Транзистор d965 характеристики: Аналоги для d965 — Аналоги

Электроника

В этом разделе размещены материалы так или иначе связанные с темой электроники. Справочные материалы, принципиальные схемы и т.п.

  • BUP314
    Особенности IGBT транзистора BUP314: малое прямое падение напряжения, высокая скорость переключения, низкий остаточный ток, отсутствие эффекта защелкивания, нормированный лавинные параметры, напряжение VCE=1200 V, ток IC=52 A, корпус TO-218 AB.[ читать дальше…]


  • Интерфейс RS-232
    RS-232 интерфейс служит для последовательной двунаправленной передачи данных, поддерживает асинхронную связь. Разработанный еще в 1969 году этот стандарт соединения является достаточно популярным и в настоящее время. Фирма Analog Device выпускает различные модификации RS-232 интерфейса.[ читать дальше…]


  • Твердотельные реле SHARP
    Таблица характеристик твердотельных реле SHARP: Максимальный ток, А, максимальное напряжение на выходе, В, напряжение на выходе, В,Ток срабатывания., мА, Напряжение изоляции, тип корпуса и блок-схема.[ читать дальше…]


  • IGBT или MOSFET?
    Нет в силовой электронике двух других элементов, развивающихся столь быстро и имеющих так много схожих черт, как транзисторы IGBT и MOSFET. Естественно, при определенных условиях работы выбор должен быть однозначен.[ читать дальше…]


  • Mean Well SP-500
    Особенности: низкая стоимость при высокой надежности, 105°C выходные конденсаторы, широкий диапазон входного напряжения, высокий КПД при низкой рабочей температуре, мягкий запуск с ограничение тока перегрузки…[ читать дальше…]


  • Mean Well SP-320
    Особенности: низкая стоимость при высокой надежности, 105°C выходные конденсаторы, широкий диапазон входного напряжения, высокий КПД при низкой рабочей температуре, мягкий запуск с ограничение тока перегрузки…[ читать дальше…]


  • BU931/BU931P
    Особенности: в основе мощный NPN DARLINGTON транзистор, предназначен для применения в электронных системах зажигания, выпускаетя в корпусах TO-218 и TO-3, высокая температура перехода.[ читать дальше…]


  • Mean Well SP-300
    Особенности: низкая стоимость при высокой надежности, 105°C выходные конденсаторы, широкий диапазон входного напряжения, высокий КПД при низкой рабочей температуре, мягкий запуск с ограничение тока перегрузки…[ читать дальше…]


  • Mean Well SP-200
    Особенности: низкая стоимость при высокой надежности, 105°C выходные конденсаторы, широкий диапазон входного напряжения, высокий КПД при низкой рабочей температуре, мягкий запуск с ограничение тока перегрузки…[ читать дальше…]


  • Mean Well SP-150
    Особенности: низкая стоимость при высокой надежности, 105°C выходные конденсаторы, широкий диапазон входного напряжения, высокий КПД при низкой рабочей температуре, мягкий запуск с ограничение тока перегрузки…[ читать дальше…]


Источник высокого качества Транзистор D965 производителя и Транзистор D965 на Alibaba.com

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. транзистор d965 на выбор в соответствии с вашими потребностями. транзистор d965 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзистор d965, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

транзистор d965 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзистор d965 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзистор d965 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзистор d965 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзистор d965 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзистор d965 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. транзистор d965 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Процессор Intel® Pentium® Extreme Edition 965

Дата выпуска

Дата выпуска продукта.

Литография

Литография указывает на полупроводниковую технологию, используемую для производства интегрированных наборов микросхем и отчет показывается в нанометре (нм), что указывает на размер функций, встроенных в полупроводник.

Количество ядер

Количество ядер — это термин аппаратного обеспечения, описывающий число независимых центральных модулей обработки в одном вычислительном компоненте (кристалл).

Количество потоков

Поток или поток выполнения — это термин программного обеспечения, обозначающий базовую упорядоченную последовательность инструкций, которые могут быть переданы или обработаны одним ядром ЦП.

Базовая тактовая частота процессора

Базовая частота процессора — это скорость открытия/закрытия транзисторов процессора. Базовая частота процессора является рабочей точкой, где задается расчетная мощность (TDP). Частота измеряется в гигагерцах (ГГц) или миллиардах вычислительных циклов в секунду.

Кэш-память

Кэш-память процессора — это область быстродействующей памяти, расположенная в процессоре. Интеллектуальная кэш-память Intel® Smart Cache указывает на архитектуру, которая позволяет всем ядрам совместно динамически использовать доступ к кэшу последнего уровня.

Частота системной шины

Шина — это подсистема, передающая данные между компонентами компьютера или между компьютерами. В качестве примера можно назвать системную шину (FSB), по которой происходит обмен данными между процессором и блоком контроллеров памяти; интерфейс DMI, который представляет собой соединение «точка-точка» между встроенным контроллером памяти Intel и блоком контроллеров ввода/вывода Intel на системной плате; и интерфейс Quick Path Interconnect (QPI), соединяющий процессор и интегрированный контроллер памяти.

Четность системной шины

Четность системной шины обеспечивает возможность проверки ошибок в данных, отправленных в FSB (системная шина).

Расчетная мощность

Расчетная тепловая мощность (TDP) указывает на среднее значение производительности в ваттах, когда мощность процессора рассеивается (при работе с базовой частотой, когда все ядра задействованы) в условиях сложной нагрузки, определенной Intel. Ознакомьтесь с требованиями к системам терморегуляции, представленными в техническом описании.

Диапазон напряжения VID

Диапазон напряжения VID является индикатором значений минимального и максимального напряжения, на которых процессор должен работать. Процессор обеспечивает взаимодействие VID с VRM (Voltage Regulator Module), что, в свою очередь обеспечивает, правильный уровень напряжения для процессора.

Доступные варианты для встраиваемых систем

Доступные варианты для встраиваемых систем указывают на продукты, обеспечивающие продленную возможность приобретения для интеллектуальных систем и встроенных решений. Спецификация продукции и условия использования представлены в отчете Production Release Qualification (PRQ). Обратитесь к представителю Intel для получения подробной информации.

Поиск продукции с Доступные варианты для встраиваемых систем

Расширения физических адресов

Расширения физических адресов (PAE) — это функция, обеспечивающая возможность получения 32-разрядными процессорами доступа к пространству физических адресов, превышающему 4 гигабайта.

Поддержка памяти ECC

Поддержка памяти ECC указывает на поддержку процессором памяти с кодом коррекции ошибок. Память ECC представляет собой такой типа памяти, который поддерживает выявление и исправление распространенных типов внутренних повреждений памяти. Обратите внимание, что поддержка памяти ECC требует поддержки и процессора, и набора микросхем.

Поиск продукции с Поддержка памяти ECC

Поддерживаемые разъемы

Разъемом называется компонент, которые обеспечивает механические и электрические соединения между процессором и материнской платой.

T

CASE

Критическая температура — это максимальная температура, допустимая в интегрированном теплораспределителе (IHS) процессора.

Технология Intel® Turbo Boost

Технология Intel® Turbo Boost динамически увеличивает частоту процессора до необходимого уровня, используя разницу между номинальным и максимальным значениями параметров температуры и энергопотребления, что позволяет увеличить эффективность энергопотребления или при необходимости «разогнать» процессор.

Технология Intel® Hyper-Threading

Intel® Hyper-Threading Technology (Intel® HT Technology) обеспечивает два потока обработки для каждого физического ядра. Многопоточные приложения могут выполнять больше задач параллельно, что значительно ускоряет выполнение работы.

Поиск продукции с Технология Intel® Hyper-Threading

Технология виртуализации Intel® (VT-x)

Технология Intel® Virtualization для направленного ввода/вывода (VT-x) позволяет одной аппаратной платформе функционировать в качестве нескольких «виртуальных» платформ. Технология улучшает возможности управления, снижая время простоев и поддерживая продуктивность работы за счет выделения отдельных разделов для вычислительных операций.

Поиск продукции с Технология виртуализации Intel® (VT-x)

Технология виртуализации Intel® для направленного ввода/вывода (VT-d)

Технология Intel® Virtualization Technology для направленного ввода/вывода дополняет поддержку виртуализации в процессорах на базе архитектуры IA-32 (VT-x) и в процессорах Itanium® (VT-i) функциями виртуализации устройств ввода/вывода. Технология Intel® Virtualization для направленного ввода/вывода помогает пользователям увеличить безопасность и надежность систем, а также повысить производительность устройств ввода/вывода в виртуальных средах.

Поиск продукции с Технология виртуализации Intel® для направленного ввода/вывода (VT-d)

Архитектура Intel® 64

Архитектура Intel® 64 в сочетании с соответствующим программным обеспечением поддерживает работу 64-разрядных приложений на серверах, рабочих станциях, настольных ПК и ноутбуках.¹ Архитектура Intel® 64 обеспечивает повышение производительности, за счет чего вычислительные системы могут использовать более 4 ГБ виртуальной и физической памяти.

Поиск продукции с Архитектура Intel® 64

Набор команд

Набор команд содержит базовые команды и инструкции, которые микропроцессор понимает и может выполнять. Показанное значение указывает, с каким набором команд Intel совместим данный процессор.

Состояния простоя

Режим состояния простоя (или C-состояния) используется для энергосбережения, когда процессор бездействует. C0 означает рабочее состояние, то есть ЦПУ в данный момент выполняет полезную работу. C1 — это первое состояние бездействия, С2 — второе состояние бездействия и т.д. Чем выше численный показатель С-состояния, тем больше действий по энергосбережению выполняет программа.

Enhanced Intel SpeedStep® Technology (Усовершенствованная технология Intel SpeedStep®)

Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® позволяет обеспечить высокую производительность, а также соответствие требованиям мобильных систем к энергосбережению. Стандартная технология Intel SpeedStep® позволяет переключать уровень напряжения и частоты в зависимости от нагрузки на процессор. Усовершенствованная технология Intel SpeedStep® построена на той же архитектуре и использует такие стратегии разработки, как разделение изменений напряжения и частоты, а также распределение и восстановление тактового сигнала.

Технология Intel® Demand Based Switching

Intel® Demand Based Switching — это технология управления питанием, в которой прикладное напряжение и тактовая частота микропроцессора удерживаются на минимальном необходимом уровне, пока не потребуется увеличение вычислительной мощности. Эта технология была представлена на серверном рынке под названием Intel SpeedStep®.

