Усилитель дорофеева схема: Качественный усилитель класса B | AUDIO-CXEM.RU

Качественный усилитель класса B | AUDIO-CXEM.RU

Как известно, усилители звуковой частоты класса B имеют довольно серьезные искажения, которые связаны с отсутствием смещения на базах выходных транзисторах. То есть, без этого смещения, для открытия кремниевого транзистора, необходимо, чтобы сигнал превысил 0.6-0.7В, и пока сигнал на базе не достиг такого уровня, на выходе усилителя горизонтальная полка (сигнала нет). Каждый раз при прохождении сигнала через нулевой потенциал в базах транзисторов выходного каскада, сигнал на выходе усилителя класса B искажается в виде «ступеньки».

Но почему любители собирают усилители класса B невзирая на искажения? Дело в том, что на противоположной чаше весов лежат такие особенности как высокий коэффициент полезного действия, хорошая термостабильность и высокая мощность при простоте схемы.

Также они являются более экономичными, так как при отсутствии входного сигнала транзисторы выходного каскада усилителей класса B обычно холодные, ведь их ток покоя практически равен нулю (из-за отсутствия смещения на базах), в отличие от класса AB и тем более класса A. Это важно при питании от автономных источников, хотя для этого лучше использовать класс D, но все же.

Схема из журнала

Данная схема усилителя класса B была опубликована в журнале «Радио №3 1991» в статье «Режим B в усилителях мощности ЗЧ». В сети эта схема более известна как «Усилитель Дорофеева» и была повторена любителями электроники тысячи раз.

Адаптированная схема

В адаптированной схеме применена современная элементарная база и сохранены все порядковые номера элементов. Добавлен разделительный конденсатор Cin. Убран конденсатор положительной обратной связи C2. Увеличены емкости C5 и C7. Изменено сопротивление резисторов R10 и R12, ограничивающих ток стабилитронов VD1 и VD2.

Усилитель прост, дешев, не требует сложной наладки, достаточно громкий и поэтому я рекомендую его к сборке. Он хорошо подойдет для работы в качестве сабвуфера или УНЧ автомобиля, но меня он устраивает и для домашнего прослушивания.

Основные характеристики

Напряжение питания ………. ±25В

Сопротивление нагрузки ………. 4Ома

Выходная мощность, номинальная (Rout=4Ома) ………. 40Вт

Выходная мощность, максимальная (Rout=4Ома) ………. 60Вт

Входное сопротивление ………. 10кОм

Входное напряжение ………. 750мВ

КНИ (Pном., f=1кГц) ……….0.08%

КНИ (Pном., f=20кГц) ……….0.15%

Остальные характеристики можно посмотреть в оригинальной статье.

В журнале автор описывает особенность схемы, которая заключается во включении транзисторов VT1 и VT2 как усилителей тока для баз транзисторов выходного каскада VT3 и VT4. То есть, транзисторы выходного каскада открываются не напряжением, а током, усиленным транзисторами VT1 и VT2. Такое включение дает возможность устранения искажения в виде «ступеньки», без смещения на базах транзисторов VT3 и VT4, то есть, сохранив режим класса B.

Схему можно собирать, как на советской элементарной базе, так и на импортной. Я собирал на импортных компонентах.

Операционный усилитель включен в инвертирующем варианте с отрицательной обратной связью через резистор R1. Операционный усилитель усиливает напряжение, а VT1 и VT2 усиливают ток, усиленный ими ток полностью уходит в базы транзисторов VT3 и VT4. Последние транзисторы также усиливают ток, который протекает через нагрузочный резистор R11. На этом резисторе образуется падение напряжения, пропорциональное току, протекающему через него. Это падение и есть усиленное напряжение, хотя все транзисторы работают в режиме усиления тока.

На базах VT1 и VT2 задано смещение с помощью резисторного делителя напряжения R6-R9. Смещение задается таким образом, чтобы при температуре транзисторов до 600C напряжение на базах было 0.4-0.5В, то есть они еще закрыты, но еще немного (0.1-0.2В) и они откроются. Автор схемы объясняет это уменьшением их порога срабатывания.

Стабилитроны VD5 и VD7 и резисторы R10 и R12 обеспечивают напряжением питания (±15В) операционный усилитель.

Компоненты

Транзисторы TIP41 и TIP42 можно заменить на BD911 и BD912, или на КТ818, КТ819, но у последних другое расположение выводов. Будьте внимательны! Печатная плата разведена именно под КТ818, КТ819.

Автор схемы пишет в своей статье, что подбирать транзисторы в пары по их параметрам не нужно.

Операционный усилитель TL071 можно заменить на TL081.

Конденсаторы Cin и C6 пленочные.

Все резисторы мощностью 0.25Вт, за исключением R11 – 1Вт.

Стабилитроны VD1 и VD2 на напряжение 15В.

Охлаждение

Транзисторы выходного каскада должны быть установлены на одном теплоотводе, а транзисторы предвыходного каскада каждый на своем радиаторе. Если не соблюсти данную рекомендацию, то усилитель может стать не стабилен и при нагреве VT1 и VT2 может пойти в «разнос».

Теплоотводы для BD139 и BD140 должны быть площадью поверхности 60см2 каждый. Теплоотвод для TIP41 и TIP42 должен иметь площадь поверхности 600см2.

Для наладки усилителя я установил все транзисторы на один радиатор, но при установке в корпус теплоотводы будут разъединены.

Фланцы VT3 и VT4 я не изолировал от теплоотвода, так как их коллекторы соединены по схеме, но если корпус усилителя металлический, то необходимо их изолировать.

Питание нашего усилителя класса B должно быть двуполярным ±25В. Его можно обеспечить с помощью импульсного источника питания или линейного источника.

При использовании линейного блока питания, напряжение вторичных обмоток трансформатора не должно превышать 18+18 Вольт переменного тока, так как после выпрямления, на накопительном конденсаторе напряжение будет в 1.41 раз больше, то есть ±25В. Рекомендуемый ток вторичных обмоток (на один канал) не менее 1.5А.

Емкость накопительных конденсаторов (для одного канала) должна составлять 4700-6800мкФ в каждом плече, а их напряжение не менее 35В.

Налаживание усилителя

Наладка производится путем подбора резисторов R7 и R8 до достижения на базах VT1 и VT2 напряжения постоянного тока в диапазоне 0.4-0.5В. В моем случае подбирать ничего не пришлось, все в допуске. Одним щупом касаемся средней точки (GND), вторым щупом базы VT1, а потом базы VT2.

Если сборка производилась по схеме из журнала, с применением советского ОУ, то далее вращением ротора подстроечного резистора R5 добиваемся нулевого напряжения на выходе усилителя. Для TL071 данная операция не выполняется, так как ею на выходе обеспечивается нулевое напряжение.

После прогрева усилителя рекомендуется повторить его наладку.

После наладки я нагрузил усилитель резистором с сопротивлением 4Ома.

На вход подал синусоидальный сигнал с частотой 1кГц. На экране моего осциллографа С1-94 искажений в виде «ступеньки» на выходе усилителя я не увидел.

Печатная плата (разводка от AKA KASYAN) СКАЧАТЬ

Усилитель Дорофеева – усилитель мощности в режиме В



Принципиальная схема и описание усилителя мощности на одном ОУ и четырёх транзисторах. Высокий КПД и температурная стабильность
при низком уровне нелинейных искажений.



Двухтактные транзисторные усилители мощности ЗЧ, работающие в режиме В, обладают рядом очевидных достоинств, таких как: высокий КПД,
возможность получения большой выходной мощности, высокая температурная стабильность.

Ток покоя выходных транзисторов практически равен нулю, что обеспечивает температурную
стабильность каскада, но из-за кривизны начального участка входной характеристики транзисторов в выходном сигнале появляются характерные
нелинейные искажения типа «ступенька», а сигналы малого уровня вообще не усиливаются.


Как избавиться от этих искажений – предложил в статье «Режим В в усилителях мощности ЗЧ» (журнал «Радио» № 3 за 1991 год) М.Дорофеев.

С точки зрения автора, эти искажения возникают из-за неправильного использования транзистора как усилительного прибора. Дело в том, что
транзистор является усилителем тока, а его заставляют выполнять несвойственные ему функции усилителя напряжения.

В усилителях напряжения сигнал на выходной транзистор подаётся от источника с малым внутренним сопротивлением, т.е. от генератора
напряжения. В результате всё напряжение сигнала падает на входном сопротивлении транзистора, и ток его базы целиком определяется
величиной входного сопротивления. А поскольку эта величина на начальном участке входной характеристики очень велика – ток базы
чрезвычайно мал. Только тогда, когда величина входного сигнала превысит по рог открывания транзистора (примерно 0,6 В) и входное
сопротивление уменьшится до единиц кОм или меньше, ток в цепи базы начинает увеличиваться.

В усилителях же тока сигнал на транзистор подаётся от источника с большим внутренним сопротивлением, т.е. от генератора тока. В этом
случае ток в цепи базы транзистора мало зависит от входного сопротивления и определяется в основном внутренним сопротивлением источника
тока. Кривая зависимости тока коллектора от тока базы проходит через начало координат и на начальном участке почти линейна.

Исходя из изложенных соображений, автором статьи были разработан усилитель мощности ЗЧ класса В, в котором использован операционный
усилитель (Рис.1).

Рис.1 Принципиальная схема усилителя мощности ЗЧ класса В

Усилитель работает в режиме В, поскольку начальное смещение на базах транзисторов выходного класса отсутствует и их токи покоя
равны нулю. Выходные транзисторы управляются коллекторными токами транзисторов VT1 и VT2, которые включены по схеме ОЭ с резистором
в цепи эмиттера и имеют большое выходное сопротивление.

Использование ОУ даёт следующие возможности:

Большой коэффициент усиления ОУ позволяет увеличить глубину ООС и снизить искажения.

Появляется возможность относительно просто ввести положительную обратную связь (с помощью цепи C2R4) нужной глубины, что улучшает переходную
характеристику усилителя.

Использование токового управления выходным каскадом в совокупности с операционным усилителем и общей ООС
позволяет значительно снизить собственные искажения исходного усилителя.


ОУ включён по схеме инвертирующего усилителя, обладающей хорошей устойчивостью.

Основные параметры усилителя:

  • Номинальная выходная мощность на нагрузке 4Ом, Вт ……………… 40
  • Максимальная выходная мощность на нагрузке 4Ом, Вт ……………. 60
  • Номинальное входное напряжение, В………………………………………… 0,75
  • Коэффициент усиления, дБ……………………………………………………….. 26
  • Коэффициент гармоник при номинальной мощности, %,

    1кГц ……………. 0,08

    20кГц ………….. 0,17
  • Коэффициент интермодуляционных искажений, %………………….. 0,3 (0,47)
  • Полоса частот, Гц ………………………………………………………………….. 20-20000
  • Скорость нарастания выходного напряжения, В/мкс……………………. 12
  • Входное сопротивление, кОм …………………………………………………….. 10
  • Немаловажным достоинством обоих усилителей является то, что постоянное напряжение на их выходах устойчиво поддерживается на нулевом
    уровне (с точностью до единиц мВ) за счёт сильной ООС по постоянному току.



    Выходные транзисторы VT3, VT4 размещены на одном теплоотводе с площадью охлаждающей поверхности 600 см2.

    На Рис.2 изображена зависимость температуры теплоотвода от выходной мощности.

    Транзисторы VT1 и VT2 размещены на отдельных теплоотводах, каждый с площадью охлаждающей поверхности по 60 см2.

    Усилители запитываются от стабилизированных источников. В противном случае – следует повысить напряжение питания на 10%
    и увеличить площадь теплоотвода для выходных транзисторов.

    Рис.2 Зависимость температуры выходных транзисторов от мощности

    Налаживание усилителей сводится к подбору напряжения между базами транзисторов предвыходного каскада до значений 0,4-0,5 В.
    Практически это делается путём подбора резисторов R7, R8. Затем резистором R5 устанавливают нулевое напряжение на выходе усилителя.
    После этого нужно подключить к выходу усилителя нагрузку и подобрать резистор R13 по минимуму искажений на частоте 20 кГц.

    Транзисторы подбора не требуют. При подключении реальной нагрузки может потребоваться подбор корректирующего конденсатора С6.

    Вместо ОУ К140УД8А можно использовать ОУ того же типа с любым индексом, а также К574УД1 и К544УД2.

    Несмотря на то, что УМЗЧ класса В — крайне редкий гость в закромах радиолюбительских конструкций, за три десятилетия своего
    существования усилитель Дорофеева доказал свою состоятельность, надёжность и приличное качество звучания. Поэтому в полной мере
    может быть рекомендован к самостоятельной сборке начинающему радиолюбителю.

    Схема усилителя Дорофеева, выполненная на современной элементной базе, приведена на Рис.3.

    Рис.3 Схема усилителя Дорофеева на современной элементной базе

    Схема настолько проста и продумана, что допускает такие вольности, как исполнение на макетной печатной плате.



    Рис.4 Вариант исполнения усилителя Дорофеева на макетной печатной плате

    Вот, что пишет уважаемый сеньор «neo_work», собравший усилитель и опубликовавший это фото, на форуме
    radioskot.ru:

    «Питание после диодов и баночек в 10000х2 – по 24.2В на плечо. Заработал усилочек сразу же, дури нормально, звук приятный, транзисторы
    холодные. Все номиналы такие же, как на схеме.

    Схема имеет место быть, проста в сборке, не требует, по сути, наладки и состоит из крайне распространённых деталей.

    Питание НЕстабилизированное. Звук вполне себе качественный, уши от ВЧ не закладывает, мозг от НЧ не колыхается.

    Что, если не подобные конструкции собирать людям, которые лишь начинают своё путешествие в мир радиоэлектроники и УНЧ?
    При верном монтаже, все работает сразу же!

    В дальнейшем, погоняв Дорофеева, понял, что такой большой радиатор ему вовсе не требуется».

    Комментарий Vpayaem.ru:


    Из обилия различных схемотехнических модификаций усилителя Дорофеева я бы отмёл варианты, в которых между базами и эмиттерами
    выходных транзисторов подключаются резисторы номиналами порядка единиц килоом и ниже.
    При таком включении генераторы тока на VT1 и VT2 превращаются в генераторы напряжения с выходным сопротивлением, равным величине
    этих резисторов. Это сводит на нет идею уважаемого автора, а также требует для снижения нелинейных искажения типа «ступенька»
    наличия определённого тока покоя выходных транзисторов и увеличения глубины ООС.

    К тому же не следует пытаться (как это приводится в некоторых источниках) сажать предвыходные транзисторы VT1 и VT2 на один радиатор с
    выходными VT3 и VT4.
    В этом случае при нагреве полупроводников существует опасность перехода выходного каскада из режима В в режим AB.




    Усилитель звука по схеме Дорофеева на SMD компонентах

    Приветствую дорогие самоделкины!
    Рад представить Вашему вниманию проверенную временем схему усилителя звуковой частоты по схеме Дорофеева выполненную на одном операционном усилителе и четырех транзисторах.

    Схема очень простая, не требует никакой настройки, начинает работать сразу после сборки и под силу даже начинающим радиолюбителям. Не смотря на простоту, усилитель имеет довольно качественное звучание и выходную мощность около 50 ватт, что более чем достаточно для жилого помещения. Данная схема работает в классе В, и впервые была опубликована в журнале «Радио» выпуск №3 за 1991год под заголовком «Режим B в усилителях мощности ЗЧ».

