD2500, 2SD2515, BUH715
BU4523DX 2SD2349, 2SD2514
BU4525AX 2SD1887
BU4525DX 2SD1881
BUX97 КТ8106А
BUX97A КТ8106Б
BUY90 КТ8107В, Г
BUZ71 КП727А
BV104P КТ8126А
BV2310 2П803А
BVK462 КП959А, Б, В
BVP38 КТ878Б
BVR11 КТ867А
BVT91 КТ879А
BVX14 КТ846В
BVZ90 КП809В, Г
BVZ90(A) КП809Д, Е
CD1412 2Т946А
CD6105 КТ930А
CDR075 2Т9118А
CX954 2Т370Б
D44H7 КТ9181А, Б
D62T4040 КТ886А
DC5108 2Т370А
DC5445 2Т642А
DI4044 КТ222АС-ВС
DVZ216 КП810А
F1014 КП953Г, Д
F1053 2П917А, Б, КП934А
FJ201E 2Т642Б
FLM5964-4C 3П927А2
FLV5964-8C 3П927Б2
HXTR4105 КТ640А
I02015A КТ9116Б
IRF510 КП743А
IRF520 КП744А
IRF530 КП745А, Б
IRF540 КП746А, Б
IRF610 КП748А
IRF620 КП749А
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRF710 КП731А
IRF720 КП751А
IRF730 КП752А
IRF830 КП753А
IRF5532 КП719Б
IRFBG30 КП803А
IRFR024 КП945А, Б
IRFZ30 КП727Б
IRFZ34 КП727В
IRFZ35 КП727Г
IRFZ40 КП723В
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRLZ44 КП723Г
IRLZ46 КП741А
IRLZ48 КП741Б
IXTP3N80(A) КП809А,Б
KC508 КТ342А
KF423 2Т3129Д, 2Т3152Б, Е
KSD882G КТ8296Г
KSD882O КТ8296Б
KSD882R КТ8296А
KSD882Y КТ8296В
LDR405B 2Т9118Б
LOT-1000D1-12B КТ979А
LT1739 КТ9171В
MA42181-510 КТ937А
MGF1802 3П606А2…В2
MI10000 КТ892Б, В
MI10004PF1 КТ892А
MIE13005 КТ8121А
MIL13004 КТ8121Б
MJE304 КТ504В
MJE350 КТ505А
MJE13001 КТ538А
MJE13002 КТ8170Б1
MJE13003 КТ8170А1
MJE13004 КТ8164Б
MJE13005 КТ8164А
MJE13007 КТ8126А
MJE2801T КТ9177А
MMBT3904 КТ3197А9
MMBT3906 КТ3196А9
MPF873 2Т987А
MPS706 КТ648А, КТ682А
MPS3866 2Т633А
MPS6512 КТ3184А
MPS6513 КТ3184Б
MPSL07 2Т3164А
MPS A-42 КТ604В
MPS A-43 КТ3127К
MPS A-92 КТ505А
MPS A-93 КТ698К
MRF136 2П942А, Б, В
MRF327 2Т970А
MRF422 КТ9160А, Б, В
MRF430 КТ9181В, Г
MRF515 КТ606А
MRF544 2Т9159А
MRF627 КТ606Б
MRF840 КТ962Б
MRF846 2Т9117В, Г, 2Т9118В
MRF1035MA 2Т962В
MRF1035MC КТ962В
MRF2016M 2Т948А
MSC0204100 КП934В
MSC81325M 2Т9127Д, Е
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC85853 2Т637А
MSM5964-2 3П927В2
MSM5964-5 3П927Г2
MSM5964-10 ЗП927Д2
MTP4N10 2П703Б
MTP5N05 КП932А
MTP8P10 2П712В
MTP12P08 2П712А
NE080481E-12 2Т9109А
NE1010E 2Т962А
NE3001 2Т9119А2
NE24318 2Т640А
NE56755 2Т647А, 2Т648А
NE56787 2Т642А
NE56854 2Т971А
NE56887 2Т634А, КТ634Б
NE57835 2Т682А
NE243188 КТ642А, 2Т643А
NE243287 2Т643Б
NE243499 2Т9108А
NEM2015 КТ948А
NTP7N05 КП922А, КП931 А, Б, В
PBC107B 2Т3158А
PBC108A 2Т3133А
PBC108B 2Т3133А
PDE1001 КТ607Б
PEE1000U 2Т607А
PEE1001T КТ607А
PFP12P08 КП719А
Ph2214-60 2Т9122Б
PKB20010U КТ948Б
PN3691 КТ3117Б
PN5132 КТ3117А
PWB2010U 2Т948Б
PXT2222 КТ3153А
PZB27020V 2Т9122А
S923TS 2Т3152А, Г, Д
S2055AF КТ838
SD1015 КТ9116А
SDR075 2Т9117А
SDT3207 КТ9171А, Б
SDT69504 2Т880Д
SE5035 КТ939Б
SF123A 2Т672А
SF123C КТ6107А
SG769 2Т3133А
SML723 КТ828В
SML804 КТ828А
SML55401 КТ886Б
SS8050B КТ968В, КТ6114А
SS8050C КТ968В, КТ6114Б
SS8050D КТ968В, КТ6114В
SS8550B КТ6127В, КТ6115А
SS8550C КТ6127В, КТ6115Б
SS8550D КТ6127В, КТ6115В
SS9012D КТ681А, КТ6109А
SS9012E КТ681А, КТ6109Б
SS9012F КТ681А, КТ6109В
SS9012G КТ681А, КТ6109Г
SS9012H КТ681А, КТ6109Д
SS9013D КТ680А, КТ6110А
SS9013E КТ680А, КТ6110Б
SS9013F КТ680А, КТ6110В
SS9013G КТ680А, КТ6110Г
SS9013H КТ680А, КТ6110Д
SS9014A КТ3102А, КТ6111А
SS9014B КТ3102Б, КТ6111Б
SS9014C КТ3102Б, КТ6111В
SS9014D КТ3102Б, КТ6111Г
SS9015A КТ3107А, КТ6112А
SS9015B КТ3107И, КТ6112Б
SS9015C КТ3107И, КТ6112В
SS9016D КТ6128А
SS9016E КТ6128Б
SS9016F КТ6128В
SS9016G КТ6128Г
SS9016H КТ6128Д
SS9016I КТ6128Е
SS9018D КТ6113А
SS9018E КТ6113Б
SS9018F КТ6113В
SS9018G КТ6113Г
SS9018H КТ6113Д
SS9018I КТ6113Е
ST1053 КП934Б
STD18202 КТ828Г
STD55476 КТ846А
STH75N05 КП742Б
STH75N05 КП742A
TBC547A КТ3186А
TCC1821G 2Т942А, КТ942В
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
TIP31A КТ8176А
TIP31B КТ8176Б
TIP31C КТ8176В
TIP32A КТ8177А
TIP32B КТ8177Б
TIP32C КТ8177В
TIP41A КТ8212В
TIP41B КТ8212Б
TIP41C КТ8212А
TIP110 КТ8214В
TIP111 КТ8214Б
TIP112 КТ8214А
TIP120 КТ8116В
TIP121 КТ8116Б
TIP122 КТ8116А, КТ8147А
TIP125 КТ8115В
TIP126 КТ8115Б
TIP127 КТ8115А
TIP132 КТ8116А, КТ8147А
TIP150 КТ8111А
TIP151 КТ8111Б
TN20 2Т9130А
UMIL70 КТ930Б

единичных векторов, содержащих модифицированную рекомбиназу cre и рекомбинационные последовательности LOX для индуцируемой тканеспецифической амплификации экспрессии гена | Исследование нуклеиновых кислот

Аннотация

Селективное изменение генома с использованием Cre-рекомбиназы для нацеливания на реаранжировку генов, фланкированных последовательностями распознавания LOX, потребовало использования двух отдельных генетических конструкций в транс , одна из которых содержит cre , а другая содержит интересующий ген, фланкированный Сайты LOX.Мы разработали стратегию, в которой как ген рекомбиназы cre , так и сайты рекомбинации LOX могут быть клонированы в одном векторе в цис . В этом методе используется модифицированная форма Cre (CREM), которая содержит изменения в 5′-области, включая введение консенсусной последовательности Козака и вставку функционального интрона. Эта система позволяет индуцибельную тканеспецифическую активацию или инактивацию экспрессии гена в одном векторе и может использоваться для 300-кратной амплификации экспрессии гена со слабого промотора.Этот подход может быть применен к стратегиям нацеливания для создания генетически измененных мышей и генной терапии.

Поступило 19.02.2001 г .; Пересмотрено и принято 25 апреля 2001 г.

ВВЕДЕНИЕ

Последние достижения в области трансгенных технологий предоставляют средства для фундаментального изменения генома мыши путем чрезмерной экспрессии интересующего гена (1–4) или удаления или модификации эндогенного аллеля гена тканеспецифичным и временным образом. (5-7) Некоторые из этих подходов используют технологию, основанную на системе Cre / LOX, где рекомбиназа бактериофага P1 используется для воздействия на сайты-мишени LOX (8), чтобы изменить генетический локус или активировать экспрессию трансгена в тканеспецифической манера.В этой системе два удаленных сайта LOX рекомбинируют, что приводит к вырезанию и потере промежуточных нуклеотидных последовательностей. Эта технология оказалась особенно полезной для условного изменения генетических локусов у мышей, где экспрессия рекомбиназы Cre находится под транскрипционным контролем тканеспецифичного и регулируемого во времени промотора (9–26). Однако основным ограничением этого подхода является то, что генно-инженерные конструкции, используемые для выполнения этих манипуляций, не могут содержать одновременно последовательности для рекомбиназы cre и сайты LOX. Cre будет экспрессироваться, когда присутствует в плазмиде, трансформированной в бактерии, что приведет к рекомбинации сайтов LOX, содержащихся в одной плазмиде, и удалению генетического материала, содержащегося между ними. По этой причине должны быть созданы и скрещены две отдельные линии трансгенных животных, чтобы осуществить рекомбинацию Cre генов, фланкированных сайтами LOX (гены fLOXed). Точно так же использование технологии Cre-LOX для генной терапии требует использования двух отдельных конструкций, что делает ее неэффективным для таких целей.

Еще одним серьезным ограничением трансгенных технологий и подходов к генной терапии было то, что многие тканеспецифичные промоторы транскрипционно слабые и приводят к относительно низким уровням экспрессии гетерологичных генов. Весьма желателен способ сохранения тканевой специфичности, но повышения уровней транскрипции интересующего гена.

Чтобы устранить эти ограничения, мы разработали новую систему, в которой рекомбиназа cre была модифицирована (CREM) таким образом, что она не экспрессируется в прокариотических клетках в процессе клонирования, но активно экспрессируется в эукариотических клетках.Основываясь на этой стратегии, мы создали отдельные векторы, содержащие как модифицированную рекомбиназу cre , так и интересующий ген fLOXed. Кроме того, мы разработали новые репортерные системы для оценки активности Cre . Используя стратегии Cre / LOX в сочетании с очень сильными промоторами транскрипции, мы можем достичь высоких уровней индуцибельной тканеспецифической экспрессии генов с использованием одного вектора. Эти стратегии могут применяться для манипулирования геномом мыши и подходов к генной терапии для значительного улучшения целевой экспрессии представляющих интерес генов.

МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ

Конструирование плазмид

Плазмидные конструкции

были созданы с использованием стандартных методик клонирования, как описано ниже. Для всех реакций ПЦР использовали следующие условия: 10–100 нг ДНК-матрицы, 1 мМ MgSO 4 , 0,3 мМ dNTP, 0,3 мкМ праймеры и 1,25 ед. PFX-полимеразы (Life Technologies, Rockville, MD) в общий реакционный объем 50 мкл. Параметры термоцикла: 94 ° C в течение 2 минут, 50 ° C в течение 30 секунд, 68 ° C в течение 1 минуты в течение 1 цикла, затем 94 ° C в течение 15 секунд, 55 ° C в течение 30 секунд и 68 ° C в течение 1 минуты. всего 34 цикла.

Создание репортерных конструкций с переключением генов

Генерация управляемой промотором SV40 плазмиды переключения генов, содержащей флокированный усиленный зеленый флуоресцентный белок (EGFP), вставленный в рамку считывания β -gal . Плазмида pEGFP-CI (Clontech, Пало-Альто, Калифорния) была переварена Bgl II / Bam HI и религия. Синтетические олигонуклеотиды OLN 111 (5′-CTA-GCG-GTA-CCG-ATA-ACT-TCG-TAT-AGC-ATA-CAT-TAT-ACG-AAG-TTA-TCA-3 ‘) и OLN 112 (5’- CCG-GTG-ATA-ACT-TCG-TAT-AAT-GTA-TGC-TAT-ACG-AAG-TTA-TCG-GTA-CCG-3 ‘), разработанный, чтобы содержать сайт LOX, фланкированный 5’ Nhe I и сайтов Kpn I и сайт 3 ‘ Age I клонировали в сайты Nhe I и Age I модифицированного вектора pEGFP-CI, в результате чего получали плазмиду p138.Второй набор синтетических олигонуклеотидов OLN 113 (5′-CGC-GTA-TAA-CTT-CGT-ATA-GCA-TAC-ATT-ATA-CGA-AGT-TAT-CGG-TAC-CAC-TAC-3 ‘) и OLN 114 (5’-GTG-GTA-CCG-ATA-ACT-TCG-TAT-AAT-GTA-TGC-TAT-ACG-AAG-TTA-TA-3 ‘), содержащий последовательность узнавания для LOX, фланкированную Mlu I в 5′-части и Kpn I и Dra III в 3′-части были вставлены в сайты Mlu I и Dra III p138, что привело к образованию p142, в котором EGFP фланкирован LOX. места.Кассета с флоксированным EGFP была удалена из p142 путем переваривания Kpn I и клонирована в Kpn I сайт pSV-β-галактозидазы (Promega, Madison, WI), что привело к pSV-EGFP / β-gal (p144) ( Рис. 1Б).

Генерация плазмид, содержащих кассету переключения генов, при регуляции транскрипции CMV . Фрагмент Stu I / Sal I из pSV-EGFP / β-gal, содержащий флоксированный EGFP, был удален и лигирован в сайты Sma I / Sal I pCMV-β-gal (Clontech), в результате чего в генерации pCMV-EGFP / β-gal (p155), содержащей флоксированную кассету переключателя генов EGFP, управляемую CMV.Также была создана вторая конструкция, использующая энхансер CMV / промотор β-актина курицы. Фрагмент Stu I / Sal I, содержащий флоксированный EGFP / β-gal из pSV-EGFP / β-gal (p144), вставляли в сайт Xho I pCAGGS (27), в результате чего получали pCMV / βAc- EGFP / β-гал (p169).

Генерация плазмиды переключения генов EGFP-RFP . Фрагмент Kpn I из pSV-EGFP / β-gal (p144), содержащий флоксированную кассету EGFP, был клонирован в сайт Kpn I pDSRed1-N1 (Clontech) перед кодирующей последовательностью для красного флуоресцентного белка, что привело к генерация pCMV-EGFP / RFP (p212) (рис.2А).