Поиск продукции с Технология Intel® Demand Based Switching

Технологии термоконтроля

Технологии термоконтроля защищают корпус процессора и систему от сбоя в результате перегрева с помощью нескольких функций управления температурным режимом. Внутрикристаллический цифровой термодатчик температуры (Digital Thermal Sensor — DTS) определяет температуру ядра, а функции управления температурным режимом при необходимости снижают энергопотребление корпусом процессора, тем самым уменьшая температуру, для обеспечения работы в пределах нормальных эксплуатационных характеристик.

Новые команды Intel® AES

Команды Intel® AES-NI (Intel® AES New Instructions) представляют собой набор команд, позволяющий быстро и безопасно обеспечить шифрование и расшифровку данных. Команды AES-NI могут применяться для решения широкого спектра криптографических задач, например, в приложениях, обеспечивающих групповое шифрование, расшифровку, аутентификацию, генерацию случайных чисел и аутентифицированное шифрование.

Поиск продукции с Новые команды Intel® AES

Технология Intel® Trusted Execution

Технология Intel® Trusted Execution расширяет возможности безопасного исполнения команд посредством аппаратного расширения возможностей процессоров и наборов микросхем Intel®. Эта технология обеспечивает для платформ цифрового офиса такие функции защиты, как измеряемый запуск приложений и защищенное выполнение команд. Это достигается за счет создания среды, где приложения выполняются изолированно от других приложений системы.

Поиск продукции с Технология Intel® Trusted Execution

Функция Бит отмены выполнения

Бит отмены выполнения — это аппаратная функция безопасности, которая позволяет уменьшить уязвимость к вирусам и вредоносному коду, а также предотвратить выполнение вредоносного ПО и его распространение на сервере или в сети.

Как проверить транзистор?

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс (+) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс (+) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп (красный) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный (+) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

  • Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

  • Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

  • Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

Импортные транзисторы — Радиодетали

A 1010C 6090BUL 810
A 1011  —C 6093BUP 213
A 1012C 6351 GBUP 314(D)
A 1013  —C 638BUT 11 A —
A 1015  —C 763 —BUT 11 AF
A 1015  smdC 8050 (=S 8050)BUT 11 AX
A 102C 815BUT 12 A —
A 1020  —C 829BUT 12 AF-
A 1023C 8550 (=S 8550)BUT 12 AI
A 103C 9012 orgBUT 18 A
A 1036C 9013BUT 18 AF-
A 1037C 9013 smdBUT 56 A —
A 1038C 9014BUV 48 A  ( не ориг.)
A 104C 9014 smdBUV 48 A  orig
A 1046C 9015BUV 48 B —
A 1048  —C 9015 smdBUW 12A
A 1102  —C 9018BUW 13A
A 1111  —C 930BUW 13AF (пласт)
A 1112  —C 937BUX 48 A —
A 1115 —C 945 —BUX 84   —
A 1123  —CT30TM8BUX 84 B фирм.
A 1127D 1047BUX 86
A 1129D 1062BUX 87P
A 114D 1088BUX 98(BUX 348)
A 1145D 1094 —BUZ 10  —
A 1156D 10SC4MBUZ 100
A 1162smd-D 1111 —BUZ 100T
A 1175  —D 1691BUZ 102 S
A 1186  —D 1710    оригBUZ 102 SL
A 1186 оригD 1710 C    оригBUZ 11
A 1220 A-D 1710 не оригBUZ 11 A-
A 124  —D 1711BUZ 12  —
A 1241D 1729BUZ 171
A 1242D 1758 —BUZ 20
A 1243D 1760BUZ 22
A 1244D 1760 TO-252BUZ 332A
A 1246  —D 1763A   Б/УBUZ 334
A 1249D 1776BUZ 355A
A 1263D 1790 PYBUZ 41 А-
A 1264 ND 1796 —BUZ 71 (A)
A 1265D 1802BUZ 72
A 1266  —D 1802 D-PACBUZ 73 (A)
A 1267  —D 1805BUZ 77A.=78
A 1268  —D 1815 —BUZ 80  —
A 1270D 1825 orgBUZ 80 A
A 1271  —D 1828 —C 2073 —
A 1273 YD 1829C 2075 —
A 1275  —D 1843 —C 2078
A 1276D 1853 —C 2120 —
A 1282D 1856C 2209
A 1286D 1857C 2210 —
A 1300  —D 1858 —C 2229 —
A 1302  —D 1864C 2230
A 1304D 1876 не оригC 2231 A
A 1306D 1876 ориг,C 2233 —
A 1307D 1877 —      оригC 2235
A 723D 1877 —    не  оригC 2236
A 733D 1878 —C 2240 —
A 910D 1878 —    оригC 2258
A 916D 1879 —C 2271 —
A 928AD 1881   оригC 2274 —
A 933D 1881 не оригC 2275 —
A 934D 1883 —    оригC 2275 —  (A)   ориг
A 935D 1883 —   не оригC 2314
A 940  —D 1884 —   оригC 2316
A 949D 1886C 2320
A 950  —D 1887 —    оригC 2328
A 952D 1887 — не   оригC 2330 —
A 965D 1889C 2331 —
A 966  —D 1912C 2333 —
A 968D 1913C 2335 — F   пласт
A 970  —D 1933C 2335 — R    мет
A 984D 1941C 2383 —
A 988D 1944 —C 2389
A 992D 1959C 2412  smd
AF 124D 1971 —C 2458 —
AF 201D 1991 ARC 2482 —
B 1010  —D 1994C 2498
B 1015AD 1994 ARC 2500 —
B 1016D 2006 —C 2539 —
B 1033D 2007 —C 2555-
B 1064D 2012 —C 2562
B 1097-OD 2025C 2570
B 1100D 2033C 2581
B 1109D 2037C 2611
B 1134D 2041 —C 2625 —
B 1135D 612 FC 2655 —
B 1142D 612 KC 2665
B 1184D 613C 2681
B 1185D 638 -SC 2682
B 1186D 639-RC 2688
B 1187D 655C 2690
B 1202D 6600C 2705
B 1203D 667C 2785 —
B 123D 669 AC 2802
B 1237D 718C 2810 —
B 1238D 73-YC 2837
B 1240D 734 —C 2839
B 1243  —D 756C 2878
B 1273D 772C 2901
B 1274  —D 773C 2921
B 1322D 774C 2979 —
B 1342D 789C 3039 —
B 1366D 794C 3040
B 1370 метD 871 —C 3616 —
B 1370 пластD 879 —C 3679 —
B 1375  —D 880 —C 3688 — мет
B 1412D 882 —C 3688 -пласт
B 1438D 882 -smdC 3746 —
B 1443D 882 -TO 252C 3752
B 1545  D2 PACD 896C 3752  ориг
B 1545  TO 220D 900C 3795 A
B 1548D 92-02C 3795 B
B 1560D 965 —C 3807 —
B 1565  —D 966C 3835
BC 327-40=BC 327D 998 больш корпусC 3844 —
BC 328FP 1016C 3852 (А)
BC 337   —FS 10KM -10AC 3853
BC 337-25FS 10SM-16AC 3855
BC 337-40FS 12KM -12C 3856
BC 338   —FS 14KM -10C 3866  изол , не ориг
BC 338 -25FS 16KM -5C 3866 —     ориг
BC 338 -40FS 2KM —C 3868
BC 368FS 2KM — 16AC 3883 — мет
BC 369   —FS 2KM -18AC 3883 — пласт
BC 393FS 3KM — 10AC 3884 A
BC 394FS 3KM — 18C 3886  А не ориг
BC 505 AFS 4KM — 12 (16)C 3886 А  ориг
BC 517FS 5KMC 3895 —
BC 546B  —FS 7KM-14C 3896 —
BC 547 BFS 7KM-16C 3907
BC 547 CJ 103C 3940 —
BC 548B,C-J 162C 3940 S
BC 549   —J 200C 3942
BC 550 CJ 201C 3950
BC 556J 306 —C 3953
BC 557 BJ 307C 3964
BC 557 CJ 377C 3979
BC 558   —J 448 orgC 3979 plast
BC 559J 449C 3987 —
BC 560J 5027-R metC 3997
BC 618J 5027F orig plastC 4004
BC 635J 512C 4040
BC 636J 557 smdC 4106 —
BC 637   —MJ 15027C 4108
BC 638   —MJ 15031  (MJE)C 4111    ориг
BC 639   —MJ 2955C 4111 не ориг
BC 640MJE 13003 = MNE 13003C 4123 — не ориг
BC 807-25 smdMJE 13005 F изолир,C 4123 ориг,
BC 807-40 smdMJE 13005-C 4138 ориг,
BC 817-25 smdMJE 13007 метC 4160     ориг
BC 817-40 smd  (6CW)MJE 13008 (=MNE13009)C 4160    не ориг
BC 818-25 smdMJE 13009 (=MNE 13009)C 4161 —
BC 846 BsmdMJE 15030C 4204 —
BC 847 AsmdMJE 15031=(MJ 15031)C 4231 —
BC 847 BLT1G smdMJE 15032C 4234 —
BC 847 BsmdMJE 15033C 4236
BC 847 C smdMJE 15034C 4237 —
BC 847 smdMJE 15035C 4242 —    met
BC 848 C smdMJE 2955TC 4242 —    plast
BC 850 B.215 smdMJE 340C 4294 —
BC 850 C smdMJE 350  = KSE 350C 4300 —
BC 856 smdMJL 21195C 4304 —
BC 857 BsmdMJW 16212C 5086
BC 857 CsmdMMBF 5484C 5088
BCP 51-16  E6327MMBT 2222C 5088 smd
BCP 53T1MMBT 2907C 5100
BCP 53T1GMMBT 3904/T1C 5103
BCP 54MMBT 3906/T1C 5108 smd
BCP 56-10MMBT 4401C 5129 —   ориг
BCP 56-10T1GMMBT 4403C 5129 -не ориг
BCP 56-16MMBT 5401C 5144
BCP 56-16.115MMBT 5551C 5148 — orig
BCP 69 T1GMMBTA 06C 5148 — не ориг
BDX 34CMMBTA 42C 5149 —
BDX 43MMBTA 56C 5149 — orig
BDX 53C  —MMBTA 92 smd   =(MPSA 92) =(PMBTA92)C 5150
BDX 54 CMNE 13001C 5171
BDX 84B  —MNE 13002 TO 126C 5197
BDX 87MNE 13002 TO 92 (MJE13002)C 5200
BDX 88MNE 13003 =(MJE 13003)C 5207 A
BDY 56SMNE 13003-2 =(MJE 13003-2)C 5239 —  (мет)
BF 1012RMNE 13005 =(ST13005)C 5239 —  (пл)
BF 173MNE 13007- MJE=ST пл.C 5241
BF 198MNE 13007-2( MJE=ST)C 5242
BF 199MNE 13009 TO-220 не ор.C 5244
BF 240  —MNE 13009 =ST13009L пласт=MJE пластC 5249 —
BF 244MNE 13009 L (б. корп.)C 5250 —    ориг
BF 245   (2N5458)MNE 13009 or =MJE=STC 5250 — не ориг
BF 247 A —MNE 18004 (MJE 18004)C 5251
BF 258MNE 18004 (MJF 18004) пл.C 5253
BF 324MNE 18006 (MJF 18006)C 5287 org. met
BF 421MNE 18008C 5287 org. plast
BF 422MNE 18204 (MJF)C 5296
BF 423MNE 2955T (MJE 2955T)C 5299
BF 458MNE 800C 5302 ориг
BF 459C 5339
BF 469TIP 102-C 5353
BF 487TIP 107C 536
BF 488TIP 110-C 5386
BF 506TIP 111C 5387
BF 680TIP 112C 5388 org = BU 808 DFX
BF 763TIP 115C 5388 не ор. = BU 808 DFX
BF 819TIP 116C 5404 —
BF 869TIP 120C 5406 —
BF 871TIP 121C 5407-
BF 961TIP 122C 5411
BF 964TIP 125C 5440
BF 966TIP 126C 5445
BF 970TIP 127-C 5449
BF 979TIP 132C 5480
BF 982TIP 135C 549
BF 998TIP 136C 5507
BFG 135/T1   SOT223TIP 140C 5515
BFG 540/T1   SOT143TIP 141C 5516
BFG 591TIP 142 TO-218 б. корпусC 5521 orig
BFG 67TIP 142TC 5570
BFG 94TIP 146C 5583
BFQ 540TIP 147 TO-218 (б. корп.)C 5584
BFR 31TIP 29 (A) (C)C 5586
BFR 84TIP 30 (C)C 5587
BFR 90A —TIP 3055C 5588
BFR 91A —TIP 31 CD 1135
BFR 91A -ориг.TIP 32A-D 1138
BFR 92A —TIP 33 C origD 1175 —
BFR 93A —TIP 34 C origD 1207 —
BFS 17ATIP 35 CD 1212
BFY 90-TIP 35 C пластD 1218
BLT50/T1TIP 36 CD 1225 M
BLT80/T1TIP 41 C =(аналог КТ 817Г)D 1237
BPW 85C (фототр-р)TIP 42CD 1246
BS 108TIP 47 —D 1266 —
BS 170  —TIP 50D 1272
BU 4506 AF origTK 10A60 DD 1273
BU 4506 DF origTK 20A60D изолиров.D 1275
BU 4507 AX origTK 4A60DAD 1275 A
BU 4507 DX origTK 4P60DBD 1275 B
BU 4508 AX origTK 5A50DD 1292 —
BU 4508 DX origTK 5P50DD 1302
BU 4508 DZTK 6A60DD 1330 —
BU 4522 AXTK 6A65DD 1330 -T
BU 4522 AX origTK 7A50DD 1351
BU 4523 AX origTT 2134D 1379
BU 4525 AX origTT 2138D 1392 —
BU 4525 DX origTT 2140D 1398 —
BU 4530 ALTT 2144D 1402 —    не ориг
BU 4532 ALTT 2148D 1402 -orig
BU 4584 BCPTT 2170D 1403 —
BU 508 A —    метTT 2190D 1414
BU 508 A -пласт. ориг.TT 2194D 1414 мет
BU 508 AF не фирм.TT 3034D 1415
BU 508 AF фирм,TT 3043D 1426 —
BU 508 AM  мет.TT 6061AD 1427 —
BU 508 D -метA 1309 AD 1428
BU 508 D pl = BU 508 DFA 1315D 1431 —
BU 508 DF-A 1318D 1432
BU 508 DWA 1319  —D 1433
BU 806   —A 1348  —D 1499
BU 807   —A 1358  —D 1521
BU 808 AX orgA 1370  —D 1525
BU 808 DFHA 1371  —D 1545 —  ориг
BU 808 DFI (DFX) = C 5388A 1372  —D 1545 не ориг
BU 808 DFI (на рад-ре) б/уA 1376D 1548
BU 808 DFX (=C5388)A 1380  —D 1554 —    ориг
BU 931A 1428D 1554 -не ориг
BU 931 PA 143D 1555 —   ориг
BU 931 RPA 144  —D 1555 — не ориг
BU 931 ZPFI пластA 1441D 1556 ориг.
BU 941 ZPA 1469D 1557
BU 941 ZPFA 1512  —D 1581 —
BU 941 ZTA 1516  —D 1616
BUF 405 AFP(AX) -плA 1527  —D 1649
BUH 1015A 1535  —D 1650 —   ориг
BUH 1215 метA 1615D 1650 не ориг
BUH 1215 пластA 1624D 1651 —   ориг
BUH 315 D   изолирA 1625D 1651 не ориг
BUH 315 орг.A 1626D 1654
BUH 515 D  ориг.A 1627D 1667 —
BUH 515 D не ориг.A 1657D 1669
BUH 516 (TH)A 1658D 1682
BUH 517A 1659D 1684
BUH 517 D origA 1668D 2045 —
BUH 713A 1693D 2058 —
BUH 715A 1694D 2061 —
BUK 444(500V)   *A 1695D 2089
BUK 444(600V)   *A 1725D 2092 — не ориг
BUK 444(800V)   *A 1726D 2092 orig
BUK 446-800AA 1837  —D 2095
BUK 454 (800V)   *A 1908D 2098 —
BUK 454(500V)   *A 1930D 2107-
BUK 455-100A 1941 origD 2133
BUK 455-200A 1943D 2137
BUZ 80 AF-A 1952D 2144
BUZ 90 (A)A 1962D 2251
BUZ 90 AF —A 1972D 2253
BUZ 90 ориг.A 1980D 2331 —
BUZ 91 AF  пластA 1986D 2333 —   ориг
BUZ 91( А)- metA 2040D 2333 -не ориг
BUZ 92  —A 2099D 2335
BUZ 93 origA 3048 DCD 2375
BV 806 —A 562  —D 2389
BYV 29-400A 564  —D 2394
BYV 29FX-600A 5700 ECD 2395 —
BYV 32E-200A 603  —D 2396 —
BYVF 32-200A 608  —D 2494
C 1006A 608 KFD 2495
C 1008A 673D 2495     ориг
C 102A 708 пласт.D 2498 orig
C 1026A 708A мет —D 2499 —   ориг
C 103B 1566D 2499 —   ориг  б/у
C 106D1B 1647D 2499 -не ориг
C 106MB 544  —D 2539
C 114B 561D 2544
C 1162B 562  —D 2624
C 1213B 564D 2627
C 1213 C-B 598D 2634
C 124 (DTC 124)B 621D 313
C 1312B 631D 325
C 1392B 644D 361
C 1393 —B 647D 362
C 143 —B 649 AD 362R
C 144 —B 686D 400 —
C 1470H,LB 688   —D 468 —
C 1473 —B 698   —D 471A —
C 1474 —B 716D 5023
C 1507B 734   —D 5071    ориг.
C 1627B 744D 5071 — не ориг
C 1684B 764   —D 5072 —   ориг
C 1685B 772   —D 5072 не ориг
C 1710B 774   —D 5072 ор. SAMSUNG
C 1730B 778   —D 5073
C 1740B 794   —D 5287
C 1741 —B 817D 5287 б/у
C 1775(A)B 834D 560 —
C 1815 —B 856   —D 5701
C 1815 smdB 857   —D 5702  ориг
C 1841B 857   -оригD 5702 не ориг
C 1846B 861D 5703    не фирм.
C 1854 RB 891   —D 5703 A
C 1906B 892   —D 600 К
C 1941B 893   —J 5801
C 1946 —B 897J 5804
C 1959B 926J 585
C 1969 ориг,B 948J 598
C 1971 –B 985J 6806 D
C 1972 –B 986J 6810
C 1984B 988   —J 6810 A orig
C 2000LBC 107   —J 6812
C 2001(L)BC 108 A,BJ 6820 (L)
C 2026BC 109J 6820 (L) б. корпус
C 2061 —BC 141J 6822
C 3089 —BC 170   —J 6910
C 3112BC 171   —J 6916 orig
C 3113BC 174   —J 6920 A = HD 1750 FX
C 3117BC 177В  —J 6920 ориг.
C 3150    оригBC 179 B —KD 501
C 3180BC 182   —KD 502
C 3181BC 183KD 503
C 3192 —BC 212   —KD 616
C 3198 —BC 213KSC 5030F =( C 5030 F)
C 3199 —BC 237KSP 42   ( = MPSA 42 )
C 3200BC 238KSP 44   ( = MPSA 44 )
C 3202BC 239KSP 94-112 (=MPSA 94)
C 3203 —BC 251KU 602 VC
C 3205 —BC 307KU 607 VC
C 3207 —BC 308KU 611
C 3225 —BC 313   —M 1261 M-
C 3228BC 327-25M 1661  S-
C 3229BCX 42MIP 0122 SY
C 323BCX 52-16/T1MIP 0123 SY
C 3246 —BCX 56-16/T1MIP 0127 SY
C 3247 —BCY 58MIP 0223 SY
C 3271BCY 79MIP 0227 SY
C 3279BD 135-16MIP 122
C 3281 —BD 136MIP 289
C 3282BD 137MIP 2F3
C 3298 (A)BD 139MIP 2h3
C 3299 —BD 140MIP 2K2S
C 3305BD 234MIP 2K3
C 3306BD 235MIP 2K4
C 3309BD 236MIP 3E3DMY
C 3311BD 237MIP 3E3SMY
C 3328BD 238MIP 3E4DMY
C 3331 —BD 239MIP 3E7DMY
C 3355 —BD 240  —MIP 411
C 3356BD 241B plastMIP 414S
C 3357  smdBD 241C metMJ 11015G
C 3377 —BD 242 AMJ 11016G
C 3399BD 242 CMJ 11032
C 3400 —BD 243 CMJ 11033
C 3401BD 244 CMJ 15003
C 3402BD 245 CMJ 15004
C 3415BD 249 CMJ 15022
C 3420 —BD 250MJ 15023
C 3456 —BD 434  —MJ 15024
C 3457 —BD 435MJ 15025
C 3460BD 435 ориг,MJ 15026
C 3461 —     оригBD 436
C 3461 —   не  оригBD 437  —MPSA 06
C 3466 —BD 438 origMPSA 12
C 3467BD 646MPSA 13 (KSP13)
C 3468 —BD 649MPSA 14
C 3482BD 6655 FPMPSA 18
C 3503BD 677 AMPSA 2907A (PN 2907)
C 3504BD 678MPSA 42  —
C 3510BD 679MPSA 44
C 3518BD 680MPSA 56
C 3552BD 681MPSA 64
C 3559BD 682MPSA 75
C 3576BD 683MPSA 92
C 4369 -(А)BD 825MPSA 92
C 4370BD 839MPSA 94
C 4408 —BD 840MPSW 06
C 4458BD 897MPSW 42
C 4466BD 907MPSW 92
C 4468BD 908PMBT…=MMBT…  АНАЛОГИ
C 4517A metBD 909PMBT2222A  =MMBT…
C 4517A origBD 910 origR 1003
C 4517AF(изолиров.)BD 911 origR 1004
C 4518 ABD 912 origR 2004
C 4538BD 948RD 06HVF1 = 2SC 1971
C 4544BDW 46  —RD 15HVF1 = 2SC 1971
C 4581BDW 93CRD 16HHF1
C 460BDW 93CFPRJH 3047
C 4636BDW 94CRJH 30E2
C 4672BDX 33CS 1854
C 4672  smdBDX 34B(BDX 34A)S 2000A —
C 4706 —BS 250S 2000AF-  не ориг
C 4740 —BSN 254S 2000AFI    ориг
C 4742 -plastBSN 274S 2000N
C 4742 metBSP 171S 2055AF ( ориг.)
C 4743 —BSP 254S 2055AF-
C 4744 —BSP 373S 2055N
C 4745 —BSR 14S 8050 = (C 8050 )
C 4746 —BSR 16S 8050 smd
C 4762BSR 50S 8550 = (C 8550)
C 4763BSR 52S 8550 smd
C 4769BSS 129S 9011 —
C 4770 —BSS 138S 9012 —
C 4775 —BSS 295S 9012 smd
C 4776 —BSS 84S 9013  см. С 9013
C 4778 —BSS 88S 9013 smd = C 9013 smd
C 4779 —BSS 92S 9014 smd = C 9014 smd
C 4786 —BST 70AS 9015 smd = C 9015 smd
C 4793BU 1508 AXS 9016-
C 4800 —BU 1508 DXS 9018 smd
C 4801 —BU 2040SD 3055 ( SG 3055 ) мет.
C 4802 —BU 2040 F smdTIC 106M
C 4804     не оригBU 208(A)-TIC 116D   (5A,400V)
C 4804  ориг  пластBU 2090TIC 116M   (5A,600V)
C 4815 —BU 2090 ATIC 126 M
C 4833  изолир.BU 2090 AF
C 4833 оригBU 2090 F2N 1711
C 4834 —    оригBU 2092 F2N 2219
C 4834 не оригBU 2506DF-2N 2222A
C 4908 —BU 2506DX2N 2369A —
C 4916 —BU 2508 DX ориг2N 2904
C 4924BU 2508AF-    фирм2N 2905  металл.
C 4927BU 2508AX2N 2905  пластмас.
C 4941 —BU 2508DF-  не фирм.2N 2906
C 4953 —BU 2508DF-фирм2N 2907 ПЛАСТМ.
C 5027 R металлBU 2515 AX2N 2907A
C 5027( F) пластBU 2515 DX2N 3055 (КТ 819 ГМ)
C 5030  —BU 2520AF-2N 3417
C 5030 F-BU 2520AF-   orig2N 3632
C 5042FBU 2520AX-2N 3772
C 5044BU 2520DF-   фирм2N 3866
C 5047BU 2520DF- не фирм2N 3904
C 5048BU 2520DX-2N 3906
C 5589BU 2522DF2N 4211
C 5609 —BU 2525AF- ориг2N 4401
C 5610BU 2525AW- ориг2N 4403
C 5679BU 2525AX- ориг2N 4430
C 5686  Б/УBU 2525DF-2N 5191
C 5694BU 2525DX orig2N 5401
C 5696BU 2527AF2N 5551  —
C 5698BU 2527AX-  ориг.2N 5962
C 5706BU 2527AX- не ориг.2N 6027
C 5707BU 2527DX2N 6248  —
C 5707 длин. ноги.BU 2532 AL2N 6385-
C 5801BU 2720DF2N 6472  —
C 5802BU 4062N 6488
C 5803BU 406 ориг.2N 6491
C 5855BU 407  —2N 6517
C 5856BU 407  D-2N 6718
C 5858BU 4082N 7000
C 5859BUK 455-5002N 7002 smd
C 5884BUK 455-600
C 5885BUK 456-10003DD 200
C 5886BUK 456-2003DD 202
C 5888BUK 456-5003DD 207
C 5902BUK 456-8003DD 300
C 5903BUK 854-500 SI3DD 303 A
C 5904BUK 854-8003DD 303 C
C 5905BUK 9640-100A
C 5906BUL 310 A
C 5909BUL 310 FP
C 5914BUL 38D
C 5931BUL 39D
C 5935BUL 6802
C 5936