    Оригинальная схема усилителя

    Как видим схема действительно очень простая, но она построена на отечественной элементной базе, которую сейчас не так легко найти, в интернете присутствует множество вариантов и модификаций этого усилителя, например DarkAMP — переведённая на современную базу, и слегка модернизированная, также на этом сайте была представлена аналогичная схема «Транзисторный усилитель 50W своими руками», но в отличии от неё наша плата будет в основном состоять с smd компонентов, что позволит нам крепить плату целиком на радиатор, и собрать более компактный усилитель на современной элементной базе. Для питания усилителя необходим блок питания с выходным двухполярным напряжением 25 вольт в плечо и мощностью 100-150 ватт. Схема нашего усилителя будет выглядеть так:

    Усилитель Дорофеева на импорте

    Как видим схема не содержит дорогих и дефицитных компонентов, всех их можно купить практически в каждом радиомагазине, или радиорынке. Операционный усилитель в нашем варианте будет TL071 (можно ставить TL081) в корпусе SO8, предвыходные транзисторы – распространённая комплементарная пара BD139/BD140, в качестве выходных транзисторов будет использоваться NJW0302/NJW0281 (можно ставить «народную» пару 2SC5200/2SA1943), стабилитрон 1N4744A можно заменить любым на напряжение стабилизации 15 вольт и мощностью рассеивания не менее 1 Ватт. При данной схемотехнике и напряжения питания +/-25 вольт (двухполярное), можно снять около 50 ватт на нагрузку в 4 Ома. Можно поднять напряжение питания до 30-36 вольт в лечо и снять при этом более 100 ватт на канал, но для этого нужно заменить два одноваттные резисторы номиналом 910 Ом на аналогичные по мощности, номиналом 2 килоома, все smd компоненты выполнены в корпусе типоразмера 1206, выводные конденсаторы — плёночные.
    Для сборки нам понадобится:

    Для начала нам нужно сделать плату. Её я делаю с помощью метода Лазерно утюжной технологии (ЛУТ), разводка платы моего авторства выглядит так (скачать плату в формате lay):

    Печатаем рисунок платы на термотрансферную бумагу и переводим на стеклотекстолит с помощью обычного утюга:

    Далее травим в хлорном железе (или в растворе перекиси водорода, соли и лимонной кислоты), сверлим отверстия и лудим дорожки (лично я лужу в сплаве Розе в кипятке с добавлением лимонной кислоты), и получаем вот такую красоту:

    Как по мне, плата разведена не плохо, так как при работе усилителя абсолютно отсутствует какой-либо фон и наводки
    Далее припаиваем сначала smd компоненты, и потом все выводные, от меньших к большим для удобства пайки. После пайки отмывания флюса получаем следующий результат:

    После этого можно попробовать включить усилитель для проверки работоспособности, так как выходные транзисторы еще не установлены на радиатор, то необходимо включить устройство не более чем на одну минуту и на вход подать музыкальный сигнал небольшой громкости, или просто потрогать вход пальцем. Если всё собрано верно, то усилитель сразу начнет работать и в динамике должна играть музыка, или фон от пальцев, если такого нет, то необходимо убедится в правильности установки всех компонентов, и в отсутствии случайных перемычек между дорожками от капелек припоя, также следует обратить внимание на правильность установки стабилитронов, и транзисторов, и также правильную полярность электролитических конденсаторов. Далее необходимо установить плату на радиаторы, сначала метим места для отверстий, керним и сверлим сверлом 2,5 мм, потом в каждое отверстие капаем по пару капель машинного масла и с помощью метчика М3 навинчиваем резьбу. Данных радиаторов хватает с избытком и даже при максимальной мощности радиаторы сильно не разогреваются (не более 35-40 градусов)

    Выходные транзисторы обязательно изолируем от радиатора с помощью изолирующих прокладок с нанесение термопасты:

    После сборки можно переходить к полноценным испытаниям и прослушиванию. Схема показала хороший результат неплохое звучание, и надёжность.

    Приятных вам самоделок!

    УНЧ на транзисторах своими руками: схемы для новичков

    Усилители – наверное, одни из первых устройств, которые начинают конструировать радиолюбители-новички. Собирая УНЧ на транзисторах своими руками при помощи готовой схемы, многие используют микросхемы.

    Транзисторные усилители хоть и отличаются огромным числом применяемых микросхем, но каждый радиоэлектронщик постоянно стремится сделать что-то новое, более мощное, более сложное, интересное.

    Более того, если вам нужен качественный, надежный усилитель, то стоит смотреть в сторону именно транзисторных моделей. Ведь, именно они наиболее дешевые, способны выдавать чистый звук, и их легко сконструирует любой новичок.

    Поэтому, давайте разберемся, как сделать самодельный усилитель НЧ класса B.

    [stextbox id=’info’]Примечание! Да-да, усилители класса B тоже могут быть хорошими. Многие говорят, что качественный звук могут выдавать лишь ламповые устройства. Отчасти это правда. Но, взгляните на их стоимость.[/stextbox]

    Более того, собрать такое устройство дома – задача далеко не из легких. Ведь вам придется долго искать нужные радиолампы, после чего покупать их по довольно высокой цене. Да и сам процесс сборки и пайки требует какого-то опыта.

    Поэтому, рассмотрим схему простого, и в то же время качественного усилителя низкой частоты, способного выдавать звук мощность 50 Вт.

    Старая, но проверенная годами схема из 90-х

    Схема УНЧ, который мы будем собирать, впервые была опубликована в журнала «Радио» за 1991 год. Ее успешно собрали сотни тысяч радиолюбителей. Причем, не только для наработки опыта и улучшения мастерства, но и для использования в своих аудиосистемах.

    Итак, знаменитый усилитель низкой частоты Дорофеева:

    Уникальность и гениальность этой схемы кроется в ее простоте. В этом УНЧ применяется минимальное количество радиоэлементов, и предельно простой источник питания. Но, устройство способно «брать» нагрузку в 4 Ома, и обеспечивать выходную мощность в 50 Вт, чего вполне достаточно для домашней или автомобильной акустической системы.

    Многие электротехники совершенствовали, дорабатывали эту схему. И. для удобства мы взяли самый современный ее вариант, заменив старые компоненты на новые, чтобы вам было проще конструировать УНЧ:

    Описание схемы усилителя низких частот

    В этом «переработанном» Доровеевском УНЧ были использованы уникальные и наиболее эффективные схематические решения. К примеру, сопротивление R12. Этот резистор ограничивает ток на коллекторе выходного транзистора, тем самым ограничивая максимальную мощность усилителя.

    [stextbox id=’info’]Важно! Не стоит менять номинал R12, чтобы увеличить выходную мощность, так как он подобран именно под те компоненты, что применяются в схеме. Этот резистор защищает всю схему от коротких замыканий.[/stextbox]

    Выходной каскад транзисторов:

    Тот самый R12 «вживую»:

    Резистор R12 должен иметь мощность на 1 Вт, если под рукой такого нет – берите на полватта. Он имеет параметры, обеспечивающие коэффициент нелинейных искажений до 0,1% на частоте в 1 кГц, и не более 0,2% при 20 кГц. То есть, на слух никаких изменений вы не заметите. Даже при работе на максимальной мощности.

    Блок питания нашего усилителя нужно подобрать двухполярный, с выходными напряжениями в пределах 15-25 В (+- 1 %):

    Чтобы «поднять» мощность звука, можно увеличить напряжение. Но, тогда придется параллельно произвести замену транзисторов в оконечном каскаде схемы. Заменить их нужно на более мощные, после чего провести перерасчет нескольких сопротивлений.

    Компоненты R9 и R10 должны иметь номинал, в соответствии с подающимся напряжением:

    Они, с помощью стабилитрона, ограничивают проходящий ток. В этой же части цепи собирается параметрический стабилизатор, который нужен для стабилизации напряжения и тока перед операционным усилителем:

    Пара слов о микросхеме TL071 – «сердце» нашего УНЧ. Ее считают отличным операционным усилителем, которые встречается как в любительских конструкциях, так и в профессиональной аудиоаппаратуре. Если нет подходящего операционника, его можно заменить на TL081:

    Вид «в реальности» на плате:

    [stextbox id=’info’]Важно! Если вы решите применять в этой схеме какие-либо другие операционные усилители, внимательно изучайте их распиновку, ведь «ножки» могут иметь другие значения.[/stextbox]

    Для удобства микросхему TL071 стоит монтировать на предварительно впаянную в плату пластиковую панельку. Так можно будет быстро заменить компонент на другой в случае необходимости.

    [stextbox id=’info’]Полезно знать! Для ознакомления представим вам еще одну схему этого УНЧ, но без усиливающей микросхемы. Устройство состоит исключительно из транзисторов, но собирается крайне редко ввиду устаревания и неактуальности.[/stextbox]

    Чтобы было удобнее, мы постарались сделать печатную плату минимальной по размерам – для компактности и простоты монтажа в аудиосистему:

    Все перемычки на плате нужно запаивать сразу же после травления.

    Транзисторные блоки (входного и выходного каскада) нужно монтировать на общий радиатор. Разумеется, они тщательно изолируются от теплоотвода.

    На схеме они здесь:

    А тут на печатной плате:

    Если в наличии нет готовых, радиаторы можно изготовить из алюминиевых или медных пластин:

    Транзисторы выходного каскада должны иметь рассеиваемую мощность как минимум в 55 Вт, а еще лучше – 70 или целых 100 Вт. Но, этот параметр зависит от подающегося на плату напряжения питания.

    Из схемы понятно, что на входном и выходном каскаде применяется по 2 комплементарных транзистора. Нам важно подобрать их по усиливающему коэффициенту. Чтобы определить этот параметр, можно взять любой мультиметр с функцией проверки транзисторов:

    Если такого устройства у вас нет, тогда придется одолжить у какого-то мастерам транзисторный тестер:

    Стабилитроны стоит подбирать по мощности на полватта. Напряжение стабилизации у них должно составлять 15-20 В:

    Блок питания. Если вы планируете смонтировать на свой УНЧ трансформаторный БП, тогда подберите конденсаторы-фильтры с емкостью как минимум 5 000 мкФ. Тут чем больше – тем лучше.

    Собранный нами усилитель низких частот относится к B-классу. Работает он стабильно, обеспечивая почти кристально-чистое звучание. Но, БН лучше всего подбирать так, чтобы он мог работать не на всю мощность. Оптимальный вариант – трансформатор габаритной мощностью минимум в 80 Вт.

    Качество звучания этого УНЧ вполне сносное. Устройство даже можно приравнять к схемам на основе микросхем TDA2030 и TDA2050. А если оснастить усилитель качественным и мощным блоком питания, то схема составит конкуренцию даже «ножкам» TDA7294:

    Заключение

    Вот и все. Мы разобрались, как собрать УНЧ на транзисторах своими руками с помощью простой схемы, и как его в будущем можно усовершенствовать. Все компоненты устройства найдутся у каждого радиолюбителя, а если их нет – стоит разобрать пару-тройку старых магнитофонов или заказать радиодетали в интернете (стоят они практически копейки).

    ▶▷▶▷ схемы усилителей на транзисторах с печатной платой

    ▶▷▶▷ схемы усилителей на транзисторах с печатной платой

    ИнтерфейсРусский/Английский
    Тип лицензияFree
    Кол-во просмотров257
    Кол-во загрузок132 раз
    Обновление:13-04-2019

    схемы усилителей на транзисторах с печатной платой — Схемы усилителей мощности на транзисторах, самодельные УНЧ и УМЗЧ radiostoragenet5-usiliteli-na-tranzistorah Cached Принципиальные схемы усилителей мощности на биполярных и полевых транзисторах , самодельные УНЧ МОЩНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ТРАНЗИСТОРАХ elworupublskhemy_usilitelejmoshhnyj_usilitel Cached Собранная версия усилителя работает при токе около 1,6 А и напряжении 35 В В результате чего 60 Вт мощности непрерывного рассеивается на транзисторах в выходном каскаде Схемы Усилителей На Транзисторах С Печатной Платой — Image Results More Схемы Усилителей На Транзисторах С Печатной Платой images Усилители мощности низкой частоты cxemnetsoundampsampsphp Cached Схемы УНЧ Ламповые,транзисторные, на микросхемах,в машину и др Схемы усилителей мощности на транзисторах, самодельные УНЧ и radiostoragenet5-usiliteli-na-tranzistorah5 Cached Мощный УМЗЧ на полевых транзисторах , класс А с питанием 12В (32Вт на 8Ом) Мощный УМЗЧ с работой всех каскадов в режиме класса А, обеспечивающий на 8-омной нагрузке 32 Вт при потрясающе высоком реальном КПД 45 Ричард Барфут ДОМАШНИЙ УСИЛИТЕЛЬ — СХЕМЫ И ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ radioskotrupublunchdomashnij_usilitel_skhemy Cached Над платой долго не думал, в наличии имелись все платы отдельных блоков, нужно было только все шаблоны перенести на фольгированный стеклотекстолит и потравить гитарный усилитель мощности на 100 ватт на транзисторах rufilesmagixnetpublicgitarnyiy-usilitel-moschnosti Cached Мы неоднократно приводили схемы мощных усилителей мощности низкой частоты для самостоятельной сборки, и Ланзар реализован на 13-и транзисторах , схема полностью симметрична В архиве есть Усилители мощности Схемы, статьи Бесплатной технической wwwdiagramcomualist41shtml Cached Простой усилитель мощности на транзисторах КТ805 (20 ватт) Простой усилитель на микросхеме tda7294 с печатной платой и внешним видом; Простой усилитель на микросхеме К174ХА10 Усилители мощности транзисторные Схемы, статьи Бесплатной wwwdiagramcomualist41-3shtml Cached Простой усилитель мощности на транзисторах КТ805 (20 ватт) Простой усилитель на микросхеме tda7294 с печатной платой и внешним видом; Простой усилитель на микросхеме К174ХА10 Усилитель низкой частоты (УНЧ) на микросхеме TDA7250 ph0en1xnet11-usilitel-nizkoj-chastoty-unch-na Cached Архив с печатной платой обновлен Внесите нужные изменения на своей печатной плате, также не поленитесь еще раз все проверить на соответствие принципиальной схеме Высококачественный, но простой транзисторный усилитель myskurublogebay58320html Cached Это дает выходную мощность всего в 39 Вт (тут я буду писать исключительно rms, тк она и только она важна при выборе трансформатора) на канал С учетом КПД усилителей два канала будет Promotional Results For You Free Download Mozilla Firefox Web Browser wwwmozillaorg Download Firefox — the faster, smarter, easier way to browse the web and all of 1 2 3 4 5 Next 2,670

    • Учитывалось также наличие и доступность деталей в торговой сети, что значительно снизило себестоимос
    • ть усилителя. Расположение деталей на плате усилителя показано на рисунке ниже.
      Модель монтажной платы усилителя НЧ. 2) Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью. М.: Иностр
    • аты усилителя НЧ. 2) Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью. М.: Иностранная литература 1948.
      Операционный усилитель ( ОУ , OpAmp ) усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и, как правило, единственным выходом, имеющий высокий коэффициент усиления. Рассмотрим работу ОУ как отдельного дифференциального усилителя, то есть без включения…
      Для ограничения измеряемого диапазона снизу служит цепь R6R7R8, она задает начальное смещение таким образом, чтобы при температуре 36-36,5 С на выходе усилителя на DA3.1 напряжение составило около 1,8В.
      Серия унифицированных лампово полупроводниковых цветных телевизоров (с блоком цветности на интегральных микросхемах), выпускавшаяся в СССР с 1972 по 1989 год. Содержание 1 Архитектура 1.1 Блок радиоканала. Первый каскад усилителя промежуточной частоты изображения (УПЧИ) — транзистор ГТ328Б; На вход узла …
      Однако, не лишним будет заметить, что основное русло в радиолюбительском творчестве должно быть направлено на созидание конструкций на базе транзисторов и микросхем, обладающих неоспори мыми преимуществами по сравнению с электронными лампами. Транзисторный усилитель мощности на 100 Ватт. Усилитель …
      А-30 по входу на усилитель мощности показал себя музыкальней, но нужно учитывать ограничение по мощности. Все очень грамотно в стоке сделано с усилителем мощности — за это и взял его.
      Разработка отладочной платы устройства для отладки микроконтроллеров Технические характеристики и условия эксплуатации отладочной платы. Усилитель низких частот Разработка конструкций и технологического процесса изготовления печатной платы устройства, расчетное обоснование выбора элементной базы и разработка …