Создание репортерной конструкции кассета-люцифераза floxed-stop

Генерация раннего промотора SV40-STOP-luc . Олигонуклеотиды OLN 01 (5′-CTA-GGA-TAA-CTT-CGT-ATA-GCA-TAC-ATT-ATA-CGA-AGT-TAT-A-3 ‘) и OLN 02 (5’-AGC-TTA- TAA-CTT-CGT-ATA-ATG-TAT-GCT-ATA-CGA-AGT-TAT-C-3 ‘), содержащий сайт LOX, фланкированный сайтами Avr II и Hin. dIII лигировали с Hin . dIII– Avr II фрагмент контроля pGL-3 (Promega).Из полученной плазмиды отдельно выделяли фрагмент Sal I– Stu I размером 2,2 т.п.н. и фрагмент Sal I– Avr II размером 3 т.п.н. Был выделен фрагмент Hin dIII (затупленный) — Spe I плазмиды p302, содержащий кассету STOP (Life Technologies). Три отдельных фрагмента, как описано выше, лигировали для получения pSV-STOP-luc (p133) (фиг. 3A).

Генерация CMV-энхансера- β Ac-управляемый репортерный ген люциферазы .Фрагмент Sal I и Xho I pCAGGS, содержащий блок контроля транскрипции CMVe-βAc , был вставлен в сайт Xho I pGL3-Basic (Promega) для генерации pCMVe-β Ac -luc (p230 ) (Рис. 3A).

Генерация CMV-энхансера- β Ac-зависимого репортерного гена люциферазы, содержащего флоксовую стоп-кассету . pCMVe-β Ac -luc расщепляли Bgl II с тупыми концами и расщепляли Hin dIII.pSV-STOP-luc расщепляли Stu I / Hin dIII, и фрагмент, содержащий флоксированную кассету STOP, выделяли и клонировали в сайт Hin dIII pCMVe-β Ac -luc, в котором Сайт Bgl II ранее был удален тупым концом. Это привело к образованию pCMVe-β Ac -STOP-luc (p 231) (фиг. 3A).

Создание репортерной конструкции пробазин-люцифераза . Плазмида prPb-tva950 (любезно предоставленная Пэм Шварценберг, NCI) была расщеплена Nde I с тупыми концами и расщеплена Kpn I.Фрагмент, содержащий промотор пробазина, был выделен и клонирован в сайты Sma I / Bgl II pGL-3 Basic, что привело к pPr-luc (p159) (фиг. 3A).

Получение модифицированной

cre -рекомбиназы

Изменение области 5 и введение консенсусного сайта старта трансляции Козака, сайтов LOX и интрона . Плазмида pBS185 (Life Technologies), содержащая энхансер / промотор CMV, управляющий экспрессией cre дикого типа, была расщеплена Eco RI, частично расщеплена Hin dIII, затуплена и повторно лигирована для удаления 1.Фрагмент размером 0 kb, содержащий сайт Kpn I, генерирующий pCMV-cre-del (p205) (фиг. 4A). Плазмиду p205 расщепляли Xho I и Bss HII для удаления 5′-области cre . 5′-часть cre была амплифицирована с помощью ПЦР с использованием OLN C (5′-CGC-CAG-AAT-TCC-AAA-ATT-TGC-CTG-CAT-TAC-CGG-TCG-ATG-CAA-CG-3 ‘ ) и OLN D (5’-GAC-CGC-GCG-CCT-GCA-GAT-ATA-GAA-GAT-AAT-CGC-GAA-CAT-CTT-3 ‘), которые содержат внутренний сайт рестрикции Pst I. генерируется молчащей мутацией и переваривается Eco RI и Bss HII.Фрагмент p205 Xho I / Bss HII, продукт амплификации cre и синтетические двухцепочечные олигонуклеотиды OLN A (5′-CTG-AGC-GGC-CGC-CTA-GGC-CCA-TGG-CGA-ATT -TAC-TGA-CGG-TAC-CAG-3 ‘) и OLN B (5’-AAT-TCT-GGT-ACC-GTC-AGT-AAA-TTC-GCC-ATG-GCC-TAG-GCGGCC-GC-3 ‘) Были лигированы вместе с образованием pCMV-cre-K (p209) (фиг. 4A). Эти модификации привели к значительному укорочению 5’-нетранслируемой области с 484 до 19 п.н., оптимизированному стартовому сайту трансляции Козака (28) и введению сайта Eco RI на нуклеотиде 509 и сайта рестрикции Pst I через молчащая мутация T → G в нуклеотиде 718 в кодирующей области cre , чтобы сделать возможным дополнительные изменения cre .Эти изменения привели к изменениям аминокислотной последовательности Cre , как показано на Фигуре 4A. Вторая аминокислота была заменена с серина на аланин, восьмая аминокислота была заменена с гистидина на пролин, а кодоны для глутаминовой кислоты и фенилаланина были вставлены в положения аминокислот 9 и 10. Интрон человеческого β-глобина из плазмиды pCI (Promega) был изменен с помощью мутагенеза ПЦР для размещения сайта Pst I на 5′-конце и сайта Bss HII на 3′-конце с использованием праймеров для ПЦР OLN E (5′-GCG-ATC-TGC-AGG-TAA-GTA -TCA-AGG-TTA-CAA-GAC-AGG-3 ‘) и OLN F (5′-ATA-TGC-GCG-CCT-GTG-GAG-AGA-AAG-GCA-AAG-TGG-AT-3′) .5’-праймер E содержит сайт рестрикции Pst I и первые 35 нуклеотидов интрона β-глобина (положения 953-881 в pCI), а 3′-праймер F содержит сайт рестрикции Bss HII и 26 нуклеотидов. 3′-часть интрона β-глобина (положения от 890 до 965 в pCI). Модифицированный интрон человеческого β-глобина был клонирован в сайты Pst I / Bss H II pCMV-cre-K для создания pCMV-CREM (p210) (фиг. 4A).

Создание плазмиды, содержащей модифицированную рекомбиназу cre и единственный сайт LOX 511, вставленный в кодирующую область cre . Аликвоту плазмиды pCMV-CREM (p210) расщепляли Kpn I, а другую аликвоту расщепляли Eco RI. Обе аликвоты обрабатывали кишечной щелочной фосфатазой теленка и затем расщепляли Sca I. Фрагмент Sca I / Kpn I, содержащий промотор CMV и 5′-область Cre и Sca I / Eco. Фрагмент RI, содержащий оставшуюся часть cre , был выделен и лигирован с фосфорилированными олигонуклеотидами OLN 135 (5′-CAA-TAA-CTT-CGT-ATA-ATG-TAT-ACT-ATA-CGA-AGT-TAT-TCG -3 ‘) и OLN 136 (5′-AAT-TCG-AAT-AAC-TTC-GTA-TAG-TAT-ACA-TTA-TAC-GAA-GTT-ATT-GGT-AC-3’), содержащий Kpn I и Eco RI сайтов на 5′- и 3′-концах последовательности LOX 511 для генерации pCMV-CREM-L (p218) (рис.4А).

Создание плазмиды, содержащей флоксированный RFP, вставленный в кодирующую последовательность рекомбиназы cre . Плазмиду pDsRed1-N1 (Clontech) расщепляли Dra III. Аликвоту этого гидролизата разрезали Kpn I и выделяли фрагмент 3,5 kb Dra III / Kpn I. Другую аликвоту расщепляли Age I и выделяли фрагмент Dra III / Age I размером 1,1 kb. Два выделенных фрагмента лигировали с олигонуклеотидами OLN 03 (5′-CAA-TAA-CTT-CGT-ATA-ATG-TAT-ACT-ATA-CGA-AGT-TAT-CTA-GA-3 ‘) и OLN 04 (5 ‘-CCG-GTC-TAG-ATA-ACT-TCG-TAT-AGT-ATA-CAT-TAT-ACG-AAG-TTA-TTG-GTA-C-3’), содержащий последовательность LOX 511 (29), фланкированную Сайты рестрикции Kpn I и Afl II, приводящие к образованию p221.p221 расщепляли Kpn I и Afl II для выделения фрагмента, содержащего единственную последовательность узнавания LOX 511 перед геном RFP. pCMV-CREM-L (p218) расщепляли Kpn I и Eco RI для удаления сайта LOX 511. Эти два фрагмента были лигированы вместе с синтетическими олигонуклеотидами OLN 05 (5′-TTA-AGA-ATA-ACT-TCG-TAT-AAT-GTA-TAC-TAT-ACG-AAG-TTA-TTC-G-3 ‘) и OLN 06 (5’-AAT-TCG-AAT-AAC-TTC-GTA-TAG-TAT-ACA-TTA-TAC-GAA-GTT-ATT-C-3 ‘), содержащий сайт LOX 511, фланкированный афл II и Eco RI.Конечный плазмидный продукт, содержащий флоксированный RFP, вставленный в кодирующую последовательность рекомбиназы cre , обозначается pCMV-RFP / CREM (p224) (фиг. 4A).

Создание экспрессионных векторов

cre с использованием андроген-чувствительного, простатоспецифического промотора пробазина

Получение пробазин-управляемой рекомбиназы Cre . Фрагмент промотора пробазина длиной 428 п.н. был выделен из prPb-tva950 (любезно предоставлен Пэм Шварценберг, NCI) после расщепления и затупления конца сайта Nde I и расщепления Kpn I.Этот фрагмент был клонирован в сайт Sma I / Kpn I pβ-gal-Basic (Clontech), что привело к pPr-β-gal (p150). pPr-β-gal разрезали с помощью Cla I, заполняли и разрезали с помощью Xho I, чтобы удалить кодирующую последовательность для β-gal. Фрагмент Mlu I (с тупым концом) — Xho I из pBS185 (Life Technologies), содержащий кодирующую последовательность для рекомбиназы cre , был выделен и вставлен в Xho I / Cla I (тупой — end) фрагмент p150, приводящий к генерации pPr-cre (p153) (рис.5А).

Получение модифицированной пробазином плазмиды рекомбиназы cre . Фрагмент Xho I / Eco RV из плазмиды pCMV-CREM, содержащий модифицированную рекомбиназу cre , был заменен на фрагмент Xho I и Eco RV плазмиды Pr-cre (p153), генерирующий плазмиду pPr. -CREM (p236) (рис. 5A) .

Генерация плазмиды, содержащей пробазин-модифицированный Cre, фланкированный инсуляторами . Каркас вектора плазмиды pPr-CREM (p236) был выделен после переваривания Dra III и частично переварен Sal I.Отдельно выделяли фрагмент Dra III и Bam HI pPr-CREM (p210), содержащий промотор пробазина и модифицированную рекомбиназу cre . Плазмиду pJC13.1 (любезно предоставленную G.Felsenfeld, NCI) расщепляли Sal I и Bam HI и выделяли фрагмент, содержащий пару куриных глобиновых инсуляторов (29). Все три выделенных фрагмента лигировали вместе для получения pPr-CREM / Ins (p240) (фиг. 5A).

Создание единичных векторных плазмид, содержащих модифицированный cre и репортерный ген, условно активированный с использованием сайтов рекомбинации LOX .Фрагмент Dra III и Eco ICRI, содержащий кассету CMV-STOP-luc, был выделен из pCMVe-βAc-STOP-luc (p231) и лигирован с фрагментом Dra III и Eco 47III плазмиды pPr- CREM (p236), содержащий пробазин-модифицированный cre для создания плазмиды pPr-CREM / CMV-STOP-luc (p252) (фиг. 6A). Была изготовлена ​​вторая конструкция, в которой инсуляторы куриного глобина (29) были помещены между кассетами Pr-CREM и CMV-STOP-luc. Область, содержащая модифицированный пробазином cre с инсуляторами, была выделена из pPr-CREM / Ins после переваривания Dra III и Eco 47III и лигирована с Eco RICI / Dra III фрагментом pCMVe-βAc. -STOP-luc (p231).Это привело к генерации единственного вектора pPr-CREM / Ins / CMV-STOP-luc (p255), содержащего модифицированный cre при регуляции транскрипции пробазина, отделенного от Cre-зависимой кассеты CMV-STOP-luc инсуляторами ( Рис. 6A).

мкМВ-мар . кДНК рецептора андрогенов мыши была модифицирована с помощью мутагенеза ПЦР для размещения сайта Bgl II на 9 п.н. выше ATG, а фрагмент Bgl II– Pst I размером 2,8 т.п. Pst I сайтов вектора pEGFP-C1 (Clontech), после чего кодирующие последовательности EGFP удаляли расщеплением с помощью Age I и Bgl II, которые затупляли и повторно лигировали.

пТК-РЛ . PTK-RL (Promega) использует промотор TK для направления экспрессии люциферазы Renilla reniformis и был использован для нормализации эффективности трансфекции.

Культура тканей

клеток CHO-KI и PC-3 (ATCC, Rockville, MD) размножали в среде RPMI-1640 с добавлением 10% фетальной телячьей сыворотки (FCS) (Life Technologies), 1 мМ пирувата натрия, 10 мМ буфера HEPES, 2 мМ глутамин, 50 Ед / мл пенициллина G натрия и 50 мкг / мл сульфата стрептомицина.FCS, очищенный от угля (HyCLONE, Logan, UT), использовался во всех исследованиях, которые требовали индукции гормона.

Трансфекция клеток ДНК

Клетки высевали при плотности 1,5 × 10 5 клеток / лунку в 3 мл культуральной среды за 24 ч до трансфекции с использованием 6-луночных планшетов (Costar, Corning, NY). Для исследований гормональной индукции клетки PC-3 трипсинизировали (Life Technologies), промывали в культуральной среде и центрифугировали при 190 g в течение 5 минут при комнатной температуре.Осадки клеток ресуспендировали в 1 × PBS, центрифугировали и ресуспендировали в RPMI 1640 без фенолового красного и с добавлением FCS, обработанного углем / декстраном (HyCLONE). Утром в день трансфекции в планшеты добавляли 2 мл свежей среды с добавлением 4 нМ миболерона (NEN, Бостон, штат Массачусетс). Трансфекцию проводили через 1 час, используя всего 2 мкг плазмидной ДНК на 6 мкл FuGENE TM 6 (Roche, Indianapolis, IN) в общем 100 мкл раствора для трансфекции, содержащего бессывороточную культуральную среду на лунку.Свежую среду с миболероном добавляли ежедневно. Трансфекцию проводили в трех экземплярах, и эксперименты повторяли не менее трех раз. Клетки визуализировали с помощью флуоресцентного микроскопа Zeiss-G436. GFP визуализировали с использованием фильтра при возбуждении 436 нм и эмиссии 510 нм. RFP визуализировали с использованием фильтра с возбуждением 546 нм и эмиссионным фильтром 580 нм. Двойную флуоресценцию наблюдали с использованием возбуждающего фильтра 460–490 м и эмиссионного фильтра 510.

Люциферазный анализ

Система анализа Dual-Luciferase TM Reporter (Promega) была использована для определения активности люциферазы светлячков ( Photinus pyralisus ) и люциферазы морских анютиных глазок Renilla ( R.reniformis ) в соответствии с инструкциями производителя. Клетки промывали 1 × PBS и добавляли 500 мкл раствора для пассивного лизиса на лунку. Lystate собирали через 15 минут и центрифугировали в центрифуге Eppendorf 5415C при 13000 об / мин. на 30 с. Аликвоту 20 мкл супернатанта использовали для анализа люциферазы.

Статистический анализ

Для статистического анализа использовалась программа статистического пакета

InStat R (GraphPad Software Inc, Сан-Диего, Калифорния).