s9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с  параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H

FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

 

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках  и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не
    предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы
    получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после
оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним
свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив
стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

Техническое описание

D965-R — Транзисторы с пластиковым корпусом NPN

20U6P45 : Выпрямительный модуль (трехфазные полноволновые мостовые приложения).

HCS165D : Радиационно-устойчивый инвертирующий 8-битный регистр сдвига с параллельным входом / последовательным выходом.

LWE2015R : Микроволновая печь. Силовой транзистор NPN СВЧ. Продукт заменяет данные ноября 1994 г. Файл в разделе Discrete Semiconductors, SC15 1997, 19 февраля. Встречно-штыревая структура обеспечивает высокую эффективность эмиттера. Балластирующий резистор с диффузным эмиттером обеспечивает отличное распределение тока и выдерживает высокий КСВН. Золотая металлизация обеспечивает очень стабильные характеристики и превосходный срок службы.

SB320-SB360 : -.

SN54LS442 : Схемы, ориентированные на шину. Четырехканальные трансиверы с трехсторонней шиной. Информация о ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ ДАННЫХ актуальна на дату публикации. Продукция соответствует условиям стандартной гарантии Texas Instruments. Производственная обработка не обязательно включает в себя тестирование всех параметров. .

ACS758 : Полностью интегрированный линейный датчик тока на основе эффекта Холла с тепловым усилением и 100? Проводник тока Семейство датчиков тока Allegro ACS758 обеспечивает экономичные и точные решения для измерения переменного или постоянного тока.Типичные области применения включают управление двигателем, обнаружение и управление нагрузкой, управление питанием и преобразователем постоянного тока в постоянный, инвертор.

GB3216TC-DPG : Керамический базовый ТИП Высокоэффективные светодиоды. Излучаемый цвет Тип. Красный Оранжевый Янтарный Желтый Зеленый Синий Излучаемый Цвет Тип. Красный Оранжевый Янтарный Желтый Зеленый Синий Излучаемый Цвет Тип. Красный Оранжевый Янтарный Желтый Зеленый Синий.

SDM862A : 16 односторонних / 8 дифференциальных входов 12-битных систем сбора данных. 16 односторонних / 8 дифференциальных входов 12-битные системы сбора данных q ПОЛНАЯ 12-битная система сбора данных в миниатюрном пакете q входные диапазоны, выбираемые для однополярной или двухполюсной работы 872/3 q скорость передачи данных: 862/3 пропускной способности: 862/3 пропускной способности: 862/3 12-БИТНАЯ ТОЧНОСТЬ: 50 кГц q ВЫБИРАЕМЫЕ УСИЛЕНИЯ 1, 10 И 100 q ИНТЕРФЕЙС, СОВМЕСТИМЫЙ С МИКРОПРОЦЕССОРОМ q ГАРАНТИЯ.

SDR0403-120ML : Силовые индукторы 120uH 20% SMD. s: Производитель: Bourns; Категория продукта: Силовые индукторы; RoHS: подробности; Индуктивность: 12 мкГн; Допуск: 20%; Максимальный постоянный ток: 1,05 А; Максимальное сопротивление постоянному току: 0,21 Ом; Частота собственного резонанса: 30 МГц; Q Минимум: 28; Размеры: 3,2 мм Ш x 4,5 мм Д; Тип завершения: SMD / SMT; Упаковка: Катушка; Фабрика.

07811

: FFC для поверхностного монтажа, Fpc (плоский гибкий) — соединитель — соединители для монтажа на плате, межблочный монтаж на поверхность; СОЕДИНЕНИЕ FFC / FPC 36ПОЗ.5ММ VERT SMD. s: Шаг: 0,020 дюйма (0,50 мм); Тип монтажа: поверхностный;: -; Упаковка: лента и катушка (TR); Тип разъема: вертикальные контакты, 1-сторонний; Количество позиций: 36; Функция блокировки: скользящий замок; Прекращение:

PBC10SBAN : Золотое сквозное отверстие, прямоугольный прямоугольный — разъемы, штекерные разъемы, соединительный разъем, без кожуха, с разрывом; CONN HEADER .100 SINGL R / A 10POS. s: Цвет: черный; Тип разъема: Заголовок, Незакрытый, Отрывной; Контактная отделка: золото; Контактная длина стыковки: 0.230 дюймов (5,84 мм);: -; Тип установки: сквозное отверстие, под прямым углом; количество позиций.

HM2P07PNJ1U4GF : Золотая объединительная плата со сквозным отверстием — жесткие метрики, стандартные разъемы, соединительный разъем, штыревые контакты; CONN HEADER 110POS TYPE A VERT. s: Тип разъема: A 22; Тип разъема: Заголовок, штекеры; Использование разъема: CompactPCI; Контактная отделка: золото; Толщина отделки контактов: 30 дюймов (0,76 м); Тип установки: Сквозное отверстие; Количество загруженных позиций: все; Число.