    не лишним будет заметить

    5 С на выходе усилителя на DA3.1 напряжение составило около 1

    • статьи Бесплатной технической wwwdiagramcomualist41shtml Cached Простой усилитель мощности на транзисторах КТ805 (20 ватт) Простой усилитель на микросхеме tda7294 с печатной платой и внешним видом; Простой усилитель на микросхеме К174ХА10 Усилители мощности транзисторные Схемы
    • 6 А и напряжении 35 В В результате чего 60 Вт мощности непрерывного рассеивается на транзисторах в выходном каскаде Схемы Усилителей На Транзисторах С Печатной Платой — Image Results More Схемы Усилителей На Транзисторах С Печатной Платой images Усилители мощности низкой частоты cxemnetsoundampsampsphp Cached Схемы УНЧ Ламповые
    • обеспечивающий на 8-омной нагрузке 32 Вт при потрясающе высоком реальном КПД 45 Ричард Барфут ДОМАШНИЙ УСИЛИТЕЛЬ — СХЕМЫ И ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ radioskotrupublunchdomashnij_usilitel_skhemy Cached Над платой долго не думал

    схемы усилителей на транзисторах с печатной платой Картинки по запросу схемы усилителей на транзисторах с печатной платой Другие картинки по запросу схемы усилителей на транзисторах с печатной платой Жалоба отправлена Пожаловаться на картинки Благодарим за замечания Пожаловаться на другую картинку Пожаловаться на содержание картинки Отмена Пожаловаться Все результаты Транзисторный усилитель W своими руками У Самоделкина Электроника Усилители мая г Усилители мощности низкой частоты или просто усилитель звука, Если нужен хороший качественный усилитель , то стоит собрать его на транзисторах Представленная схема была опубликованная в журнале Радио Несколько слов о печатной плате , мастер старался ее сделать Простой самодельный усилитель мощности на пяти транзисторах radiostoragenetprostojsamodelnyjusilitelnapyatitranzistorahwatt Рейтинг голосов Схема простого транзисторного усилителя мощности на Ватт и более, УМЗЧ своими руками с Описание схемы усилителя и печатная плата PDF схем для Радиолюбителей Усилители и усилительно radiospravochnikbyrufddvoronnameShemyusilitpdf Похожие ко многим из них указана замена транзисторов и диодов Все схемы Описание этого усилителя и рисунок печатной платы приводится в Усилитель звука на транзисторах Сделай сам своими руками Электроника Усилитель своими руками Рейтинг голосов авг г Усилитель звука на транзисторах своими руками Собирается схема на печатной плате размерами х мм, рисунок в формате Схема качественного усилителя мощности Усилитель amplifrupublskhema_kachestvennogo_usilitelja_moshhnosti Похожие Схема усилителя мощности была успешно повторена многими радиолюбителями, Рисунок печатной платы УНЧ УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ vipcxemaorg Самый качественный усилитель звука Линейных и сверхлинейных схем усилителей мощности НЧ достаточно много, но схему , Правильный режим работы может нарушиться изза неправильной разводки платы , неудачного расположения компонентов, Поскольку оригинальных транзисторов схемы не удалось найти, Печатная плата Схема усилителя мощности звука на Ватт Схемы Рейтинг , голосов июн г Принципиальная схема УНЧ на транзисторах ватт; Блок питания Печатная плата источников питания после травления и Усилитель звука на транзисторах своими руками Сайт Паяльник cxemnet Усилители Похожие Схема простого усилителя звука своими руками на транзисторах Симметричный УНЧ из доступных деталей по мотивам В Короля Усилители Усилители на транзисторах Похожие Начало Усилители Усилители на транзисторах Симметричный УНЧ из доступных деталей по Схему разместил на двух частях печатной платы УНЧ ХАМЕЛЕОН Вт Схемы Печатная плата в окт г В оконечном каскаде применены полевые транзисторы IRFP и Печатная плата усилителя Хамелеон показана на следующих Усилитель на транзисторах Класс А Вт Все своими руками rustasteruamplifiertransistorclassawhtml Похожие янв г Все кто будет повторять схему , будьте внимательны к разводке печатной платы Помните что расположение деталей на плате играет Усилитель на П Блог им Jman Сообщество EasyElectronicsru weeasyelectronicsruJmanusilitelnaphtml февр г А вот схема усилителя мощности на транзисторах МПМП и за малым, нарисовалсрисовал схему , развел печатную плату , Схема усилитель на Вт wwwradiomagicruamplifiersusiliteljnizkihchastot Похожие Печатная плата усилителя usilitelj Печатная плата усилителя Качество пайки выходных цепей должно хорошим и качественным Протекающий Видео Топ самых популярных схем УНЧ на транзисторах для Lifehack Overview YouTube июн г Высококачественный усилитель класса АВ Чип и Дип YouTube мар г Самый популярный усилитель низкой частоты на Чип и Дип YouTube мая г Все результаты Схема усилителя мощности wwwradiomagicruamplifiersskhemausilitelyamoshchnosti Похожие апр г Вариант Скачать второй вариант печатной платы усилителя мощности Тажа схема но на транзисторах MOSFET IRFP ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ Техника и nauchebenet Радиоэлектроника Работа со звуком Транзисторные УНЧ Похожие авг г Обычно качество усилителей мощности звуковой частоты УМЗЧ Структурная схема усилителя в основном осталась неизменной, При мон таже транзисторы VT, VT, VT соединяют с печатной платой Усилитель низкой частоты УНЧ на микросхеме TDA Рейтинг голосов Схема , даташит, печатная плата , рекомендации Из разнообразия самодельных усилителей НЧ на транзисторах и интегральных микросхемах, Печатная плата для MOSFET усилителя Electronics в г Ноябрь Печатная плата для MOSFET усилителя Ноябрь Перейти Простой усилитель мощности на полевиках Принципиальная Схема , Electronics Projects, Муравьи Подробнее Вт на транзисторах BD, BD RIM Схема простого усилителя звука на транзисторах отлично Схема простого усилителя звука на транзисторах от до Вт Конструкция и компоненты Печатная плата с расположением на ней элементов Усилитель мощности кВт рабочие схемы Вместе с тем для использования мощных полевых транзисторов На этом фото показана печатная плата почти законченного усилителя мощности Звуковые усилители pasekaru pasekarunode Похожие мая г Вариант схемы на биполярных транзисторах показан ниже Печатная плата и внешний вид усилителя по другой версии показаны УНЧ на Вт NiceTV Радиоэлектронные схемы и программы niceartipru Звук, hiend, hifi, УНЧ, схемы с лампами Похожие Скачать схему и печатную плату усилителя кБ SLayout а если я не нашёл таких транзисторов и прешлось вставить КТА и КТА мощность PDF линейный усилитель мощности на комплементарных моп пт wwwirfrupdfarticlesANApdf Похожие схеме , так как и напряжение эмиттербаза биполярного транзистора Q, При разработке печатной платы нужно следовать нижеуказанным правилам Как сделать усилитель звука своими руками УЗМЧ на Электрика Как своими руками сделать усилитель для колонок, наушников, компьютера, сабвуфера Схема усилителя изготавливается на печатной плате при помощи паяльника Для создания Корпус усилителя звука на транзисторах HiFi Усилитель на транзисторах MOSFET MBS Electronics Звуковой усилитель мозности низкой частоты на полевых транзисторах Принципиальная схема Печатная плата усилителя MOSFET W D вид Усилитель А Лайкова Super A Часть I Оконечник Пикабу мар г Снова перерисовал схему и переразвел плату как мне удобно не убрать постоянку поднятием тока покоя выходных транзисторов , TDA Схема усилителя низкой частоты TDA Texnicru wwwtexnicrukonstrunchunchhtm Похожие Схема УНЧ и цоколевка микросхемы TDA с выходной мощностью Ватт Проект печатной платы выполненный в программе Sprint Layout Микросхема УНЧ и транзисторы крепятся через изоляционные прокладки к PDF ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА БАКАЛАВРА libraryeltechrufilesvkrbakalavriВКРХАФИЗОВАpdf Описание работы схемы усилителя мощности; расчет усилителя ; оценка ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА , СХЕМА ЭЕКТРИЧЕСКАЯ ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ характеристик транзисторов , диодов, конденсаторов и других элементов, есть УНЧ на транзисторах своими руками схемы для новичков Личный опыт Рейтинг , голоса февр г Описание схемы усилителя низких частот Чтобы было удобнее, мы постарались сделать печатную плату минимальной по размерам PDF BМ Усилитель НЧ XВт TDA, авто Danomskru Благодаря использованию мостовой схемы полевых транзисторов в выходных каскадах Печатная плата с установленными компонентами шт Самодельный усилитель звука для дома Технообзор февр г Принципиальная схема , фото, описание конструкции и графики испытаний собран по дифференциальной схеме на транзисторах Т и Т, печатная плата усилителя звука выглядит следующим образом Усилитель Зуева Сабвуфер своими руками wwwradiochipiruusilitelzueva Похожие Главная Усилители на транзисторах Усилитель Зуева назвать усилитель с многопетлевой оос, схема которого предоставлена на нашем сайте на КУД с некотором изменением подключения в печатной плате Китнабор для сборки усилителя мощности звуковой частоты DA Обзоры товаров Магазины России и СНГ darkampru сент г Возможно для транзисторов из комплекта нужно как раз такие номиналы За основу взята популярная схема усилителя Дорофеева из журнал Можно приобрести корпус для этого усилителя , печатные платы , Три схемы УНЧ для новичков схемопедия shemopediarutrishemyiunchdlyanovichkovhtml После разработки данной схемы , все свои усилители для маломощных колонок стал Для повышения выходной мощности можно применить транзисторы КТ, но тогда Скачать печатную плату в формате Sprint Layout Мостовой усилитель мощности ЗЧ wwwuicunnrutrigerschemeaudioUSILHTM Принципиальная схема усилителя мощности ЗЧ показана на рисунке Транзистор VT работает в каскаде усиления напряжения, а остальные VT VT все с Печатная плата усилителя изготовлена из фольгированного Усилитель мощности Вт РадиоГазета принципиальные radiopagesruusilitelhtml апр г Для начала напомним принципиальную схему усилителя мощности UltraLD W Выходные транзисторы NJLD и NJLD должны иметь маркировку Печатная плата усилителя увеличение по клику Схемы легендарного усилителя Quad и его клонов QRZru Схемы наших читателей Аудиотехника Схемы легендарного усилителя Quad и его клонов Среди нелинейных искажений, но позволяет при использовании транзисторов и микросхем , печатная плата на рис приведен чертеж печатной платы , а на рис TDA схема усилителя мощности FROLOV TECHNOLOGY wwwfrocentercomtdashemausilitelyamoshhnosti временем схема усилителя мощности на TDA, с печатной платой и усиленное выходными транзисторами , с плавающим питанием и тд Простой высококачественный усилитель мощности на полевых wwwsoundbarrelruinterarhMosfeetsshtm Похожие Усилитель мощности на полевых транзисторах МОСФИТ схема описание печатная плата усилитель на полевых транзисторах для сабвуфера простой Усилитель Шушурина Вт Ом ldsoundru ldsoundruusilitelshushurinavtom Похожие Принципиальная схема усилителя показана на рис С этой целью транзисторы V и V включены по схеме дифференциального усилителя показан чертеж печатной платы и расположение деталей усилителя на ней Схема УНЧ на германиевых транзисторах RadioLampNET radiolampnetnewssxemaunchnagermanievyxtranzistoraxhtml Похожие Рейтинг голоса Схема УНЧ выполненного на германиевых транзисторах Подробное Усилитель на германиевых транзисторах вид на печатные платы Несколько Усилитель мощности На MOSFET до ватт Микросхема mikrocxemaruunchizvukotekhnikausilitelmoshhnostikvthtml Похожие Авторский вариант схемы усилителя мощности на ватт выглядит так Усилитель А вот фото печатной платы с радиаторами для транзисторов Схема стереоусилителя Агеева на Вт radiostroiru Усилители Усилитель Агеева на два канала схема Вот ниже наша готовая печатная плата уже с расчетом на два канала печатная плата агеева Питание Усилитель ЖУРНАЛКО zhurnalkonet Сделай Сам Юный техник для умелых рук Похожие Чертеж печатной платы Звуковой генератор собрать на транзисторах ком или Умелые рукипроверка полевых транзисторов Диоды в схеме Усилитель в машину на Транзисторах Радиосхемы schemeforradioblogspotcomptdahtml Похожие На плате , также предусмотрен разъем для подключения вентиляторов охлаждения Размеры печатной платы хмм Усилитель мощности Схема УСИЛИТЕЛИ ЗВУКА СВОИМИ РУКАМИ Elworu печатную плату или развести самому, перенести рисунок на текстолит, Рассмотрим, к примеру, схему усилителя на одном транзисторе PDF Трансляционный усилитель мощности на TDA Современная Похожие автор М Майоров ны на одной печатной плате На тран Схема включения транзисторов по Трансляционные усилители мощности низкой частоты УМЗЧ нужны Усилитель с полевыми транзисторами на выходе wwwelectroclubinfoinvestmosfet_amphtm апр г Принципиальная схема усилителя показана на рисунке Схема построена по Усилитель собран на печатной плате Зелеными Усилитель звуковой частоты Усилители Радиоэлектроника siblecruindexphp?dnhtmlway Усилитель Ч мощностью Вт Печатная плата Налаживание усилителя сводится к проверке указанных на схеме напряжений При необходимости Вместе с схемы усилителей на транзисторах с печатной платой часто ищут усилитель на транзисторах простой мощный усилитель на транзисторах мощные транзисторы для усилителя усилитель вт на транзисторах усилитель вт на транзисторах усилитель дорофеева печатная плата самодельный усилитель звука на транзисторах усилитель мощности своими руками Навигация по страницам

    Учитывалось также наличие и доступность деталей в торговой сети, что значительно снизило себестоимость усилителя. Расположение деталей на плате усилителя показано на рисунке ниже.
    Модель монтажной платы усилителя НЧ. 2) Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью. М.: Иностранная литература 1948.
    Операционный усилитель ( ОУ , OpAmp ) усилитель постоянного тока с дифференциальным входом и, как правило, единственным выходом, имеющий высокий коэффициент усиления. Рассмотрим работу ОУ как отдельного дифференциального усилителя, то есть без включения…
    Для ограничения измеряемого диапазона снизу служит цепь R6R7R8, она задает начальное смещение таким образом, чтобы при температуре 36-36,5 С на выходе усилителя на DA3.1 напряжение составило около 1,8В.
    Серия унифицированных лампово полупроводниковых цветных телевизоров (с блоком цветности на интегральных микросхемах), выпускавшаяся в СССР с 1972 по 1989 год. Содержание 1 Архитектура 1.1 Блок радиоканала. Первый каскад усилителя промежуточной частоты изображения (УПЧИ) — транзистор ГТ328Б; На вход узла …
    Однако, не лишним будет заметить, что основное русло в радиолюбительском творчестве должно быть направлено на созидание конструкций на базе транзисторов и микросхем, обладающих неоспори мыми преимуществами по сравнению с электронными лампами. Транзисторный усилитель мощности на 100 Ватт. Усилитель …
    А-30 по входу на усилитель мощности показал себя музыкальней, но нужно учитывать ограничение по мощности. Все очень грамотно в стоке сделано с усилителем мощности — за это и взял его.
    Разработка отладочной платы устройства для отладки микроконтроллеров Технические характеристики и условия эксплуатации отладочной платы. Усилитель низких частот Разработка конструкций и технологического процесса изготовления печатной платы устройства, расчетное обоснование выбора элементной базы и разработка …

    TDA 7052 Самый простой усилитель низкой частоты УНЧ всего на одной детали

    Группа VK: https://vk.com/club126145973

    INSTAGRAM — https://www.instagram.com/estation.yt/?hl=ru

    Поддержать канал: 4038 9682 7483 9865

    Схема усилителя на TDA7052
    TDA7052 — микросхема от фирмы Philips. Данная микросхема позволяет создавать очень компактные и надёжные моноусилители с мощностью 1Вт.
    Микросхема предназначена для использования в качестве УЗЧ в различных проектах, где питание осуществляется от батареи.
    Напряжение питания от 3 до 18в. Микросхема TDA7052 не нуждается в теплоотводе и имеет минимум обвязки для своей работы,
    что значительно экономит пространство в устройстве в котором она используется.