РЕЗУЛЬТАТЫ

Разработка векторов LOX / сдвига рамки считывания для селективной экспрессии генов

Регуляция экспрессии генов с использованием технологии Cre / LOX основывалась на использовании либо флокированной «кассеты STOP», вставленной в 5′-нетранслируемую область интересующего гена (14,24), либо флокированной генной кассеты перед второй экспрессируемый ген (12,15,18). В последнем случае второй интересующий ген выходит за рамки правильной трансляции и, следовательно, не экспрессируется.В присутствии Cre-рекомбиназы флоксированный ген или кассета STOP удаляются, обеспечивая экспрессию интересующего нижележащего гена. Однако из-за случайного считывания транскрипции и трансляции белка, несмотря на кассету STOP, могут быть обнаружены фоновые уровни экспрессии нижележащего гена в отсутствие Cre (C.Couldrey, неопубликованные наблюдения).

Чтобы решить эту проблему, мы разработали новую кассету экспрессии, в которой экспрессия гена A может быть выборочно отключена с одновременной активацией гена B путем помещения флоксованного гена A в кодирующую последовательность гена B, нуклеотидная последовательность которого находится вне рамка к гену A (рис.1А и Б). Эта стратегия приводит к неопределяемому фоновому уровню экспрессии гена B в отсутствие Cre (Fig. 1C – F) . Наш вектор экспрессии pSV-EGFP / βgal использует промотор ранней области SV40 для управления экспрессией одного из двух генов в зависимости от того, экспрессируется cre или нет. Чтобы продемонстрировать осуществимость этого подхода, кодирующая последовательность для EGFP, фланкированная сайтами LOX, была вставлена ​​в рамку считывания в 5′-область гена Escherichia coli gpt ниже стартового сайта трансляции, но вне рамки с кодирующей последовательностью. для гена β-gal, расположенного ниже по течению (рис.1А). Аналогичные конструкции были сделаны с использованием промотора энхансера CMV (pCMV-EGFP / βgal) или промотора CMV энхансера / β-актина (pCMV / βAc-EGFP / βgal). Чтобы сохранить открытую рамку считывания между gtp и EGFP, но поместить ген β-gal за пределы рамки, после последовательности распознавания LOX I был добавлен дополнительный цитозин (рис. 1B). Встраивание этого дополнительного цитозина также привело к образованию стоп-кодона трансляции перед рамкой считывания lacZ в последовательности узнавания LOX II (рис.1Б).

Результаты экспериментов по трансфекции продемонстрировали, что эта стратегия переключения генов работала, как и предполагалось (рис. 1C – F). Трансфекция только pSV-EGFP / β-gal приводила только к экспрессии EGFP, тогда как котрансфекция с pCMV-cre приводила к удалению EGFP и функциональной экспрессии гена LacZ (рис. 1C-F). Аналогичные конструкции, использующие энхансер-промотор CMV, полученный из pCMV β-gal (Clontech), или промотор β-актина энхансера CMV из pCAGGS (27), также были созданы и дали аналогичные результаты (данные не показаны).Однако из-за высокого уровня экспрессии GFP при регуляции транскрипции промотора / энхансера CMV для удаления всего белка GFP потребовалось больше времени по сравнению с таковым, использующим более слабый промотор SV40 (данные не показаны). Тем не менее, переключение гена произошло с использованием промотора / энхансера CMV. Эти результаты демонстрируют, что стратегия LOX / сдвиг рамки считывания эффективна для жесткой регуляции экспрессии гена переключения.

Поскольку анализ активности β-gal не может быть легко проведен in vivo , мы также разработали репортерную конструкцию pCMV-EGFP / RFP для активности рекомбиназы Cre, в которой ген EGFP экспрессируется без Cre, но экспрессируется ген RFP. после удаления гена EGFP с помощью Cre (рис.2). И репортерные гены EGFP и RFP могут быть проанализированы in vivo.

Усиление экспрессии гена с использованием альтернативных промоторов в сочетании с Cre / LOX

Хотя тканеспецифические промоторы экспрессируются в ограниченном диапазоне типов клеток, их уровень транскрипции часто может быть относительно низким и ограничивающим (30). Чтобы повысить уровни экспрессии, но сохранить тканеспецифичность, мы разработали стратегию, в которой использовалась тканеспецифическая экспрессия Cre в сочетании с подходом с переключением генов, а также с подходом к активации генов под контролем транскрипции сильный, повсеместно выраженный промотор.Тканеспецифический гормонально-чувствительный промотор пробазина длиной 428 п.н. использовали для управления экспрессией Cre (pPr-cre). Векторы экспрессии переключения генов (pSV-EGFP / β-gal (рис. 1B), pCMV-EGFP / β-gal и pCMVe / βAc-EGFP / β-gal направляют экспрессию определенного репортерного гена только в присутствии Cre . Эта стратегия поддерживает тканеспецифическую экспрессию желаемого репортерного гена, поскольку Cre продуцируется с использованием тканеспецифического промотора пробазина, но значительно усиливает экспрессию желаемого репортерного гена, который находится под контролем транскрипции Промотор ЦМВ.

Чтобы количественно оценить уровень амплификации путем переключения регуляции транскрипции с промотора пробазина на промотор энхансера CMV / β-актина, была создана серия репортерных конструкций люциферазы (фиг. 3A). Клетки PC-3 котрансфицировали pCMV-mAR для экспрессии мышиного рецептора андрогена и репортерной конструкции пробазин-люциферазы (Pr- luc ) (фиг. 3A) в присутствии аналога андрогена миболерона (фиг. 3B). . Это сравнивали с уровнями активности люциферазы, генерируемыми второй репортерной конструкцией pCMV-STOP- luc в присутствии или в отсутствие Cre продуцирующей плазмиды пробазин- cre .Результаты этих экспериментов продемонстрировали, что активность люциферазы увеличивалась по крайней мере в 15 раз, когда CMV-STOP- luc был активирован в присутствии Pr-cre по сравнению с уровнем активности люциферазы, генерируемой непосредственно под регуляцией транскрипции промотора пробазина. по pPr- luc (рис. 3B).

Модификация cre-рекомбиназы для эукариотической, но не прокариотической экспрессии

Для клонирования в бактериях плазмидной конструкции, содержащей как кодирующую последовательность для рекомбиназы cre , так и последовательности-мишени LOX, мы разработали модификации рекомбиназы cre , которые предотвращали ее трансляцию в бактериях, но позволяли ее трансляцию в эукариотических клетках. .Это потребовало модификации 5′-области cre и вставки искусственного интрона в кодирующую последовательность cre (фиг. 4A). Используя стратегии мутагенеза, 5′-нетранслируемый участок cre был удален, сайт начала трансляции был оптимизирован для эукариотической трансляции с использованием консенсусной последовательности Козака (28), а затем были введены уникальные сайты рестрикции Kpn I и Eco RI. ПТГ. Как далее описано в материалах и методах, искусственный интрон на основе интрона β-актина был вставлен во вновь созданный сайт рестрикции в гене cre для создания плазмиды pCMV-CREM (рис.4А).

Чтобы определить, сохраняется ли активность рекомбиназы после этих обширных модификаций cre , pCMV-CREM котрансфицировали репортерной плазмидой pCMV-EGFP / RFP. Как показано на фиг. 4B-G, функциональная активность Cre-рекомбиназы сохранялась с этими изменениями cre .

Добавление второй стадии амплификации cre дополнительно усиливает экспрессию репортерного гена

Для дальнейшего усиления экспрессии репортерного гена мы разработали дополнительную конструкцию, в которой экспрессия cre также будет условно амплифицирована с использованием сильного промотора.Это должно происходить после начальной экспрессии Cre с помощью относительно слабого тканеспецифичного и индуцируемого гормонами промотора пробазина с использованием плазмиды Pr- cre (фиг. 5A). Промежуточная конструкция pCMV-CREM-L сначала была создана путем помещения последовательности LOX 511 (31) в 5′-область cre в pCMV-CREM. Активность Cre сохранялась, несмотря на присутствие последовательности LOX 511 в кодирующей области cre , как продемонстрировано в экспериментах по котрансфекции с pCMV-EGFP / RFP (данные не показаны).Генерация конструкции pCMV-RFP-CREM (p224) изображена на Фигуре 4A. В этой конструкции используются те же принципы сдвига рамки, что и описанные ранее для репортерных конструкций EGFP / β-gal, за исключением того, что последовательности-мишени LOX 511 фланкируют ген RFP. Последовательности LOX 511 были выбраны, чтобы избежать потенциальной рекомбинации с последовательностями LOX P, используемыми в других конструкциях. Без выражения Cre RFP выражается, а модифицированное cre выходит за рамки и не выражается. При наличии Cre запрос предложения удаляется, а модифицированный cre переводится правильно.

Эксперименты по трансфекции с использованием клеток PC-3 продемонстрировали, что присутствие второй условно экспрессируемой модифицированной cre -содержащей плазмиды pCMV-RFP / CREM приводило к 7-кратному увеличению активности люциферазы по сравнению с трансфекциями в отсутствие второй условно экспрессируется Cre (фиг. 5В). Чтобы более четко продемонстрировать влияние амплификации Cre с помощью pCMV-RFP-CREM на экспрессию люциферазы с использованием pCMV-STOP- luc , трансфекции выполняли в несколько временных точек с использованием различных количеств Pr-cre (от 0.От 01 до 0,001 пмоль) отдельно или с дополнительной индуцибельной рекомбиназой Cre с использованием pCMV-RFP-CREM (фиг. 5C). 32-кратное увеличение активности люциферазы наблюдалось при использовании подхода амплификации экспрессии генов (Pr-cre и CMV-STOP- luc ) по сравнению с эквимолярным количеством только Pr- luc (фиг. 5C, 3 по сравнению с 1). . Добавление pCMV-RFP-CREM дополнительно увеличивало уровень активности люциферазы в 9 раз (фиг. 5C, 4 против 3). Таким образом, наблюдалась ~ 300-кратная амплификация активности люциферазы с использованием подхода амплификации гена со второй условной конструкцией cre по сравнению с активностью люциферазы только от Pr-cre.Эти результаты убедительно свидетельствуют о том, что добавление второго условно активного Cre может значительно повысить эффективную экспрессию других слабых промоторов.

Генерация одного вектора, содержащего модифицированный

cre , регулируемый индуцибельным тканеспецифическим промотором и условно экспрессируемым репортерным геном

Установив, что модифицированный cre поддерживает полную активность в отношении рекомбинации последовательностей-мишеней LOX, модифицированный cre , помещенный под транскрипционный контроль тканеспецифического андроген-индуцибельного промотора пробазина, был помещен в цис с репортером экспрессии. конструкция для создания pPr-CREM / CMV-STOP- luc (рис.6А). Чтобы предотвратить активацию сильного энхансера регуляторной области CMV вышестоящего промотора пробазина, была изготовлена ​​дополнительная конструкция путем размещения набора инсуляторов куриного глобина (pPr-CREM / Ins / CMV-STOP- luc ). Оба вектора были проанализированы в экспериментах по временной трансфекции, чтобы определить, индуцируется ли экспрессия репортерных генов миболероном и снижают ли инсуляторы потенциальную фоновую активность, которая в противном случае могла бы происходить из-за действия энхансера CMV на промотор пробазина (рис.6Б).

Чтобы определить, могут ли инсуляторы куриного глобина изменять уровень экспрессии Pr- cre , инсуляторы были добавлены к флангу Pr- cre для генерации pPr-CREM / Ins (фиг. 5A) и подвергнуты совместной трансфекции с помощью pCMV-STOP- luc . Не наблюдалось различий в активности люциферазы, независимо от того, фланкировали ли инсуляторы Pr- cre или нет (рис. 6В, столбцы 4 и 6; P = 0,161, критерий Манна-Уитни). Когда единственная конструкция, содержащая pPr-CREM / CMV-STOP- luc , была трансфицирована в отсутствие миболерона, наблюдался значительный базальный уровень активности люциферазы по сравнению с котрансфекцией отдельных конструкций Pr-CREM и CMV-STOP-luc. (Рис.6Б, столбцы 3 и 7). Предположительно, это было связано с сильным активирующим транскрипцию действием энхансера CMV на промотор пробазина. Однако, когда набор инсуляторов помещался между кассетами Pr-CREM и CMV-STOP- luc (pPr-CREM / Ins / CMV-STOP- luc ), неиндуцированный уровень активности люциферазы снижался в ~ 5 раз. по сравнению с одиночной конструкцией без изоляторов (рис. 6B, столбцы 7 и 9; P = 0,0001, тест Манна-Уитни). Уровни активности люциферазы, индуцированной миболероном, были одинаковыми вне зависимости от того, присутствовали ли инсуляторы (рис.6B, столбцы 8 и 10; P = 0,297, критерий Манна – Уитни). Никаких существенных различий в индуцибельной активности люциферазы не наблюдалось при использовании отдельных векторов Pr-CREM / CMV-STOP- luc или Pr-CREM / Ins / CMV-STOP- luc по сравнению с котрансфекцией отдельных конструкций (фиг. 6Б, столбцы 4, 8 и 10; P = 0,681, критерий Краскела – Уоллиса). Эти результаты демонстрируют, что одиночный вектор, содержащий модифицированный cre под индуцибельным промотором, и кассета репортера в цис работали одинаково, как и отдельные конструкции в транс .

ОБСУЖДЕНИЕ

Результаты этой работы демонстрируют несколько новых модификаций технологии Cre LOX, которые могут применяться как для генной терапии человека, так и для манипуляций с трансгенными животными, включая индуцируемую Cre активацию или переключение экспрессии гена, тканеспецифическую амплификацию экспрессии генов. и разработка отдельных векторов, содержащих как модифицированную рекомбиназу cre , так и последовательности узнавания LOX.

Хотя ранее сообщалось о тканеспецифической экспрессии Cre активации транскрипции гена (11,20,24–26), эти подходы обычно основывались на использовании кассеты STOP для предотвращения сквозного чтения транскрипции, фланкированного LOX. сайты рекомбинации (14,24).Этот метод подходит для определенных экспериментальных подходов, таких как экспрессия β-gal, но сильно ограничен тем фактом, что кассета STOP не полностью предотвращает считывание транскрипции (C.Couldrey, неопубликованные данные). Таким образом, гены с высокой степенью трансформации или гены, биологическая активность которых требует только очень низких уровней экспрессии, все же могут транскрибироваться, несмотря на присутствие кассеты STOP, ведущей к нежелательной биологической активности. Чтобы преодолеть это техническое ограничение, мы разработали стратегию, в которой переключение экспрессии с одного гена на другой основывалось на дизайне изменения рамки считывания трансляции при рекомбинации сайтов LOX в присутствии Cre (рис.1А). Мы продемонстрировали полезность этого подхода с использованием нескольких репортерных генов, включая lacZ , GFP, RFP и люциферазу.

Хотя существует множество тканеспецифичных векторов экспрессии, уровни транскрипционной активности часто намного ниже, чем желательно для достижения биологического ответа при применении к трансгенным или генным терапевтическим подходам. Чтобы преодолеть это техническое ограничение, мы продемонстрировали метод, в котором уровень экспрессии гена от относительно слабого, но тканеспецифичного промотора может быть усилен посредством Cre-индуцированной активации транскрипции с использованием очень сильного промотора.Используя этот технический подход, мы показали, что уровень транскрипции с использованием промотора пробазина, специфичного для простаты, может быть увеличен в 30 раз. Когда использовали второй условно экспрессируемый Cre , амплификация репортера увеличивалась еще в 10 раз, что приводило к общей 300-кратной амплификации экспрессии репортерного гена. Этот метод может быть легко применен к другим тканеспецифичным, но относительно слабым промоторам в трансгенных применениях и подходах к генной терапии, когда требуются высокие уровни экспрессии.Однако, в зависимости от экспериментальных вопросов, низкие уровни тканеспецифической экспрессии конкретного гена могут быть более подходящими при использовании существующих подходов.

