Транзистор 1e smd: Маркировка радиодеталей, Коды SMD 1E, 1E **, 1E-, 1E5, 1E=***, 1EW, 1Ep, 1Es, 1Et. Даташиты BC847A, BC847AT, BC847AW, IRLML6402, KST43, RT9198-15GBG, ZXTN19100CFFTA.

Маркировка радиодеталей, Коды SMD 1E, 1E **, 1E-, 1E5, 1E=***, 1EW, 1Ep, 1Es, 1Et. Даташиты BC847A, BC847AT, BC847AW, IRLML6402, KST43, RT9198-15GBG, ZXTN19100CFFTA.

Расшифровка обозначений на smd-компонентах

Тип прибора	маркировка		структ. код п/п	аналог (прибл.)	Краткие параметры
	Типов.	Рев.
ВА316	А6		Si-Di	BAW62, 1N4148	Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17	А91		Si-St	ВА314	Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA
ВА319	А8		Si-Di	BAV19	Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20	А81		Si-Di	BAV20	Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21	А82		Si-Di	BAV21	Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29	L20		Si-Di	BAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31	L21		Si-Di	2XBAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35	L22		Si-Di	2xBAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17	A3		Pin-Di	BA480	VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18	А2		Pin-Di	BA482	VHF/UHF-Band-S, 35V, 0. 1A, 200MHz
BAV70	А4		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99	А7		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56	А1		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY31	81		C-Di	BB405, BB609	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 — 2.8pF
BBY40	S2		C-Di	BB809	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-16	5A	5AR	Si-P	BC327-16	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-25	5В	5BR	Si-P	BC327-25	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-40	5С	5CR	Si-P	BC327-40	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-16	5Е	5ER	Si-P	BC328-16	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-25	5F	5FR	Si-P	BC328-25	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-40	5G	5GR	Si-P	BC328-40	Min, NF-Tr, 25V, 0. 5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-16	6A	6AR	Si-N	BC337-16	Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B	1В	1BR	Si-N	BC546B	Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A	1E	1ER	Si-N	BC547A, BC107A	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B	1F	1FR	Si-N	BC547B, BC107B	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C	1G	1GR	Si-N	BC547C, BC107C	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848A	U	1JR	Si-N	BC548A, BC108A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B	1K	1KR	Si-N	BC548B, BC108B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C	1L	1LR	Si-N	BC548C, BC108C	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B	2В	2BR	Si-N	BC549B, ВС108В	Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C	2С	2CR	Si-N	BC549C, BC109C	Min, Uni, ra, 30V, 0. 1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B	2F	2PR	Si-N	BC550B, BCY59	Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C	2G	2GR	Si-N	BC550C, BCY59	Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856A	ЗА	3AR	Si-P	BC556A	Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B	3В	3BR	Si-P	BC556B	Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857A	ЗЕ	3ER	Si-P	BC557A, BC177A	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B	3F	3FR	Si-P	BC557B, BC177B	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С	3G	3GR	Si-P	BC557C	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А	3J	3JR	Si-P	BC558A, BC178A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858В	ЗК	3KR	Si-P	BC558B, BC178B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С	3L	3LR	Si-P	BC558C	Min, Uni, 30V, 0. 1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А	4А	4AR	Si-P	BC559A, BC179A, BCY78	Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В	4В	4BR	Si-P	BC559B, BCY79	Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С	4С	4CR	Si-P	BC559C, BCY79	Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А	4Е	4ER	Si-P	BC560A, BCY79	45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В	4F	4FR	Si-P	BC560B, BCY79	Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С	4G	4GR	Si-P	BC560C, BCY79	Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29	С7	С77	Si-P	BC559A, BCY78, BC179	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30	С8	С9	Si-P	BC559B, BCY78	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF32	07	077	Si-N	BC549B, BCY58, BC109	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33	D8	D81	Si-N	BC549C, BCY58	Min, NF-V, га, 32V, 0. 1A, 300MHz,
BCF70	Н7	Н71	Si-P	BC560B, BCY79	Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81	К9	К91	Si-N	BC550C	Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71	К7	К71	Si-N	BC546A	NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72	К8	К81	Si-N	BC546B	NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29	С1	С4	Si-P	BC178A, BC558A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30	С2	С5	Si-P	BC178B, BC558B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31	D1	D4	Si-N	ВС108А,ВС548А	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW32	02	D5	Si-N	ВС108В, ВС548	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33	D3	06	Si-N	ВС108С, ВС548С	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60A	АА		Si-N	ВС548А	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60B	АВ		Si-N	ВС548В	Min, Uni, 32V, 0. 1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60C	АС		Si-N	ВС548В	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60D	AD		Si-N	ВС548С	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61A	ВА		Si-P	BC558A	Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61B	ВВ		Si-P	BC558B	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61C	ВС		Si-P	BC558B	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61D	BD		Si-P	BC558C	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69	Н1	Н4	Si-P	ВС557А	Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70	Н2	Н5	Si-P	ВС557В	Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71	К1	К4	Si-N	ВС547А	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72	К2	К5	Si-N	ВС 547В	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81	КЗ	К31	Si-N	ВС547С	Min, NF, 50V, 0. 1A, 300MHz, B>420
BCW89	НЗ	Н31	Si-P	ВС556А	Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17	Т1	Т4	Si-P	ВС327	Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18	Т2	Т5	Si-P	ВС328	Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19	U1	U4	Si-N	BC337	Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20	U2	U5	Si-N	ВС 33 8	Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70G	AG		Si-N	BC107A, BC547A	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70H	AH		Si-N	ВС 107В, BC547B	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70J	AJ		Si-N	ВС107В, BC547B	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70K	AK		Si-N	ВС107С, BC547C	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71G	BG		Si-P	ВС177А, BC557A	Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71H	BH		Si-P	ВС 177В, BC557B	Min, Uni, 45V, 0. 2A.180MHz, B= 220-475
BCX71J	BJ		Si-P	ВС 177В, BC557B	Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71K	BK		Si-P	ВС557С	Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510	S6		N-FET	BF410A	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511	S7		N-FET	BF410B	Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512	S8		N-FET	BF410C	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513	S9		N-FET	BF410D	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536	G3		SI-P	BF936	Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550	G2	G5	Si-P	BF450	Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569	G6		Si-P	BF970	Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579	G7		Si-P	BF979	Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660	G8	G81	Si-P	BF606A	Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767	G9		Si-P	BF967	Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820			S-N	BF420	Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF821	1W		Si-P	BF421	Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822	1Х		Si-N	BF422	Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF823	1Y		Si-P	BF423	Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824	F8		Si-P	BF324	Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840	F3		Si-N	BF240	Min, Uni, 15V, 0 1A, 0. 3W,>90MHz
BF841	F31		SI-N	BF241	Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30	М1		N-FET	BFW-11, BF245	Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31	М2		N-FET	BFW12, BF245	Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53	N1	N4	Si-N	BFW30, BFW93	Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92	Р1	Р4	Si-N	BFR90	Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92A	Р2	РЬ	Si-N	BFR90	Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93	R1	R4	Si-N	BFR91	Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93A	R2	R5	Si-N	BFR91	Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A)	Е1 (Е2)	Е4 (F5)	Si-N	BFY90, BFW92(A)	Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18	F1	F4	Si-N	BF185, BF495	Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19	F2	F5	Si-N	BF184, BF494	Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20	G1	G4	Si-N	BF199	Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25	V1	V4	Si-N	BFT24	Min, UHF-A, 8v, 2. 5mA, 2.3GHZ
BFT46	МЗ		NFT	BFW13, BF245	Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92	W1	W4	Si-P «	BFQ51, BFQ52	Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93	Х1	Х4	Si-P	BFQ23, BFQ24	Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61	А5		BYT	BRY56	70V
BRY62	А51		Tetrode	BRY56, BRY39	Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12	B5	В8	Si-P	2N2894A	Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13	U7	U71	Si-N	2N2222, Ph3222	Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14	U8	U81	Si-N	2N2222A, Ph3222A	Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15	T7	T71	Si-P	2N2907, Ph3907	Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16	T8	T81	Si-P	2N2907A, Ph3907A	Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17	U9	U91	Si-N	2N3903	Min, HF/S, 60V, 0. 2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17A	U92	U93	Si-N	2N3904	Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18	T9	T91	Si-P	2N3905	Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18A	T92	T93	Si-P	2N3906	Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19	U35		Si-N	2N5550	Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19A	U36		Si-N	2N5551	Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20	T35		Si-P	2N5400	Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20A	T36		Si-P	2N5401	Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56	M4		N-FET	2N4856	Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57	M5		N-FET	2N4857	Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58	M6		N-FET	2N4858	Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63	T3	T6	Si-P	BSS68	Min, Uni, 110V, 0. 1A, 85MHz
BSS64	U3	U6	Si-N	BSS38	Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52	B2	B3	Si-N	Ph3369, BSX20	Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-…	см.пр им.		Si-St	BZX79	Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391	M62		N-FET	—	Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392	M63		N-FET	—	Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393	M64		N-FET	—	Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