1678813 : Heavy Duty — кожухи, кожухи, базовые разъемы, соединительный кожух; КОРПУС ТЯЖЕЛОГО РУКАВА.s: Тип разъема: Капюшон; Размер: — ; Стиль: вход сверху; Размер резьбы: PG16; Размер / размер: 2,362 дюйма x 1,693 дюйма x 1,575 дюйма (60,00 мм x 43,00 мм x 40,00 мм);: -; Упаковка: большая часть; Расположение замка: боковой зажим на нижней части основания; бессвинцовый статус: без свинца; RoHS Статус:

24VL014HT / MNY : Интегральная схема памяти (ics) Лента и катушка EEPROM (TR) 1,5 В ~ 3,6 В; IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8TDFN. s: Тип памяти: EEPROM; Объем памяти: 1 КБ (128 х 8); Скорость: 100 кГц, 400 кГц; Интерфейс: I & sup2; C, 2-проводный последовательный; Упаковка / ящик: 8-WFDFN Exposed Pad; Упаковка: лента и катушка (TR); Напряжение — Питание: 1.5 В ~ 3,6 В; Рабочая Температура:.

S9S08DZ48F1MLC : Встроенный — Микроконтроллерная интегральная схема (ics) Внешний лоток 2,7 В ~ 5,5 В; IC MCU 8BIT 48KB FLASH 32LQFP. s: Размер программной памяти: 48 КБ (48 КБ x 8); Размер ОЗУ: 3К x 8; Количество входов / выходов: 25; Упаковка / ящик: 32-LQFP; Скорость: 40 МГц; Тип осциллятора: внешний; Упаковка: лоток; Тип памяти программ: FLASH; Размер EEPROM: 1.5K x 8; Основной процессор: S08; Данные.

1676979-3 : Ом поворотно-линейные потенциометры, переменные резисторы Регулировка по верхнему пределу, однооборотный; ПОТ 1.0 кОм 1 Вт 10% ВЕРХНИЙ КРУГЛЫЙ. s: Сопротивление (Ом): 1 кОм; Мощность (Вт): 1 Вт; Количество витков: одиночный; Тип регулировки: Регулировка по верху; Допуск: 10%; Тип завершения: наконечник для пайки; Диаметр привода: 0,250 дюйма (6,35 мм); длина привода: 0,984 дюйма (25,00 мм); Привод.

MCR03EZPFX9091 : Чип резистор 9,09 кОм 0,1 Вт, 1/10 Вт — поверхностный монтаж; РЭС 9.09К ОМ 1 / 10Вт 1% 0603 SMD. s: Сопротивление (Ом): 9,09 кОм; Мощность (Вт): 0,1 Вт, 1/10 Вт; Допуск: 1%; Упаковка: Лента для резки (CT); Состав: толстая пленка; Температурный коэффициент: 100 ppm / C; Статус без содержания свинца: без содержания свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

P0080SBMCLRP : Tv — тиристорная защита цепи 250A 25V; SIDACTOR MC BI 6V 250A DO-214AA. s: Упаковка / футляр: DO-214AA, SMB; Упаковка: лента и катушка (TR); Емкость: 150 пФ; Напряжение — выключатель: 25В; Ток — пиковый импульс (8 x 20 с): 250 А; Ток — пиковый импульс (10 x 1000 с): 80 А; Статус без содержания свинца: без содержания свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

1018600000 : Клеммная колодка — DIN-рейка, соединители каналов, разъединитель; СРОК ОТКЛЮЧЕНИЯ W / STB WM BG.s: Цвет: бежевый; Сила тока — IEC: 41А; Сила тока — UL: 45А; : -; Количество уровней: 1; Количество позиций: 2; Терминал — ширина: 7,9 мм; Тип прекращения: винт; Тип: Отключить; Напряжение — IEC: 500 В; Напряжение — UL: 600 В; Калибр или диапазон проводов — AWG :.

Транзисторы

D965 UTC | Весвин Электроникс Лимитед

D965 от производителя UTC представляет собой микросхему с транзистором (NPN).Более подробную информацию о D965 можно увидеть ниже.

Категории
Транзисторы
Производитель
UTC (Unisonic Technologies Co Ltd)
Номер детали Veswin
V1070-D965
Статус бессвинца / Статус RoHS
Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS
Состояние
Новое и оригинальное — заводская упаковка
Состояние на складе
Наличие на складе
Минимальный заказ
1
Расчетное время доставки
26 марта — 31 марта (выберите ускоренную доставку)
EDA / CAD модели
D965 от SnapEDA
Условия хранения
Шкаф для сухого хранения и пакет защиты от влажности

Ищете D965? Добро пожаловать в Весвин.com, наши специалисты по продажам всегда готовы помочь вам. Вы можете получить доступность компонентов и цены для D965,
просмотреть подробную информацию, включая производителя D965 и спецификации. Вы можете купить или узнать о D965 прямо здесь, прямо сейчас.
Veswin — дистрибьютор электронных компонентов для бытовых, обычных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Veswin поставляет промышленные,
Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, клиентов CEM и ремонтных центров по всему миру.У нас есть большой запас электронных компонентов,
который может включать D965, готовый к отправке в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором D965 с полным спектром услуг.
У нас есть возможность закупить и поставить D965 по всему миру, чтобы помочь вам с цепочкой поставок электронных компонентов. сейчас же!

  • Q: Как заказать D965?
  • A: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
  • Q: Как платить за D965?
  • A: Мы принимаем T / T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
  • В: Как долго я могу получить D965?
  • A: Мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
    Мы также можем отправить заказной авиапочтой, обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
    Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем веб-сайте.
  • Q: D965 Гарантия?
  • A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
  • Q: Техническая поддержка D965?
  • A: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке D965, указаниями по применению, заменой,
    таблица данных в pdf, руководство, схема, эквивалент, перекрестная ссылка.

ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОНИКИ VESWIN

Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001.Наши системы и соответствие стандартам были и продолжают регулярно проверяться и тестироваться для поддержания постоянного соответствия.
СЕРТИФИКАЦИЯ ISO
Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics точны, всеобъемлющи и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования обеспечивают долгосрочную приверженность компании Veswin Electronics постоянному совершенствованию.
Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте появлялись правильные данные о товарах.Перед заказом обратитесь к техническому описанию продукта / каталогу для получения подтвержденных технических характеристик от производителя. Если вы заметили ошибку, сообщите нам об этом.

Время обработки : Стоимость доставки зависит от зоны и страны.
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты.Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.

ПРИМЕЧАНИЕ. Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal. (AMEX принимается через Paypal).
Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или артикулом продукта.Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal.

  • Гарантия 90 дней;
  • Предотгрузочная инспекция (PSI) будет применяться;
  • Если некоторые из полученных вами товаров не идеального качества, мы ответственно организуем вам возврат или замену.Но предметы должны оставаться в исходном состоянии;
  • Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
  • Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат средств, или B: получить частичное возмещение и сохранить товар.
  • Налоги и НДС не будут включены;
  • Для получения более подробной информации просмотрите нашу страницу часто задаваемых вопросов.
  • Модуль работает нормально только очень мелкими контактами. паять очень сложно.Вы можете подключить дополнительную антенну и микрофон, см. Даташит производителя.

    Размещено: 05 ноя, 2020

Комментарий

Поиск электронных компонентов и запчастей

Усилители

Аналоговые ИС

Аккумуляторные изделия

Зуммеры, динамики и микрофоны

Кабели и провода

Конденсаторы

Разъемы

Кристаллы

Совет по развитию / Совет по проверке программ

Диоды

ИС драйвера

ИС встроенной периферии

Встроенные процессоры и контроллеры

Фильтры

Функциональные модули

Предохранители

Оборудование и прочее

Катушки индуктивности, дроссели и трансформаторы

Интерфейсные ИС

Логические ИС

Память

Двигатель

Оптопары, светодиоды и инфракрасный порт

ИС управления питанием

Кнопочные переключатели и реле

RF и радио

Резисторы

Датчики

Инструменты и аксессуары

Транзисторы

прочие

Эксперимент: Проектирование схем транзисторов


Процедура

Примечание: Эта схема была разработана, когда мы только учились обучать работе транзисторов.Теперь мудрее, мы знаем, что ниже есть некоторые ошибки в математике с вычислениями фильтра. Мы перепроектируем эту схему, когда позволят время и ресурсы, но учтите, что схема все еще работает (может усиливать пики).

Все, что вам нужно, чтобы построить усилитель, — это транзистор, источник питания, резисторы и конденсаторы. Есть много способов смешать их вместе, что является искусством (Стив Джобс часто называл компоновку схем «цифровым искусством»), но мы дадим вам некоторые основные условия и предположения, с которыми можно поработать, а затем проведем вас через дизайн вашего самого первый простой био-усилитель!

Существует несколько конфигураций с использованием транзисторов NPN, но мы будем использовать «конфигурацию с общим эмиттером», потому что она позволяет получить высокий коэффициент усиления по напряжению.Почему его называют «усилителем с общим эмиттером»? — поскольку база — это вход, коллектор — это выход, а «общий» или земля — ​​это эмиттер.

Как любой прилежный инженер, давайте начнем с «требований», что является скучным способом сказать: «что мы хотим, чтобы эта машина действительно выполняла». В нашем биоусилителе мы хотим «усилить» очень слабые электрические сигналы в нервах тараканов. Давайте стремимся к «усилению» 150 или увеличению амплитуды сигнала в 150 раз. Мы также хотим ограничить то, что мы усиливаем, чтобы гарантировать, что мы обращаем внимание только на всплески (потенциалы действия), а не на другие электрические сигналы, такие как электрический шум из вашего дома.Итак, как и в реальном SpikerBox, мы хотим измерять только сигналы с компонентами выше 300 Гц (циклов в секунду). Это также называется «высокочастотным» сигналом.

Таким образом, у нас есть два требования

  1. Прирост 150.
  2. Настройка фильтра: фильтр высоких частот 300 Гц.

А теперь вернемся к искусству дизайна электроники. В основе нашего усилителя лежит превосходная книга Пола Шерца «Практическая электроника для изобретателей».

Детали

В дополнение к тараканам, кабелю и электроду, упомянутым выше, вам необходимо посетить местный дружественный RadioShack, чтобы получить:

  1. два NPN транзистора (2N4401) — из набора образцов транзисторов
  2. четыре 4.Резисторы 7 кОм — из набора образцов резисторов
  3. четыре резистора 1 кОм из того же набора образцов
  4. один резистор 50 Ом из того же набора образцов
  5. два конденсатора по 1 мкФ
  6. четыре конденсатора по 10 мкФ
  7. перемычка
  8. макетная плата без пайки
  9. Разъем аккумулятора 9В
  10. аккумулятор 9В
  11. разъем RCA
  12. динамик RadioShack (мы любим эти вещи)

Вам также понадобится небольшой кусок пробки или пенопласта, на который можно положить ногу таракана.