Ограничивающей особенностью технологии Cre-LOX было то, что было невозможно разработать отдельные конструкции, в которых активная рекомбиназа Cre могла бы содержаться в цис с парой сайтов рекомбинации LOX, так как сайты LOX будут объединены при выращивании в бактериях. Это потребовало использования двух отдельных генетических конструкций, в которых сайты cre и LOX существуют в trans .Это требует создания двух отдельных линий трансгенных животных или менее эффективного введения двух отдельных конструкций в in vitro или стратегии генной терапии. Мы продемонстрировали, что наши модификации рекомбиназы cre позволяют размещать модифицированную cre в той же конструкции, содержащей сайты рекомбинации LOX. Добавление инсуляторов куриного глобина снижает потенциальные эффекты усилителя от сильной единицы регуляции транскрипции на относительно слабом, но тканеспецифическом промоторе, управляющем экспрессией Cre .Хотя фоновые уровни экспрессии остаются несколько повышенными, добавление фланкирующих изоляторов может решить эту проблему.

Стратегии и модификации рекомбиназы cre , представленные в этой работе, будут иметь широкое применение при разработке тканеспецифичных индуцибельных систем экспрессии генов.

*

Кому следует адресовать корреспонденцию. Тел .: +1 301 435 5193; Факс: +1 301 496 8395; Электронная почта: [email protected]

Рисунок 1. Стратегия переключения генов с использованием Cre / LOX-индуцированного сдвига рамки считывания. ( A ) Ген 1, фланкированный сайтами LOX, вставлен в рамку в пределах открытой рамки считывания гена 2, что приводит к соответствующей трансляции гена 1, но не гена 2. В присутствии рекомбиназы Cre Ген 1 вырезается и считывание правильное. каркас Гена 2 восстанавливается, который теперь выражен. ( B ) Переключение гена EGFP / β-gal под транскрипционным контролем раннего промотора SV40. Сайт старта трансляции и первые 18 аминокислот E.coli gtp находятся выше флоксованного EGFP, за которым следуют E.coli gtp аминокислот 19–47, слитых в рамке считывания с β-gal. Встраивание цитозина на 3′-конец LOX I приводит к нарушению рамки считывания гена β-gal. Cre-опосредованное иссечение флоксованного EGFP восстанавливает правильную рамку считывания для β-gal . ( C F ) Трансфекция клеток CHO-K1 pSV-EGFP / β-gal приводит к экспрессии только EGFP без cre, тогда как котрансфекция с pCMV- cre приводит к потере экспрессии EGFP, но увеличению экспрессии β-gal.(C и D) флуоресцентная микроскопия, фильтр GFP; (E и F) светлое поле (X 320). Анализы проводили через 48 часов после трансфекции.

Рис. 1. Стратегия переключения генов с использованием Cre / LOX-индуцированного сдвига рамки считывания. ( A ) Ген 1, фланкированный сайтами LOX, вставлен в рамку в пределах открытой рамки считывания гена 2, что приводит к соответствующей трансляции гена 1, но не гена 2. В присутствии рекомбиназы Cre Ген 1 вырезается и считывание правильное. каркас Гена 2 восстанавливается, который теперь выражен.( B ) Переключение гена EGFP / β-gal под транскрипционным контролем раннего промотора SV40. Сайт начала трансляции и первые 18 аминокислот gtp E.coli находятся выше флоксованного EGFP, за которым следуют аминокислот 19–47 gtp E.coli , слитые в рамке считывания с β-gal. Встраивание цитозина на 3′-конец LOX I приводит к нарушению рамки считывания гена β-gal. Cre-опосредованное иссечение флоксованного EGFP восстанавливает правильную рамку считывания для β-gal . ( C F ) Трансфекция клеток CHO-K1 pSV-EGFP / β-gal приводит к экспрессии только EGFP без cre, тогда как котрансфекция с pCMV- cre приводит к потере экспрессии EGFP, но увеличению экспрессии β-gal. (C и D) флуоресцентная микроскопия, фильтр GFP; (E и F) светлое поле (X 320). Анализы проводили через 48 часов после трансфекции.

Рисунок 2. Генный переключатель с использованием вектора pCMV-EGFP / RFP. ( A ) Создание репортерного вектора pCMV-EGFP / RFP с переключением генов, содержащего флоксированный ген EGFP перед RFP.( B G ) Клетки CHO-K1 трансфицировали pCMV-EGFP / RFP либо в отсутствие (B и E), либо в присутствии pCMV-cre (C, D, F и G). (B и C) флуоресцентная микроскопия с использованием фильтра GFP; (E и F) с использованием фильтра RFP; (D) светлое поле; (G) с использованием двойного фильтра GFP / RFP (X 400). Анализы проводили через 48 часов после трансфекции.

Рисунок 2. Генный переключатель с использованием вектора pCMV-EGFP / RFP. ( A ) Создание репортерного вектора pCMV-EGFP / RFP с переключением генов, содержащего флоксированный ген EGFP перед RFP.( B G ) Клетки CHO-K1 трансфицировали pCMV-EGFP / RFP либо в отсутствие (B и E), либо в присутствии pCMV-cre (C, D, F и G). (B и C) флуоресцентная микроскопия с использованием фильтра GFP; (E и F) с использованием фильтра RFP; (D) светлое поле; (G) с использованием двойного фильтра GFP / RFP (X 400). Анализы проводили через 48 часов после трансфекции.

Рисунок 3. Усиление экспрессии гена с использованием слабого тканеспецифичного промотора для активации транскрипции с сильного промотора.( A ) Векторы репортерного гена люциферазы. Ранний промотор SV, SV40; CMVe-βAc, энхансер CMV, промотор β-актина. ( B ) Клетки PC-3 трансфицировали репортерными конструкциями pPr-luc, pCMV-STOP-luc или pCMV-STOP-luc с помощью pPr-cre. Экспрессия люциферазы увеличилась в 15 раз при использовании этой стратегии амплификации. Анализы проводили через 48 часов после трансфекции.

Рисунок 3. Усиление экспрессии гена с использованием слабого тканеспецифичного промотора для активации транскрипции с сильного промотора.( A ) Векторы репортерного гена люциферазы. Ранний промотор SV, SV40; CMVe-βAc, энхансер CMV, промотор β-актина. ( B ) Клетки PC-3 трансфицировали репортерными конструкциями pPr-luc, pCMV-STOP-luc или pCMV-STOP-luc с помощью pPr-cre. Экспрессия люциферазы увеличилась в 15 раз при использовании этой стратегии амплификации. Анализы проводили через 48 часов после трансфекции.

Рисунок 4. Модификация Cre-рекомбиназы. ( A ) pCMV-Cre-del является основой последующих конструкций.pCMV-Cre-K содержит модифицированную 5′-нетранслируемую область и аминокислотные изменения, как указано. pCMV-CREM содержит химерный / β-глобиновый интрон в кодирующей последовательности cre . pCMV-RFP / CREM содержит флоксированный ген RFP в кодирующей последовательности Cre. ( B G ) Демонстрация функциональной активности модифицированного Cre. Совместная трансфекция pCMV-CREM с репортерной плазмидой pCMV-EGFP / RFP в клетки CHO-KI приводит к переключению с экспрессии EGFP на экспрессию RFP. (B – D) только репортер pCMV-EGFP / RFP; (E – G) репортер с pCMV-CREM (p210).(B и E) Флуоресценция с фильтром GFP; (C и F) флуоресценция с фильтром RFP; (D и G) флуоресценция с использованием двойных фильтров GFP / RFP. Анализы проводили через 48 часов после трансфекции.

Фигура 4. Модификация Cre-рекомбиназы. ( A ) pCMV-Cre-del является основой последующих конструкций. pCMV-Cre-K содержит модифицированную 5′-нетранслируемую область и аминокислотные изменения, как указано. pCMV-CREM содержит химерный / β-глобиновый интрон в кодирующей последовательности cre .pCMV-RFP / CREM содержит флоксированный ген RFP в кодирующей последовательности Cre. ( B G ) Демонстрация функциональной активности модифицированного Cre. Совместная трансфекция pCMV-CREM с репортерной плазмидой pCMV-EGFP / RFP в клетки CHO-KI приводит к переключению с экспрессии EGFP на экспрессию RFP. (B – D) только репортер pCMV-EGFP / RFP; (E – G) репортер с pCMV-CREM (p210). (B и E) Флуоресценция с фильтром GFP; (C и F) флуоресценция с фильтром RFP; (D и G) флуоресценция с использованием двойных фильтров GFP / RFP.Анализы проводили через 48 часов после трансфекции.

Фиг. 5. Создание векторов пробазин-cre и усиленная амплификация экспрессии гена с использованием второго Cre. ( A ) Экспрессионные векторы Cre-рекомбиназы, управляемые пробазином. ( B ) Клетки PC-3 трансфицировали плазмидой pCMV-mAR, продуцирующей андрогенный рецептор мыши (0,06 пмоль), в комбинации с указанными плазмидами (0,1 пмоль) в присутствии или в отсутствие 4 нМ миболерона. Наличие второго условного вектора cre приводило к дополнительной 8-кратной амплификации активности люциферазы.Анализы проводили через 48 часов после трансфекции. ( C ) Динамика амплификации гена с использованием второй условно экспрессируемой рекомбиназы Cre. Клетки PC-3 трансфицировали pCMV-mAR (0,06 пмоль) и указанными плазмидами. За исключением указанного, при трансфекции использовали 0,1 пмоль каждой плазмиды. pTK-RL (0,1 пмоль) (Promega) использовали для нормализации эффективности трансфекции.

Фиг. 5. Генерация пробазин-cre векторов и усиленная амплификация экспрессии гена с использованием второго Cre.( A ) Экспрессионные векторы Cre-рекомбиназы, управляемые пробазином. ( B ) Клетки PC-3 трансфицировали плазмидой pCMV-mAR, продуцирующей андрогенный рецептор мыши (0,06 пмоль), в комбинации с указанными плазмидами (0,1 пмоль) в присутствии или в отсутствие 4 нМ миболерона. Наличие второго условного вектора cre приводило к дополнительной 8-кратной амплификации активности люциферазы. Анализы проводили через 48 часов после трансфекции. ( C ) Динамика амплификации гена с использованием второй условно экспрессируемой рекомбиназы Cre.Клетки PC-3 трансфицировали pCMV-mAR (0,06 пмоль) и указанными плазмидами. За исключением указанного, при трансфекции использовали 0,1 пмоль каждой плазмиды. pTK-RL (0,1 пмоль) (Promega) использовали для нормализации эффективности трансфекции.

Рисунок 6. Конструирование и функциональное тестирование отдельных векторов, содержащих как модифицированную Cre-рекомбиназу, так и LOX-зависимые условные репортерные кассеты. ( A ) Вектор pPr-CREM / CMV-STOP-luc представляет собой слияние кассет pPr-CREM и CMV-STOP-luc.pPr-CREM / Ins / CMV-STOP-luc содержит pPr-CREM / Ins, отделенный от CMV-STOP-luc двумя инсуляторами куриного глобина. ( B ) Оценка индуцибельной и амплифицированной экспрессии гена с использованием одиночных векторных конструкций. Клетки PC-3 трансфицировали pCMV-mAR в присутствии или в отсутствие 4 нМ миболерона и дополнительных плазмид (0,1 пмоль), как указано. Анализы проводили через 48 часов после трансфекции.

Рисунок 6. Конструирование и функциональное тестирование отдельных векторов, содержащих как модифицированную Cre-рекомбиназу, так и LOX-зависимые условные репортерные кассеты.( A ) Вектор pPr-CREM / CMV-STOP-luc представляет собой слияние кассет pPr-CREM и CMV-STOP-luc. pPr-CREM / Ins / CMV-STOP-luc содержит pPr-CREM / Ins, отделенный от CMV-STOP-luc двумя инсуляторами куриного глобина. ( B ) Оценка индуцибельной и амплифицированной экспрессии гена с использованием одиночных векторных конструкций. Клетки PC-3 трансфицировали pCMV-mAR в присутствии или в отсутствие 4 нМ миболерона и дополнительных плазмид (0,1 пмоль), как указано. Анализы проводили через 48 часов после трансфекции.

Список литературы

1 Ле Менуэт, Д., Зеннаро, М.С., Вьенгчарен, С. и Ломбес, М. (

2000

) Трансгенные мышиные модели для изучения функции человеческого минералокортикоидного рецептора in vivo .

Kidney Int.

,

57

,

1299

–1306.

2 Heintz, N. (

2000

) Анализ экспрессии и функции генов центральной нервной системы млекопитающих с использованием бактериального трансгенеза, опосредованного искусственными хромосомами.

Hum. Мол. Genet.

,

9

,

937

–943.

3 Грин, Дж. Э., Шибата, Массачусетс, Йошидоме, К., Лю, М. Л., Джорцик, К., Анвер, М. Р., Виггинтон, Дж., Уилтроут, Р., Шибата, Э., Качмарчик, С., Ван, В., Лю, З.Й., Кальво, А. и Кулдри, С. (

2000

) Модель рака молочной железы трансгенной мыши с Т-антигеном C3 (1) / SV40: нацеливание на протоковые эпителиальные клетки с многоступенчатым прогрессированием до карциномы.

Онкоген

,

19

,

1020

–1027.

4 Stern, M.H. (

1999

) Трансгенные модели Т-клеточного пролимфоцитарного лейкоза.

Haematologica

,

84

,

64

–66.

5 Агуцци, А., Бранднер, С., Конечно, Ю., Руеди, Д. и Изенманн, С. (

1994

) Трансгенные и нокаутные мыши: модели неврологических заболеваний.

Brain Pathol.

,

4

,

3

–20.

6 Хокер, М. и Виденманн Б. (

1998

) Молекулярные механизмы энтероэндокринной дифференцировки.

Ann. Акад. Sci.

,

859

,

160

–174.

7 Пич, Э. и Эппинг-Джордан, М. (

1998

) Трансгенные мыши в исследовании наркозависимости.

Ann. Med.

,

30

,

390

–396.

8 Sternberg, N. и Гамильтон, Д. (

1981

) Сайт-специфическая рекомбинация бактериофага P1. I. Рекомбинация между сайтами loxp.

J. Mol. Биол.

,

150

,

467

–486.

9 Акаги, К., Сандиг, В., Воойс, М., Вандер, В., Джованнини, М., Штраус, М.и Бернс А. (

1997

) Cre-опосредованная соматическая сайт-специфическая рекомбинация у мышей.

Nucleic Acids Res.

,

25

,

1766

–1773.

10 Гу, Х., Март, Дж. Д., Орбан, П. К., Моссманн, Х. и Раевский К. (

1994

) Делеция генного сегмента ДНК-полимеразы β в Т-клетках с использованием нацеливания на гены, специфичные для типа клеток.

Science

,

265

,

103

–106.

11 Kaczmarczyk, S.J. (

1997

) Роль периферической инсулинорезистентности в этиологии инсулинозависимого диабета (диабет 2 типа).Докторская диссертация, Мельбурнский университет, Мельбурн, Австралия.

12 Кавамото, С., Нива, Х., Таширо, Ф., Сано, С., Кондо, Дж., Такеда, Дж., Табаяси, К. и Миядзаки Дж. (

2000

) Новый репортерный штамм мышей, который экспрессирует усиленный зеленый флуоресцентный белок после Cre-опосредованной рекомбинации.

FEBS Lett.