    усилитель, своими руками, самодельный усилитель, усилитель звука, усилитель своими руками, простой усилитель, электроника, самодельный, усилитель для сабвуфера, унч, amplifier, усилитель звука своими руками, мощный усилитель, сабвуфер, корпус, автозвук, как сделать, сделать, diy, усилитель мощности, усилитель на транзисторах, самоделки, как сделать усилитель, на одном транзисторе, сделай сам, просто, плата, how to make, поделки своими руками, на транзисторе, усилитель нч, tda7294, ручная работа, саб, индикатор, уровня, audio power amplifier, умзч, сабвуферный усилитель, усилок, сам, alphard, самоделка, схема усилителя, в домашних условиях, пайка, #класс a, #усилитель, #hi-fi, хобби, как набрать 4000 часов, energy, household, 1000 подписчиков, микросхема, источник звука, мастер кит, #high end, #класс ab, лестничный регулятор громкости, ик связь, программирование, ик пульт, радиатор, аудио усилитель, toshiba, elna audio, тороидальный трансформатор, #high-end, #стерео, 2sc5200, 2sa1943, регулятор громкости никитина, hydroxy, #stereo, viewed, roman, стерео, their hands, aliexpress, ursu, hack, cheats, science, life, mods, на микросхеме, радиодетали, советский усилитель, к174ун7, колонки, радиолюбительство, замер мощности, осциллограф, усилитель для домашнего сабвуфера, советская микросхема, печатная плата, pranks, howto, mini, simple, create, crazy, gas, hydrogen, water, hydrogen generator, power, educational, education, electrolysis, generator, hho, how, construction, torch, most, усилитель из китая, explosion, oxyhydrogen, уровень, город, сочи, москва, красота, цум, шопинг, развитие ребенка, мама-блогер, муж, работа, подарки, одежда, стиль, покупки, макияж, мейк-ап, модные блогеры, обзор, косметика, мода, отдых, как живут другие, семейное видео, сборка, конструкция, тембр, романтик, создание, палник, домашний моноблок для сабвуфера, авторский усилитель, домашний усилитель для сабвуфера, вега, радиотехника, мощный усилитель звука своими руками, ом марк 2, оплеуха, домашнее видео, pfm8610, pam8610, корректор, предварительный, крутой усилитель, look, makeup, усилитель дорофеева, 2.068.001, усилитель звука схема, сдвоенные, усилитель ласса б, усилитель класса b, качественный усилитель своими руками, схема сабвуферного усилителя, схема транзисторного усилителя, переменные резисторы, ламповый, активный эквалайзер, пятиполосный, стереофонический, алиэкспресс, ода уп-102с, радио, лампового, 1982 год, №7 стр.39, схема усилителя звука, усилитель дорофеева плата, blog, связанный с блогерами: vlog, список тегов для, дома, beauty, влог, shopping, блог, fashion, как зделать усилитель из магнитолы, vintage, усилителя, мощный усилитель схема, усилитель класса ab, усилитель дорофеева схема, self-made, housing, винтаж, handmade, box, модули из китая, усилитель d, усилитель из магнитолы, как сдлеать усилитель, d!maz, dimaz, pioneer, усилитель из магнитолы сделанный своими руками, сборка усилителя, обзор самодельного усилителя, обзор усилителя, из зарядника, из зарядки, блок питания для унч, усилитель на одном транзисторе, радиолюбитель, аналоговый усилитель, на трех элементах, ребёнок делает, простейший, самый простой, 4 канальный усилитель, 4-х канальный усилитель, сабвуфер-монстр! deaf bonce, самая громкая машина в мире, ground zero, сабвуферы, caraudio, популярныенаyoutubeроссия, сабвуфер в машину, короб для сабвуфера, audio extreme, сабы, тест сабвуфера, корпус для магнитолы, как подключить магнитолу дома, магнитола дома, домашний усилитель своими руками, как сделать усилитель для дома, как работает звуковой трансформатор, звуковой трансформатор, усилитель из автомагнитолы, схема, tda1555q, усилитель класса а на транзисторах, высококачественный усилитель на транзисторах, ламповый звук, на германиевых транзисторах, простой мощный усилитель на транзисторах, умзч на транзисторах, купить усилитель звука, просто сделать, простой усилитель звука на транзисторах, germanium transistor amplifier, hi-fi, ремонт, усилитель на полевом транзисторе, очень громкий усилитель, ремонтер, remonter, audio amplifier, hi-end, бумбокс, transistor (invention), усилитель на кт837, audiokiller, tda7293, из самых доступных деталей, по заявкам моих зрителей, усилитель на микросхеме, урок, tda2030, tda2003, tda, усилитель из зарядника, сделай, operational amplifier, транзистор, кт837, the amplifier on one transistor, transistor,

    Почему транзисторные усилители звучат плохо? Классы усилителей звука.

    Неизвестная Физика

    В этом видео я расскажу историю изобретения усилителей звука. Раскрою секрет неудач многих разработчиков транзисторных усилителей. И в завершение о том, почему и как усилители звука разделили на классы.
    00:00​ Канал Неизвестная Физика – приветствует Вас!
    00:20​ Ссылка на тест-драйв высококачественных усилителей звука.
    00:27​ Зачем нужно это видео? Полезная история!
    01:05​ Изобретение вакуумного диода.
    01:20​ Изобретение вакуумного триода.
    01:40​ Усиление сигнала на вакуумных лампах.
    02:16​ Рождение первых усилителей звука.
    02:22​ Анодно-сеточная характеристика вакуумного триода.
    03:02​ Изобретение первого полупроводникового триода.
    03:13​ Изобретение первого плоскостного транзистора.
    03:22​ Попытки перенесения ламповой схемотехники на транзисторы.
    03:56​ Причина искажения звука транзистором.
    04:17​ Вольт-амперные характеристики транзистора. Усиление сигнала.
    05:13​ Двухтактное усиление сигнала.
    05:22​ Искажение малого сигнала в двухтактных транзисторных усилителях.
    05:57​ Правильное решение проблемы искажений звука.
    06:11​ Hi-Fi усилители звука.
    06:48​ Режимы и классы усилителей звука.
    07:10​ Режим «A».
    07:28​ Режим «B».
    07:57​ Режим «AB».
    08:08​ Режим «D».
    08:22​ Классы усилителей.
    08:34​ Понятия режимы и классы.
    09:11​ Подробно о режиме «A».
    10:17​ Подробно о режиме «B».
    10:28​ Подробно о режиме «AB».
    11:33​ Подробно о режиме «D».
    12:44​ Сравнение классов усилителей.
    #Классы_усилителей​ #Транзисторный_звук​ #Ламповый_звук​
    Видео, в форме коротких историй и рассказов о Физике в окружающем нас мире, выходят каждую неделю. Если история понравилась — ставь лайк и подпишись на канал, чтобы не пропустить продолжение!
    ВОПРОСЫ можно задать в комментарии к любому ролику, в социальных сетях и по электронной почте канала: [email protected]
    На все КОНКРЕТНЫЕ вопросы — отвечаю.
    Надеюсь, что Ваши вопросы и совместные ответы помогут сделать канал «Неизвестная Физика» интереснее!
    ********************************************************
    На канале много плейлистов, в которых размещены видео о птицах и животных, о РУКОДЕЛИИ, DIY, ЮМОР, занимательная ФИЗИКА, рассказы о ПУТЕШЕСТВИЯХ, ВКУСНЯШКИ, ФОКУСЫ, как сделать мультик и многое другое… Вы обязательно найдете видео по своим интересам!
    Ориентироваться на канале Вам поможет НАВИГАТОР КАНАЛА.
    ССЫЛКИ на видео канала размещаются на личных страницах в социальных сетях и в группах:
    Добавляйтесь в ДРУЗЬЯ! (Добавляясь, ПОЖАЛУЙСТА, пишите — откуда Вы и по какому вопросу)
    ВКонтакте: http://vk.com/afon2015​
    Одноклассники: https://goo.gl/VdSsCY​
    Твиттер: http://twitter.com/Afanasy83​
    Фейсбук: https://www.facebook.com/Afanasy83​

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.
      Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г.,
      браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.
      Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie
    потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт
    не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к
    остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    Сверхбыстрая модуляция роста нейритов в акустической потоковой системе гигагерц

    Разработка быстрых и эффективных инструментов для модуляции нейронов жизненно важна для лечения заболеваний нервной системы. Здесь сообщается о новом неинвазивном методе модуляции роста нейритов, основанном на контролируемом эффекте акустического потока, индуцированном электромеханическим микрочипом гигагерцового резонатора. Результаты демонстрируют, что акустический поток гигагерц может вызывать изменения клеточной структуры в течение 10-минутного периода стимуляции, что способствует увеличению доли клеток, несущих нейриты, и способствует более длительному росту нейритов.В частности, резонаторная стимуляция не только способствует росту нейритов, но также может сочетаться с химическими методами для ускорения прямого проникновения фактора роста нервов (NGF) в клетки, что приводит к более высокой эффективности модуляции. Из-за напряжения сдвига, вызванного эффектом акустического потока, микрочип резонатора опосредует образование стрессовых волокон и индуцирует нейроноподобный фенотип клеток PC12. Мы предполагаем, что этот метод потенциально может быть применен для точной модуляции отдельных клеток, а также для разработки неинвазивных и быстрых стратегий лечения заболеваний.

    У вас есть доступ к этой статье

    Подождите, пока мы загрузим ваш контент…

    Что-то пошло не так. Попробуй еще раз?

    Тип клеток, экспрессия кислоточувствительных ионных каналов в интернейронах гиппокампа .Накапливающиеся данные свидетельствуют о том, что плотность тока ASIC выше в ГАМКергических интернейронах, чем в глутаматергических пирамидных нейронах (ПН) в гиппокампе. Такая дифференциальная экспрессия ASIC в корковых сетях считается ключевым элементом для прекращения припадка. Однако ГАМКергические интернейроны очень разнообразны; неясно, различается ли функциональная экспрессия ASIC в разных подтипах ГАМКергических интернейронов. Более того, субъединичный состав ASIC в отдельных ГАМКергических интернейронах остается неизвестным.Комбинируя запись патч-кламп и анализ одноклеточной обратной транскрипции (RT) -PCR, мы коррелировали токи ASIC с их экспрессией генов в острых срезах гиппокампа крыс. Результаты привели к нескольким неожиданным открытиям. Во-первых, плотность тока ASIC клеток oriens lacunosum-molculare (O-LM) в регионе CA1, классическом типе интернейрона, нацеленного на дендриты, в 6 раз больше, чем у быстрорастущих корзинчатых клеток (BC) в зубчатой ​​извилине, основной класс интернейронов, нацеленных на сому.Во-вторых, восстановление ASIC от десенсибилизации происходит медленнее всего в BC, промежуточно в PN и быстрее всего в ячейках O-LM. В-третьих, псалмотоксин 1 яда птицеедов, специфический блокатор гомомеров ASIC1a, ингибирует токи ASIC в BC, но не в клетках O-LM. Наконец, одноклеточный RT-PCR анализ показывает коэкспрессию транскриптов субъединиц ASIC1a и ASIC2 в клетках O-LM, тогда как в большинстве BC выявляется только транскрипт субъединицы ASIC1a. Таким образом, дифференциальная экспрессия ASIC в тормозных микросхемах, вероятно, вносит вклад в различные роли ГАМКергических интернейронов в нормальной физиологии и патофизиологии.

    Введение

    Кислоточувствительные ионные каналы (ASIC), входящие в суперсемейство катионных каналов дегенерин / эпителиальный Na + (DEG / ENaC), широко экспрессируются в нервной системе млекопитающих (Waldmann et al., 1997; для обзора, см. Wemmie et al., 2006) и были связаны с болью, ишемическим инсультом, судорогами и многими другими неврологическими заболеваниями (Xiong et al., 2004; Mazzuca et al., 2007; Ziemann et al., 2008; Coryell et al. , 2009). Многие исследования показали, что ГАМКергические ингибирующие интернейроны в гиппокампе имеют большую плотность тока ASIC, чем глутаматергические возбуждающие пирамидные нейроны (ПН) (Bolshakov et al., 2002; Чо и Асквит, 2008; Ziemann et al., 2008). В соответствии с этой точкой зрения недавний отчет показал, что ASIC1a нулевые мыши демонстрируют отсроченное прекращение приступов после индукции приступов, и предположил, что активация ASIC за счет снижения внеклеточного pH во время приступов увеличивает кортикальное торможение за счет преимущественного рекрутирования ГАМКергических ингибирующих интернейронов (Ziemann et al., 2008 г.).

    Однако ГАМКергические ингибирующие интернейроны состоят из очень гетерогенной популяции клеток (McBain, Fisahn, 2001; Jonas et al., 2004; Markram et al., 2004; Клаусбергер и Сомоги, 2008). Различные типы ГАМКергических интернейронов играют специфическую роль в функции гиппокампа (Klausberger and Somogyi, 2008). Известно, что в гиппокампе существуют по крайней мере два функционально различных класса ГАМКергических интернейронов (McBain and Fisahn, 2001; Jonas et al., 2004; Freund and Katona, 2007). Ингибирующие интернейроны, нацеленные на сому, такие как клетки корзины с быстрым выбросом (BCs), контролируют инициирование спайка основных нейронов посредством иннервации аксонов на перисоматические области основных нейронов (Cobb et al., 1995; Майлз и др., 1996; Kraushaar and Jonas, 2000), тогда как нацеленные на дендриты ингибирующие интернейроны, такие как oriens lacunosum-molculare (O-LM) клетки, регулируют дендритные шипы Na + или Ca 2+ и синаптическую пластичность, иннервируя дендритные домены основных нейронов. (Майлз и др., 1996). Эти два различных подтипа ГАМКергических интернейронов различаются не только своими внутренними свойствами, такими как нейрохимический состав, буферные белки Ca 2+ / гомеостаз, ионные каналы и рецепторы передатчиков (Koh et al., 1995; Фройнд и Бужаки, 1996; Мартина и др., 1998; Лиен и др., 2002; Пуйл и Сканциани, 2004; Апонте и др., 2008; Liao and Lien, 2009), но также в их синаптических и сетевых функциях (Klausberger et al., 2003; Pouille and Scanziani, 2004; Klausberger and Somogyi, 2008). К сожалению, отсутствие измерения токов ASIC от идентифицированных ГАМКергических интернейронов оставило нерешенным фундаментальный вопрос: является ли экспрессия ASIC среди ГАМКергических ингибирующих интернейронов гиппокампа специфическим типом клеток? Более того, субъединичный состав ASICs в различных классах ГАМКергических ингибиторных интернейронов («перисоматические» по сравнению с «дендритными» интернейронами) еще предстоит определить.

    В этом исследовании мы коррелировали функциональное свойство с профилем экспрессии генов ASIC в PN в области CA1 и двух функционально различных классов ГАМКергических ингибирующих интернейронов — O-LM-клеток и быстродействующих BC в срезах гиппокампа крыс путем комбинирования пластырей. -clamp методы и одноклеточная обратная транскрипция (RT) -PCR (Lien et al., 2002; Liss et al., 2004). Используя эти подходы, мы обнаружили ранее неизвестный паттерн экспрессии ASIC в GABAergic ингибиторных микросхемах, который, вероятно, лежит в основе избирательной уязвимости различных типов GABAergic ингибирующих интернейронов в патологических условиях.