Маркировка SMD-транзисторов

ОТ КАТОДА ДО АНОДА

Маркировка SMD транзисторов — Расшифровка кодовых обозначений

Маркировка SMD транзисторов — SMD компоненты применяются практически во всей существующей на сегодняшний день электронике.

В переводе с английского слово SMD означает — «прибор, монтируемый на поверхность». То есть здесь подразумевается площадь печатной платы.

Обозначение на корпусе	Тип транзистора
«15» на корпусе SOT-23	MMBT3960(Datasheet «Motorola»)
«1A» на корпусе SOT-23	BC846A(Datasheet «Taitron»)
«1B» на корпусе SOT-23	BC846B(Datasheet «Taitron»)
«1C» на корпусе SOT-23	MMBTA20LT(Datasheet «Motorola»)
«1D» на корпусе SOT-23	BC846(Datasheet «NXP»)
«1E» на корпусе SOT-23	BC847A(Datasheet «Taitron»)
«1F» на корпусе SOT-23	BC847B(Datasheet «Taitron»)
«1G» на корпусе SOT-23	BC847C(Datasheet «Taitron»)
«1H» на корпусе SOT-23	BC847(Datasheet «NXP»)
«1N» на корпусе SOT-416	BC847T(Datasheet «NXP»)
«1J» на корпусе SOT-23	BC848A(Datasheet «Taitron»)
«1K» на корпусе SOT-23	BC848B(Datasheet «Taitron»)
«1L» на корпусе SOT-23	BC848C(Datasheet «Taitron»)
«1M» на корпусе SOT-416	BC846T(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-323	BC848W(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-23	MMBTA13(Datasheet «Motorola»)
«1N» на корпусе SOT-23	MMBTA414(Datasheet «Motorola»)
«1V» на корпусе SOT-23	MMBT6427(Datasheet «Motorola»)
«1P» на корпусе SOT-23	FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.
«1T» на корпусе SOT-23	MMBT3960A(Datasheet «Motorola»)
«1Y» на корпусе SOT-23	MMBT3903(Datasheet «Samsung»)
«2A» на корпусе SOT-23	FMMBT3906,KST3906,MMBT3906
«2B» на корпусе SOT-23	BC849B(Datasheet «G. S.»)
«2C» на корпусе SOT-23	BC849C(Datasheet «G.S.»)
«2E» на корпусе SOT-23	FMMTA93,KST93
«2F» на корпусе SOT-23	FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT
«2G» на корпусе SOT-23	FMMTA56,KST56
«2H» на корпусе SOT-23	MMBTA55(Datasheet «Taitron»)
«2J» на корпусе SOT-23	MMBT3640(Datasheet «Fairchild»)
«2K» на корпусе SOT-23	FMMT4402(Datasheet «Zetex»)
«2M» на корпусе SOT-23	MMBT404(Datasheet «Motorola»)
«2N» на корпусе SOT-23	MMBT404A(Datasheet «Motorola»)
«2T» на корпусе SOT-23	KST4403,MMBT4403
«2V» на корпусе SOT-23	MMBTA64(Datasheet «Motorola»)
«2U» на корпусе SOT-23	MMBTA63(Datasheet «Motorola»)
«2X» на корпусе SOT-23	MMBT4401,KST4401
«3A» на корпусе SOT-23	MMBTh34(Datasheet «Motorola»)
«3B» на корпусе SOT-23	MMBT918(Datasheet «Motorola»)
«3D» на корпусе SOT-23	MMBTH81(Datasheet «Motorola»)
«3E» на корпусе SOT-23	MMBTh20(Datasheet «Motorola»)
«3F» на корпусе SOT-23	MMBT6543(Datasheet «Motorola»)
«3J-» на корпусе SOT-143B	BCV62A(Datasheet «NXP»)
«3K-» на корпусе SOT-23	BC858B(Datasheet «NXP»)
«3L-» на корпусе SOT-143B	BCV62C(Datasheet «NXP»)
«3S» на корпусе SOT-23	MMBT5551(Datasheet «Fairchild»)
«4As» на корпусе SOT-23	BC859A(Datasheet «Siemens»)
«4Bs» на корпусе SOT-23	BC859B(Datasheet «Siemens»)
«4Cs» на корпусе SOT-23	BC859C(Datasheet «Siemens»)
«4J» на корпусе SOT-23	FMMT38A(Datasheet «Zetex S. »)
«449» на корпусе SOT-23	FMMT449(Datasheet «Diodes Inc.»)
«489» на корпусе SOT-23	FMMT489(Datasheet «Diodes Inc.»)
«491» на корпусе SOT-23	FMMT491(Datasheet «Diodes Inc.»)
«493» на корпусе SOT-23	FMMT493(Datasheet «Diodes Inc.»)
«5A» на корпусе SOT-23	BC807-16(Datasheet «General Sem.»)
«5B» на корпусе SOT-23	BC807-25(Datasheet «General Sem.»)
«5C» на корпусе SOT-23	BC807-40(Datasheet «General Sem.»)
«5E» на корпусе SOT-23	BC808-16(Datasheet «General Sem.»)
«5F» на корпусе SOT-23	BC808-25(Datasheet «General Sem.»)
«5G» на корпусе SOT-23	BC808-40(Datasheet «General Sem.»)
«5J» на корпусе SOT-23	FMMT38B(Datasheet «Zetex S.»)
«549» на корпусе SOT-23	FMMT549(Datasheet «Fairchild»)
«589» на корпусе SOT-23	FMMT589(Datasheet «Fairchild»)
«591» на корпусе SOT-23	FMMT591(Datasheet «Fairchild»)
«593» на корпусе SOT-23	FMMT593(Datasheet «Fairchild»)
«6A-«,»6Ap»,»6At» на корпусе SOT-23	BC817-16(Datasheet «NXP»)
«6B-«,»6Bp»,»6Bt» на корпусе SOT-23	BC817-25(Datasheet «NXP»)
«6C-«,»6Cp»,»6Ct» на корпусе SOT-23	BC817-40(Datasheet «NXP»)
«6E-«,»6Et»,»6Et» на корпусе SOT-23	BC818-16(Datasheet «NXP»)
«6F-«,»6Ft»,»6Ft» на корпусе SOT-23	BC818-25(Datasheet «NXP»)
«6G-«,»6Gt»,»6Gt» на корпусе SOT-23	BC818-40(Datasheet «NXP»)
«7J» на корпусе SOT-23	FMMT38C(Datasheet «Zetex S.»)
«9EA» на корпусе SOT-23	BC860A(Datasheet «Fairchild»)
«9EB» на корпусе SOT-23	BC860B(Datasheet «Fairchild»)
«9EC» на корпусе SOT-23	BC860C(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-523F	2N7002T(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-23	BCW60A(Datasheet «Diotec Sem. »)
«AB» на корпусе SOT-23	BCW60B(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AC» на корпусе SOT-23	BCW60C(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AD» на корпусе SOT-23	BCW60D(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AE» на корпусе SOT-89	BCX52(Datasheet «NXP»)
«AG» на корпусе SOT-23	BCX70G(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AH» на корпусе SOT-23	BCX70H(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AJ» на корпусе SOT-23	BCX70J(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AK» на корпусе SOT-23	BCX70K(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AL» на корпусе SOT-89	BCX53-16(Datasheet «Zetex»)
«AM» на корпусе SOT-89	BCX52-16(Datasheet «Zetex»)
«AS1» на корпусе SOT-89	BST50(Datasheet «Philips»)
«B2» на корпусе SOT-23	BSV52(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BA» на корпусе SOT-23	BCW61A(Datasheet «Fairchild»)
«BA» на корпусе SOT-23	2SA1015LT1(Datasheet «Tip»)
«BA» на корпусе SOT-23	2SA1015(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«BB» на корпусе SOT-23	BCW61B(Datasheet «Fairchild»)
«BC» на корпусе SOT-23	BCW61C(Datasheet «Fairchild»)
«BD» на корпусе SOT-23	BCW61D(Datasheet «Fairchild»)
«BE» на корпусе SOT-89	BCX55(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BG» на корпусе SOT-89	BCX55-10(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BH» на корпусе SOT-89	BCX56(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BJ» на корпусе SOT-23	BCX71J(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BK» на корпусе SOT-23	BCX71K(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BH» на корпусе SOT-23	BCX71H(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BG» на корпусе SOT-23	BCX71G(Datasheet «Diotec Sem. »)
«BR2» на корпусе SOT-89	BSR31(Datasheet «Zetex»)