,

470

,

263

–268.

13 Kuhn, R., Schwenk, F., Aguet, M. и Раевский К. (

1995

) Индуцируемое нацеливание на гены у мышей.

Science

,

269

,

1427

–1429.

14 Лаксо, М., Зауэр, Б., Мосинджер, Б., мл., Ли, Э.Дж., Мэннинг, Р.У., Ю, С.Х., Малдер, К.Л. и Вестфаль, Х. (

1992

) Нацеленная активация онкогенов посредством сайт-специфической рекомбинации у трансгенных мышей.

Proc. Natl Acad. Sci. США

,

89

,

6232

–6236.

15 Лобе, К.Г., Куп, К.Е., Креппнер, В., Ломели, Х., Герценштейн, М. и Надь, А. (

1999

) Z / AP, двойной репортер для cre-опосредованной рекомбинации.

Dev. Биол.

,

208

,

281

–292.

16 Мао, X., Fujiwara, Y. и Оркин, С. (

1999

) Улучшенный репортерный штамм для мониторинга опосредованных Cre-рекомбиназой вырезаний ДНК у мышей.

Proc. Natl Acad. Sci. США

,

96

,

5037

–5042.

17 Надь А., Моенс К., Ивани Э., Полинг Дж., Герценштейн М., Хаджантонакис А.К., Пирити М. и Россант, Дж. (

1998

) Анализ роли N- myc в развитии с использованием одного вектора нацеливания для генерации серии аллелей.

Curr. Биол.

,

8

,

661

–664.

Орбан, 18, пн, Чуй, д. и Март, Дж. (

1992

) Тканевая и сайт-специфическая рекомбинация ДНК у трансгенных мышей.

Proc. Natl Acad. Sci. США

,

89

,

6861

–6865.

19 Раевски К., Гу, Х., Кун, Р., Бец, Ю.А., Мюллер, В., Роуз, Дж. и Швенк Ф. (

1996

) Условное нацеливание на гены.

J. Clin. Вкладывать деньги.

,

98

,

600

–603.

20 Ракер, Э. и Piedrahita, J.A. (

1997

) Cre-опосредованная рекомбинация в локусе мышиного сывороточного белка (mWAP).

Мол. Репрод. Dev.

,

48

,

324

–331.

21 Зауэр, Б. (

1993

) Манипуляция трансгенами посредством сайт-специфической рекомбинации: использование Cre-рекомбиназы.

Methods Enzymol.

,

225

,

890

–900.

22 Зауэр, Б. (

1998

) Индуцируемое нацеливание на гены у мышей с использованием системы Cre / lox.

Методы

,

14

,

381

–392.

23 Сент-Ондж, Л., Фурт, П.А. и Gruss, P. (

1996

) Временной контроль рекомбиназы Cre у трансгенных мышей с помощью промотора, чувствительного к тетрациклину.

Nucleic Acids Res.

,

24

,

3875

–3877.

24 Цзянь, Дж. З., Чен, Д. Ф., Гербер, Д., Том, К., Мерсер, Е. Х., Андерсон, Д. Дж., Мэйфорд, М., Кандел, Э. и Тонегава, С. (

1996

) Нокаут гена, ограниченный субрегионами и типами клеток, в мозге мышей.

Ячейка

,

87

,

1317

–1326.

25 Утомо А.Р., Никитин А.Ю. и Ли, W.H. (

1999

) Временной, пространственный и специфичный для клеточного типа контроль Cre-опосредованной рекомбинации ДНК у трансгенных мышей.

Nat. Biotechnol.

,

17

,

1091

–1096.

26 Вагнер К.У., Уолл, Р.Дж., Сент-Ондж, Л., Грусс, П., Виншоу-Борис, А., Гаррет, Л., Ли, М., Фурт, П.А. и Хеннигхаузен, Л. (

1997

) Cre-опосредованная делеция гена в молочной железе.

Nucleic Acids Res.

,

25

,

4323

–4330.

27 Нива, Х., Ямамура, К. и Миядзаки Дж. (

1991

) Эффективный отбор трансфектантов с высокой экспрессией с новым эукариотическим вектором.

Gene

,

108

,

193

–199.

28 Козак, м. (

1987

) Анализ 5′-некодирующих последовательностей из 699 матричных РНК позвоночных.

Nucleic Acids Res.

,

15

,

8125

–8148.

29 Чанг, Дж. Х., Уайтли, М. и Felsenfeld, G. (

1993

) 5′-элемент домена β-глобина курицы служит инсулятором в эритроидных клетках человека и защищает от эффекта положения в Drosophila .

Ячейка

,

74

,

505

–514.

30 Ян, Ю., Шеппард, П.С., Каспер, С., Лин, Л., Хоар, С., Капур, А., Додд, Дж. Г., Дакворт, М.Л. и Матусик Р.Дж. (

1997

) Большой фрагмент промотора пробазина нацелен на высокие уровни экспрессии трансгена в простате трансгенных мышей.

Простата

,

32

,

129

–139.

31 Hoess, R.H., Wierzbicki, A. и Абрамский А. (

1986

) Роль спейсерной области loxP в сайт-специфической рекомбинации P1.

Nucleic Acids Res.

,

14

,

2287

–2300.

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера на прием файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.
    Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г.,
    браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.
    Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie
потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня. HDoI «ia1o38 / ncomms2616 | OPEN

Трехфотонная бозонная коалесценция в интегрированном триттере

Николо Спаньоло1, Кьяра Вителли1,2, Лоренцо Апаро1, Паоло Маталони1, Фабио Скьяррино1, Андреа Креспи3,4, Роберта Рампони3,4 и Роберто Оселламе3,4

Основные черты квантовой механики заключаются в интерференции, возникающей в результате суперпозиции различных квантовых состояний.В то время как современная квантовая оптическая технология допускает двухфотонную интерференцию как в объемных, так и в интегрированных системах, одновременная интерференция более двух частиц, приводящая к более богатым квантовым явлениям, по-прежнему является сложной задачей. Здесь мы сообщаем об экспериментальном наблюдении трехфотонной интерференции в интегрированном трехпортовом направленном ответвителе, реализованном за счет сверхбыстрой лазерной записи. Используя возможности этого метода для создания трехмерных структур, мы реализовали и протестировали в квантовом режиме трехпортовый светоделитель, а именно тритер, который позволил нам наблюдать бозонное слияние трех фотонов.Эти результаты открывают новые важные перспективы во многих областях квантовой информации, таких как фундаментальные тесты квантовой механики с увеличением числа фотонов, инженерия квантовых состояний, квантовое зондирование и квантовое моделирование.

1 Dipartimento di Fisica, Sapienza Universitá di Roma, Piazzale Aldo Moro 5, Roma I-00185, Италия. 2 Center of Life NanoScience @ La Sapienza, Istituto Italiano

di Tecnologia, Viale Regina Elena, 255, Roma I-00185, Италия.3 Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Consiglio Nazionale delle Ricerche (IFN-CNR), Piazza

Леонардо да Винчи, 32, Милан I-20133, Италия. 4 Dipartimento di Fisica, Миланский политехнический университет, площадь Леонардо да Винчи, 32, Милан I-20133, Италия.

Переписку и запросы материалов направлять на адрес Ф.С. (электронная почта: [email protected]) или R.O. (электронная почта: [email protected]).

Эффект Хонга-У-Манделя — чисто квантовое явление, возникающее в результате интерференции двух фотонов1.Это следствие бозонной природы света, и его можно наблюдать, когда два идентичных фотона одновременно падают на двухпортовый сбалансированный светоделитель, и в результате они вынуждены выходить из одного и того же порта. Этот эффект можно использовать для количественной оценки степени неразличимости коррелированных фотонов2,3 или для проецирования квантового состояния на максимально запутанное синглетное состояние Белла, представляющее важный ресурс во многих областях исследований квантовой информации, от квантовых вычислений до квантовой метрологии4-6 .Взаимодействие однофотонных состояний на светоделителе и последовательный пост-селекция действительно может привести к генерации запутанных состояний7, таких как состояния N00N и GHZ8. На самом деле добиться интерференции более двух частиц на светоделителе — сложная задача9. Однако это может открыть дверь для наблюдения квантовых явлений в системах увеличивающегося размера и для разработки квантовых состояний для обработки квантовой информации10,11.

Было предложено использовать многопортовый светоделитель для выполнения дополнительных классов возможных экспериментов ЭПР-Белла в гильбертовом пространстве с размерностью выше двух12.Кроме того, возможность реализации многолучевых интерферометров с помощью многопортовых светоделителей может быть использована для выполнения задач квантовых вычислений13. Недавно обобщенный N-портовый светоделитель был теоретически рассмотрен в ссылках 14,15, и поведение N фотонов, падающих на N-портовый светоделитель, было изучено с использованием статистического подхода, поскольку сложность этой проблемы растет быстрее, чем экспоненциально с ростом N. Совсем недавно применение в квантовой интерферометрии трех- и четырехпортовых светоделителей было теоретически исследовано, и было предсказано квантовое улучшение с точки зрения чувствительности16.Однако трехчастичная интерферометрия — это по большей части неизведанная область, как экспериментально, так и теоретически. Трехлучевое удлинение светоделителя, так называемый «триттер», было впервые рассмотрено в работе. 12, а предлагаемая реализация состояла из комбинации двухпортовых светоделителей и фазовращателей (см. Рис. 1а) (ссылки 12,17). Трехмерные реализации трех- и четырехпортовых светоделителей на основе сплавленных оптоволокон18 или фемтосекундного лазерного волновода

Writing19-21, были предложены.Однако на таких устройствах проводились только эксперименты с классической световой или двухфотонной интерференцией. Поэтому экспериментальное исследование квантовой интерференции более двух фотонов до сих пор отсутствует.

Здесь мы сообщаем о первом экспериментальном исследовании трехфотонной интерференции в триттере. Триттер реализуется посредством записи фемтосекундного лазерного волновода и состоит из трех волноводов, приближающихся к трехмерному объекту, что обеспечивает одновременное взаимодействие трех фотонов без необходимости разбивать процесс на каскадные двухмодовые взаимодействия и фазовращатели (рис.1б). Три фотона, каждый из которых соединен с другим волноводом, взаимно интерферируют в трехплечевом направленном ответвителе за счет взаимодействия исчезающего поля. Поведение трехфотонного состояния, попадающего в тритер, исследуется путем сравнения вероятностей выходного состояния с ожидаемыми классическими, что свидетельствует о чисто квантовых эффектах, связанных с бозонной коалесценцией.

Результаты

Теоретическое описание вероятностей выхода триттера.Uj-aJ,

(ссылки 12,15,17; см. Дополнительное примечание 1). В случае идеально симметричного триттера, когда фотон, входящий в один входной порт, имеет одинаковую вероятность выхода через любой из выходных портов, унитарная матрица U имеет следующий вид:

1 011 1 1

Ut = PT 1 ei2p / 3 ei4p / 3. (1)

vM 1 ei4p / 3 ei8p / 3 Дж

Давайте посмотрим, что происходит, когда идеальный тритер вводится трехфотонным состоянием | 1,1,1>.Соответствующее состояние выхода после эволюции, вызванной Ut, выглядит следующим образом:

| 1; 1; 1)! C1,1,1 | 1; 1; 1) + C {3,0,0} | {3, 0; 0}). (2)

Ввод:

Выход:

Рисунок 1 | Схематическое изображение триттера и связанного с ним бозонного слияния. (а) Оптическая схема трехмодового разветвителя, полученная комплектом

обычных светоделителей (серые кубики) и фазовращателей (зеленые пластины) 12,17, где k, — с i = 1,2,3 представляют пространственные режимы ввода-вывода.(б) Интегрированная трехмерная схема лазерно-написанного триттера. (c) Эффект трехфотонной бозонной коалесценции в триттере, когда каждый фотон вводится в другую входную пространственную моду: все члены с двумя фотонами, выходящими из одного и того же выходного порта, исчезают из-за бозонной коалесценции.

Рисунок 2 | Эффект Хонга-У-Манделя для входного состояния | 1,1,1) в идеальном триттере. Теоретические выходные вероятности P1,11 (a), P210 (b) и P300 (c) как функция задержек x = ct падающих фотонов.k для двух неразличимых и одного запаздывающего входного фотона. Красные столбцы учитывают наличие частичной различимости между тремя падающими фотонами с неразличимостью p = 0,65, тогда как синие столбцы относятся к совершенно неразличимым фотонам с p = 1 (см. Дополнительное примечание 4). Пунктирные горизонтальные линии обозначают классические границы.

Здесь c1; 1; 1 = — 1 / \ / 3 и Cf3; 0; o} = \ J2 / 3, где \ {i, j, k}) — симметричная суперпозиция трехфотонных состояний, соответствующих (i, j, k) фотонам, выходящим через три выходных порта.Сначала мы заметим, что в результате бозонной коалесценции все члены двух фотонов, выходящих из одного и того же выходного порта, исчезают (рис. 1c). Чтобы полностью описать трехфотонную интерференцию, нам нужно ввести две относительные задержки между тремя бозонами. Мы теоретически рассчитали вероятность различных состояний выхода [(1,1,1), (2,1,0), (3,0,0)] как функцию относительных задержек xm = ctm (m = 1, 2) между тремя фотонами. Эти вероятности представлены на рис. 2a-c как поверхности в трехмерном пространстве и представляют собой продолжение хорошо известных кривых Хонга-У-Манделя.k) когда x1 ~ x2b0, это приводит к эффекту трехфотонной коалесценции, что приводит к провалу или пику в зависимости от обнаруженного состояния выхода; (ii) только два из трех входных

фотона неразличимы (P (j) k) при xm ~ 0 # x „или xmBx„ / 0; (iii) три входных фотона различимы (pcj k), когда x1 a x2 a 0, что приводит к классически коррелированным результатам. Здесь верхний индекс q указывает на квантовую природу трехфотонной коалесценции, а верхний индекс cl подчеркивает, что фотоны ведут себя как классические частицы.На рис. 2d-f сравниваются различные вероятности, соответствующие случаям i-iii для каждого выходного состояния.