    Результаты

    Функциональные ASIC дифференциально экспрессируются в микросхемах гиппокампа

    Мы сделали записи пластыря целых клеток от нейронов в острых срезах гиппокампа крыс под оптикой IR-DIC (рис. 1A). Нейроны в области CA1 и DG были отобраны, как описано ранее (Martina et al., 1998; Lien and Jonas, 2003; Aponte et al., 2008; Liao and Lien, 2009). В конфигурации с токовыми фиксаторами при 23 ± 1 ° C PN CA1 генерировали регулярные и вмещающие последовательности AP при подаче импульсов деполяризующего тока длительностью 1 с (+600 пА) и проявляли отклики провисания в ответ на импульсы гиперполяризационного тока длительностью 1 с (−300 пА). с кажущимся входным сопротивлением 176 ± 9.1 МОм (n = 30, рис. 1А, посередине). В соответствии с тем же протоколом клетки O-LM генерировали AP с частотой ≥50 Гц и демонстрировали выраженные отклики провисания с кажущимся входным сопротивлением 335,6 ± 25 МОм (n = 24, рис. 1A, слева). В отличие от PN и ячеек O-LM, BC в DG генерировали высокочастотные последовательности AP (86,7 ± 2,9 Гц, n = 18) с незначительными откликами провисания и демонстрировали относительно низкое входное сопротивление (133,9 ± 5 МОм, n = 18; Рис. 1A, справа). В подгруппе экспериментов типы нейронов были дополнительно подтверждены апостериорной морфологической реконструкцией зарегистрированных клеток (рис.1B) и маркеры, специфичные для типа клеток (дополнительный рис. 1, доступный на www.jneurosci.org в качестве дополнительного материала). В соответствии с предыдущими сообщениями (Sík et al., 1998; Maccaferri et al., 2000; Klausberger et al., 2003), анализ одноклеточной RT-PCR показал, что PN CA1 экспрессировали кальциневрин, тогда как клетки O-LM и BC экспрессировали соматостатин и парвальбумин, соответственно (дополнительный рисунок 1, доступен на сайте www.jneurosci.org в качестве дополнительного материала). Более того, зародышевые пятна, впоследствии выделенные из этих трех типов нейронов после регистрации целых клеток, демонстрировали зависящие от типа клетки токи K + , зависящие от напряжения (Du et al., 1996; Мартина и др., 1998; Lien et al., 2002). Суммарные направленные наружу токи K + в зародышевых участках от CA1 PN составляют большую часть токов A-типа, тогда как участки от O-LM клеток или BC демонстрируют преобладающий устойчивый компонент (дополнительный рис. 2, доступный на www.jneurosci. org в качестве дополнительного материала).

    Рисунок 1. Токи

    ASIC в PN CA1 и определенных интернейронах. A. Отклик напряжения на импульсы тока деполяризации (+600 пА) или гиперполяризации (-300 пА) длительностью 1 с в конфигурации токового зажима всей ячейки от ячейки O-LM, PN и BC, соответственно.B, двухфотонная проекция z-стека нейронов в A, заполненных биоцитином и окрашенных FITC-конъюгированным авидином. Обратите внимание, что клетка O-LM имеет свое аксональное ветвление в слое lacunosum molculare (SLM), тогда как аксон BC в значительной степени ограничен слоем гранулярных клеток (GCL). SR, stratum radiatum; SP, пирамидальный слой; SO, ориентированный слой; ML, молекулярный слой. C. Входящие токи, зарегистрированные при -60 мВ после быстрых изменений pH с 7,4 до 5 в зародышевых участках от клетки O-LM, PN и BC, соответственно.Трассы представляют собой средние значения 5–10 разверток. Вызванные токи H + обратимо блокируются амилоридом 10 мкм (контроль: черный; амилорид: серый; размывка: красный). Вставка, схема экспериментальной конфигурации. Отклик открытого наконечника составил 227 ± 50 мкс (n = 3) (см. Материалы и методы). D, точечные графики, показывающие, что текущая амплитуда (слева) и плотность (справа) ячеек O-LM значительно больше, чем у PN и BC. *** р <0,0005.

    Снижение внеклеточного pH вызывает токи ASIC в PN гиппокампа (Baron et al., 2002; Большаков и др., 2002; Askwith et al., 2004; Ziemann et al., 2008). Затем мы измерили токи ASIC в этих нейронах, используя конфигурацию ядерных патчей, что позволило нам исследовать стробирование каналов в идеальных условиях ограничения напряжения. Субмиллисекундное переключение внеклеточного pH с 7,4 до 5 путем быстрого нанесения индуцировало переходный внутренний ток 22,3 ± 1,9 пА в PN CA1 (n = 27, рис. 1C, черный, средний, рис. 1D, слева), соответствующий току плотность 0,11 ± 0,01 пА / мкм 2 (n = 27; рис.1D, справа). В отличие от ПН CA1, зародышевые пятна от клеток O-LM при применении pH 5 показали гораздо большую амплитуду тока (237,9 ± 55,1 пА, n = 27; рис. 1C черный, слева, рис. 1D, слева) с плотностью тока. 0,75 ± 0,08 пА / мкм 2 (n = 19; рис. 1D, справа). Удивительно, но амплитуда тока (22,4 ± 3,8 пА, n = 19; рис. 1С, черный справа, рис. 1D, слева) и плотность (0,12 ± 0,02 пА / мкм 2 , n = 19; рис. 1D, справа) зародышевых пятен из быстро накачиваемых BC в DG были по крайней мере в шесть раз меньше, чем таковые из клеток O-LM (p <0.001, критерий суммы рангов Вилкоксона), но были сопоставимы с таковыми для PN CA1 (p = 0,47, критерий суммы рангов Вилкоксона; рис. 1D). Все входящие токи этих трех типов клеток были обратимо блокированы амилоридом (10 мкм), ингибитором каналов DEG / ENaC (рис. 1C, амилорид, серый цвет; вымывание, красный).

    Интернейроны с небыстрыми импульсами в DG имеют относительно большие токи ASIC

    Затем мы исследовали, является ли функция низкого тока ASIC уникальной для ячеек с быстрым выбросом импульсов (FS). В DG мы классифицировали все зарегистрированные интернейроны с небыстрыми всплесками на две функциональные группы (заикание и аккомодация) на основе их паттернов активации (Markram et al., 2004) (рис. 2А). Ядерные пятна от заикания (STUT) и аккомодации (AC) интернейронов имели значительно большие токи ASIC, чем FS BCs (Fig. 2B, C). В целом, токи ASIC в интернейронах STUT и AC составили 406 ± 56 пА (n = 10) и 399 ± 36 пА (n = 15), соответственно (рис. 2C). Кроме того, интернейроны STUT и AC имели более высокое входное сопротивление, чем BC FS. График разброса тока ASIC от входного сопротивления показал, что BC FS отличаются относительно низким входным сопротивлением и низкими токами ASIC (рис.2D).

    Рис. 2.

    ASIC-токов различных интернейронов в ДГ. A. Отклик напряжения на 1 с деполяризующие (+700, +500 и +300 пА) или гиперполяризующие (-100 пА) импульсы тока в конфигурации токовых клещей для всей ячейки от FS BC (слева) и двух интернейронов, отличных от FS : средний, стрельба STUT; правильно, огонь переменного тока. Мембранные потенциалы перед импульсами составляли -70 мВ. Врезка: протокол стимуляции. B: входящие токи, зарегистрированные при -60 мВ после быстрых изменений pH от pH 7,4 до pH 5 в зародышевых участках от FS BC (слева) и не-FS интернейронов (средний, STUT; справа, AC) в DG.Трассы составляют в среднем 11–75 разверток. C, гистограмма, суммирующая амплитуду токов ASIC от промежуточных нейронов FS BC (n = 6), STUT (n = 10) и переменного тока (n = 15). ** p <0,005. D, диаграмма разброса входного сопротивления от тока ASIC от всех ячеек FS и не FS.

    Стробирование ASIC

    зависит от типа ячейки

    Крутая зависимость от pH, селективность Na + и блокада амилоридом и внеклеточными ионами Ca 2+ являются отличительными свойствами стробирования ASIC (Waldmann et al., 1997; Большаков и др., 2002; Иммке и МакКлески, 2003; Askwith et al., 2004; Wemmie et al., 2006; Чо и Асквит, 2008; Ziemann et al., 2008). Чтобы проверить зависимость pH, мы записали токи ASIC при различных снижениях внеклеточного pH. Как показано на рисунке 3A, величина тока ASIC в ячейке O-LM зависела от значения pH. Кривая доза-ответ была подогнана по уравнению (уравнение 3), давая значение pH 6,0 ± 0,0 для полумаксимальной активации и коэффициент Хилла, равный 1.2 ± 0,0. Далее мы определили ионную проницаемость ASIC путем измерения реверсивных потенциалов (E rev ) в присутствии различных [Na + ] o . Токи ASIC в нормальном состоянии ([Na + ] o / [Na + ] i = 135/8 мм) меняют направление на 62 ± 3 мВ (n = 4, рис. 3B). График E об. против [Na + ] o показал, что значения E об. , измеренные в различных [Ca 2+ ] o / [Na + ] o. Растворы были близки к равновесному потенциалу Нернста для Na + (рис.3С, серая линия; также см. уравнение. 4). Эти результаты показывают, что Na + является основным проникающим ионом для ASIC. В дополнение к чувствительности к амилориду (рис. 1C) внеклеточный Ca 2+ , как было показано, конкурирует с H + за сайт активации ASIC (Immke and McCleskey, 2003). В соответствии с этим представлением мы обнаружили, что высокий [Ca 2+ ] o (18 мм) ингибирует токи, индуцированные кислотой (pH 5), на 60 ± 2,3% (дополнительный рис. 3, доступный на сайте www.jneurosci.org. в качестве дополнительного материала).

    Рисунок 3.

    Функциональные свойства ASIC в разных типах нейронов. A, вставка, типичные токи ASIC в ячейке O-LM, индуцированные изменением pH с 7,4 до 6, 5,5 и 5. Амплитуда пикового тока, нормированная на среднюю амплитуду пика индуцированных токов pH 5, нанесена на график в зависимости от Значение pH. Непрерывная кривая представляет собой единственное уравнение Хилла, подогнанное к точкам данных. Точки представляют собой средние значения от 4 до 25 экспериментов. B, вставка, типичные токи ASIC в зародышевом участке от клетки O-LM регистрировали при различных мембранных потенциалах (от -60 мВ до +100 мВ, шаг 20 мВ).Кривая вольт-амперной характеристики (ВАХ) токов ASIC имеет значение E rev , равное +62 ± 3 мВ. Точки данных снабжены полиномиальной функцией. C, полулогарифмический график E rev против [Na + ] o . Символы представляют записи либо размером 1,8 мм [Ca 2+ ] o (незакрашенные символы), либо высоким [Ca 2+ ] o / низким [Na + ] o (заполненные символы: 100 / 10 и 80/50 мм соответственно). Серая линия изображает равновесный потенциал Nernst Na + в зависимости от [Na + ] o ; черная линия — это линейная аппроксимация всех точек данных.Значения наклона зависимости между E rev и Log [Na + ] o соответствуют 58,2 мВ (серый) и 56,8 мВ (черный) на десятикратное изменение [Na + ] o соответственно. D, слева, типичные пиковые кривые токов ASIC, показывающие десенсибилизацию. Справа: диаграмма рассеяния τ desen ASIC-токов ячеек O-LM (688 ± 97 мс, n = 26), PN (471 ± 21 мс, n = 32) и BC (434 ± 33 мс, n = 16). ). Значение τ desen было получено путем аппроксимации фазы спада тока моноэкспоненциальной функцией.*** р <0,0005. E, слева, типичные пиковые кривые токов ASIC, показывающие деактивацию. Справа: гистограмма τ deact токов ASIC ячеек O-LM (3,7 ± 0,3 мс, n = 10), PN (9,3 ± 1,2 мс, n = 5) и BC (9,8 ± 1,0 мс, n = 5). ). Τ deact был получен путем аппроксимации фазы спада тока моноэкспоненциальной функцией. ** p <0,005. F, слева, типичные кривые, показывающие восстановление после десенсибилизации, измеряли при -60 мВ после быстрых изменений pH от 7.4–5 в течение 2 с, а затем снова изменили значение pH до 7,4 на 20 с, после чего последовал второй импульс до pH 5 в течение 2 с. Пиковый ток, вызванный вторым импульсом pH 5, деленный на первый импульс pH 5, был нанесен на график в зависимости от интервала между импульсами. Справа, точки данных, полученные из ячеек O-LM (n = 6), PN (n = 16) и BC (n = 9), были подобраны либо моно-, либо биэкспоненциальной функцией, что дало взвешенные константы времени восстановления 0,96 с. , 13,2 с и 42,8 с соответственно. G, слева: кумулятивная десенсибилизация ASIC (при -60 мВ), вызванная повторяющимися 2-секундными импульсами (от pH 7.4-5) при 0,05 Гц в O-LM, PN и BC соответственно. Были показаны только первые пять следов. Справа: динамика начала десенсибилизации в клетках O-LM (n = 6), PN (n = 10) и BC (n = 7). Амплитуда пикового тока, нормированная на амплитуду первого пикового тока, была нанесена на график в зависимости от времени каждого импульса. Кривые представляют собой экспоненциальные функции, подогнанные к точкам данных. Постоянные времени для PN и BC составили 23,6 ± 1,8 и 8,3 ± 0,3 с соответственно.

    ASIC1a является основной субъединицей для функциональной ASIC, тогда как субъединица ASIC2 играет модулирующую роль в стробировании ASIC, такую ​​как десенсибилизация и восстановление после десенсибилизации (Askwith et al., 2004). Таким образом, мы исследовали потенциальные различия в составе субъединиц ASIC этих трех типов нейронов путем измерения постоянной времени десенсибилизации (τ desen ), постоянной времени дезактивации (τ deact ) и восстановления после десенсибилизации токов ASIC. Все значения τ снизились на нативных ASIC для этих трех типов ячеек <1 с (рис. 3D). С другой стороны, все значения τ deact для трех типов ячеек были <10 мс (рис. 3F). Примечательно, что как τ desen , так и τ deact ASIC в ячейках O-LM значительно отличались от таковых для PN и BC.Интересно, что восстановление от десенсибилизации, оцениваемое по постоянной времени восстановления (τ восстановление ), было самым быстрым (τ восстановление = 0,96 ± 0,00 с) в клетках O-LM, промежуточное (τ восстановление = 13,2 ± 0,1 с). в ПС CA1 и самый медленный (τ восстановление = 42,8 ± 1,0 с) в БК (рис. 3F). В соответствии с графиком восстановления, кумулятивная десенсибилизация токов ASIC, вызванная повторяющимися импульсами кислоты (pH 5) с частотой 0,05 Гц, была самой быстрой в BC, промежуточной в PN и самой медленной в клетках O-LM (рис.3G). Вместе эти результаты убедительно свидетельствуют о различиях в составе субъединиц ASIC среди этих трех типов нейронов.

    Подблок ASIC2 определяет восстановление собственных ASIC после десенсибилизации

    Для дальнейшей корреляции стробирующих свойств с профилем экспрессии генов отдельных нейронов мы проанализировали мРНК субъединиц ASIC1a и ASIC2 каждого типа нейронов на уровне отдельных клеток (рис. 4A). Анализ одноклеточной ОТ-ПЦР показал, что мРНК ASIC1a и ASIC2 коэкспрессируются в клетках CA1 PN и O-LM, тогда как только мРНК ASIC1a была обнаружена в большинстве BC (9 из 11 экспрессирующих ASIC BC; рис.4Б). Эти результаты хорошо коррелируют с представлением о том, что быстрое восстановление ASIC-токов в клетках O-LM опосредовано гетеромерами ASIC1a / 2a, в то время как длительное восстановление ASIC от десенсибилизации в BC в значительной степени объясняется экспрессией гомомеров ASIC1a (Askwith et al. ., 2004). Чтобы прояснить этот момент, мы проиллюстрировали графики времени восстановления ASIC из клеток O-LM (синяя линия) и BC (красная линия) вместе с таковыми из различных рекомбинантных ASIC (рис. 4C; переход к кривым, полученным путем подбора данных из Askwith. и другие., 2004).

    Рисунок 4.