Проектирование схемы

Эмиттерные и коллекторные резисторы

Поскольку мы будем использовать батарею на 9 В, и наши шипы имеют как положительный, так и отрицательный компонент:

Мы хотим, чтобы нейронный сигнал превышал +4,5 В, чтобы у нас было достаточно «места» для напряжения, чтобы усилить как отрицательную, так и положительную части сигнала.
Таким образом, необходимо, чтобы V c или напряжение на коллекторе составляло 1/2 V cc (это сбивает с толку, но Vcc означает «общий ток» или, в более общем смысле, наш источник питания 9 В).Таким образом, нам нужно поставить резистор на V c , чтобы установить V c = 1/2 V cc , и мы используем закон Ома V = IR, который мы можем переписать как:

I c — это ток через коллектор и функция транзистора (для его расчета вы используете лист данных транзистора). Мы будем использовать значение 1 мА для I c .

4,7 кОм — стандартное значение для комплекта резисторов, поэтому мы будем использовать 4,7 кОм для R c

.

Коэффициент усиления нашей схемы, как он есть, составляет ΔV c / ΔV e , что равно отношению R c / R e .

Мы уже установили R c = 4,7 кОм, а R e уже встроен в транзистор. Его R e называется транссопротивлением, которое рассчитывается как:

I e примерно такое же, как I c , поэтому сопротивление составляет 26 Ом.

Мы можем рассчитать выигрыш следующим образом:

Однако в транзисторе может быть нестабильное сопротивление, поэтому нам нужно добавить собственное сопротивление R в дополнение к сопротивлению.Шерц рекомендует V e с напряжением 1 В для стабилизации нестабильности транссопротивления, поэтому согласно закону Ома:

Но обратите внимание, что добавление этого R в схему:

У нас будет изменение в прибыли. Новое усиление:

о нет! Наше первоначальное усиление 180 исчезло! И наш выигрыш теперь намного меньше, чем нам нужно! Но не бойтесь, мы можем добавить конденсатор параллельно с резистором 1 кОм, который фактически заставит 1 кОм исчезнуть для нашего пикового сигнала.Мы все равно хотим добавить конденсатор, так как нам нужно сделать:

Фильтр высоких частот

Параллельно подключенные резистор и конденсатор действуют как фильтры верхних частот, и, как указано выше, мы хотим, чтобы наш фильтр высоких частот составлял 300 Гц. Это легко подсчитать.

У нас уже есть R = 1 кОм, а f должно быть 300 Гц, поэтому емкость конденсатора составляет 20 мкФ.

Все, что остается, — это входной конденсатор для устранения любого смещения постоянного тока на входном сигнале и поддержания стабильности нашей схемы. Давайте просто установим его на 1 мкФ.

Установка напряжений смещения

Помните из нашей теории транзисторов, что транзистор не включится без нажатия нижнего предела напряжения, а это примерно 0,6 В для схем на основе кремния. Нам нужно добавить резисторы смещения.

Мы хотим, чтобы напряжение на базе V b было на 0,6 В выше, чем напряжение на уровне V e , поэтому

Мы знаем, что V e равно 1 В из-за падения напряжения, рассчитанного выше, поэтому V b должно быть 1.6В. Сделаем делитель напряжения!

Наш V в имеет курс 9 В, а наш V out равен 1,6 В, и мы используем классическое уравнение делителя напряжения:

Мы можем переставить уравнение и вычислить …

Таким образом, R1 должен быть в ~ 4,6 раза больше, чем R2. Звучит достаточно просто, но, как показывает практика, для этой конструкции транзистора:

Итак, мы просто выберем R2 = 1 кОм и R1 = 4,7 кОм в качестве значений, поскольку мы уже используем эти значения резисторов и имеем их под рукой.

Вот и все! Пришло время …

Построить схему

Вы посчитали, и теперь пришло время физически построить вашу схему. Поместите аккумулятор, транзистор, резисторы, конденсаторы и компоненты ввода / вывода на макетную плату, как показано ниже:

Присмотритесь к схеме на макетной плате:

Вставьте электроды в лапу таракана, как вы делали в предыдущих экспериментах, и подключите динамик к цепи.Полностью поверните динамик и почистите ногу таракана зубочисткой. Вы можете услышать очень слабый ответ, но он будет скрыт в шуме. Давайте еще немного усилим шипы. Вы можете создать «вторую стадию» усиления, как мы это делаем с нашим обычным SpikerBox, где у вас есть выход схемы, идущий на вход другой копии схемы, как показано ниже:

Однако вы обнаружите, что это «удвоение» делает схему немного нестабильной, поэтому давайте немного снизим усиление на втором этапе.Мы добавили резистор 50 Ом параллельно с R и , чтобы немного понизить усиление второй ступени, но все равно сделают более громкие всплески, когда вы подключите эту схему к ноге таракана. Смотрите видео ниже.

Теперь вы создали свой собственный усилитель на транзисторах! Поздравляю! Сообщите нам, если вы нашли способ сделать схему проще, чище и с большим усилением.

Обсуждение

Вы находитесь на пути к изобретению еще многих чудесных вещей.История науки определяется изобретением нового оборудования в руках творческих умов. Телескоп позволяет видеть вещи очень далеко. Микроскоп позволяет увидеть очень маленькое. Аппарат ПЦР позволяет измерять молекулы ДНК, а транзистор позволяет наблюдать крошечные электрические сигналы. С помощью этих инструментов мы можем видеть и пытаться понять мир, недоступный нашим невооруженным чувствам. Теперь начнем открывать.

Вопросы для обсуждения

  1. Почему шипы от нашего простого двухтранзисторного биоусилителя «шумнее», чем SpikerBox? Что делает SpikerBox? Подсказка: SpikerBox имеет намного больше транзисторов и использует их для создания операционных усилителей, которые затем смешиваются с инструментальными усилителями.Добро пожаловать в искусство электроники!

Выбор замены транзистора »Примечания по электронике

При ремонте схемы или даже при создании новой часто невозможно найти точный компонент электроники — мы расскажем вам, как выбрать подходящую замену.


Transistor Tutorial:
Основы транзисторов
Усиление: Hfe, hfe и бета
Характеристики транзистора
Коды нумерации транзисторов и диодов
Выбор транзисторов на замену


При работе с электронным оборудованием, будь то проектирование электронных схем, сборка или ремонт, иногда необходимо выбрать транзистор для замены.Либо тип транзистора может не быть под рукой, либо он может быть недоступен.

К счастью, обычно можно использовать тип транзистора для замены, так как часто существует значительная степень совпадения между спецификациями различных типов транзисторов, и, глядя на основные характеристики, обычно можно выбрать правильные заменяемые транзисторы.

Это объяснение сосредоточено на биполярных транзисторах, но можно применить аналогичную логику к другим электронным компонентам, включая полевые транзисторы, чтобы гарантировать, что можно найти подходящую замену.

При поиске подходящей замены транзистора необходимо ознакомиться с основными техническими характеристиками транзистора. После определения характеристик и параметров транзистора можно проверить наличие других типов транзисторов для замены с аналогичными параметрами, которые смогут работать в рассматриваемой схеме.

При рассмотрении возможных замен транзисторов необходимо учитывать множество параметров. К ним будут относиться основные параметры работы транзистора.Они также будут включать параметры, связанные с окружающей средой, и физические параметры. Все это необходимо учитывать при выборе подходящего транзистора на замену.

BC547 Транзистор с пластиковыми выводами

Основные параметры транзистора

К счастью, многие транзисторы, используемые в электронных схемах, относятся к типам общего назначения. Их спецификации не особенно строгие, и можно использовать различные транзисторы общего назначения. Сегодня характеристики даже транзисторов общего назначения чрезвычайно высоки, и их можно использовать в самых разных приложениях.

Однако следует более пристально рассмотреть транзисторы, которые выполняют более строгую роль. Их спецификации необходимо изучить более внимательно, чтобы гарантировать, что любые заменители будут иметь аналогичную спецификацию.

При поиске подходящей замены транзистора необходимо учитывать следующие основные параметры транзистора:

  1. Используемый полупроводниковый материал: Большинство транзисторов изготовлены из германия или кремния.Другие типы обычно используются только в очень специализированных приложениях.

    Важно знать, какого типа транзистор, потому что существует разница в падении напряжения прямого смещения базы-эмиттера. Для германия оно составляет около 0,2 — 0,3 вольт, а для кремния — около 0,6 вольт. Схема будет рассчитана на конкретное падение напряжения.

  2. Полярность: Совершенно необходимо выяснить, является ли транзистор типом NPN или PNP.Установите неправильный тип, и он испытает напряжение, обратное всем ожидаемым, и, вероятно, будет разрушено.

    Типы транзисторов: символы цепи транзистора NPN и транзистора PNP

  3. Общее применение: Хотя не всегда необходимо точно соответствовать предполагаемому назначению транзистора, различные области его характеристик будут адаптированы к его предполагаемому применению.

    Возможные типы приложений могут включать: коммутационные, аналоговые, маломощные, ВЧ-усилители, малошумящие и т. Д.Введите правильный шрифт, и он может не работать. Например, маломощный транзистор общего назначения вряд ли будет хорошо работать в коммутационном приложении, даже если он имеет высокий предел или предел частоты.

  4. Корпус и схема расположения выводов: У транзисторов много корпусов. Часто бывает необходимо подобрать заменяющий транзистор как можно точнее, чтобы транзистор мог физически соответствовать. Также в пакете могут быть указаны другие параметры.
  5. Пробой напряжения: Необходимо убедиться, что транзистор способен выдерживать напряжения, которые он может увидеть. Необходимо проверить параметры транзистора, такие как Vceo и т. Д.
  6. Коэффициент усиления по току: , Параметр усиления по току транзистора обычно имеет очень широкий разброс. Обычно это цитируется как Β или hfe. Хотя они немного отличаются, для всех подобных схемных эквивалентов параметры транзисторов одинаковы.

    Необходимо выбрать транзистор на замену с примерно таким же усилением по току. Обычно не проблема подобрать транзистор на замену с более высоким коэффициентом усиления. Часто может быть приемлемо меньшее усиление по току.

  7. Предел частоты: Верхний предел частоты для транзистора обычно указывается как его футы. Обычно важно обеспечить соответствие транзистора любым пределам частоты.
  8. Рассеиваемая мощность: Необходимо убедиться, что заменяемый транзистор может рассеивать достаточную мощность.Часто тип упаковки является хорошим показателем этого.

Это основные параметры, которые важны для большинства приложений, но обратите внимание на любые другие параметры транзистора, которые могут потребоваться при выборе транзистора для замены.