Изготовление триттеров сверхбыстрой лазерной записью. Устройство триттера было реализовано с использованием фемтосекундной лазерной записывающей технологии22-24. Этот метод использует нелинейное поглощение сфокусированных фемтосекундных лазерных импульсов, которые создают постоянные и

локализованное увеличение показателя преломления в прозрачных материалах. Волноводы изготавливаются непосредственно в объеме материала путем перемещения образца с постоянной скоростью по заданному пути.Этот метод обладает уникальной способностью создавать интегрированные устройства с трехмерной геометрией. Техника сверхбыстрой лазерной записи быстро превратилась в мощный инструмент для демонстрации новых квантовых интегрированных устройств, способных выполнять квантовые логические операции25, а также двухфотонные квантовые блуждания 26,27. Триттер с фемтосекундной лазерной записью состоит из трех волноводов, сближающихся и взаимодействующих в области связи (рис. 1б). Благодаря этой конфигурации могут быть получены равные коэффициенты связи таким образом, что одиночный фотон, входящий в любой входной порт, имеет одинаковую вероятность выхода из любого из трех выходных портов.Этот трехмерный подход, реализованный с помощью фемтосекундной лазерной записи, позволяет избежать использования каскадных делителей луча и фазовращателей, которыми сложно управлять, и обеспечивает компактное устройство, которое можно эффективно масштабировать в более сложных архитектурах. Несмотря на концептуальную простоту, тритер требует точных размеров. В качестве схемы первого порядка мы рассматриваем волноводы, лежащие в вершине равностороннего треугольника, где ключевыми параметрами являются расстояние между волноводами и длина в области взаимодействия.Фактически эти два параметра не являются независимыми, поскольку для достижения равного распределения выходного сигнала коэффициент связи k и длина взаимодействия L должны удовлетворять соотношению kL = 2p / 9 (см. Дополнительное примечание 2). Определение размеров триттера начинается с выбора расстояния между волноводами d до наименьшего значения, которое позволяет избежать перекрытия (это позволит сохранить устройство как можно короче). Выбранное значение d, в свою очередь, определяет коэффициент связи k и, таким образом, согласно предыдущему соотношению, длину взаимодействия L.Однако слегка эллиптический режим фемтосекундных оптических волноводов с лазерной записью и другие производственные недостатки требуют выполнения точной настройки устройства второго порядка, которая может быть достигнута путем небольшого смещения одного из

0150 x (| im)

Рисунок 3 | Двухфотонная экспериментальная реконструкция унитарной матрицы Ur реализованного триттера. Экспериментальная двухфотонная интерференция Хонга-У-Манделя для входных состояний: (а) | 1, 1, 0), (б) | 1, 0, 1) и (в) | 0, 1, 1).Для каждого входного состояния собираются все возможные выходные. Планки погрешностей в экспериментальных точках обусловлены пуассоновской статистикой измеренного сигнала. (г-д) Реальная и мнимая части Ура. (f-g) Действительная и мнимая части теоретического триттера ¿/.

Рисунок 4 | Экспериментальный макет. Экспериментальная установка для характеристики триттера и эксперимента по трехфотонной коалесценции. Двухфотонные и трехфотонные состояния, генерируемые параметрическим понижающим преобразованием, вводятся в устройство триттера после распространения через линии пространственной задержки.Затем выполняется обнаружение совпадений на портах вывода, чтобы восстановить вероятность получения данной реализации состояния вывода (i, j, k). Метки 1, 2, 3 обозначают пространственные моды, буква a относится к неразличимым фотонам, а буква b — к частично различимым. BBO, кристалл бората B-бария.

три волновода в геометрии разностороннего треугольника. Эта точная настройка выполняется наиболее эффективно с помощью итерационной процедуры, в которой мы в полной мере используем возможности быстрого прототипирования фемтосекундного лазерного волновода (см. Дополнительный рис.S1 для окончательной оптимизированной геометрии).

Двухфотонная характеристика триттера. Кому

характеризует реализованное устройство, и для сравнения его унитарной эволюции по отношению к идеальному случаю мы реализовали метод реконструкции, предложенный в работе. 28. Этот метод заключается в измерении всех возможных двухфотонных интерференционных полос Хонга-У-Манделя и последующем восстановлении элементов эволюционной матрицы Ur с помощью процедуры минимизации (см. Дополнительное примечание 3 для более подробной информации).Мы показываем на рис. 3

действительная и мнимая части восстановленной матрицы Ur на длине волны 795 нм по сравнению с соответствующей теоретической матрицей Ut. Чтобы количественно оценить качество процесса изготовления, мы оценили сходство S между двумя соответствующими матрицами видимости Хонга-У-Манделя, определенными как = 1 -E; = jEk = II (V) ij; k, i — (V) ij ; | / 18. Значение ot> tamed t = 0,9768 ± 0,0004 демонстрирует высокое соответствие реализованного устройства идеальному триттеру.

Экспериментальная трехфотонная интерференция. Мы экспериментально проверили трехфотонную коалесценцию, применив экспериментальную установку, показанную на рис. 4. Четыре фотона производятся параметрическим преобразованием с понижением частоты: один из них действует как триггер для обнаружения совпадений, а три других после

я ii iii я ii iii я ii iii

Рисунок 5 | Экспериментальные результаты с трехфотонным входным состоянием. (а) Выходные вероятности для различных вариантов запаздывающего фотона и измеренного вклада выходного состояния.Случай I: трехфотонная интерференция k. Случай II: различимый фотон на входном порте 2 задерживается (двухфотонная интерференция)

Случай III: идентичный фотон на входном порте 3 с задержкой (двухфотонная интерференция) pijjk. Синие столбцы: теоретический прогноз, полученный на основе восстановленной матрицы триттера U ‘и частично различимых пар фотонов. Красные столбцы: экспериментальные результаты. (b) Видимости V = (rN-r0) / TN для различных вариантов выбора запаздывающего фотона и измеренного вклада выходного состояния.Здесь и T0 соответствуют количеству четырехкратных совпадений, когда запаздывающий фотон находится, соответственно, вне или внутри интерференционной области. Случай A: различимый фотон на входном порте 2 задерживается (трехфотонная интерференция). Случай B: идентичный фотон на входном порте 3 задерживается (трехфотонная интерференция). Случай C: различимый фотон на входном порте 2 вне области интерференции и идентичный фотон на входном порте 3 задерживается (двухфотонная интерференция). Синие столбцы: теоретический прогноз, полученный на основе восстановленной матрицы триттера U ‘и частично различимых пар фотонов.Красные столбцы: экспериментальные результаты. Голубые полосы: ожидаемая видимость с классическими состояниями. Планки погрешностей обусловлены пуассоновской статистикой измеренного сигнала.

проходит через разные линии задержки. Выходные моды обнаруживаются с помощью оптоволоконных светоделителей и однофотонных лавинных фотодиодов. Совпадения между различными детекторами позволяют нам восстановить вероятность получения заданного выходного состояния. Изменяя относительные задержки между тремя фотонами, можно наблюдать эффекты слияния в различных экспериментальных условиях, как показано на рис.2а-с. Триттерное устройство, сначала характеризовавшееся одно- и двухфотонным состояниями на длине волны 795 нм (см. Рис. 3), затем было испытано тремя фотонами на длине волны 785 нм из-за наличия спектральных фильтров с более высоким коэффициентом пропускания на этой длине волны. Следует отметить, что унитарная матрица триттера Ur при 785 нм все еще очень хорошо согласуется с матрицей идеального триттера (см. Уравнение 1), давая подобие S ‘t = 0,9595 ± 0,0003 (см. Дополнительное примечание 3 и Дополнительный рис. S4).Мы внедрили трехфотонное состояние | 1,1,1> и наблюдали различные выходные вклады | 1,1,1>, | 2,1,0 S, | 3,0,0 S. Из-за частичной различимости между фотонами, принадлежащими разным парам, ожидаемая видимость пиков (или провалов в зависимости от наблюдаемых вкладов) изменяется в зависимости от того, какой фотон задерживается. Мы сравниваем на рис. 5a экспериментальные и теоретические вероятности выходных состояний, полученные путем задержки фотонов в различных режимах входа для каждого измеренного выходного состояния.Ожидаемые значения вероятности были рассчитаны путем введения в теоретическую модель параметра различимости p, который количественно определяет различимость между двумя разными парами, и путем включения шестифотонных событий, генерируемых источником. Мы исследовали на рис. 5b трехфотонную интерференцию при задержке частично различимого фотона (случай A на рисунке) или при задержке одного из двух неотличимых фотонов (случай B на рисунке). Кроме того, мы также рассмотрели случай, когда частично различимый фотон не попадает в область интерференции, а два неразличимых фотона имеют относительную задержку (случай C на рисунке).Последний случай соответствует двухфотонной интерференции, хотя три фотона вводятся и измеряются. Замечено, что случаи A и B явно отличаются от случая C. Это демонстрирует, что выходные состояния, которые мы наблюдаем в случаях A и B, действительно связаны с тремя-

фотонной интерференции и не может быть отнесена к двухфотонному взаимодействию. Чтобы охарактеризовать, можно ли отнести измеренную трехфотонную интерференцию к квантовому эффекту, мы также сравнили полученные видимости с классическими границами, рассчитанными путем введения триттера с тремя когерентными состояниями одинаковой амплитуды с рандомизированными фазами29.Мы видим, что результаты, полученные с входным состоянием | 1,1,1S, превосходят классические предсказания, тем самым демонстрируя квантовое происхождение измеренной трехфотонной интерференции. Подробную информацию об анализе данных можно найти в дополнительном примечании 4.

Обсуждение

Мы сообщили об экспериментальном наблюдении эффекта трехфотонной бозонной коалесценции, происходящего в интегрированном трехмерном трехпортовом светоделителе, реализованном с помощью сверхбыстрой лазерной записи.Насколько нам известно, этот результат представляет собой первое экспериментальное наблюдение бозонного слияния трех неразличимых фотонов в симметричном трехпортовом устройстве. Внутренне стабильная и компактная природа этого устройства делает его фундаментальным строительным блоком для будущих сложных сетей, реализованных на интегральных оптических схемах. Ожидается, что эти устройства откроют новые перспективы во многих областях исследований квантовой информации. Действительно, N-портовые светоделители могут найти широкий спектр применений как в квантовой интерферометрии, так и в квантовой метрологии.Первый теоретический анализ, выполненный в исх. 16 показывает, что эти устройства могут быть использованы для создания N-модовых интерферометров, где принятие квантовых входных состояний может привести к значительному усовершенствованию протоколов оценки фазы. Кроме того, возможность условного генерирования состояний с перепутанными путями может быть увеличена за счет принятия структур, состоящих из N-портовых светоделителей, а не традиционных двухрежимных ответвителей30. Ожидается, что это приведет к соответствующему снижению сложности экспериментальных схем с точки зрения количества оптических элементов.

Несколько других контекстов могут выиграть от принятия N-портовых разделителей луча. Например, они могут быть адаптированы для реализации квантовых симуляторов с «доказательством принципа »31, и,

, объединенные в модульную структуру, могут использоваться для реализации полномасштабных квантовых симуляторов для квантовых систем большого размера. Принятие многофотонно-многомодовых платформ действительно может раскрыть сценарий «трудно моделируемого» путем принятия линейной оптики для реализации вычислительной мощности, превышающей мощность классического компьютера32.Более того, разработка сложных интегрированных квантовых устройств может привести к реализации фундаментальных тестов квантовой механики, таких как тесты нелокальности, для квантовых систем возрастающей размерности33.

Методы

Изготовление волноводов. Волноводы записываются непосредственно в подложку из боросиликатного стекла (EAGLE2000, Corning Inc.) с использованием генератора Yb: KYW со сбросом резонатора, который обеспечивает импульсы 300 фс при частоте следования 1 МГц. Лазерный луч сфокусирован на 0.Объектив микроскопа 6 NA x 50 на глубине 170 мм (в среднем) под поверхностью стекла. Оптимальные параметры облучения для одномодового волновода на длине волны 795 нм: энергия импульса 220 нДж и скорость перемещения 40 мм / с. Перенос образца с постоянной скоростью обеспечивается высокоточными трехосными столиками с воздушным подшипником (Aerotech FiberGlide3D, Aerotech Inc.). Затем полученный тритер соединяется в косичку путем связывания массивов волокон с обеих сторон устройства, чтобы получить компактное и портативное устройство.

Четырехфотонный источник и детектор. Обратимся к экспериментальной установке, изображенной на рис. 4 в основном тексте. Кристалл бората B-бария толщиной 2 мм, вырезанный для фазового синхронизма второго типа, накачивается второй гармоникой Ti: сапфирового лазерного луча с синхронизацией мод и генерирует посредством спонтанного параметрического преобразования с понижением частоты на двух парах поляризационных фотонов второго порядка. по двум различным пространственным модам. Четыре фотона34,35 генерируемого состояния спектрально фильтруются интерференционными фильтрами (длина волны l = 785 нм, Dl = 3 нм) и отбираются четырьмя одномодовыми волокнами, размещенными на выходе двух поляризационных светоделителей.Пространственное и временное отклонение компенсируется вставкой волновой пластины и кристаллического кристалла бората бария толщиной 1 мм в каждую пространственную моду. Обнаруживается, что один из четырех фотонов запускает эксперимент. Остальные три фотона инжектируются каждый в одномодовое волокно и после прохождения через три линии задержки и после компенсации поляризации попадают внутрь триттера. Режимы вывода отправляются на этап обнаружения. Измерены обнаружения четырехкратного совпадения.Вклад | 1,1,1) измеряется путем прямой отправки каждой выходной моды на однофотонный детектор. Вклад | 2,1,0) (| 3,0,0)) измеряется путем разделения моды 1 на две (три) равные части с помощью волоконных светоделителей и размещения однофотонного детектора на каждой из двух частей. (три) выхода системы светоделителя. Эффективности для трех схем, включая триггерный детектор, равны соответственно z4, (2/3) z4 и (2/9) z4, что является z квантовой эффективностью одного детектора.

Список литературы

1. Хонг, К. К., Оу, З. и Мандель, Л. Измерение субпикосекундных интервалов времени между двумя фотонами с помощью интерференции. Phys. Rev. Lett. 59, 2044-2046 (1987).

2. Оу, З. Различимость n-фотонного состояния во времени и его характеристика квантовой интерференцией. Phys. Ред. A 74, 063808 (2006).

3. Ямамото Т., Коаши М., Оздемир С. и Имото Н. Экспериментальное извлечение запутанной пары фотонов из двух пар идентично декогерированных.Nature 421, 343-346 (2003).

4. Walther, P. et al. Длина волны де Бройля нелокального четырехфотонного состояния. Nature 429, 158-161 (2004).

5. Kok, P. et al. Линейные оптические квантовые вычисления с фотонными кубитами. Ред. Мод. Phys. 79, 135-174 (2007).

6. Knill, E., Laflamme, R. & Milburn, G.J. Схема эффективных квантовых вычислений с линейной оптикой. Nature 409, 46-52 (2000).

7. Ши Ю.Х. и Элли, С. О. Новый тип эксперимента Эйнштейна-Подольского-Розена-Бома с использованием пар световых квантов, произведенных оптическим параметрическим преобразованием с понижением частоты. Phys. Rev. Lett 61, 2921–2924 (1988).

8. Зоу, X., Палке, К. и Матис, В. Генерация запутанных состояний фотонов с использованием линейных оптических элементов. Phys. Ред. A 66, 014102 (2002).

9. Гринбергер Д. М., Хоум М. А. и Цайлингер А. Многочастичная интерферометрия и принцип квантовой суперпозиции.Phys. Сегодня 46, 22-29 (1993).

10. Гринбергер, Д. М., Хоум, М. А. и Цайлингер, А. Сходства и различия между двухчастичной и трехчастичной интерференцией. Fortschr. Phys. 48, 243-252 (2000).

11. Pan, J.-W. и другие. Многофотонная запутанность и интерферометрия. Ред. Мод. Phys. 84, 777-838 (2012).

12. Жуковски М., Цайлингер А. и Хорн М. А. Реализуемые многомерные сцепления двух частиц с помощью многопортовых светоделителей.Phys. Rev. A 55, 2564-2579 (1997).

13. Хауэлл, Дж. К. и Йизелл, Дж. А. Квантовые вычисления посредством запутывания одиночных фотонов в многолучевых интерферометрах. Phys. Rev. Lett. 85, 198-201 (2000).

14. Рек, М., Цайлингер, А., Бернштейн, Х. Дж. И Бертани, П. Экспериментальная реализация любого дискретного унитарного оператора. Phys. Rev. Lett. 73, 58-61 (1994).

15. Тихи, М. К., Тирш, М., де Мело, Ф., Минтерт, Ф. и Бухляйтнер, А.Закон нулевого пропускания для многопортовых светоделителей. Phys. Rev. Lett. 104, 220405 (2010).