    Экспрессия транскриптов субъединицы ASIC в отдельных нейронах гиппокампа. A, окрашенные бромистым этидием гели продуктов ПЦР, амплифицированные с праймерами, специфичными для транскриптов ASIC1a, ASIC2 и NF3. Маркеры молекулярной массы показаны в левой верхней и нижней полосах вместе с соответствующим количеством пар оснований. Знаки «плюс» и «минус» обозначают образцы с RT или без нее. Все проанализированные нейроны экспрессировали NF3. B, гистограмма, показывающая процент NF3-положительных нейронов, экспрессирующих транскрипты ASIC1a и ASIC2.Число в скобках указывает количество NF3-положительных клеток. C. Временные графики восстановления от десенсибилизации ASIC из клеток O-LM (синяя линия) и BC (красная линия) были построены вместе с данными из гетерологически экспрессированных мышиных ASIC в CHO (изменение кривых, полученных путем подбора данных из Askwith et al. , 2004). Линии представляют экспоненциальные функции, соответствующие точкам данных.

    PcTX1 преимущественно подавляет токи ASIC в ячейках корзины

    Гомомерный канал ASIC1a сильно ингибируется PcTX1 (Baron et al., 2002; Чен и др., 2005; Xiong et al., 2008). Мы, следовательно, исследовали эффекты PcTX1 на функционально различные токи ASIC в зародышевых участках либо из клеток O-LM, либо из BCs. Из-за очень медленного хода времени восстановления (τ recovery = 42,8 с) ASIC в BC, таким образом, мы получили стабильные амплитуды тока ASIC, применяя короткие (50 мс) кислотные импульсы к зародышевым участкам (рис. 5). В контрольных условиях токи ASIC клеток O-LM и BC показали небольшую десенсибилизацию и были стабильными во времени (рис.5, оставленные следы). PcTX1 (30 нм) оказывал лишь минимальное влияние на токи ASIC в зародышевых участках из клеток O-LM (рис. 5, вверху, справа). Пиковый ток в присутствии PcTX1 составлял 102 ± 1% от контроля (n = 4, p> 0,05; рис. 5, вверху, справа). Напротив, PcTX1 (30 нм) значимо блокировал 76 ± 5% токов ASIC в зародышевых участках из BC (n = 6, p <0,005; критерий знакового ранга Вилкоксона; рис. 5, внизу, справа).

    Рис. 5.

    PcTX1 преимущественно подавлял токи ASIC BC.Вверху, кривые, показывающие токи ASIC (вызванные pH 5 при -100 мВ) в зародышевом участке от клетки O-LM в контроле и в присутствии 30 нм PcTX1. Внизу: PcTX1 (30 нм) подавляет 74% токов ASIC в зародыше от BC. Трассы составляли в среднем 5–7 проходов.

    Номер канала ASIC учитывает разницу в плотности тока

    Наконец, мы определили, были ли существенные различия в плотностях тока между типами нейронов производными от различий в количестве каналов (N), максимальной вероятности открытия (P o, max ) или одноканальной проводимости (γ).Мы извлекли N, P o, max и γ из ансамблей макроскопических токов (рис. 6A), используя нестационарный флуктуационный анализ. Дисперсия ансамбля была рассчитана из флуктуации токов ASIC около среднего значения (рис. 6B), нанесена на график в зависимости от среднего значения по ансамблю и дополнена параболической функцией (рис. 6C). Анализ участков клеток O-LM дал γ 5,05 ± 0,74 пСм (n = 7; фиг. 6D) и номер канала N 427 ± 82 (n = 7). Для ПН CA1, хотя γ (6,57 ± 1,05 пСм, n = 7) был сравним с таковым для клеток O-LM, расчетное значение N составило 69 ± 45 (n = 4; 3 из 7 клеток были подогнаны линейной функцией; см. ниже), что значительно меньше, чем у клеток O-LM (p <0.05, критерий суммы рангов Вилкоксона). Примечательно, что отношение дисперсия-среднее для токов ASIC от всех BC (n = 5) отображало прямую линию, а не параболу, что указывает на низкую вероятность открытого канала (Alvarez et al., 2002). В этом случае мы можем определить γ, но не N и P o, max в мембране (Alvarez et al., 2002). Подгоняя точки данных с линейной функцией, мы получили γ 6,29 ± 1,75 пСм (n = 5; рис. 6D) из наклона. В совокупности значения γ существенно не различались между тремя группами (p = 0.72, критерий Краскела – Уоллиса). Аналогичным образом, значения P o, max при pH 5 существенно не различались между клетками O-LM и ПН CA1 (клетки O-LM, 0,54 ± 0,06, n = 7 по сравнению с PN, 0,48 ± 0,08, n = 4; p = 0,65, критерий суммы рангов Вилкоксона). В целом, количество каналов ASIC в значительной степени влияет на различие плотности тока, зависящее от типа ячеек.

    Рисунок 6.

    Нестационарный флуктуационный анализ одноканальных свойств ASIC. A. Репрезентативный ансамбль из 10 последовательных трассировок тока ASIC (черный), наложенных на усредненные трассы тока (красный), записанные в зародышевых участках от ячейки O-LM, PN и BC.B: кривые, иллюстрирующие отклонение трех репрезентативных индивидуальных кривых от среднего. Кривые от тех же ячеек в A. C. Дисперсия ансамбля была рассчитана из флуктуаций токов ASIC около среднего, нанесена на график относительно среднего ансамбля и дополнена параболической функцией. Каждая нанесенная на график точка представляет собой среднее значение 10 точек выборки. Те же участки, что и на рисунке A. Красные кривые — это параболические или линейные функции, подогнанные к точкам данных. D, гистограмма, суммирующая значения γ для ячеек O-LM, PN и BC.

    Дендритные токи ASIC в ячейках O-LM выше, чем у PN и BC

    ASIC распределяются на соматодендритах нейронов (Wemmie et al., 2002; Alvarez de la Rosa et al., 2003; Zha et al., 2006, 2009). После заполнения нейронов красным флуоресцентным красителем SR101 (10 мкм) с помощью соматической записи дендриты отслеживали под эпифлуоресцентным микроскопом. Подобно соматическим токам ASIC, дендритные токи ASIC клеток O-LM (V-зажим при -70 мВ), вызванные местным выдуванием кислоты, были временными и обратимо подавлялись амилоридом (100 мкм) (рис.7А). Затем мы определили, различаются ли дендритные токи ASIC среди трех разных типов нейронов, путем локального выброса кислоты вдоль апикальных дендритов CA1 PN (рис. 7B), битуфированных дендритов клеток O-LM (рис. 7C) и апикальных дендритов BC (рис. 7B). . 7D). Токи ASIC в дендритах с местом надувания на расстоянии 30–100 мкм от сомы (280 ± 65 пА, n = 8) клеток O-LM намного больше, чем токи ПН CA1 (132 ± 28 пА, n = 9). ) и БК (52 ± 8 пА, n = 6) (рис. 7Е). Соответственно, токи ASIC эффективно генерировали последовательности AP в клетках O-LM, когда нейроны были зарегистрированы в конфигурации токового зажима, но вызывали только подпороговую деполяризацию мембраны в PN и BC в одних и тех же условиях (рис.7F).

    Рис. 7.

    дендритных токов ASIC в различных типах нейронов. A, вдувание фокальной кислоты (5 с, pH 4,5) на дендрит клеток O-LM (на расстоянии 23 мкм от сомы) вызывало десенсибилизирующий внутренний ток, который обратимо блокировался амилоридом (100 мкм). Черный, контроль; серый, амилорид; красный, размытый. B, слева, ячейка O-LM, заполненная SR101 посредством соматической записи; пипетку-затяжку помещали рядом с дендритом. Справа: кратковременные затяжки кислоты (1 с, pH 4) на разных расстояниях вдоль дендрита O-LM вызвали большие внутренние токи при потенциале фиксации напряжения (V-clip) -70 мВ и последовательности всплесков в записи токового зажима ( удерживающий потенциал −70 мВ) соответственно.C, слева: PN, заполненный SR101, и пипетка для затяжки была помещена рядом с апикальным дендритом. Справа: короткие затяжки кислоты (1 с, pH 4) на разных расстояниях вдоль дендрита PN вызвали относительно меньшие внутренние токи (V-зажим = -70 мВ) и подпороговую деполяризацию мембраны при записи токовыми клещами (удерживающий потенциал -70 мВ). , соответственно. D, слева, BC, заполненный SR101, и пипетка с затяжкой была помещена рядом с апикальным дендритом. Справа: местные кислотные затяжки (2 с, pH 4) вызывали относительно меньшие токи ASIC (V-зажим = -70 мВ) и подпороговую деполяризацию мембраны при записи токового зажима (удерживающий потенциал -70 мВ), соответственно.E, токи ASIC как функция расстояния от сомы. Линии представляют экспоненциальные функции, соответствующие точкам данных. Данные поступают из 8 ячеек O-LM, 9 PN и 6 BC. F, сводный график числа шипов в зависимости от расстояния от сомы. Линии представляют экспоненциальные функции, соответствующие точкам данных. Данные поступают из 8 ячеек O-LM, 9 PN и 6 BC. Все эксперименты проводились в присутствии 1 мМ кинуреновой кислоты и 1 мкМ SR95531.

    Обсуждение

    В более ранних исследованиях сообщалось, что ГАМКергические ингибирующие интернейроны обладают большей плотностью тока ASIC, чем пирамидные клетки в гиппокампе (Bolshakov et al., 2002; Чо и Асквит, 2008; Ziemann et al., 2008). В отличие от них, наше исследование показывает, что быстродействующие БК, экспрессирующие парвальбумин, имеют сравнимую плотность тока ASIC с PN CA1. Более того, плотность тока ASIC и стробирование сильно различаются между двумя функционально различными ГАМКергическими (перисоматическими или дендритными) ингибирующими интернейронами. Более того, одноклеточный RT-PCR анализ показывает коэкспрессию субъединиц ASIC1a и ASIC2 в клетках O-LM, тогда как в большинстве BC выявляется только ASIC1a. Отсутствие субъединицы ASIC2, вероятно, объясняет длительное восстановление собственных ASIC от десенсибилизации в BC.

    Сравнение нативных и рекомбинантных ASIC

    Гетерологически экспрессированные гомомеры ASIC1a мыши и гетеромеры ASIC1a / 2 в клетках CHO быстро десенсибилизируют (τ распад <1 с) (Askwith et al., 2004). По сравнению с ними значения τ desen нативных ASIC из всех трех типов клеток составляют <1 с (рис. 3D), что позволяет предположить, что либо гомомеры ASIC1a, либо гетеромерные каналы, собранные с помощью ASIC1a / 2a или комбинации ASIC1a / 2b, вероятно, опосредуют большинство нативных каналов.Дальнейший анализ стробирования ASIC предполагает дифференциальную экспрессию субъединиц ASIC в разных типах клеток. Наиболее очевидно, что восстановление после десенсибилизации ASIC происходит быстрее всего в клетках O-LM, промежуточным в CA1 PN и самым медленным в BC (Fig. 3F). Это предполагает, что гетеромеры ASIC1a / 2a, вероятно, опосредуют ASIC клеток O-LM, потому что восстановление после десенсибилизации гетерологически экспрессированных мышиных гетеромеров ASIC1a / 2a, оцененное с помощью τ восстановления , составляет <1 с, тогда как значения τ восстановления либо рекомбинантные гомомеры ASIC1a, либо гетеромеры ASIC1a / 2b относительно медленны (рис.4С). И наоборот, очень медленное восстановление ASIC от десенсибилизации в BC убедительно свидетельствует о том, что большинство ASIC в BC собраны как гомомеры ASIC1a. Это мнение подтверждается результатами одноклеточной ОТ-ПЦР и фармакологической чувствительностью к PcTX1.

    Однако различия между нативными и рекомбинантными ASIC все еще существуют, несмотря на то, что время восстановления нативных ASIC качественно повторяет таковые у гетерологически экспрессированных ASIC в клетках СНО. Во-первых, существуют количественные различия во времени восстановления ASIC, особенно между собственными ASIC в BC (τ recovery ∼42.8 с) и рекомбинантных гомомеров ASIC1a (τ восстановления ∼7 с) (фиг. 4C). Во-вторых, рекомбинантные мышиные гетеромеры ASIC1a / 2a генерируют токи, которые десенсибилизируют быстрее, чем гомомеры ASIC1a (Askwith et al., 2004). Напротив, ASIC в клетках O-LM (предполагаемые гетеромеры «ASIC1a / 2a») значительно десенсибилизируют медленнее, чем те (предполагаемые гомомеры «ASIC1a») в BCs (Fig. 3D). Это может быть связано с различиями в экспрессионных системах.

    Оценочные значения γ существенно не различаются между тремя группами.Примечательно, что одноканальные проводимости собственных микросхем ASIC хорошо сравниваются с данными, измеренными непосредственно по единичным токам (от 4,2 пс при 10 мм [Ca 2+ ] o до 11,2 пс при менее 1 мм [Ca 2+ ] o ) (Иммке и МакКлески, 2003). Кроме того, значения P o, max при pH 5 существенно не различаются между клетками O-LM и PN CA1. Что касается БК, анализ кумулятивной десенсибилизации показывает, что десенсибилизация ASIC в зародышевых участках БК развивается быстрее, чем таковая у PN и O-LM-клеток во время повторяющегося применения кислотных импульсов (рис.3G). Это согласуется с предположением о том, что вероятность открытия ASIC в BC относительно мала, согласно нестационарному анализу флуктуаций.

    Возможные функции ASIC в перисоматических и дендритных тормозных интернейронах

    Хотя наше понимание гетерогенности интернейронов все еще далеко от завершения, основная дихотомия в ингибирующем контроле пирамидных клеток уже установлена ​​(Freund and Katona, 2007). Дендритные ингибирующие интернейроны (например, клетки O-LM) отвечают за контроль эффективности и пластичности глутаматергических входов из определенных источников, которые заканчиваются в том же дендритном домене (Miles et al., 1996). С другой стороны, перисоматические ингибирующие интернейроны (например, BCs) контролируют выход пирамидных клеток (Miles et al., 1996). Вдобавок обнаружено, что некоторые внутренние свойства (см. Введение этого исследования) этих двух основных типов интернейронов сильно различаются. В этом исследовании мы раскрываем экспрессию ASIC как нового типоспецифичного свойства клеток, которое может лежать в основе их различий в синаптической передаче и относительной восприимчивости к травмам головного мозга.

    Несколько линий доказательств предполагают, что ASIC играют решающую роль в синаптической передаче.Во-первых, долговременная потенциация, форма синаптической пластичности, лежащая в основе обучения и памяти, аннулируется в синапсах пирамидных клеток Schaffer collateral-CA1 у мышей с нокаутом ASIC1a (Wemmie et al., 2002). Во-вторых, вероятность пресинаптического высвобождения увеличивается в нейронах гиппокампа мышей с нокаутом ASIC1a (Cho and Askwith, 2008). Наконец, ASICs взаимодействуют с некоторыми постсинаптическими каркасными белками, такими как PSD-95, PICK1 и CaMKII (для обзора см. Wemmie et al., 2006). Совсем недавно было показано, что субъединицы ASIC2, но не субъединицы ASIC1a, направляют ASIC в синапс через ассоциацию с PSD-95, и потеря субъединиц ASIC2 снижает процент шипов, отвечающих на кислоту (Zha et al., 2009). Интересно, что наши результаты демонстрируют, что мРНК субъединицы ASIC2 не были обнаружены в большинстве BC и относительно небольшие токи ASIC были обнаружены в дендритах BC. Т.о., субъединичный состав ASICs в разных типах ГАМКергических ингибиторных интернейронов может также вносить вклад в специфическую для типа клеток долгосрочную пластичность глутаматергических синапсов на интернейронах гиппокампа (Nissen et al., 2010).