«C1» на корпусе SOT-23	BCW29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C2» на корпусе SOT-23	BCW30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C5» на корпусе SOT-23	MMBA811C5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C6» на корпусе SOT-23	MMBA811C6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C7» на корпусе SOT-23	BCF29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C8» на корпусе SOT-23	BCF30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«CEs» на корпусе SOT-23	BSS79B(Datasheet «Siemens»)
«CEC» на корпусе SOT-89	BC869(Datasheet «Philips»)
«CFs» на корпусе SOT-23	BSS79C(Datasheet «Siemens»)
«CHs» на корпусе SOT-23	BSS80B(Datasheet «Infenion»)
«CJs» на корпусе SOT-23	BSS80C(Datasheet «Infenion»)
«CMs» на корпусе SOT-23	BSS82C(Datasheet «Infenion»)
«CLs» на корпусе SOT-23	BSS82B(Datasheet «Infenion»)
«D1» на корпусе SOT-23	BCW31(Datasheet «KEC»)
«D2» на корпусе SOT-23	BCW32(Datasheet «KEC»)
«D3» на корпусе SOT-23	BCW33(Datasheet «KEC»)
D6″ на корпусе SOT-23	MMBC1622D6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«D7t»,»D7p» на корпусе SOT-23	BCF32(Datasheet «NXP Sem.»)
«D7» на корпусе SOT-23	BCF32(Datasheet «Diotec Sem.»)
«D8» на корпусе SOT-23	BCF33(Datasheet «Diotec Sem.»)
«DA» на корпусе SOT-23	BCW67A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DB» на корпусе SOT-23	BCW67B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DC» на корпусе SOT-23	BCW67C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DF» на корпусе SOT-23	BCW67F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DG» на корпусе SOT-23	BCW67G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DH» на корпусе SOT-23	BCW67H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«E2p» на корпусе SOT-23	BFS17A(Datasheet «Philips»)
«EA» на корпусе SOT-23	BCW65A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EB» на корпусе SOT-23	BCW65B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EC» на корпусе SOT-23	BCW65C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EF» на корпусе SOT-23	BCW65F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EG» на корпусе SOT-23	BCW65G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EH» на корпусе SOT-23	BCW65H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«F1» на корпусе SOT-23	MMBC1009F1(Datasheet «Samsung Sem.»)
«F3» на корпусе SOT-23	MMBC1009F3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«FA» на корпусе SOT-89	BFQ17(Datasheet «Philips»)
«FDp»,»FDt»,»FDW» на корпусе SOT-23	BCV26(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FEp»,»FEt»,»FEW» на корпусе SOT-23	BCV46(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FFp»,»FFt»,»FFW» на корпусе SOT-23	BCV27(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FGp»,»FGt»,»FGW» на корпусе SOT-23	BCV47(Datasheet «Philips(NXP)»)
«GFs» на корпусе SOT-23	BFR92P(Datasheet «Infenion»)
«h2p»,»h2t»,»h2W» на корпусе SOT-23	BCV69(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h3p»,»h3t»,»h3W» на корпусе SOT-23	BCV70(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h4p»,»h4t» на корпусе SOT-23	BCV89(Datasheet «Philips(NXP)»)
«H7p» на корпусе SOT-23	BCF70
«K1» на корпусе SOT-23	BCW71(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K2» на корпусе SOT-23	BCW72(Datasheet «Samsung Sem. »)
«K3p» на корпусе SOT-23	BCW81(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K1p»,»K1t» на корпусе SOT-23	BCW71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K2p»,»K2t» на корпусе SOT-23	BCW72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K7p»,»K7t» на корпусе SOT-23	BCV71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K8p»,»K8t» на корпусе SOT-23	BCV72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K9p» на корпусе SOT-23	BCF81(Datasheet » Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd»)
«L1» на корпусе SOT-23	BSS65
«L2» на корпусе SOT-23	BSS69(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L3» на корпусе SOT-23	BSS70(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L4» на корпусе SOT-23	2SC1623L4(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«L5» на корпусе SOT-23	BSS65R
«L6» на корпусе SOT-23	BSS69R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L7» на корпусе SOT-23	BSS70R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«M3» на корпусе SOT-23	MMBA812M3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M4» на корпусе SOT-23	MMBA812M4(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M5» на корпусе SOT-23	MMBA812M5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6» на корпусе SOT-23	MMBA812M6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6P» на корпусе SOT-23	BSR58(Datasheet «Philips(NXP)»)
«M7» на корпусе SOT-23	MMBA812M7(Datasheet «Samsung Sem.»)
«P1» на корпусе SOT-23	BFR92(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P2» на корпусе SOT-23	BFR92A(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P4» на корпусе SOT-23	BFR92R(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P5» на корпусе SOT-23	FMMT2369A(Datasheet «Zetex Sem.»)
«Q2» на корпусе SOT-23	MMBC1321Q2(Datasheet «Motorola Sc. »)
«Q3» на корпусе SOT-23	MMBC1321Q3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q4» на корпусе SOT-23	MMBC1321Q4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q5» на корпусе SOT-23	MMBC1321Q5(Datasheet «Motorola Sc.»)
«R1p» на корпусе SOT-23	BFR93(Datasheet «Philips(NXP)»)
«R2p» на корпусе SOT-23	BFR93A(Datasheet «Philips(NXP)»)
«s1A» на корпусах SOT-23,SOT-363,SC-74	SMBT3904(Datasheet «Infineon»)
«s1D» на корпусе SOT-23	SMBTA42(Datasheet «Infineon»)
«S2» на корпусе SOT-23	MMBA813S2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«s2A» на корпусе SOT-23	SMBT3906(Datasheet «Infineon»)
«s2D» на корпусе SOT-23	SMBTA92(Datasheet «Siemens Sem.»)
«s2F» на корпусе SOT-23	SMBT2907A(Datasheet «Infineon»)
«S3» на корпусе SOT-23	MMBA813S3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«S4» на корпусе SOT-23	MMBA813S4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«T1″на корпусе SOT-23	BCX17(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T2″на корпусе SOT-23	BCX18(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T7″на корпусе SOT-23	BSR15(Datasheet «Diotec Sem.»)
«T8″на корпусе SOT-23	BSR16(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U1p»,»U1t»,»U1W»на корпусе SOT-23	BCX19(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U2″на корпусе SOT-23	BCX20(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U7p»,»U7t»,»U7W»на корпусе SOT-23	BSR13(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U8p»,»U8t»,»U8W»на корпусе SOT-23	BSR14(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U92» на корпусе SOT-23	BSR17A(Datasheet «Philips»)
«Z2V» на корпусе SOT-23	FMMTA64(Datasheet «Zetex Sem.»)
«ZD» на корпусе SOT-23	MMBT4125(Datasheet «Samsung Sem. »)