16. Spagnolo, N. et al. Квантовая интерферометрия с трехмерной геометрией. Sci. Реп 2, 862 (2012).

17. Кампос, Р. А. Трехфотонная интерференция Хонга-У-Манделя в многопортовом смесителе. Phys. Ред. A 62, 013809 (2000).

18. Вейс, Г., Рек, М., Вайнфуртер, Х. и Цайлингер, А. Двухфотонная интерференция в многопортовых оптических волокнах.Phys. Rev. A 54, 893-897 (1996).

19. Kowalevicz, A. M. et al. Трехмерные фотонные устройства, изготовленные из стекла с использованием фемтосекундного лазерного генератора. Опт. Letters 30, 1060-1062 (2005).

20. Судзуки, К., Шарма, В., Фудзимото, Дж. Г., Иппен, Э. П., Насу, Ю. Характеристика симметричных направленных ответвителей [3 x 3], изготовленных путем прямой записи с помощью фемтосекундного лазерного генератора. Phys. Ред. A 80, 032318 (2009).

21.Meany, T. et al. Неклассические помехи в интегрированных мультипортах 3D. Опт. Express 20, 26895-26905 (2012).

22. Гаттасс Р. и Мазур Э. Фемтосекундная лазерная микрообработка прозрачных материалов. Nat. Фотон. 2, 219-225 (2008).

23. Делла Валле, Г., Оселлейм, Р., Лапорта, П. Микрообработка фотонных устройств с помощью фемтосекундных лазерных импульсов. J. Opt. А 11, 013001 (2009).

24. Оселлам Р., Хукстра, Х. Дж.W. M., Cerullo, G. & Pollnau, M. Микроструктурирование фемтосекундного лазера: инструмент, позволяющий создать оптико-жидкостную лабораторию на кристалле. Laser Phot. Ред. 5, 442-463 (2011).

25. Crespi, A. et al. Интегрированные квантовые вентили фотоники для поляризационных кубитов. Nat. Commun. 2, 566 (2011).

26. Owens, J. O. et al. Двухфотонные квантовые блуждания в эллиптической решетке волноводов с прямой записью. New J. Phys. 13, 075003 (2011).

27. Sansoni, L. et al.Двухчастичное бозонно-фермионное квантовое блуждание с помощью интегрированной фотоники. Phys. Rev. Lett. 108, 010502 (2012).

28. Перуццо А., Лэйнг А., Полити А., Рудольф Т. и О’Брайен Дж. Л. Многомодовая квантовая интерференция фотонов в многопортовых интегрированных устройствах. Nat. Commun. 2, 244 (2011).

29. Metcalf, B.J. et al. Многофотонная квантовая интерференция в многопортовом интегрированном фотонном устройстве. Nat. Commun. 4, 1356 (2013).

30.Прайд, Дж. Дж. И Уайт, А. Г. Создание максимально запутанных состояний с числом фотонов с использованием мультипортов оптического волокна. Phys. Ред. A 68, 052315 (2003).

31. Ллойд, С. Универсальные квантовые симуляторы. Science 273, 1073-1078 (1996).

32. Ааронсон, С., Архипов, А. Вычислительная сложность линейной оптики. Препринт на http://arxiv.org/abs/1011.3245 (2010).

33. Грука Дж., Ласковски В. и Зуковски М. Неклассичность чистых двухкутритных запутанных состояний.Phys. Ред. A 85, 022118 (2012).

34. Eibl, M. et al. Экспериментальное наблюдение четырехфотонного перепутывания в результате параметрического преобразования с понижением частоты. Phys. Rev. Lett. 90, 200403 (2003).

35. Радмарк, М., Жуковски, М., Буреннан, М. Экспериментальная проверка пределов верности в шестифотонной интерферометрии и свойств инвариантности вращения синглетного состояния фотонной шестикубитовой запутанности. Phys. Rev. Lett. 103, 150501 (2009).

Благодарности

Эта работа была поддержана FIRB-Futuro в Ricerca HYTEQ и ERC (европейский

Research Council) — начало гранта 3D-QUEST (3D-Quantum Integrated Optical

Моделирование; Соглашение о предоставлении гранта №307783): http://www.3dquest.eu.

Вклад авторов

Эксперимент инициирован всеми авторами. A.C., R.R. и R.O. спроектировал и изготовил интегрированный чип триттера и провел измерения характеристик в классическом режиме. Н.С., С.В., Л.А., Ф.С. и П. разработал квантовую теорию, положенную в основу эксперимента, и провел измерения в квантовом режиме. Все авторы обсудили результаты и приняли участие в подготовке рукописи.

Дополнительная информация

Дополнительная информация прилагается к этому документу по адресу http://www.nature.com/ naturecommunications

Конкурирующие финансовые интересы: Авторы заявляют об отсутствии конкурирующих финансовых интересов.

Перепечатки и информация о разрешениях доступны в Интернете по адресу http://npg.nature.com/ reprintsandpermissions /

Как цитировать эту статью: Spagnolo, N. et al.Трехфотонная бозонная коалесценция в интегрированном триттере. Nat. Commun. 4: 1606 DOI: 10.1038 / ncomms2616 (2013).

Эта работа находится под лицензией Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported License. Для просмотра копии

, посетите http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/

GHS Заявления об опасностях и мерах предосторожности

913 913 ПРИ ПОПАДАНИИ НА КОЖУ ПРИ ВДЫХАНИИ:

Заявления об опасностях
Физические опасности
h300 Нестабильное взрывчатое вещество.
h301 Взрывчатое вещество; опасность взрыва массой.
h302 Взрывчатое вещество; серьезная опасность проекции.
h303 Взрывчатое вещество; опасность пожара, взрыва или разбрасывания.
h304 Опасность возгорания или разбрасывания.
h305 Возможен взрыв массы.
h306 Опасность возгорания, взрыва или разбрасывания: повышенный риск взрыва при уменьшении количества десенсибилизирующего агента.
h307 Опасность возгорания или разбрасывания: повышенный риск взрыва при уменьшении количества десенсибилизирующего агента.
h308 Опасность возгорания: повышенный риск взрыва при уменьшении количества десенсибилизирующего агента.
h320 Чрезвычайно легковоспламеняющийся газ.
h321 Горючий газ.
h322 Чрезвычайно легковоспламеняющийся аэрозоль.
h323 Легковоспламеняющийся аэрозоль.
h324 Чрезвычайно легковоспламеняющаяся жидкость и пар.
h325 Легковоспламеняющаяся жидкость и пар.
h326 Воспламеняющаяся жидкость и пар.
h327 Горючая жидкость.
h328 Легковоспламеняющееся твердое вещество.
h329 Емкость под давлением: при нагревании может произойти взрыв.
h330 Может взрываться даже в отсутствие воздуха.
h331 Может взрываться даже в отсутствие воздуха при повышенном давлении и / или температуре.
h332 Может самовоспламеняться при контакте с воздухом.
h340 Нагревание может вызвать взрыв.
h341 Нагревание может вызвать пожар или взрыв.
h342 Нагревание может вызвать пожар.
h350 Самопроизвольно загорается при контакте с воздухом.
h351 Самонагревающийся; может загореться.
h352 Самонагревание в больших количествах; может загореться.
h360 При контакте с водой выделяются горючие газы, которые могут самовоспламеняться.
h361 При контакте с водой выделяет горючий газ.
h370 Может вызвать или усилить пожар; окислитель.
h371 Может вызвать пожар или взрыв; сильный окислитель.
h372 Возможно усиление огня; окислитель.
h380 Содержит газ под давлением; может взорваться при нагревании.
h381 Содержит охлажденный газ; может вызвать криогенные ожоги или травмы.
h390 Может вызывать коррозию металлов.
Опасность для здоровья
h400 Смертельно при проглатывании.
h401 Токсично при проглатывании.
h402 Вредно при проглатывании.
h403 Может причинить вред при проглатывании.
h404 Может быть смертельным при проглатывании и попадании в дыхательные пути.
h405 Может причинить вред при проглатывании и попадании в дыхательные пути.
h410 Смертельно при контакте с кожей.
h411 Токсично при контакте с кожей.
h412 Вредно при контакте с кожей.
h413 Может быть вредным при контакте с кожей.
h414 Вызывает серьезные ожоги кожи и повреждения глаз.
h415 Вызывает раздражение кожи.
h416 Вызывает легкое раздражение кожи.
h417 Может вызывать аллергическую кожную реакцию.
h418 Вызывает серьезные повреждения глаз.
h419 Вызывает серьезное раздражение глаз.
h420 Вызывает раздражение глаз.
h430 Смертельно при вдыхании.
h431 Токсично при вдыхании.
h432 Вреден при вдыхании.
h433 Может нанести вред при вдыхании.
h434 Может вызывать симптомы аллергии или астмы или затруднение дыхания при вдыхании.
h435 Может вызывать раздражение дыхательных путей.
h436 Может вызывать сонливость или головокружение.
h440 Может вызывать генетические дефекты.
h440-EG Может вызывать генетические дефекты.
h440A Может вызывать генетические дефекты.
h441 Предположительно вызывает генетические дефекты.
h441-EG Предположительно вызывает генетические дефекты.
h441A Предположительно вызывает генетические дефекты.
h450 Может вызывать рак.
h450-EG Может вызывать рак.
h450A Может вызывать рак.
h450I Может вызывать рак при вдыхании.
h451 Предположительно вызывает рак.
h451-EG Предположительно вызывает рак.
h451A Предположительно вызывает рак.
h460 Может нанести ущерб плодовитости или нерожденному ребенку.
h460-EG Может нанести ущерб фертильности или нерожденному ребенку.
h460A Может нанести ущерб плодовитости или нерожденному ребенку.
h460D Может нанести вред нерожденному ребенку.
h460F Может повредить плодородие.
h460DF Может нанести вред нерожденному ребенку. Подозревается в нарушении фертильности.
h460FD Может нанести ущерб плодородию. Может повредить будущему ребенку.
h461 Предположительно может нанести ущерб фертильности или нерожденному ребенку.
h461-EG Предположительно может нанести ущерб фертильности или нерожденному ребенку.
h461A Предположительно может нанести ущерб фертильности или нерожденному ребенку.
h461D Предполагается, что нанесет вред нерожденному ребенку.
h461E Может нанести вред нерожденному ребенку.
h461F Предполагается, что влияет на фертильность.
h461G Может нанести ущерб фертильности.
h461FD Предполагается, что влияет на фертильность. Подозревается в нанесении вреда нерожденному ребенку.
h462 Может причинить вред детям, находящимся на грудном вскармливании.
h470 Вызывает повреждение органов.
h470-EG Вызывает повреждение органов.
h470A Вызывает повреждение органов.
h471 Может вызывать повреждение органов.
h471-EG Может вызывать повреждение органов.
h471A Может вызывать повреждение органов.
h472 Вызывает повреждение органов в результате длительного или многократного воздействия.
h472-EG Вызывает повреждение органов в результате длительного или многократного воздействия.
h472A Вызывает повреждение органов в результате длительного или многократного воздействия.
h473 Может вызывать повреждение органов в результате длительного или многократного воздействия.
h473-EG Может вызывать повреждение органов в результате длительного или многократного воздействия.
h473A Может вызывать повреждение органов в результате длительного или многократного воздействия.
Опасность для окружающей среды
h500 Очень токсичен для водных организмов.
h501 Токсично для водных организмов.
h502 Вредно для водных организмов.
h510 Очень токсично для водных организмов с долгосрочными последствиями.
h511 Токсично для водных организмов с долгосрочными последствиями.
h512 Вредно для водных организмов с долгосрочными последствиями.
h513 Может вызывать долговременные вредные последствия для водных организмов.
h520 Наносит вред здоровью населения и окружающей среде, разрушая озон в верхних слоях атмосферы.
h533 Вредно для наземных позвоночных.
Краткая характеристика опасности для Австралии
SECTION-AU-0-1 Краткая характеристика физической опасности
AUH001 Взрывоопасно без влаги.
AUH006 Взрывчатое вещество при контакте с воздухом или без него.
AUH014 Интенсивно Реагирует с водой.
AUH018 При использовании может образовывать горючие / взрывоопасные паровоздушные смеси.
AUH019 Может образовывать взрывоопасные пероксиды.
AUH044 Риск взрыва при нагревании в замкнутом пространстве.
SECTION-AU-2-3 Краткая характеристика опасности для здоровья человека
AUH029 При контакте с водой выделяется токсичный газ.
AUH031 При контакте с кислотами выделяется токсичный газ.
SECTION-AU-3-7 Дополнительные указания на опасность, не соответствующие требованиям GHS
AUH032 При контакте с кислотами выделяется очень токсичный газ.
AUH066 Повторяющееся воздействие может вызвать сухость или растрескивание кожи.
AUH070 Токсично при попадании в глаза.
AUH071 Разъедает дыхательные пути.
Заявление об опасностях Европейского Союза
EUH001 Взрывоопасно в сухом состоянии.
EUH006 Взрывчатое вещество при контакте с воздухом или без него.
EUH014 Бурно реагирует с водой.
EUH018 При использовании может образовывать легковоспламеняющиеся / взрывоопасные паровоздушные смеси.
EUH018A При использовании может образовывать взрывоопасную паровоздушную смесь.
EUH018B При использовании может образовывать горючие паровоздушные смеси.
EUH019 Может образовывать взрывоопасные пероксиды.
EUH029 При контакте с водой выделяется токсичный газ.
EUH030 При использовании может стать легковоспламеняющимся.
EUH031 При контакте с кислотами выделяется токсичный газ.
EUH032 При контакте с кислотами выделяется очень токсичный газ.
EUH044 Риск взрыва при нагревании в замкнутом пространстве.
EUH059 Опасно для озонового слоя.
EUH066 Повторяющееся воздействие может вызвать сухость или растрескивание кожи.
EUH070 Токсично при попадании в глаза.
EUH071 Разъедает дыхательные пути.
EUh301 Содержит свинец. Не следует использовать на поверхностях, которые дети могут жевать или сосать. Предупреждение! Содержит свинец.
EUh301A Внимание! Содержит свинец.
EUh302 Цианоакрилат. Опасность. Склеивает кожу и глаза за секунды. Хранить в недоступном для детей месте.
EUh303 Содержит хром (VI).Может вызвать аллергическую реакцию.
EUh304 Содержит изоцианаты. См. Информацию, предоставленную производителем.
EUh305 Содержит эпоксидные компоненты. См. Информацию, предоставленную производителем.
EUh306 Внимание! Не использовать вместе с другими продуктами. Может выделять опасные газы (хлор).
EUh307 Внимание! Содержит кадмий. При использовании образуются опасные пары.См. Информацию, предоставленную производителем. Соблюдайте правила техники безопасности.
EUh307-EG Внимание! Содержит кадмий. При использовании образуются опасные пары. См. Информацию, предоставленную производителем. Соблюдайте правила техники безопасности.
EUh308 Содержит (название сенсибилизирующего вещества). Может вызвать аллергическую реакцию.
EUh308-EG Содержит (название сенсибилизирующего вещества). Может вызвать аллергическую реакцию.
EUh309 При использовании может стать легковоспламеняющимся.
EUh309A При использовании может стать легковоспламеняющимся.
EUh309B Может воспламеняться при использовании.
EUh310 Паспорт безопасности предоставляется по запросу.
EUh501 Во избежание риска для здоровья человека и окружающей среды соблюдайте инструкции по применению.
Меры предосторожности
Общие меры предосторожности
P101 Если необходима консультация врача, имейте под рукой контейнер продукта или этикетку.
P102 Хранить в недоступном для детей месте.
P103 Прочтите этикетку перед использованием.
Меры предосторожности
P201 Получите специальные инструкции перед использованием.
P202 Не работайте, пока все меры безопасности не прочитаны и не усвоены.
P210 Беречь от тепла, искр, открытого огня, горячих поверхностей.Не курить.
P210A Беречь от тепла. Не курить.
P210B Беречь от искр. Не курить.
P210C Беречь от открытого огня. Не курить.
P210D Беречь от горячих поверхностей. Не курить.
P211 Не распылять на открытое пламя или другой источник воспламенения.
P220 Хранить отдельно от одежды / горючих материалов.
P220A Беречь от одежды.
P220B Беречь от горючих материалов.
P220C Беречь от восстановителей, соединений тяжелых металлов, кислот и щелочей.
P220D Беречь от окисляющих и кислотных веществ, а также соединений тяжелых металлов.
P220E Беречь от железа.
P220F Беречь от воды.
P220G Беречь от кислот.
P220H Беречь от щелочных растворов.
P220I Беречь от металлов.
P220J Беречь от окислителей и кислотных веществ.
P220K Беречь от легковоспламеняющихся органических веществ.
P220L Беречь от кислот, восстановителей и легковоспламеняющихся материалов.
P221 Примите все меры, чтобы избежать смешивания с горючими веществами.
P222 Не допускать контакта с воздухом.
P223 Не допускать контакта с водой. [В редакции IV ATP].
P230 Держите содержимое влажным.
P231 Работа в инертном газе.
P232 Беречь от влаги.
P233 Держать контейнер плотно закрытым.
P234 Хранить только в оригинальной упаковке.
P235 Сохранять прохладу.
P240 Заземлите / связывайте контейнер и приемное оборудование.
P241 Используйте взрывозащищенное электрическое / вентиляционное / осветительное / оборудование.
P242 Используйте только искробезопасные инструменты.
P243 Примите меры предосторожности против статического разряда.
P244 Не допускайте попадания масла и смазки на клапаны и фитинги. [В редакции IV ATP].
P250 Не подвергать шлифованию / ударам / трению.
P251 Не протыкать и не сжигать даже после использования. [В редакции IV ATP].
P260 Не вдыхать пыль, дым, газ, туман, пары, брызги.
P261 Избегайте вдыхания пыли, дыма, газа, тумана, паров, брызг.[В редакции IV ATP].
P262 Не попадать в глаза, на кожу или одежду.
P263 Избегайте контакта во время беременности / кормления грудью.
P264 После работы тщательно вымыть.
P270 Не ешьте, не пейте и не курите при использовании этого продукта.
P271 Используйте только на открытом воздухе или в хорошо вентилируемом месте.
P272 Запрещается выносить загрязненную рабочую одежду с рабочего места.
P273 Избегать попадания в окружающую среду.
P280 Пользоваться защитными перчатками / защитной одеждой / средствами защиты глаз / лица.
P280A Используйте защитные перчатки и защиту для глаз / лица.
P280B Используйте защитные перчатки и защиту для глаз.
P280C Пользоваться защитными перчатками и средствами защиты лица.
P280D Надевайте защитную одежду и средства защиты глаз.
P280E Надевайте защитную одежду и средства защиты лица.
P280F Носите защитную одежду.
P280G Используйте защитные перчатки.
P280H Используйте защитные перчатки / одежду.
P280I Используйте средства защиты глаз / лица.
P280J Пользуйтесь средствами защиты лица.
P281 [Удалено IV ATP].
P282 Используйте теплоизоляционные перчатки / защитную маску / защиту для глаз.
P283 Носите огнестойкую / огнестойкую / стойкую к воздействию огня одежду.
P284 [В случае недостаточной вентиляции] используйте средства защиты органов дыхания. [В редакции IV ATP].
P285 [Удалено IV ATP].
Меры предосторожности при реагировании
P301 ПРИ ПРОГЛАТЫВАНИИ:
P302 ПРИ ПОПАДАНИИ НА КОЖУ:
P303
P305 ПРИ ПОПАДАНИИ В ГЛАЗА:
P306 ПРИ ВДЫХАНИИ:
P307 [Удалено IV ATP].
P308 Если обнаружено или обеспокоено:
P309 [Удалено IV ATP].
P310 Немедленно позвоните в ТОКСИКОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР или к врачу / терапевту.
P311 Позвоните в ТОКСИКОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР или к врачу / терапевту.
P312 При плохом самочувствии обратитесь в ТОКСИКОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР или к врачу / терапевту.
P313 Обратитесь за медицинской консультацией / помощью.
P314 Обратитесь за медицинской помощью, если вы плохо себя чувствуете.
P315 Немедленно обратитесь за медицинской консультацией / помощью.
P320 Срочно требуется специальное лечение (см. Этикетку).
P321 Специальные меры (см. Этикетку).
P322 [Удалено IV ATP].
P330 Прополоскать рот.
P331 НЕ вызывать рвоту.
P332 При раздражении кожи:
P333 При раздражении кожи или сыпи:
P334 Погрузить в прохладную воду / наложить влажные повязки.
P335 Счистите щеткой свободные частицы с кожи.
P336 Разморозьте замороженные детали теплой водой. Не трите пораженные участки.
P337 Если раздражение глаз не проходит:
P338 Снимите контактные линзы, если они есть, и это легко сделать.Продолжайте полоскание.
P340 Выведите человека на свежий воздух и обеспечьте ему комфорт для дыхания.
P341 [Удалено IV ATP].
P342 Если есть респираторные симптомы:
P350 [Удалено IV ATP].
P351 Осторожно промойте водой в течение нескольких минут.
P352 Вымойте большим количеством воды с мылом.
P353 Промойте кожу водой / под душем.
P360 Немедленно промойте загрязненную одежду и кожу большим количеством воды, прежде чем снимать одежду.
P361 Немедленно снимите всю загрязненную одежду. [В редакции IV ATP].
P362 Снять загрязненную одежду. [В редакции IV ATP].
P363 Постирать загрязненную одежду перед повторным использованием.[В редакции IV ATP].
P364 И постирать перед повторным использованием. [Добавлено IV ATP].
P370 В случае пожара:
P371 В случае крупного пожара и больших количеств:
P372 Опасность взрыва в случае пожара.
P373 ЗАПРЕЩАЕТСЯ тушить огонь, когда огонь достигает взрывчатых веществ.
P374 Тушите пожар, соблюдая обычные меры предосторожности, с разумного расстояния.
P375 Тушить пожар удаленно из-за опасности взрыва.
P376 Остановите утечку, если это безопасно.
P377 Возгорание газа при утечке — не тушите, если утечку невозможно устранить безопасным образом.
P378 Использование для тушения:
P378A Использование для тушения: CO2, порошок или водная струя.
P378B Применение для тушения: специальный порошок для металлических огней.
P378C Применение для тушения: CO2, песок, порошок для тушения.
P378D Использование для тушения: Вода.
P378E Использование для тушения: Водяная дымка.
P378F Применение для тушения: Распыление воды.
P378G Применение для тушения: пена.
P378H Применение для тушения: спиртоустойчивая пена.
P378I Применение для тушения: Огнетушащий порошок.
P378J Использование для тушения: порошок BC.
P378K Использование для тушения: порошок ABC.
P378L Использование для тушения: Двуокись углерода.
P378M Использование для тушения: порошок известняка.
P378N Применение для тушения: Цемент.
P378O Применение для тушения: песок.
P378P Применение для тушения: Сухой песок.
P380 Покинуть зону.
P381 Устраните все источники воспламенения, если это безопасно.
P391 Собрать пролитую жидкость.
Меры предосторожности при хранении
P401 Хранить в соответствии с местными / региональными / национальными / международными правилами.
P401A Хранить в соответствии с местными / региональными / национальными / международными правилами.
P402 Хранить в сухом месте.
P403 Хранить в хорошо вентилируемом месте.
P404 Хранить в закрытой таре.
P405 Хранить под замком.
P406 Хранить в коррозионно-стойком контейнере с прочным внутренним вкладышем.
P407 Обеспечьте воздушный зазор между штабелями / поддонами.
P410 Беречь от солнечных лучей.
P411 Хранить при температуре не выше … ° C / … ° F.
P411A Хранить при температуре не выше $ ° C.
P411B Хранить при температуре не выше $ ° F.
P412 Не подвергать воздействию температур выше 50 ° C / 122 ° F.
P413 Храните насыпные массы более … кг / … фунтов при температуре не выше … ° C / … ° F.
P413A Храните насыпные массы более $ кг при температуре не выше $ ° C.
P413B Храните насыпные массы весом более $ фунтов при температуре не выше $ ° F.
P420 Хранить отдельно от других материалов.
P420A Хранить отдельно от продуктов питания.
P420B Хранить вдали от легковоспламеняющихся веществ.
P420C Хранить вдали от окислителей.
P420D Хранить вдали от восстановителей.
P420E Хранить вдали от воды.
P420F Хранить вдали от металлов.
P420G Хранить вдали от кислот.
P420H Хранить вдали от щелочных растворов.
P422 Хранить содержимое под …
P422A Хранить содержимое в атмосфере инертного газа.
P422B Хранить содержимое под защитным газом.
P422C Храните содержимое под растворителем.
P422D Хранить под водой.
P422E Хранить в керосине.
P422F Хранить в азоте.
Меры предосторожности при утилизации
P501 Утилизируйте содержимое / контейнер в соответствии с местными / региональными / национальными / международными правилами.
P501A Утилизируйте содержимое / контейнер в соответствии с местными / региональными / национальными / международными правилами.
P502 Обратитесь к производителю / поставщику за информацией по утилизации / переработке.