Подбор транзистора на замену

При выборе подходящего заменяющего транзистора для использования в электронной схеме необходимо учитывать несколько этапов при выборе.Они могут быть продвинуты в логическом порядке, чтобы сузить выбор и сделать лучшую альтернативу замене транзистора.

Пошаговая инструкция:
  1. Выберите транзистор той же полярности: Первый главный критерий выбора — это транзистор PNP или NPN.
  2. Выберите транзистор для замены из того же материала: Большинство транзисторов выполнены из кремния или германия.Поскольку напряжения смещения и другие характеристики различаются, необходимо выбрать транзистор для замены из того же материала.
  3. Выберите тот же функциональный тип транзистора: Для транзисторов обычно указывается их применение в технических описаниях. Если возможно, замена должна иметь такое же применение.
  4. Выберите замену в том же корпусе: Выбор транзистора на замену с тем же корпусом и распиновкой значительно упростит замену.Различия в корпусе для транзисторов с малым сигналом обычно не являются проблемой, но для более крупных, где могут быть задействованы радиаторы и т. Д., Разные пакеты могут вызвать серьезные проблемы.

    Также, если соединения контактов различны, следует позаботиться о том, чтобы правильные выводы были выбраны правильными соединениями. Распиновка многих транзисторов — EBC, но есть и другие конфигурации выводов, которые могут легко запутать многих людей.

  5. Выберите транзистор на замену с таким же напряжением пробоя: Убедитесь, что значения для V CEO и V CBO и т. Д. По крайней мере такие же, как у исходного транзистора.
  6. Убедитесь, что он может принимать ток: Убедитесь, что заменяющий транзистор может пропускать требуемый ток — он должен иметь I Cmax больше или равное исходному транзистору.
  7. Выберите транзистор с аналогичным Hfe: Необходимо убедиться, что коэффициент усиления по току заменяющего транзистора примерно такой же, как у исходного. Значения коэффициента усиления по току обычно сильно различаются даже для транзисторов одного типа, поэтому допустимы некоторые вариации.
  8. Выберите заменяющий транзистор с эквивалентным Ft: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор сможет работать на соответствующих частотах, поэтому рекомендуется использовать аналогичный или немного более высокий Ft. Не выбирайте транзистор с гораздо более высоким Ft, так как это может увеличить риск колебаний.
  9. Выберите транзистор с аналогичной рассеиваемой мощностью: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор выдерживает мощность, рассеиваемую в цепи.Выбор транзистора на замену с аналогичным типом банки часто означает, что оба транзистора имеют одинаковую рассеиваемую мощность.
  10. Проверьте наличие каких-либо специальных функций: Убедитесь, что указанные выше функции выбраны, но могут быть некоторые дополнительные функции, которые необходимо учитывать. Обычно они требуются, когда транзисторы используются в специализированных приложениях.

После выбора транзистора для замены его можно установить в схему и проверить работоспособность.В большинстве случаев он будет работать удовлетворительно, но иногда могут возникать проблемы. Если это так, необходимо повторно изучить способ, которым был сделан выбор транзистора для замены, и посмотреть, были ли допущены какие-либо ошибки, или поискать другие параметры, которые могут повлиять на работу схемы транзистора.

Что делать, если я не могу найти оригинальные детали транзистора?

Иногда очень легко узнать параметры конкретного транзистора, поскольку их можно найти в Интернете или в справочнике транзисторов.Если это невозможно, потому что маркировка не видна, или данные не могут быть найдены, то не все потеряно.

Еще можно многое узнать о транзисторе из его корпуса, а также о схеме, в которой он используется. Таким образом обычно можно найти подходящий транзистор на замену. Приведенные ниже пошаговые инструкции помогут определить основные параметры транзистора.

Пошаговая инструкция:

Эти инструкции изложены в примерном порядке: сначала наиболее значимые параметры следуют за менее значимыми:

  1. Это транзистор? Это может показаться очевидным вопросом, но иногда некоторые устройства на первый взгляд могут показаться транзисторами.Это может быть полевой транзистор, транзистор Дарлингтона или даже какое-то другое устройство. В качестве альтернативы, иногда небольшие регуляторы напряжения содержатся в корпусах, подобных корпусу транзистора. Другие устройства также могут появляться в том, что на первый взгляд может показаться корпусом транзисторов. Тщательное изучение заявки позволит убедиться в этом.
  2. Кремний или германий: Важно выяснить, является ли транзистор кремниевым или германиевым.Обнаружить это можно несколькими способами. Если исходный транзистор все еще работает, это можно обнаружить, измерив напряжение на переходе база-эмиттер, когда он смещен в прямом направлении. Это должно быть от 0,2 до 0,3 В для германиевого транзистора и 0,6 В для других разновидностей. В качестве альтернативы можно определить тип, посмотрев на другие транзисторы в схеме. Часто во всем оборудовании используется одна и та же технология. Это не всегда так, так что будьте осторожны!
  3. Рассеиваемая мощность: Это часто определяется корпусом, в котором размещен транзистор.Посмотрите на спецификации других транзисторов в тех же корпусах, и это послужит хорошим ориентиром. Пакеты, предназначенные для установки на радиаторах, будут более гибкими, потому что они часто могут рассеивать больше энергии в зависимости от радиатора. С этими пакетами лучше быть осторожнее.
  4. Максимальное напряжение: Представление о максимальном напряжении можно получить из схемы, в которой оно используется. На всякий случай убедитесь, что максимальное рабочее напряжение заменяемого транзистора как минимум в два раза превышает напряжение шины цепи, в которой он работает
  5. Коэффициент усиления по току: Коэффициент усиления транзисторов по току, как известно, определить сложно.Транзисторы большой мощности часто предлагают меньшее усиление — более старые типы силовых транзисторов могут иметь всего 20-50, тогда как транзисторы меньшего размера могут обеспечивать коэффициент усиления где-то между 50 и 1000.
  6. Максимальная частота: Необходимо убедиться, что сменный транзистор способен работать на требуемой частоте. Посмотрите на компоненты в цепи и функции цепи. Обычно можно оценить частоту срабатывания. Затем возьмите это и выберите транзистор на замену, который может легко работать на этой частоте.
  7. Что-нибудь еще: Хотя большинство основных моментов было рассмотрено в пунктах выше, всегда лучше следить за другими параметрами, которые могут повлиять на выбор замены транзистора. Это особенно верно для специализированных схем, где некоторые особенности производительности могут быть критичными.

Выбрать транзистор для замены обычно довольно просто. Доступно огромное количество типов транзисторов, а спецификации многих типов транзисторов совпадают, что во многих случаях делает выбор транзистора для замены довольно простым.

Часто бывает полезно проверить складские запасы у местных продавцов или надежных дистрибьюторов электронных компонентов. Часто бывает необходимо выбрать транзистор, который можно получить быстро и легко. Проверка того, что может быть доступно у продавца или дистрибьютора электронных компонентов, поможет принять окончательное решение.

Возможность выбора транзистора на замену может быть очень полезной, если не удается найти точный тип транзистора. Вполне вероятно, что похожий может быть доступен под рукой или, возможно, у местного продавца.В любом случае полезно иметь возможность выбрать заменяющий транзистор с хорошей возможностью его работы.

Другие электронные компоненты:
Резисторы
Конденсаторы
Индукторы
Кристаллы кварца
Диоды
Транзистор
Фототранзистор
Полевой транзистор
Типы памяти
Тиристор
Разъемы
Разъемы RF
Клапаны / трубки
Аккумуляторы
Переключатели
Реле

Вернуться в меню «Компоненты».. .

Транзисторы 200 шт. D965 2SD965 TO92 Транзистор Npn US Stock u Business & Industrial

200 шт. D965 2SD965 TO92 Npn транзистор US Stock u

200 шт. D965 2SD965 TO92 Npn-транзистор US Stock u. 200Pcs TO92 D965 2SD965 Npn Transistor New IC .. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный элемент в оригинальной упаковке (если применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, за исключением случаев, когда товар изготовлен вручную или был упакован производителем в нерозничную упаковку, например, в коробке без надписи или полиэтиленовом пакете.См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий : Торговая марка: : Без торговой марки , MPN: not Не применяется PC UPC: : Не применяется , EAN: : Не применяется ,。

200 шт. D965 2SD965 TO92 Npn транзистор US Stock u

200 шт. D965 2SD965 TO92 Npn транзистор США в наличии

Открыто 24 часа # 1 Наружная реклама Печать виниловых баннеров с люверсами, General Electric FG 2541-AX4, лампочка 100 Вт, 115 В. D&D PowerDrive MXV4-490 изготовлен из кевларового клинового ремня.G2122036 LITTLE GIANT LG-3048-BRK Универсальная тележка, сталь, 54 Lx30 Вт, 1200 фунтов, 4 мм X 100 м Рулон 10% Dupont Silk 40% нейлон Sarter Rope для Honda GX160 168F 170F, 10 шт. 0,8 мм твердосплавные сверла Гравировальные биты для ЧПУ / Фрезерный станок для печатных плат. 1 шт. Пневматический линейный коллектор 2×3 / 8 «NPT In; 4×3 / 8» NPT Out MettleAir AM20-375-4. Топливный фильтр оригинального оборудования John Deere # AR50141, 3/4 «X 3 5/8 x 6 5/8» АЛЮМИНИЙ 6061 Твердый приклад 3/4 дюйма толщиной 0,75, 1,98 «Пылезащитный колпачок Крышка для смазки Dexter Alko Camper Axle Hub DC200 Кол-во 140, 1 м до 20 м. Набор 20 Größen je nach Wahl 2 м Stangen Kabelkanal von 100 см.ИНСТРУМЕНТ ДЛЯ ЛЕПКИ VNMG 431 C5 Твердосплавные пластины без покрытия 10 ШТ. Преобразователь постоянного тока в постоянный, 20 А, 300 Вт, понижающее регулируемое зарядное устройство XL, HITACHI HM628128ALFPI-8 32-контактная интегральная схема TSSOP Количество-1, -10% PiO. 2 шт. Конденсатор KBG-MP KBG 2x 0.25uF 600V, 1PCS MOT MHW806A4 MODULE Интегральная схема. Clip-On БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА !!! SIEMENS Q320 ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ 20A, 3 полюса, НОВАЯ ПАРТИЯ ИЗ 2 ШТ. DB35-06 DB35 / 06 DB3506 МОДУЛЬ ВЫПРЯМИТЕЛЯ МОСТА SEMIKRON.IP54 5-КЛЮЧЕВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОМЕТР 0-1 «И 6» СУППОРТ, МЕТРИЧЕСКИЙ СТАНДАРТ 8PK11V94- J TE1 SSOP-32, National Instrument 1M 3FT Кабель IEEE-488 Кабель GPIB белого цвета BRAND, 16-дюймовая электрическая сетка с плоской поверхностью столешницы из нержавеющей стали, 120 вольт.1 шт. Усилитель мощности звука IC ST ZIP-25 TDA7385 E-TDA7385. 5,5 «x 8,5» Синие пластиковые переплетные обложки из майлара Спинки 16 мил 25 / упаковка, 100 шт. Повторно закрывающиеся прозрачные пластиковые полиэтиленовые пакеты с застежкой-молнией 3 «x 5» 2 мил,

Замена транзистора

Распайка и замена транзистора занимает совсем немного времени.
Больше времени уходит на то, чтобы выяснить, какой из них заменить, а иногда и
чем заменить!