Урок 6 — SMD компоненты

SMD компоненты

Мы уже познакомились с основными радиодеталями: резисторами, конденсаторами, диодами, транзисторами, микросхемами и т.п., а также изучили, как они монтируются на печатную плату. Ещё раз вспомним основные этапы этого процесса: выводы всех компонентов пропускают в отверстия, имеющиеся в печатной плате. После чего выводы обрезаются, и затем с обратной стороны платы производится пайка (см. рис.1).
Этот уже известный нам процесс называется DIP-монтаж. Такой монтаж очень удобен для начинающих радиолюбителей: компоненты крупные, паять их можно даже большим «советским» паяльником без помощи лупы или микроскопа. Именно поэтому все наборы Мастер Кит для самостоятельной пайки подразумевают DIP-монтаж.

Рис. 1. DIP-монтаж

Но DIP-монтаж имеет очень существенные недостатки:

— крупные радиодетали не подходят для создания современных миниатюрных электронных устройств;
— выводные радиодетали дороже в производстве;
— печатная плата для DIP-монтажа также обходится дороже из-за необходимости сверления множества отверстий;
— DIP-монтаж сложно автоматизировать: в большинстве случаях даже на крупных заводах по производству электронику установку и пайку DIP-деталей приходится выполнять вручную. Это очень дорого и долго.

Поэтому DIP-монтаж при производстве современной электроники практически не используется, и на смену ему пришёл так называемый SMD-процесс, являющийся стандартом сегодняшнего дня. Поэтому любой радиолюбитель должен иметь о нём хотя бы общее представление.

SMD монтаж

SMD компоненты (чип-компоненты) — это компоненты электронной схемы, нанесённые на печатную плату с использованием технологии монтирования на поверхность — SMT технологии (англ. surface mount technology).Т.е все электронные элементы, которые «закреплены» на плате таким способом, носят название SMD компонентов (англ. surface mounted device). Процесс монтажа и пайки чип-компонентов правильно называть SMT-процессом. Говорить «SMD-монтаж» не совсем корректно, но в России прижился именно такой вариант названия техпроцесса, поэтому и мы будем говорить так же.