    Делеция гена ASIC1a, как было показано, увеличивает вероятность пресинаптического высвобождения и приводит к депрессии парных импульсов в глутаматергических синапсах гиппокампа (Cho and Askwith, 2008).Напротив, избыточная экспрессия субъединиц ASIC1a в нейронах с нокаутом ASIC1a увеличивает соотношение парных импульсов. Таким образом, относительное обилие ASIC может лежать в основе гетерогенности подавляющих выходов ГАМК (Maccaferri et al., 2000). Интересно, что в соответствии с этим представлением мы обнаружили аналогичную корреляцию между функциональным током ASIC и вероятностью высвобождения интернейронов. В этом исследовании BC с относительно низкой экспрессией ASIC имеют высокую вероятность высвобождения и демонстрируют депрессию парных импульсов с короткими интервалами между спайками (Kraushaar and Jonas, 2000; Maccaferri et al., 2000). Напротив, клетки O-LM с относительно высокой экспрессией ASIC имеют низкую вероятность высвобождения и не показывают модуляции парных импульсов. (Maccaferri et al., 2000).

    Функциональные последствия

    Интернейроны обнаруживают дифференциальную восприимчивость к травмам эпилептическим поражением, которое достигается за счет временного закисления (Morin et al., 1998; Cossart et al., 2001; Wittner et al., 2001, 2005). При экспериментальной эпилепсии интернейроны, нацеленные на дендриты, такие как клетки O-LM, селективно дегенерируют, что приводит к «растормаживанию» в дендритных компартментах PN.Напротив, нацеливающие на сомы интернейроны, в основном BCs, относительно экономны, что приводит к усиленному соматическому ингибированию (Cossart et al., 2001; Wittner et al., 2005). Все больше исследований показали, что нейроны, лишенные ASIC, устойчивы к ишемическому / кислотному повреждению (Xiong et al., 2004; Gao et al., 2005; Wemmie et al., 2006). Наши данные показывают, что BCs, в отличие от клеток O-LM и других интернейронов, не обладающих быстрым всплеском, имеют поразительно низкую плотность и быстро десенсибилизирующие ASIC. Кроме того, BC имеют относительно низкое входное сопротивление (∼134 МОм, см. Результаты) по сравнению с ячейками O-LM (∼336 МОм).Следовательно, относительно большие токи ASIC в клетках O-LM во время временного подкисления вместе с высоким входным сопротивлением будут приводить к деполяризации мембраны и срабатыванию клеток O-LM (рис. 7). Таким образом, подкисление может преимущественно вызывать возбуждение клеток O-LM, сопровождаемое массивным притоком Ca 2+ через потенциалзависимые каналы Ca 2+ , и, таким образом, может иметь большее влияние на клетки O-LM, чем BC. Интересно, что в дополнение к уникальной функции экспрессии ASIC, BC с быстрым пиком обладают очень эффективной буферной емкостью Ca 2+ (Aponte et al., 2008). Количественно величина отношения связывания Ca 2+ s ) BC (κ s ∼200; Aponte et al., 2008) в десять раз больше, чем у O-LM клеток (κ s ). ∼20; Liao, Lien, 2009). Вместе все эти факторы, вероятно, вносят вклад в избирательную дегенерацию клеток O-LM и растормаживание дендритов пирамидных клеток, вызванное экспериментальной эпилепсией.

    Перспективы

    Наши результаты указывают на специфическую для клеточного типа экспрессию ASIC в микросхемах гиппокампа, подавляющих ГАМК, и результаты демонстрируют, как распределение и пропорции субъединиц ASIC варьируются в разных клетках в физиологических условиях.Наша работа позволяет лучше понять, как ацидоз в гиппокампе может влиять на сеть и как ацидоз гиппокампа может подавлять судорожную активность. Задача будущих исследований будет заключаться в том, чтобы удалить ген ASIC ограниченным типом клеток способом, чтобы понять значение дифференциальной экспрессии ASIC в головном мозге.

    Проект технологии рекуперации тепла и семян MHD (Технический отчет)


    Петрик М. и Джонсон Т.R. Проект технологии рекуперации тепла и семян MHD. США: Н. П., 1980.
    Интернет. DOI: 10,2172 / 6814816.


    Петрик, М., и Джонсон, Т. Р. Проект технологии рекуперации тепла и семян MHD. Соединенные Штаты. https://doi.org/10.2172/6814816


    Петрик, М., и Джонсон, Т. Р. Пт.
    «Проект технологии MHD тепла и рекуперации семян». Соединенные Штаты. https://doi.org/10.2172/6814816. https://www.osti.gov/servlets/purl/6814816.

    @article {osti_6814816,
    title = {Проект MHD технологии рекуперации тепла и семян},
    author = {Петрик, М. и Джонсон, Т. Р.},
    abstractNote = {В рамках проекта технологии рекуперации тепла и семян MHD в Аргоннской национальной лаборатории собирается информация для проектирования и эксплуатации паровой установки после канала-диффузора MHD, а также для процесса регенерации семян.Цель проекта - предоставить инженерные данные, необходимые для проектирования компонентов для прототипов и демонстрационных МГД-установок. Работы ведутся в тесном сотрудничестве с установкой рекуперации тепла и рекуперации семян, которая будет пилотной установкой мощностью 20 МВт для системы подпора пара MHD. Основные усилия технологического проекта HSR направлены на экспериментальные исследования критических проблем, таких как 1) поведение NO / sub x / в радиантном котле и вторичной камере сгорания; 2) конструкция излучающего котла для удовлетворения многочисленных требований производства пара, NO / sub x / разложения и отделения затравочного шлака; 3) влияние твердых или жидких отложений семян на теплопередачу и поток газа в паровых и воздухонагревателях; 4) образование, рост и осаждение частиц затравочного шлака, 5) характер выбросов дымовых газов и 6) коррозия и эрозия керамических и металлических материалов конструкций.Эти исследования проводятся в основном на испытательном стенде мощностью 2 МВт, Аргоннской лаборатории технологического проектирования МГД (AMPEL). Другая деятельность по проекту связана с исследованиями термохимии системы сжигания затравки и шлака, определением керамических и металлических материалов для использования в парогенераторной установке MHD и оценкой процессов регенерации затравки. Сообщается о прогрессе.},
    doi = {10.2172 / 6814816},
    url = {https://www.osti.gov/biblio/6814816},
    журнал = {},
    номер =,
    объем =,
    place = {United States},
    год = {1980},
    месяц = ​​{8}
    }

    Простой унч на транзисторах.Простой германиевый усилитель мощности. Наличие искажений в НЧ-усилителях различных классов

    Сейчас в Интернете можно найти огромное количество схем различных усилителей на микросхемах, в основном серии TDA. Они обладают неплохими характеристиками, хорошим КПД, в связи с чем не так дороги и пользуются большой популярностью. Однако на их фоне забываются транзисторные усилители, которые хоть и сложны по настройке, но не менее интересны.

    Схема усилителя

    В этой статье рассмотрим процесс сборки очень необычного усилителя, работающего по классу «А» и содержащего всего 4 транзистора.Эта схема была разработана еще в 1969 году английским инженером Джоном Линсли, несмотря на преклонный возраст, она остается актуальной и по сей день.

    В отличие от микросхем-усилителей, транзисторные усилители требуют тщательной настройки и выбора транзисторов. Эта схема не исключение, хотя выглядит предельно просто. Транзистор VT1 — входной, структура PNP. Можно поэкспериментировать с различными маломощными PNP-транзисторами, в том числе немецкими, например, MP42. Хорошо себя зарекомендовали в данной схеме VT1 такие транзисторы, как 2N3906, BC212, BC546, CT361.Транзистор VT2 имеет структуру NPN, средней или малой мощности, подходят CT801, KT630, CT602, 2N697, BD139, 2Sc5707, 2SD2165. Особое внимание стоит уделить выходным транзисторам VT3 и VT4, а точнее их усилению. Здесь хорошо подходят CT805, 2SC5200, 2N3055, 2SC5198. Вам нужно выбрать два одинаковых транзистора с максимально близким усилением, и оно должно быть больше 120. Если усиление выходных транзисторов меньше 120, это означает, что транзистор с большим усилением (300 и более) должен быть помещенным в каскад приводов (VT2).

    Выбор номиналов усилителя

    Некоторые номиналы на схеме выбираются исходя из напряжения питания и сопротивления нагрузки, некоторые возможные варианты приведены в таблице:

    Не рекомендуется повышать напряжение питания более 40 вольт. , выходные транзисторы могут выйти из строя. Особенность усилителей класса А — длительный ток покоя, а значит, сильный нагрев транзисторов. При питающем напряжении, например, 20 вольт и остальном 1,5 ампер, усилитель потребляет 30 ватт вне зависимости от того, подается сигнал на его вход или нет.Каждый из выходных транзисторов рассеивает 15 Вт тепла, а это мощность небольшого паяльника! Поэтому транзисторы VT3 и VT4 необходимо устанавливать на большой радиатор с использованием термокольца.
    Этот усилитель склонен к возникновению самовозбуждения, поэтому на его выходе устанавливают цепочку Цобеля: резистор сопротивления 10 Ом и конденсатор 100 НФ, включенные последовательно между массой и общей точкой выходных транзисторов (это цепь изображена на схеме).
    При первом включении усилителя необходимо включить амперметр, чтобы контролировать остальное. Пока выходные транзисторы не прогрелись до рабочей температуры, может немного поплыть, это вполне нормально. Также при первом включении нужно замерить напряжение между общей точкой выходных транзисторов (коллектор VT4 и эмиттер VT3) и землей, должно быть вдвое меньше напряжения питания. Если напряжение отличается в большую или меньшую сторону, нужно подкрутить трюк резистор R2.

    Плата усилителя:

    (Отвод: 605)

    Плата изготовлена ​​методом ЛУТ.

    Усилитель собрал

    Несколько слов о конденсаторах, входе и выходе. Емкость входного конденсатора на схеме обозначена 0,1 мкФ, но этого емкости недостаточно. В качестве входа следует поставить пленочный конденсатор емкостью 0,68 — 1 мкФ, иначе возможен нежелательный низкочастотный срез.На выходной конденсатор С5 стоит брать напряжение не ниже напряжения питания, жадничать с тарой тоже не стоит.
    Преимущество схемы этого усилителя в том, что она не представляет опасности для динамиков акустической системы, потому что динамик подключен через разделительный конденсатор (C5), что означает, что при появлении постоянного напряжения, например, при выход усилителя, динамик останется целым, ведь конденсатор не пропустит постоянное напряжение.

    Усилитель на одном транзисторе — Вот конструкция простого УНГ на одном транзисторе. Именно с таких схем начинали свой путь многие радиолюбители. Однажды собрав простой усилитель, мы всегда стремимся сделать более мощный и качественный прибор. И так все растет, всегда есть желание сделать безупречный усилитель мощности.

    Простейшая схема усилителя, показанная ниже, сделана на одном биполярном транзисторе и шести электронных компонентах, включая динамик.Эта конструкция устройства, усиливающего низкочастотный звук, создана специально для начинающих радиолюбителей. Его основное предназначение — дать понять простой принцип работы усилителя, поэтому он собран с использованием минимального количества радиоэлектронных элементов.

    У этого усилителя естественно небольшая мощность, для начала большая и не нужна. Однако если установить более мощный транзистор и немного поднять блок питания, то на выходе можно получить примерно 0,5 Вт.А это уже считается довольно приличной мощностью для усилителя такой конструкции. В схеме для наглядности использован биполярный транзистор с N-P-N проводимостью, можно использовать любой и с любой проводимостью.

    Для получения на выходе 0,5 Вт лучше всего применять мощные биполярные транзисторы типа КТ819 или их зарубежные аналоги, например 2N6288, 2N5490. Также можно использовать фирменные транзисторы типа КТ805, их зарубежный аналог — БД148, БД149. Конденсатор в выходной цепи можно установить на 0.1МФ, хотя его номинальная стоимость не играет большой роли. Тем не менее, он формирует чувствительность устройства относительно частоты звукового сигнала.

    Если поставить конденсатор с большой емкостью, то на выходе будут преимущественно низкие частоты, а высокие будут обрезаться. И наоборот, если контейнер маленький, низкие частоты будут обрезаться, а высокие — пропускаться. Поэтому этот выходной конденсатор выбирается и настраивается в соответствии с вашими предпочтениями в отношении звукового диапазона.Напряжение питания для схемы следует выбирать из диапазона от 3В до 12В.

    Еще хочу уточнить — данный усилитель мощности представлен вам только в демонстрационных целях, для демонстрации принципа работы такого устройства. Звук у этого устройства, безусловно, будет на низком уровне и не имеет никакого значения в сравнении с качественными устройствами. При увеличении громкости воспроизведения возникнут искажения в динамике.

    На Хабре уже были публикации про ламповые усилители своими руками, читать которые было очень интересно.Там нет спора, то звук из них, это замечательно, но для использования в повседневной проще использовать устройство на транзисторах. Транзисторы удобнее тем, что не требуют прогрева перед работой и более долговечны. Да и не каждый рискнет запустить лампу САГА с анодными потенциалами на 400 В, а трансформаторы на транзистор на пару десятков вольт намного безопаснее и просто доступнее.

    В качестве схемы для воспроизведения я выбрал схему из John Linsley Hood 1969, взяв параметры авторского права при расчете импеданса ее колонок 8 Ом.

    Классическая схема британского инженера, опубликованная почти 50 лет назад, до сих пор остается одной из самых воспроизводимых и собирает исключительно положительные отзывы о себе. Этому есть много объяснений:
    — Минимальное количество элементов упрощает установку. Также считается, что чем проще конструкция, тем лучше звук;
    — несмотря на то, что транзисторов выходного дня два, их не следует искать в комплементарных парах;
    — 10 ватт выходного дня с запасом, достаточным для обычного человеческого жилья, и входной чувствительностью 0.5-1 вольт очень хорошо соответствует выпуску большинства звуковых карт или плееров;
    — Class A — Он и Африка класс A, если мы говорим о хорошем звуке. По сравнению с другими классами будет немного ниже.

    Внутренняя конструкция

    Усилитель начинается с питания. Разделение двух каналов для стерео правильнее вести от двух разных трансформаторов, но я ограничился одним трансформатором с двумя вторичными обмотками. После этих намоток каждый канал существует сам по себе, поэтому необходимо не забыть умножить на два из всего, что указано ниже.На слое делаем перемычки на диодах Шоттки для выпрямителя.

    Можно на обычных диодах или даже на готовых мостах, но тогда они обязательно должны быть шунтирующими конденсаторами, и падение напряжения на них больше. После мостов идут фильтры CRC из двух конденсаторов по 33000 мкФ и между ними резистор 0,75 Ом. Если взять меньше и емкость, и резистор, то фильтр CRC станет дешевле и меньше греется, но пульсация увеличится, чего нет в Comilfo.Эти параметры, ИМХО, разумны с точки зрения цены-эффекта. Резистору фильтра нужен мощный цемент, при токе сдвига до 2а он будет рассеивать тепло 3 Вт, поэтому лучше брать с запасом 5-10 Вт. Остальных резисторов в схеме питания 2 Вт будет вполне достаточно. .

    Далее переходим к бусту усилителя. В интернет-магазинах продается куча готовых китов, но не меньше и претензий к качеству китайских комплектующих или неграмотной разводке на платах.Поэтому лучше себе, под такой же «скаттер». Я сделал оба канала на одном слое, чтобы затем прикрепить его к нижней части корпуса. Начнем с тестовых элементов:

    Все, кроме выходных транзисторов TR1 / TR2, расположены на самой плате. На радиаторах установлены транзисторы выходного дня, он чуть ниже. К авторской схеме из оригинала статьи нужно сделать такие пометки:

    Не всем нужно сразу выкладывать намертво. Резисторы R1, R2 и R6 лучше сначала поставить быстро, после всех регулировок на падение, измерить их сопротивление и припаять конечные постоянные резисторы с аналогичным сопротивлением.Настройка сводится к следующим операциям. Во-первых, с помощью R6 напряжение между x и нулем составляет ровно половину от напряжения + v и нуля. В одном из каналов у меня не было 100 ком, так что лучше брать эти хитрости с запасом. Затем с помощью R1 и R2 (сохраняя их примерное соотношение!) Выставляется остальной ток — ставим тестер измерения постоянного тока и измеряем именно этот ток на Power Input Power Power. Пришлось значительно снизить сопротивление обоих резисторов, чтобы получить желаемый резервуар.В остальном усилитель в классе А максимум и по сути при отсутствии входного сигнала все уходит на тепловую энергию. Для 8-омных колонок этот ток, по рекомендации автора, должен быть 1,2 и при напряжении 27 вольт, что означает 32,4 тепловатта на канал. Поскольку текущая настройка может занять несколько минут, то выходные транзисторы уже должны быть на радиаторах охлаждения, иначе они быстро перегреются и умрут. Ибо греются в основном.