Оригинальный транзистор может нуждаться в особом заказе или быть снят с производства и быть недоступным.Зная, как
замена транзистора на другой может ускорить ремонт, или
сделать возможным ремонт, который в противном случае невозможен.

Типы транзисторов

Регистрационные номера типов транзисторам присваиваются организацией Joint Electron Device.
Инженерный совет (JEDEC).Номер типа часто печатается на
транзистор, хотя производители продуктов иногда печатают свои собственные номера деталей
вместо. В этом случае в руководстве по обслуживанию продукта или в списке запчастей может быть указано
вы с типом транзистора.

Если у вас нет этого конкретного типа, перекрестная ссылка на транзисторы
Книга иногда может помочь вам найти совместимую деталь. Но, возможно, у вас уже есть подходящий заменитель в ящиках с деталями.

Мы располагаем наши запасы транзисторов не по их типовым номерам, а по их типу.
технические характеристики Это позволяет легко перейти к ящикам
наличие хороших кандидатов на замену.

Вы можете найти спецификации транзисторов в технических паспортах, доступных в Интернете.
Используйте свой браузер для поиска типа транзистора JEDEC или воспользуйтесь поисковой системой, например

AllDataSheet.com.

Первая спецификация, которую следует рассмотреть, — это схема транзистора. Это единственный
spec вы действительно можете увидеть.

Контуры транзисторов

Номер схемы транзистора, или от до , относится к транзистору.
физический размер, форма и
стиль монтажа.Здесь показаны некоторые номера TO:

Схема транзистора обычно не говорит вам, какой из трех выводов транзистора
подключается к своей базовой клемме (B), ее клемме эмиттера (E) или клемме коллектора (C).
Однако паспорт транзистора покажет вам это.

Если расположение выводов небольшого заменяемого транзистора отличается от
что из оригинала, вы можете иногда согнуть выводы транзистора друг над другом, чтобы направить их в
исправьте отверстия в печатной плате. Просто возьми трубочку для спагетти.
на выводах, чтобы они не касались друг друга.

Биполярные транзисторы (BJT)

«Биполярный транзистор», технически «транзистор с биполярным переходом» или BJT,
это обычная разновидность транзисторов.

«Биполярные» транзисторы используют в качестве носителей заряда как электроны, так и дырки (электронные вакансии).

При выборе альтернативного BJT важны следующие электрические характеристики.

Полярность

«Переходные» транзисторы используют поведение переходов между «N-типом» и
Полупроводники «P-типа».Полуфабрикаты N-типа содержат избыточные электроны
а полуфабрикаты типа P содержат
дыры.

«NPN» транзисторы помещают P-область между двумя N
регионов, создавая два перекрестка. Аналогично транзисторы «PNP»
сэндвич с N областью между
два P-региона.

Центральная область называется базой (символ B). Небольшой ток
между эмиттером (символ E) и базой контролирует больший ток
между эмиттером и коллектором (символ C).

Замещающий транзистор должен иметь ту же полярность (NPN или PNP), что и
оригинал. Если у него неправильная полярность, он не будет работать должным образом
в его цепи.

Максимальное напряжение

Если на транзистор подается напряжение, превышающее максимально допустимое, он
могут быть безвозвратно повреждены.При максимальном напряжении, также называемом напряжением пробоя
( BV ), в транзисторе начинается лавина электронов.

Во время лавины электроны в областях перехода P-N
разогнаны до таких высоких энергий, что ударяют связанные электроны с
достаточно силы, чтобы освободить их, создавая дополнительные
носителей заряда и значительно увеличивая
ток транзистора.

Есть три напряжения пробоя:

  • В CB — максимальное напряжение на клеммах Collector-Base
  • В CE — максимальное напряжение на клеммах коллектор-эмиттер
  • В EB — максимальное напряжение на клеммах Emitter-Base

В каждом из этих рейтингов предполагается, что 3-й вывод
электрически открыт (не подключен). V CE ,
например, может быть записано как V CEO , BV CEO или
правильнее всего как V (BR) CEO .

Рейтинг V EB обычно не является фактором
в выборе замены транзистора.

V CB всегда больше или равно V CE
и ты можешь
используйте любое из этих максимальных напряжений для сравнения транзисторов.выбирать
заменяющий транзистор с номинальным напряжением пробоя не менее оригинального.

Максимальный ток

Максимальный ток — это максимальный продолжительный ток коллектора ( I C )
что транзистор может выдержать без необратимых повреждений.

Маленькие транзисторы TO-92 или TO-98, в зависимости от их изготовления, могут работать примерно от
100 и 1000 мА. Пакет ТО-5
может быть рассчитан на 5 ампер; ТО-220, до 25 А; и ТО-3, до 500 А.

Обязательно выберите заменяющий транзистор с максимальным номинальным током не менее
как оригинал.

Максимальная мощность

Максимальная мощность, называемая P D , представляет собой общую мощность, которую транзистор может рассеять через
тепло, не пригорая.

Радиаторы и вентиляторы увеличивают рассеивающую способность транзистора.
высокая температура. Транзистор ТО-5 с P D
3 Вт могут рассеивать 8–10 Вт с радиатором.

Выберите заменяющий транзистор с максимальной номинальной мощностью, по крайней мере, такой же, как у оригинала.

Текущая прибыль

При выборе заменяющего транзистора коэффициент усиления по току бывает значительным только изредка.
Фактическое усиление схемы зависит от других компонентов. Но если
оригинальный транзистор имеет высокий коэффициент усиления, попробуйте ему соответствовать.

Коэффициент усиления по току падает на более высоких частотах, поэтому транзистор с высоким коэффициентом усиления может
обеспечивают более широкую частотную характеристику, чем транзисторы с низким коэффициентом усиления.

Одна мера усиления, называемая h FE , часто используется для
сравнение транзисторов.Заглавный индекс FE относится к
в
F или прямой коэффициент передачи постоянного тока в общем
E Mitter схема. Другими словами, I C / I B .

В технических паспортах часто указывается минимальное или типичное значение h FE ,
или же диапазон значений, применимый при определенном токе коллектора (I C ).

Транзисторы Дарлингтона состоят из двух последовательно соединенных транзисторов.
и имеют прибыль в тысячах, а не в десятках или сотнях.У них также есть двойные
падение входного напряжения, поскольку имеется два последовательно соединенных полупроводниковых перехода.

Не рекомендуется заменять транзистор Дарлингтона на транзистор не Дарлингтона.
типа или наоборот.

Полевые транзисторы (FET)

Полевые транзисторы (FET) используют

электрическое поле для управления потоком заряда через проводящий канал.
Как и в случае с BJT, вентиль (символ G) — это терминал, который управляет
ток транзистора.

Однако в полевом транзисторе управляемый ток течет между
исток транзистора (символ S) и его сток (символ D).

Полевые транзисторы однополярные,
не биполярный, используя в качестве носителей заряда либо электроны, либо дырки, но не то и другое вместе.

Полевые транзисторы встроены в те же схемы транзисторов, что и BJT, но их
электрические характеристики различаются:

Типы полевых транзисторов

Полевые транзисторы бывают трех основных типов:

  • Тип А —
    Соединительный затвор на полевом транзисторе (JFET)
  • Тип B — полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET) в
    «режим истощения»
  • Тип C — полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET) в
    «режим улучшения»

IGFET обычно называют MOSFET (полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник), потому что изначально все
полевые транзисторы с изолированным затвором
имел металлических ворот , покрытых оксидной изоляцией .

Аббревиатуры FET сейчас изобилуют, но они
только описать, как построен или улучшен полевой транзистор; они не определяют
новый базовый тип.

Каждый тип полевого транзистора может быть изготовлен как с N-образным, так и с P-типом.
канал проводимости. Итак, всего существует шесть типов полевых транзисторов.
Ниже приведены их обозначения схем:


Обязательно используйте полевой транзистор того же типа, что и оригинал.

Максимальное напряжение

Одно из следующих напряжений пробоя обычно включается в спецификации для полевого транзистора:

  • BV GSS — напряжение пробоя между затвором Gate и
    Исток клеммы при коротком замыкании стока на
    источник.(Этот рейтинг используется в основном с JFET-транзисторами.)
  • BV DSS — напряжение пробоя между стоком и
    клеммы Source , когда затвор замкнут накоротко на исток.
    (Этот рейтинг используется в основном с силовыми МОП-транзисторами.)

Напряжение пробоя также можно записать как V (BR) GSS или
просто V GSS .

Вы можете использовать любое из вышеуказанных напряжений при сравнении полевых транзисторов. Только
обязательно сравнивайте яблоки с яблоками. Выберите заменяющий полевой транзистор с рейтингом не ниже оригинального.

Текущий

I DSS — ток утечки сток-исток, часто предусмотренный для малосигнальных полевых транзисторов.
Это постоянный ток, который течет через вывод стока, когда затвор
к источнику напряжение равно нулю.

В устройстве обедненного типа I DSS — это ток в открытом состоянии. В
устройство типа улучшения, это ток в выключенном состоянии.
Обычно указываются минимальные и максимальные значения. Выберите замену с таким же общим диапазоном значений.

I D (продолжение) , Непрерывный ток утечки, обычно
предусмотрены для силовых полевых МОП-транзисторов.Это максимальный текущий рейтинг, поэтому выберите замену
с рейтингом не ниже оригинала.

Максимальная мощность

P D — общая мощность, которую полевой транзистор может рассеять за счет тепла.
Это та же спецификация, которая используется для биполярных транзисторов. Выберите замену
с рейтингом не ниже оригинала.

«Вкл» Сопротивление

r DS (on) — это DC
сопротивление между клеммами слива и источника при заданном
Напряжение затвор-исток подается для смещения полевого транзистора во включенное состояние.