На рис. 2. показан участок платы SMD-монтажа. Такая же плата, выполненная на DIP-элементах, будет иметь в несколько раз большие габариты.

Рис.2. SMD-монтаж

SMD монтаж имеет неоспоримые преимущества:

— радиодетали дешёвы в производстве и могут быть сколь угодно миниатюрны;
— печатные платы также обходятся дешевле из-за отсутствия множественной сверловки;
— монтаж легко автоматизировать: установку и пайку компонентов производят специальные роботы. Также отсутствует такая технологическая операция, как обрезка выводов.

SMD-резисторы

Знакомство с чип-компонентами логичнее всего начать с резисторов, как с самых простых и массовых радиодеталей.
SMD-резистор по своим физическим свойствам аналогичен уже изученному нами «обычному», выводному варианту. Все его физические параметры (сопротивление, точность, мощность) точно такие же, только корпус другой. Это же правило относится и ко всем другим SMD-компонентам.

Рис. 3. ЧИП-резисторы

Типоразмеры SMD-резисторов

Мы уже знаем, что выводные резисторы имеют определённую сетку стандартных типоразмеров, зависящих от их мощности: 0,125W, 0,25W, 0,5W, 1W и т.п.
Стандартная сетка типоразмеров имеется и у чип-резисторов, только в этом случае типоразмер обозначается кодом из четырёх цифр: 0402, 0603, 0805, 1206 и т.п.
Основные типоразмеры резисторов и их технические характеристики приведены на рис.4.

Рис. 4 Основные типоразмеры и параметры чип-резисторов

Маркировка SMD-резисторов

Резисторы маркируются кодом на корпусе.
Если в коде три или четыре цифры, то последняя цифра означает количество нулей, На рис. 5. резистор с кодом «223» имеет такое сопротивление: 22 (и три нуля справа) Ом = 22000 Ом = 22 кОм. Резистор с кодом «8202» имеет сопротивление: 820 (и два нуля справа) Ом = 82000 Ом = 82 кОм.
В некоторых случаях маркировка цифробуквенная. Например, резистор с кодом 4R7 имеет сопротивление 4.7 Ом, а резистор с кодом 0R22 – 0.22 Ом (здесь буква R является знаком-разделителем).
Встречаются и резисторы нулевого сопротивления, или резисторы-перемычки. Часто они используются как предохранители.
Конечно, можно не запоминать систему кодового обозначения, а просто измерить сопротивление резистора мультиметром.

Рис. 5 Маркировка чип-резисторов

Керамические SMD-конденсаторы

Внешне SMD-конденсаторы очень похожи на резисторы (см. рис.6.). Есть только одна проблема: код ёмкости на них не нанесён, поэтому единственный способ ёё определения – измерение с помощью мультиметра, имеющего режим измерения ёмкости.
SMD-конденсаторы также выпускаются в стандартных типоразмерах, как правило, аналогичных типоразмерам резисторов (см. выше).

Рис. 6. Керамические SMD-конденсаторы

 
Электролитические SMS-конденсаторы

Рис.7. Электролитические SMS-конденсаторы

Эти конденсаторы похожи на своих выводных собратьев, и маркировка на них обычно явная: ёмкость и рабочее напряжение. Полоской на «шляпке» конденсатора маркируется его минусовой вывод.

SMD-транзисторы

Рис.8. SMD-транзистор

Транзисторы мелкие, поэтому написать на них их полное наименование не получается. Ограничиваются кодовой маркировкой, причём какого-то международного стандарта обозначений нет. Например, код 1E может обозначать тип транзистора BC847A, а может – какого-нибудь другого. Но это обстоятельство абсолютно не беспокоит ни производителей, ни рядовых потребителей электроники. Сложности могут возникнуть только при ремонте. Определить тип транзистора, установленного на печатную плату, без документации производителя на эту плату иногда бывает очень сложно.

SMD-диоды и SMD-светодиоды

Фотографии некоторых диодов приведены на рисунке ниже:

Рис. 9. SMD-диоды и SMD-светодиоды

На корпусе диода обязательно указывается полярность в виде полосы ближе к одному из краев. Обычно полосой маркируется вывод катода.

SMD-cветодиод тоже имеет полярность, которая обозначается либо точкой вблизи одного из выводов, либо ещё каким-то образом (подробно об этом можно узнать в документации производителя компонента).

Определить тип SMD-диода или светодиода, как и в случае с транзистором, сложно: на корпусе диода выштамповывается малоинформативный код, а на корпусе светодиода чаще всего вообще нет никаких меток, кроме метки полярности. Разработчики и производители современной электроники мало заботятся о её ремонтопригодности. Подразумевается, что ремонтировать печатную плату будет сервисный инженер, имеющий полную документацию на конкретное изделие. В такой документации чётко описано, на каком месте печатной платы установлен тот или иной компонент.

Установка и пайка SMD-компонентов

SMD-монтаж оптимизирован в первую очередь для автоматической сборки специальными промышленными роботами. Но любительские радиолюбительские конструкции также вполне могут выполняться на чип-компонентах: при достаточной аккуратности и внимательности паять детали размером с рисовое зёрнышко можно самым обычным паяльником, нужно знать только некоторые тонкости.

Но это тема для отдельного большого урока, поэтому подробнее об автоматическом и ручном SMD-монтаже будет рассказано отдельно.

Скачать урок в формате PDF

Радиосхемы. — Маркировка SMD транзисторов

Справочные материалы радиолюбителя

 материалы в категории

Справочная таблица по SMD транзисторам

Если вдруг в таблице не оказалось нужных Вам данных, то у нас на сайте есть программа по SMD элементам, скачать которую можно совершенно бесплатно на этой странице.
Вообще у нас все программы бесплатные, без регистраций, без файлообменников и без СМС!
Вы также можете задать любой интересующий вопрос и на нашем ФОРУМЕ!

Маркировка SMD транзисторов

Подробности

Категория: Справочные данные

Опубликовано 05.06.2015 14:43

Автор: Admin

Просмотров: 36905

Для обозначения SMD транзисторов используется специальная сокращенная кодировка. Тип транзистор соответствующий определенному обозначению на SMD корпусе приведет в таблице ниже.

Маркировка биполярный SMD транзисторов

Маркировка полевых SMD транзисторов

МОП — транзисторы

• < Назад
• Вперёд >

Добавить комментарий

Маркировка электронных компонентов, коды SMD 1E, 1E **, 1E-, 1E5, 1E = ***, 1EW, 1Ep, 1Es, 1Et. Даташиты BC847A, BC847AT, BC847AW, IRLML6402, KST43, RT9198-15GBG, ZXTN19100CFFTA.