    Возможно, что в порядке эксперимента захочется сравнить звучание разных транзисторов, так что также можно оставить возможность удобной замены.Пробовал на входе 2n3906, CT361 и BC557C, небольшая разница была в пользу последнего. В престижном пробовали КТ630, БД139 и КТ801, остановились на импортном. Хотя все вышеперечисленные транзисторы очень хороши, и разница может быть более субъективной. На выходе поставил сразу 2N3055 (St Microelectronics), как многим они нравятся.

    При регулировке и занижении сопротивления усилителя частота CBC может расти, поэтому для входного конденсатора лучше использовать 5,5 мкФ, а для полимерной пленки 1 или даже 2 мкФ.В сети до сих пор ходит российская картинка схема «Ультралинейный усилитель класса А», где этот конденсатор вообще предлагается как 0,1 мкФ, что чревато срезанием всех басов под 90 Гц:

    Написано что эта схема не склонна к самовозбуждению, но на всякий случай существует цепочка Цобель между точкой Х и Землей: R 10 Ом + с 0,1 мкФ.
    — Предохранители, их можно и нужно размещать как на трансформаторе, так и на вводе питания схемы.
    — Очень уместно будет использовать термопасту для максимального контакта транзистора с радиатором.

    Сантехника и столярные изделия

    Теперь о традиционно сложной детали в DIY — корпусе. Энабариты корпуса устанавливаются радиаторами, и они в классе А должны быть большими, помните о 30-ваттном нагреве с каждой стороны. Сначала я поставил эту мощность в невыгодное положение и сделал корпус со средними радиаторами по 800 см² на канал. Однако во время отдыха 1.2а услышали до 100 ° C за 5 минут, и стало понятно, что нужно что-то более мощное.То есть нужно либо ставить сырые радиаторы, либо использовать кулеры. Квадрокоптер делать не хотелось, поэтому были закуплены гигантские красавцы руками HS 135-250 площадью 2500 см² на каждый транзистор. Как показала практика, такая мера оказалась немного излишней, но теперь усилитель спокойно можно рвать руками — температура всего 40 ° С даже в режиме покоя. Определенной проблемой было сверление отверстий в радиаторах под крепления и транзисторы — изначально закупленный китайский прокат сверлили крайне медленно, на каждое отверстие оставляли не меньше получаса.На помощь пришли кобальтовые валы с углом заточки 135 ° от известного немецкого производителя — каждая лунка держится за несколько секунд!

    Сам сделал корпус из оргстекла. Заказываем в глазурах сразу нарезанные прямоугольники сразу, выполняем необходимые отверстия для крепежа и красим с обратной стороны черной краской.

    Нарисованный на обратной стороне оргстекло смотрится очень красиво. Теперь осталось только собрать все и наслаждаться музыкой… Ах да, при финальной сборке еще важно минимизировать фон, правильно развести землю. Как нам за десятилетия выяснили, C3 нужно подключать к заземлению сигнала, т.е. к минусовому входу, а все остальные минусы можно направить на «звезду» возле конденсаторов фильтра. Если все сделано правильно, то никакого фона не услышать, даже если ухо вывести на максимальную громкость. Еще одна «земная» особенность, которая характерна для звуковых карт, не развязанных с компьютером гальванически, — это сбой в работе материнской платы, которая может пролезать через USB и RCA.Судя по интернету, проблема возникает часто: в динамиках слышны звуки работы HDD, принтера, мышей и фон системного БП. В этом случае проще всего разорвать заземляющую петлю, взяв землю с подогревом на вилку усилителя. Здесь бояться нечего, т.к. будет вторая цепь заземления через компьютер.

    Регулятором громкости на усилителе я не стал, так как качественных АЛП получить не удалось, а вот шуршание китайских потенциометров мне не понравилось.Вместо этого между «Землей» и «Сигналом» входа был установлен обычный резистор 47 кОм. Тем более что под рукой у регулятора есть внешняя звуковая карта, да и в каждой программе есть ползунок. Регулятор громкости есть не только у винилового плеера, поэтому для его прослушивания я прикрепил к соединительному кабелю внешний потенциометр.

    Я думаю, этот контейнер за 5 секунд …

    Наконец, можно переходить к прослушиванию. Foobar2000 → ASIO → Внешний ASUS Xonar U7 используется в качестве источника звука.Колонки MICROLAB PRO3. Главное достоинство этих колонок — отдельный блок собственного усилителя на микросхеме LM4766, который можно сразу куда-нибудь убрать. Гораздо интереснее с такой акустикой звучал усилитель от мини-системы Panasonic с гордой надписью Hi-Fi или усилитель советского плеера Vega-109. Оба вышеупомянутых устройства работают в классе AB. Представленный в статье JLH сдвинул всех вышеупомянутых товарищей в одни ворота, согласно результатам слепого теста для 3 человек.Хотя разница была слышна невооруженным ухом и без каких-либо тестов — звук явно более детальный и более прозрачный. Например, очень легко услышать разницу между MP3 256Kbps и FLAC. Раньше я думал, что эффект без потерь сильнее плацебо, но теперь мнение изменилось. Точно так же гораздо приятнее было послушать несжатые файлы из Loudness War — динамический диапазон меньше 5 дБ вообще не айс. Linsley-Hood стоит затрат времени и денег, ибо аналогичный брендовый усилитель будет стоить намного дороже.

    Материальные затраты

    Трансформатор 2200 р.
    Транзисторы выходного дня (6 шт. С запасом) 900 шт.
    Конденсаторы фильтра (4 шт) 2700 р.
    «Проход» (резисторы, конденсаторы и транзисторы малой емкости, диоды) ~ 2000 р.
    Радиаторы 1800 р.
    Оргстекло 650 р.
    Краска 250 р.
    Разъемы 600 шт.
    Платы, провода, припой серебряный и др. ~ 1000 р.
    Итого ~ 12100 стр.

    Время чтения ≈ 6 минут

    Усилители

    , наверное, одни из первых устройств, которые начинают конструировать радиолюбители.Собирая УМЛК на транзисторах своими руками по готовой схеме, многие используют микросхемы.

    Транзисторные усилители хоть и отличаются огромным количеством, но каждый радиоэлектронщик постоянно стремится сделать что-то новое, более мощное, более сложное, интересное.

    Более того, если вам нужен качественный и надежный усилитель, стоит присмотреться к моделям на транзисторах. Ведь именно они самые дешевые, умеют воспроизводить чистый звук, и их легко сконструирует любой новичок.

    Поэтому разберемся, как сделать самодельный усилитель НЧ класса B.

    Примечание! Да-да, усилители класса В тоже могут быть хорошими. Многие говорят, что качественный звук могут выдавать только ламповые устройства. Отчасти это правда. Но посмотрите на их стоимость.

    Тем более что собрать такой прибор в домашних условиях — задача не из легких. Ведь подходящие радиологи придется долго искать, а потом покупать по довольно высокой цене. Да и сам процесс сборки и пайки требует некоторого опыта.

    Поэтому рассмотрим простую схему, и в то же время качественный усилитель низкой частоты, способный выдавать звуковую мощность 50 Вт.

    Старая, но проверенная годами схема из 90-х

    Схема UNF, которую мы будем собирать, впервые была опубликована в журнале Radio за 1991 год. Ее успешно собрали сотни тысяч радиолюбителей. Причем не только для повышения квалификации, но и для использования в своих аудиосистемах.

    Итак, знаменитый усилитель низкой частоты Дорофеева:

    Уникальность и гениальность этой схемы заключается в ее простоте.Этот UHC использует минимальное количество радиоэлементов и чрезвычайно простой источник питания. Но устройство способно «взять» нагрузку в 4 Ом и обеспечить выходную мощность 50 Вт, чего вполне достаточно для домашней или автомобильной акустики.

    Многие усовершенствовали электротехнику, доработали эту схему. I. Для удобства мы взяли самую современную деталь, заменив старые комплектующие на новые, чтобы вам было удобнее проектировать ЦЭКБС:

    Описание схемы усилителя низкой частоты

    В «переработанном» Доровеевском УНГ использованы уникальные и наиболее эффективные схематические решения.Например, сопротивление R12. Этот резистор ограничивает ток на коллекторе выходного транзистора, тем самым ограничивая максимальную мощность усилителя.

    Важно! Не меняйте номинал R12 для увеличения выходной мощности, так как он подан именно под те компоненты, которые используются в схеме. Этот резистор защищает всю цепь от короткого замыкания.

    Выходной каскад транзисторов:

    Тот же R12 «живой»:

    Резистор R12 должен иметь мощность 1 Вт, если под рукой такого нет — отнесите в ПОЛЬВАТТ.Он имеет параметры, обеспечивающие коэффициент нелинейных искажений до 0,1% на частоте 1 кГц и не более 0,2% на частоте 20 кГц. То есть никаких изменений по слухам вы не заметите. Даже при работе на максимальной мощности.

    Источник питания нашего усилителя должен быть двухполюсным, с выходными напряжениями в диапазоне 15-25 В (+ — 1%):

    Чтобы «поднять» мощность звука, можно увеличить напряжение. Но, тогда придется заменить транзисторы в оконечном каскаде схемы.Приходится заменять их на более мощные, после чего пересчитывает несколько сопротивлений.

    Компоненты R9 и R10 должны иметь обозначение в соответствии с подаваемым напряжением:

    Они с помощью Stabilon ограничивают проходящий ток. В этой же части цепочки собран параметрический стабилизатор, который нужен для стабилизации напряжения и тока перед операционным усилителем:

    Пару слов о микросхеме TL071 — «Сердце» нашего УНГ.Считается отличным операционным усилителем, который встречается как в любительских конструкциях, так и в профессиональной аудиоаппаратуре. Если подходящего оператора нет, его можно заменить на TL081:

    Вид «Реально» на доске:

    Важно! Если вы решили применить в этой схеме какие-либо другие операционные усилители, внимательно изучите их распиновку, ведь «ножки» могут иметь другие значения.

    Для удобства микросхема TL071 предназначена для крепления пластиковой панели, предварительно припаянной к плате.Так можно будет при необходимости быстро заменить компонент на другой.

    Полезно знать! Для ознакомления представляю вам еще одну схему этого УНГ, но без армирующего чипа. Устройство состоит исключительно из транзисторов, но собирается крайне редко из-за устаревания и неактуальности.

    Для удобства мы постарались сделать печатную плату минимум — для компактности и удобства установки в аудиосистему:

    Все перемычки на плате нужны сразу после травления.

    Блоки транзисторов (входной и выходной каскады) необходимо монтировать на общем радиаторе. Конечно, они тщательно изолированы от радиатора.

    На схеме они здесь:

    А вот на печатной плате:

    При отсутствии готовых радиаторов радиаторы могут быть из алюминиевых или медных пластин:

    Транзисторы выходного каскада должны иметь рассеиваемую мощность не менее 55 Вт, а еще лучше — 70 или целых 100 Вт.Но этот параметр зависит от напряжения питания на плате.

    Из схемы видно, что на входном и выходном каскаде используются 2 комплементарных транзистора. Для нас важно подобрать их по коэффициенту армирования. Для определения этого параметра можно взять любой мультиметр с функцией проверки транзисторов:

    Если у вас нет такого устройства, то вам придется позаимствовать у некоторых мастеров тестер транзисторов:

    Стабилизаторы следует выбирать при включении POLVATT.Напряжение стабилизации должно быть 15-20 В:

    Блок питания. Если вы планируете монтировать на свой УНГ трансформаторный БП, то выбирайте конденсаторы-фильтры емкостью не менее 5000 мкм. Здесь чем больше — тем лучше.

    Собранный нами усилитель низкой частоты относится к B-классу. Он работает стабильно, обеспечивая практически кристально чистый звук. Но лучше всего выбирать BN, чтобы он не мог работать на всю мощность. Оптимальный вариант — трансформатор общей мощностью не менее 80 Вт.

    Вот и все. Мы разобрались, как собрать УНГ на транзисторах своими руками по простой схеме, и как в дальнейшем ее можно улучшить. Все комплектующие устройства найдутся, а если их нет — стоит разобрать пару старых магнитол или заказать радиодетали в интернете (они практически копейки).

    Уходя в прошлое, теперь, чтобы собрать любой простой усилитель, больше не нужно мучиться с расчетами и клепать печатную плату больших размеров.

    Сейчас почти вся дешевая арматура делается на чипах. Наибольшее распространение получили чипы TDA для усиления звукового сигнала. В настоящее время они используются в автомагнитолах, в активных сабвуферах, в домашней акустике и во многих других аудиториях и выглядят так:

    Плюсы микросхемы TDA

    1. Для того, чтобы на них смонтировать усилитель, необходимо достаточно для подачи питания, подключения колонок и нескольких радиоэлементов.
    2. Размеры этих микросхем очень малы, но на радиатор нужно будет ставить, иначе они будут греться.
    3. Продаются на любом радиорынке. На Али что то дорогое, если в розницу.
    4. В них встроены различные защиты и другие опции, такие как отключение звука и так далее. Но по моим наблюдениям защита не очень хорошая, поэтому чипы часто умирают либо от перегрева либо от перегрева. Так что желательно не лезть выводы чипов между собой и не перегревать чип, выдавливая из него все соки.
    5. Цена. Я бы не сказал, что они очень дорогие.По цене и выполняемым функциям они не равны.

    Одноканальный усилитель на TDA7396

    Соберем простой одноканальный усилитель на микросхеме TDA7396. На момент написания брал по цене 240 руб. В даташете на чип было сказано, что этот чип может выдавать до 45 Вт при нагрузке 2 Ом. То есть если измерить сопротивление катушки динамика и оно будет около 2 Ом, то на динамике вполне можно получить пиковую мощность в 45 Вт.Этой мощности хватит, чтобы устроить в комнате дискотеку не только для себя, но и для соседей и при этом получить посредственный звук, который, конечно, не сравнить с усилителями Hi-Fi.

    Распиновка микросхемы:

    Соберем наш усилитель по типовой схеме, которая была приложена в самом даташете:

    Для ноги 8 подаем + vs, а я не наносите ничего на стопу. Следовательно, схема примет такой вид:

    VS — напряжение питания.Оно может быть от 8 до 18 вольт. «В +» и «В-» — здесь мы даем слабый гудок. К 5 и 7 ножкам цепляем динамик. Шестая нога Садима на минус.

    Вот моя сборка навесная

    Конденсаторы на блоке питания 100 НФ и 1000МКФ я не использовал, так как у меня чистое напряжение от БП.

    Раскатил динамик с такими параметрами:

    Как видите, сопротивление катушки 4 Ом. Полоса частот указывает на то, что это тип сабвуфера.

    И так я выгляжу как саб в самонаводящемся здании:

    Пытался снимать видео, но звук на видео убираю очень плохо. Но все же могу сказать, что с телефона на средней мощности он уже упал так, что уши накрутились, хотя потребление всей схемы в рабочем виде было всего около 10 Вт (14,3 умножить на 0,73). ВНИМАНИЕ !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! В этом примере я взял напряжение, как в автомобиле, то есть 14,4 вольт, что полностью соответствует нашему рабочему диапазону от 8 до 18 вольт.

    Если у вас нет мощного источника питания, его можно собрать по этой схеме.

    Не стоит останавливаться именно на этой микросхеме. Этих микросхем ТДА, как я уже сказал, существует много видов. Некоторые из них усиливают стереосигнал и могут выдавать звук сразу на 4 динамика, как это делается в автомобильной магнитоле. Так что не поленитесь покататься в интернете и найти подходящую мысль. Завершив сборку, пусть соседи проверит ваш усилитель, повернув ручку громкости на всю балалайку и прислонив мощный динамик к стене).