% PDF-1.4
%
92 0 объект
>
эндобдж
1 0 obj
> поток
Библиотека Adobe PDF 4.02017-10-03T18: 29: 14-07: 002000-01-19T20: 45: 42 + 05: 302017-10-03T18: 29: 14-07: 00Acrobat Capture 3.0uuid: 879d30ac-1dd2-11b2- 0a00-cc09271d9a00uuid: 879d30af-1dd2-11b2-0a00-1e0000000000application / pdf
конечный поток
эндобдж
4 0 obj
>
эндобдж
90 0 объект
> / Содержание 114 0 R / CropBox [0 0 579.11902 794.15991] / MediaBox [0 0 579.11902 794.15991] / Родитель 4 0 R / Resources> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Page >>
эндобдж
2 0 obj
> / Contents 118 0 R / CropBox [0 0 576 792] / MediaBox [0 0 576 792] / Parent 4 0 R / Resources> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Страница >>
эндобдж
23 0 объект
> / Contents 120 0 R / CropBox [0 0 576.7196 792.479] / MediaBox [0 0 576.7196 792.479] / Parent 4 0 R / Resources> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Страница >>
эндобдж
35 0 объект
> / Contents 122 0 R / CropBox [0 0 576 792] / MediaBox [0 0 576 792] / Parent 4 0 R / Resources> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Страница >>
эндобдж
46 0 объект
> / Contents 124 0 R / CropBox [0 0 576 792] / MediaBox [0 0 576 792] / Parent 4 0 R / Resources> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Страница >>
эндобдж
57 0 объект
> / Содержание 126 0 R / CropBox [0 0 577.43921 792.95911] / MediaBox [0 0 577.43921 792.95911] / Родитель 4 0 R / Resources> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Page >>
эндобдж
64 0 объект
> / Contents 128 0 R / CropBox [0 0 576.7196 792.479] / MediaBox [0 0 576.7196 792.479] / Parent 4 0 R / Resources> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Страница >>
эндобдж
76 0 объект
> / Contents 130 0 R / CropBox [0 0 576 792] / MediaBox [0 0 576 792] / Parent 4 0 R / Resources> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / XObject >>> / Rotate 0 / Type / Страница >>
эндобдж
112 0 объект
> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Type / Page >>
эндобдж
131 0 объект
[135 0 R 136 0 R 137 0 R 138 0 R 139 0 R 140 0 R 141 0 R 142 0 R]
эндобдж
132 0 объект
> поток
q
184.8032227 0 0 46.2008057 72 675.79

см
/ Im0 Do
Q
BT
/ T1_0 1 Тс
10 0 0 10 262 691,99994 тм
(1995 \ 24086: 2371-2378) Tj
/ T1_1 1 Тс
0 1 ТД
(\ 240) Tj
0 1.00001 TD
(\ 240) Tj
ET
BT
/ T1_0 1 Тс
10 0 0 10 72 597,99985 тм
(Маннхальтер, О. А. Хаас и К. Лехнер) Tj
0 1 ТД
(А. Гайгер, Т. Хенн, Э. Хорт, К. Гейсслер, Г. Миттербауэр, Т. Майер-Доберсберг \
эээ, H Greinix, C) Tj
0 1.00001 TD
(\ 240) Tj
/ T1_2 1 Тс
13 0 0 13 429,64191 627,99994 тм
(прогрессия) Tj
-27.51092 0 Тд
(пациенты с хроническим миелолейкозом предшествуют заболеванию) Tj
0 1 ТД
(Повышение экспрессии химерной мРНК bcr-abl в опухолевых клетках) Tj
/ T1_0 1 Тс
Т *
(\ 240) Tj
ET
72 564 кв.м.
507 564 л
0 0 мес.
S
BT
0 0 1 рг
/ T1_2 1 Тс
10 0 0 10 72 539.99994 Тм
(http://www.bloodjournal.org/content/86/6/2371.full.html)Tj
0 г
/ T1_0 1 Тс
Т *
(Обновленную информацию и услуги можно найти по адресу:) Tj
ET
BT
/ T1_0 1 Тс
10 0 0 10 72 526 тм
(Статьи на похожие темы можно найти в следующей коллекции Blood \
нс) Tj
ET
72 509 кв.м.
507 509 л
0 0 мес.
S
BT
0 0 1 рг
/ T1_2 1 Тс
10 0 0 10 72 484,99994 тм
(http://www.bloodjournal.org/site/misc/rights.xhtml#repub_requests)Tj
0 г
/ T1_0 1 Тс
Т *
(Информация о воспроизведении данной статьи частично или полностью м \
их можно найти в Интернете по адресу:) Tj
ET
BT
0 0 1 рг
/ T1_2 1 Тс
10 0 0 10 72 446.99997 Тм
(http://www.bloodjournal.org/site/misc/rights.xhtml#reprints)Tj
0 г
/ T1_0 1 Тс
Т *
(Информацию о заказе репринтов можно найти в Интернете по адресу:) Tj
ET
BT
0 0 1 рг
/ T1_2 1 Тс
10 0 0 10 72 408,99997 тм
(http://www.bloodjournal.org/site/subscriptions/index.xhtml)Tj
0 г
/ T1_0 1 Тс
Т *
(Информацию о подписках и членстве в ASH можно найти на сайте \
t:) Tj
ET
BT
0 0 1 рг
/ T1_0 1 Тс
10 0 0 10 72 41,99991 тм
(\ 240) Tj
Т *
(Авторское право 2011 г. Американского общества гематологов; все права защищены \
d.) Tj
0 г
0 1.00001 TD
(Общество гематологии, 2021 L St, NW, Suite 900, Вашингтон, округ Колумбия, 20036.) Tj
0 1 ТД
(Кровь \ (печатный ISSN 0006-4971, онлайн ISSN 1528-0020 \), выходит неделю \
Ly американца) Tj
ET
BT
0 0 1 рг
/ T1_0 1 Тс
9 0 0 9 345,28 131778 тм
(Только для личного использования.