База кодов маркировки SMD компонентов

1E

2SA1737

Panasonic
SC-62

Транзистор PNP
Vid & comma; 85В и запятая; 100 мА и запятая; 1 Вт и запятая; 50 МГц и запятая; В> 60

1E

BC847A

Philips
SOT-23

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 110 & период; & период; 220 & запятая; > 100 МГц

1E

BC847AF

Philips
SOT-490

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 110 & период; & период; 220 & запятая; 250 МГц

1E

BC847AT

Philips
SOT-416

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 150 мВт и запятая; B & равно; 110 & период; & период; 220 & запятая; > 100 МГц

1E

BC847AW

Philips
SOT-323

NPN транзистор
GP & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 110 & период; & период; 220 & запятая; > 100 МГц

1e

BD46E472G-M

Rohm
SSOP-5

Детектор напряжения IC
4 & период; 7В ± 1 & запятая; -MR & запятая; -Сбросить PPO и запятую; Td & равно; 200 мс

1E

BU4345F

Rohm
SOP-4

Детектор напряжения IC
4 & период; 5V ± 1 & percnt; & comma; -Сбросить PPO

1E

BU4345FWE

Rohm
VSOF-5

Детектор напряжения IC
4 & период; 5В ± 1 & запятая; -Сбросить PPO

1E

BU4345G

Rohm
SSOP-5

Детектор напряжения IC
4 & период; 5V ± 1 & percnt; & comma; -Сбросить PPO

1E

BZD27B10P

Vishay Semiconductor
DO-219AB

Стабилитрон
10 В ± 2 & запятая; Zzt & равно 2 & запятая; Izt & равно; 50mA & запятая; 800 мВт

1E

BZT52C62S

Diodesemi Technology
SOD-323

Стабилитрон
62V ± 5 & percnt; & comma; Izt & равно 2 & период; 5mA & запятая; Zzt & равно 150 & запятая; 200 мВт

1E

BZX384C62

TAITRON Components
SOD-323

стабилитрон
58 & period; 0 & period; & period; 66 & period; 0V & comma; Izt & равно; 2 & period; 0mA & comma; 200 мВт

1E

CM9NB847A

Canaan Microelectronics
SOT-23

Транзистор NPN
AF & comma; Sw & запятая; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 110 & период; & период; 220 & запятая; 100 МГц

1E

CM9NB847AW

Canaan Microelectronics
SOT-323

Транзистор NPN
AF & comma; Sw & запятая; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 150 мВт и запятая; B & равно; 110 & период; & период; 220 & запятая; 100 МГц

1E

FDZ62T

Первый Silion
SOD-323

Стабилитрон
58 & period; & period; 66V & comma; Izt & равно; 2mA & запятая; Zzt & равно 215 & запятая; 200 мВт

1E

FMMTA43

Zetex
SOT-23

Транзистор NPN
Vid & comma; 200В и запятая; 200 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 50 & период; & период; 200 & запятая; > 50 МГц

1E

FUS1B

Fagor Electronica
DO-214AC

Диод
U-быстрое восстановление и период; исправить & запятая; 100 В и запятая; 1 & точка; 5A & запятая; Vf <1V & lpar; 1A & rpar; & comma; 50нс

1E

GSMM5Z62V

Good-Ark Electronics
SOD-523

Стабилитрон
58 & period; & period; 66V & comma; Izt & равно; 1mA & запятая; Zzt & равно 215 & запятая; 200 мВт

1E

IXD5127N23BNR

IXYS
SSOT-24

Детектор напряжения IC
2 & период; 3V ± 0 & период; 8 & percnt; & comma; -Сбросить ODO и запятую; -MR & запятая; Задержка Rt 100 мс

1E

KST43

Samsung Electronics
SOT-23

Транзистор NPN
Vid & comma; 200В и запятая; 500 мА и запятая; 350 мВт и запятая; B> 40 & запятая; > 50 МГц

1E

LM3Z62VT1G

Leshan Radio Company
SOD-323

Стабилитрон
58 & period; & period; 66V & comma; Izt & равно; 2mA & запятая; 200 мВт

1E

LM5Z62VT1G

Leshan Radio Company
SOD-523

Стабилитрон
58 & период; & период; 66В & запятая; Izt & равно; 1mA & запятая; 200 мВт

1E

MM3Z3V0

Luguang Electronic Technology
SOD-323FL

Стабилитрон
2 & период; 8 & период; & период; 3 & период; 2В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 120 & запятая; 300 мВт

1E

MM3Z62V

Secos
SOD-323

Стабилитрон
58 & period; & period; 66V & comma; Izt & равно; 2mA & запятая; Zzt & равно 215 & запятая; 200 мВт

1E

MM5Z62V

Weitron Technology
SOD-523

Стабилитрон
62V ± 5 & percnt; & comma; Izt & равно; 2mA & запятая; Zzt & равно 215 & запятая; 200 мВт

1E

MMBTA43

ITT Intermetall
SOT-23

Транзистор NPN
Vid & comma; 200В и запятая; 500 мА и запятая; 300 мВт и запятая; B> 40 & запятая; > 50 МГц

1E

MMPZ5265BPT

Chenmko Enterprise
SOD-323

стабилитрон
58 & период; 90 & период; & период; 65 & период; 10В & запятая; Izt & равно; 2mA & запятая; Zzt & равно; 185 & запятая; 225 мВт

1E

R1161D121B5

Ricoh
SON-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 25V ± 2 & percnt; & запятая; 350 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; AE & lpar; mode & rpar;

1E

R3111N411A

Ricoh
SOT-23-5

Детектор напряжения IC
4 & период; 1V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO

1E

R3117K111A

Ricoh
DFN1010-4

Детектор напряжения IC
1 & период; 1 В ± 15 мВ и запятая; -Сбросить ODO и запятую; Смысл

1E

R3131N29EC3

Ricoh
SOT-23

Детектор напряжения IC
2 & период; 9В ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; & плюс; Сбросить ODO & запятую; 240 мс

1E

R3132Q24EA

Ricoh
SOT-143

IC детектора напряжения
2 & период; 4V ± 1 & период; 5 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; -MR

1E

R5105N191A

Ricoh
SOT-23-6

Детектор напряжения IC
1 & период; 9 В ± 1 & запятая; -Сбросить ODO

1E

R5326N005A

Ricoh
SOT-23-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 1 & период; 8V & sol; 2 & period; 5V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & плюс; CE

1E

RH5RL51AA

Ricoh
SOT-89

Линейный регулятор напряжения IC
5 & период; 1В ± 2 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА

1E

RN5RL51AA

Ricoh
SOT-23-5

Линейный стабилизатор напряжения IC
5 & период; 1В ± 2 & период; 5 & процент; & запятая; 150 мА

1E

RN5VD41CA

Ricoh
SOT-23-5

IC детектора напряжения
4 & период; 1В ± 2 & период; 5 & percnt; & comma; -Сбросить ODO

1E

RP100K181B5

Ricoh
PLP1612-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; LN & запятая; 1 & period; 85V ± 0 & period; 8 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E

RP112K151B

Ricoh
DFN1010-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 5V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & плюс; CE

1E

RP124L273B

Ricoh
DFN1212-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 7V ± 0 & период; 8 & процент; & запятая; 100 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; BM & равно; Vin & sol; 3

1E

RP173K151A

Ricoh
DFN1010-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 5V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; -CE

1E

RQ5RW16BA

Ricoh
SC-82AB

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 6V ± 2 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая;

1E

SMBTA43

Infineon Technologies
SOT-23

Транзистор NPN
Vid & comma; 200 & sol; 200V & запятая; 200 мА и запятая; 350 мВт и запятая; B> 25 & запятая; > 50 МГц

1E

STZ8030

JinYu semiconductor
SOD-323

Стабилитрон
2 & период; 8 & период; & период; 3 & период; 2В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 110 & запятая; 300 мВт

1E

SXTA43

Siemens
SOT-89

NPN транзистор
Vid & comma; 200В и запятая; 500 мА и запятая; 1 Вт и запятая; B> 40 & запятая; > 50 МГц

1E

TMPTA43

Allegro MicroSystems
SOT-23

Транзистор NPN
Vid & comma; 200 & sol; 200V & запятая; 200 мА и запятая; 350 мВт и запятая; B> 25 & запятая; > 50 МГц

1E

XC6127N23BNR

Torex Semiconductor
SSOT-24

Детектор напряжения IC
2 & период; 3V ± 0 & период; 8 & percnt; & comma; -Сбросить ODO и запятую; -MR & запятая; Задержка Rt 100 мс

1E

XC6129C23BNR-G

Torex Semiconductor
SSOT-24

Детектор напряжения IC
2 & период; 3V ± 0 & период; 8 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; Отн & период; Задержка и запятая; Undef & период; Защитить

1E

XC6129N23BNR-G

Torex Semiconductor
SSOT-24

Детектор напряжения IC
2 & период; 3V ± 0 & период; 8 & percnt; & comma; -Сбросить ODO и запятую; Отн & период; Задержка и запятая; Undef & период; Защитить

1E

XC6213B14ANR

Torex Semiconductor
SSOT-24

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 45V ± 2 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & плюс; CE

1E

XC6217C1527R-G

Torex Semiconductor
USPN-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 5V ± 2 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E

XC6217C152NR

Torex Semiconductor
SSOT-24

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 5V ± 2 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E

XC6223B2419R-G

Torex Semiconductor
USPQ-4B03

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 4V ± 1 & percnt; & запятая; 300 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL

1E

XC6224A22B7R

Torex Semiconductor
USPN-4B02

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 25V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE

1E

XC6229D33B1R-G

Torex Semiconductor
BGA-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 35V ± 1 & процент; & запятая; 300 мА и запятая; & плюс; CE

1E

ZD62V0

Cystech Electronics
SOD-323

Стабилитрон
58 & period; & period; 66V & comma; 2 мА и запятая; Zzt & равно 215 & запятая; 200 мВт

1E0

IXD1415AAE07R-G

IXYS
USPN-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 10 & sol; 2 & period; 50V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

IXD1415AAE0ER-G

IXYS
USP-6C

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 10 & sol; 2 & period; 50V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

IXD1415AAE0MR

IXYS
SOT-26

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 10 & sol; 2 & period; 50V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

IXD1503D12AGR-G

IXYS
USP-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 25 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

IXD1503D12AMR-G

IXYS
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 25 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

IXD1503D12APR-G

IXYS
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 25 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

TC55RP142ECB

Microchip Technology
SOT-23

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 4V ± 2 & percnt; & запятая; 250 мА

1E0

TC55RP142EMB

Microchip Technology
SOT-89

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 4V ± 2 & percnt; & запятая; 250 мА

1E0

XC6102C531MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
3 & период; 1V ± 2 & percnt; & comma; Hst & запятая; -MR & запятая; -Сбросить ODO и запятую; Wt & равно; 400 мс & запятая; Rt & равно; 50 мс

1E0

XC6217A312MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 1V ± 2 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Выключение

1E0

XC6372A400P

Torex Semiconductor
SOT-89

DC и sol; преобразователь напряжения постоянного тока IC
PWM & sol; PFM step-up & comma; 50 кГц и запятая; 4 & период; 0V ± 2 & период; 5 & процент; & запятая; 100 мА

1E0

XC6372C400P

Torex Semiconductor
SOT-89-5

DC & sol; преобразователь напряжения постоянного тока IC
PWM & sol; повышающий PFM и запятая; 50 кГц и запятая; 4 & период; 0V ± 2 & период; 5 & процент; & запятая; 100 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

XC6415AAE07R-G

Torex Semiconductor
USPN-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 10 & sol; 2 & period; 50V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

XC6415AAE0ER-G

Torex Semiconductor
USP-6C

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 10 & sol; 2 & period; 50V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

XC6415AAE0MR

Torex Semiconductor
SOT-26

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 10 & sol; 2 & period; 50V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

XC6503D12AGR-G

Torex Semiconductor
USP-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 25 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

XC6503D12AMR-G

Torex Semiconductor
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 25 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

XC6503D12APR-G

Torex Semiconductor
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 25 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E0

XCL101C401BR-G

Torex Semiconductor
CL-2025

DC & sol; DC преобразователь напряжения IC
Повышающий ЧИМ и запятая; 1 & период; 2 МГц & запятая; 4 & период; 0V ± 2 & percnt; & запятая; 100 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Vbat байпас

1E1

IXD1415AAE17R-G

IXYS
USPN-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 2 & period; 50 & sol; 3 & period; 10V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

IXD1415AAE1ER-G

IXYS
USP-6C

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 2 & period; 50 & sol; 3 & period; 10V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

IXD1415AAE1MR

IXYS
SOT-26

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 2 & period; 50 & sol; 3 & period; 10V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

IXD1503D13AGR-G

IXYS
USP-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 35 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

IXD1503D13AMR-G

IXYS
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 35 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

IXD1503D13APR-G

IXYS
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 35 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

MBRM110E

ON Semiconductor
DO-216AA

Диод
SBR & запятая; 10В и запятая; 1А и запятая; Vf & равно; 0 & period; 45V & lpar; 1A & rpar;

1E1

S-1312B33-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 3V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL

1E1

S-1312B33-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 3V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL

1E1

XC6102C532MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; Hst & запятая; -MR & запятая; -Сбросить ODO и запятую; Wt & равно; 400 мс & запятая; Rt & равно; 50 мс

1E1

XC6217A322MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 2V ± 2 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Выключение

1E1

XC6372A410P

Torex Semiconductor
SOT-89

DC & sol; DC преобразователь напряжения IC
PWM & sol; Повышающий PFM & запятая; 50 кГц и запятая; 4 & период; 1V ± 2 & период; 5 & процент; & запятая; 100 мА

1E1

XC6372C410P

Torex Semiconductor
SOT-89-5

DC & sol; DC преобразователь напряжения IC
PWM & sol; повышающий PFM и запятая; 50 кГц и запятая; 4 & период; 1V ± 2 & период; 5 & процент; & запятая; 100 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

XC6415AAE17R-G

Torex Semiconductor
USPN-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 2 & period; 50 & sol; 3 & period; 10V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

XC6415AAE1ER-G

Torex Semiconductor
USP-6C

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 2 & period; 50 & sol; 3 & period; 10V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

XC6415AAE1MR

Torex Semiconductor
SOT-26

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 2 & period; 50 & sol; 3 & period; 10V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

XC6503D13AGR-G

Torex Semiconductor
USP-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 35 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

XC6503D13AMR-G

Torex Semiconductor
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 35 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

XC6503D13APR-G

Torex Semiconductor
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 35 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E1

XCL101C411BR-G

Torex Semiconductor
CL-2025

DC & sol; DC преобразователь напряжения IC
Повышающий ЧИМ и запятая; 1 & период; 2 МГц & запятая; 4 & период; 1V ± 2 & percnt; & запятая; 100 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Vbat байпас

1E2

IXD1415AAE27R-G

IXYS
USPN-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 40 & sol; 3 & period; 40V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

IXD1415AAE2ER-G

IXYS
USP-6C

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 40 & sol; 3 & period; 40V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

IXD1415AAE2MR

IXYS
SOT-26

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 4V & sol; 3 & period; 4V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

IXD1503D14AGR-G

IXYS
USP-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 45 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

IXD1503D14AMR-G

IXYS
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 45 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

IXD1503D14APR-G

IXYS
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 45 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

S-1312B34-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 4V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL

1E2

S-1312B34-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 4V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL

1E2

XC6102C533MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
3 & период; 3V ± 2 & percnt; & comma; Hst & запятая; -MR & запятая; -Сбросить ODO и запятую; Wt & равно; 400 мс & запятая; Rt & равно; 50 мс

1E2

XC6217A332MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 3V ± 2 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Выключение

1E2

XC6372A420P

Torex Semiconductor
SOT-89

DC & sol; DC преобразователь напряжения IC
PWM & sol; повышающий PFM и запятая; 50 кГц и запятая; 4 & период; 2V ± 2 & период; 5 & процент; & запятая; 100 мА

1E2

XC6372C420P

Torex Semiconductor
SOT-89-5

DC & sol; DC преобразователь напряжения IC
PWM & sol; PFM step-up & comma; 50 кГц и запятая; 4 & период; 2V ± 2 & период; 5 & процент; & запятая; 100 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

XC6415AAE27R-G

Torex Semiconductor
USPN-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 40 & sol; 3 & period; 40V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

XC6415AAE2ER-G

Torex Semiconductor
USP-6C

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 40 & sol; 3 & period; 40V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

XC6415AAE2MR

Torex Semiconductor
SOT-26

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 3 & period; 4V & sol; 3 & period; 4V ± 1 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

XC6503D14AGR-G

Torex Semiconductor
USP-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 45 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

XC6503D14AMR-G

Torex Semiconductor
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 45 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

XC6503D14APR-G

Torex Semiconductor
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 45 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E2

XCL101C421BR-G

Torex Semiconductor
CL-2025

DC & sol; Преобразователь постоянного напряжения IC
Повышающий ЧИМ и запятая; 1 & период; 2 МГц & запятая; 4 & период; 2V ± 2 & percnt; & запятая; 100 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Vbat байпас

1E3

IXD1503D15AGR-G

IXYS
USP-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 55 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E3

IXD1503D15AMR-G

IXYS
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 55 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E3

IXD1503D15APR-G

IXYS
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 55 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E3

S-1312B35-A4T1U3

Seiko Instruments
HSNT-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 5V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL

1E3

S-1312B35-M5T1U3

Seiko Instruments
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 5V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL

1E3

XC6102C534MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Детектор напряжения IC
3 & период; 4V ± 2 & percnt; & comma; Hst & запятая; -MR & запятая; -Сбросить ODO и запятую; Wt & равно; 400 мс & запятая; Rt & равно; 50 мс

1E3

XC6217A342MR

Torex Semiconductor
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 3 & период; 4V ± 2 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Выключение

1E3

XC6372A430P

Torex Semiconductor
SOT-89

DC & sol; DC преобразователь напряжения IC
PWM & sol; PFM step-up & comma; 50 кГц и запятая; 4 & период; 3V ± 2 & период; 5 & процент; & запятая; 100 мА

1E3

XC6372C430P

Torex Semiconductor
SOT-89-5

DC & sol; DC преобразователь напряжения IC
PWM & sol; повышающий PFM и запятая; 50 кГц и запятая; 4 & период; 3V ± 2 & период; 5 & процент; & запятая; 100 мА и запятая; & плюс; CE

1E3

XC6503D15AGR-G

Torex Semiconductor
USP-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 55 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E3

XC6503D15AMR-G

Torex Semiconductor
SOT-25

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 55 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E3

XC6503D15APR-G

Torex Semiconductor
SOT-89-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 55 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E3

XCL101C431BR-G

Torex Semiconductor
CL-2025

DC & sol; DC преобразователь напряжения IC
Повышающий ЧИМ и запятая; 1 & период; 2 МГц & запятая; 4 & период; 3V ± 2 & percnt; & запятая; 100 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Vbat байпас

1E4

IXD1503D16AGR-G

IXYS
USP-4

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 65 В ± 20 мВ & запятая; 500 мА и запятая; & плюс; CE

1E4